JPH0318298B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0318298B2 JPH0318298B2 JP15608983A JP15608983A JPH0318298B2 JP H0318298 B2 JPH0318298 B2 JP H0318298B2 JP 15608983 A JP15608983 A JP 15608983A JP 15608983 A JP15608983 A JP 15608983A JP H0318298 B2 JPH0318298 B2 JP H0318298B2
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- JP
- Japan
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- light
- wall
- cap
- coating
- substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表示パネルと半導体素子から成る駆動
回路部とが同一ガラス基板上に一体形成された通
称「チツプ・オン・グラス（Chip on Glass）」
（以下COGと称す）の構造を有する蛍光表示管に
関するもので、特に半導体素子の封止構造に関す
る。
回路部とが同一ガラス基板上に一体形成された通
称「チツプ・オン・グラス（Chip on Glass）」
（以下COGと称す）の構造を有する蛍光表示管に
関するもので、特に半導体素子の封止構造に関す
る。
従来のCOG構造を有する蛍光表示管として第
１図および第２図に、要部切欠き平面図およびＡ
−Ａ部切断断面図を示すような構造のものが提供
されている。すなわち、この従来例について説明
すると、図において、１は駆動回路形成板を兼ね
た陽極基板で、ガラスからなる基板１Ａの上面に
積層被着された複数の配線被膜２、絶縁被膜３、
セグメント電極４、けい光体層５等を備えたもの
であり、かつこのけい光体層５を有する複数のセ
グメント電極４によつて数字等のパターンを表示
する陽極表示部６を構成し、この陽極表示部６を
複数けた並設させて複数けたの数字等を選択的に
表示できるようになつている。
１図および第２図に、要部切欠き平面図およびＡ
−Ａ部切断断面図を示すような構造のものが提供
されている。すなわち、この従来例について説明
すると、図において、１は駆動回路形成板を兼ね
た陽極基板で、ガラスからなる基板１Ａの上面に
積層被着された複数の配線被膜２、絶縁被膜３、
セグメント電極４、けい光体層５等を備えたもの
であり、かつこのけい光体層５を有する複数のセ
グメント電極４によつて数字等のパターンを表示
する陽極表示部６を構成し、この陽極表示部６を
複数けた並設させて複数けたの数字等を選択的に
表示できるようになつている。
配線被膜２は、絶縁被膜３に設けた接続孔７を
通して隣接するセグメント電極４を電気的に接続
し、さらに、外部駆動回路接続電極として基板１
Ｂ上迄、延長配線されている。また、各陽極表示
部６に対向させてメツシユ状の制御電極１１およ
び陰極１２が配設され配線被膜２により基板１Ｂ
上迄、延長配線されている。陽極表示部６、制御
電極１１、陰極１２等を備えた陽極基板１Ａの上
に、少なくとも上面窓部は透明なガラスなどから
なる上面板１３が配設され、その周縁部において
低融点フリツトガラスのような封着材２２によつ
て気密に封着されて、外囲器が形成されている。
通して隣接するセグメント電極４を電気的に接続
し、さらに、外部駆動回路接続電極として基板１
Ｂ上迄、延長配線されている。また、各陽極表示
部６に対向させてメツシユ状の制御電極１１およ
び陰極１２が配設され配線被膜２により基板１Ｂ
上迄、延長配線されている。陽極表示部６、制御
電極１１、陰極１２等を備えた陽極基板１Ａの上
に、少なくとも上面窓部は透明なガラスなどから
なる上面板１３が配設され、その周縁部において
低融点フリツトガラスのような封着材２２によつ
て気密に封着されて、外囲器が形成されている。
次に基板１Ｂ上に形成される駆動回路１４につ
いて説明する。この従来例については、水晶制御
クロツク用CMOSLSI１５を１チツプ、基板１Ｂ
上に実装している。CMOSLSIチツプ１５は導電
性あるいは絶縁性接着剤１６により基板１Ｂ上に
ダイボンデイングされる。続いてチツプ１５上の
電極の配線被膜２により形成されたパツド部１７
間を接続するワイヤ−ボンデイングを行なう。こ
れには金線１８を用い例えばサーモソニツク法で
接続される。更にこれらの上から保護キヤツプ１
９として金属製あるいはセラミツク製中空パツケ
ージにより覆い、かつ固定する為に接着剤２０を
用い、駆動回路１４が出来あがる。これがCOG
構造の基本構成である。
いて説明する。この従来例については、水晶制御
クロツク用CMOSLSI１５を１チツプ、基板１Ｂ
上に実装している。CMOSLSIチツプ１５は導電
性あるいは絶縁性接着剤１６により基板１Ｂ上に
ダイボンデイングされる。続いてチツプ１５上の
電極の配線被膜２により形成されたパツド部１７
間を接続するワイヤ−ボンデイングを行なう。こ
れには金線１８を用い例えばサーモソニツク法で
接続される。更にこれらの上から保護キヤツプ１
９として金属製あるいはセラミツク製中空パツケ
ージにより覆い、かつ固定する為に接着剤２０を
用い、駆動回路１４が出来あがる。これがCOG
構造の基本構成である。
この様に製作された、COG構造を有する表示
管においてはインターフエイス信号用外部端子２
１に水晶振動子（図示せず）を取付け直流電源に
接続することによりスタテイツク駆動の時計表示
を行うことが出来る。
管においてはインターフエイス信号用外部端子２
１に水晶振動子（図示せず）を取付け直流電源に
接続することによりスタテイツク駆動の時計表示
を行うことが出来る。
しかしながら第１図、第２図に示すような従来
の半導体チツプ１５用キヤツプ１９は気密性につ
いては考慮されて設計されていたが、ガラス基板
１Ｂの裏面からの光３０の透過については考慮さ
れていなかつた。その為にガラス基板１の裏面を
通して光３０がパツケージ内に透過していた。こ
こでは保護キヤツプ１９の一例としてアルミナ質
から成るセラミツクを用いてパツケージングして
いるが、光の反射に対して特別な処理がなされて
いない為、光に対する反射係数はかなり大きい。
その為パツケージ内に透過した光３０はキヤツプ
の内壁で反射をくり返したのち半導体素子である
チツプ１５の表面に到達する。
の半導体チツプ１５用キヤツプ１９は気密性につ
いては考慮されて設計されていたが、ガラス基板
１Ｂの裏面からの光３０の透過については考慮さ
れていなかつた。その為にガラス基板１の裏面を
通して光３０がパツケージ内に透過していた。こ
こでは保護キヤツプ１９の一例としてアルミナ質
から成るセラミツクを用いてパツケージングして
いるが、光の反射に対して特別な処理がなされて
いない為、光に対する反射係数はかなり大きい。
その為パツケージ内に透過した光３０はキヤツプ
の内壁で反射をくり返したのち半導体素子である
チツプ１５の表面に到達する。
光による漏電流が問題となるCMOSLSIチツプ
１５では、パツケージ内に透過した光３０によつ
て、電気的特性が変化する為、パツケージ内に透
過する光が原因である誤動作が時々発生する問題
点を有していた。
１５では、パツケージ内に透過した光３０によつ
て、電気的特性が変化する為、パツケージ内に透
過する光が原因である誤動作が時々発生する問題
点を有していた。
本発明は、前述したような光による問題点を解
消したCOG構造を有する蛍光表示管を提供せん
とするものである。
消したCOG構造を有する蛍光表示管を提供せん
とするものである。
その主旨とする拠は、光により半導体素子に誘
起される漏電流のため、特性変動の大きい半導体
素子を収納するパツケージ内に透過した光の半導
体素子上に到達する量を極度に減ずることによ
り、特性変動を問題ない程度迄低下させうる保護
キヤツプを提供することにある。
起される漏電流のため、特性変動の大きい半導体
素子を収納するパツケージ内に透過した光の半導
体素子上に到達する量を極度に減ずることによ
り、特性変動を問題ない程度迄低下させうる保護
キヤツプを提供することにある。
本発明に於ては保護キヤツプ１９の内壁に、光
に対する反射係数が小で、かつ吸収係数の大なる
物質よりなる被膜を形成したことを特徴としてい
る。
に対する反射係数が小で、かつ吸収係数の大なる
物質よりなる被膜を形成したことを特徴としてい
る。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
第３図は本発明の実施例による切断断面図であ
る。図に於て第１図および第２図と同じ部材につ
いては同じ符号を用いてあり、これらの基本的役
割は従来法と何ら変りはない。さて、この実施例
におけるキヤツプ１９はアルミナ質セラミツクを
用いている。このキヤツプの内壁には酸化クロム
より成る被膜４０を被着せしめてある。この被膜
４０はクロム粉末とバインダーからなる液をセラ
ミツク内壁に塗布した後、空気中で焼成して酸化
クロム被膜に変換させたものである。尚酸化クロ
ム被膜形成法として、クロム粉末の変りにクロム
金属を蒸着により被着させ空気中焼成する方法も
あるが、この場合得られる酸化クロム被膜の光に
対する反射係数はクロム粉末の場合より大きく得
策ではない。反射係数を小さくするには、表面の
凹凸を有するクロム粉末を使用して形成した被膜
の方が望ましい。この構造において、ガラス基板
１（１Ｂ裏面）を通してキヤツプ内に透過した光
３０は、キヤツプの内壁に到達するのであるが、
キヤツプの内壁に、酸化クロムから成る、光に対
する反射係数が小でかつ吸収係数の大なる物質か
ら成る被膜４０を被着してあるので、内壁に到達
した光３０はほとんどここで吸収される。よつて
キヤツプ内に透過した光が、半導体チツプ１５に
到達する割合は、極度に減少する。
る。図に於て第１図および第２図と同じ部材につ
いては同じ符号を用いてあり、これらの基本的役
割は従来法と何ら変りはない。さて、この実施例
におけるキヤツプ１９はアルミナ質セラミツクを
用いている。このキヤツプの内壁には酸化クロム
より成る被膜４０を被着せしめてある。この被膜
４０はクロム粉末とバインダーからなる液をセラ
ミツク内壁に塗布した後、空気中で焼成して酸化
クロム被膜に変換させたものである。尚酸化クロ
ム被膜形成法として、クロム粉末の変りにクロム
金属を蒸着により被着させ空気中焼成する方法も
あるが、この場合得られる酸化クロム被膜の光に
対する反射係数はクロム粉末の場合より大きく得
策ではない。反射係数を小さくするには、表面の
凹凸を有するクロム粉末を使用して形成した被膜
の方が望ましい。この構造において、ガラス基板
１（１Ｂ裏面）を通してキヤツプ内に透過した光
３０は、キヤツプの内壁に到達するのであるが、
キヤツプの内壁に、酸化クロムから成る、光に対
する反射係数が小でかつ吸収係数の大なる物質か
ら成る被膜４０を被着してあるので、内壁に到達
した光３０はほとんどここで吸収される。よつて
キヤツプ内に透過した光が、半導体チツプ１５に
到達する割合は、極度に減少する。
以上のように、セラミツク製保護キヤツプ１９
の内壁に、光に対する反射係数が小でかつ吸収係
数の大なる物質よりなる被膜を被着せしめる事に
より、前記キヤツプ内に透過した光が前記キヤツ
プ内壁に被着せしめた物質に依つてほとんど吸収
される為、半導体チツプ表面に到達する割合は、
従来のものに比べて大きく減少させる事が出来、
内に透過した光による半導体チツプ特性の変動を
無視できる程度まで減少させる事ができる。
の内壁に、光に対する反射係数が小でかつ吸収係
数の大なる物質よりなる被膜を被着せしめる事に
より、前記キヤツプ内に透過した光が前記キヤツ
プ内壁に被着せしめた物質に依つてほとんど吸収
される為、半導体チツプ表面に到達する割合は、
従来のものに比べて大きく減少させる事が出来、
内に透過した光による半導体チツプ特性の変動を
無視できる程度まで減少させる事ができる。
尚本実施例ではセラミツク製キヤツプを使用し
た場合について述べているが、金属製キヤツプを
使用した場合にも同目的に適する種々な材料を選
択して被膜形成すれば同一効果が得れることは云
うまでもない。
た場合について述べているが、金属製キヤツプを
使用した場合にも同目的に適する種々な材料を選
択して被膜形成すれば同一効果が得れることは云
うまでもない。
第１図および第２図は従来のCOG構造を有す
る多ケタ蛍光表示管の一例を示す要部切欠き平面
図およびＡ−Ａ部切断断面図、第３図は本発明に
よるCOG構造を有する多ケタ蛍光表示管の一実
施例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……配線被膜、３……絶
縁被膜、４……セグメント電極、５……蛍光体
層、６……陽極表示部、１１……制御電極、１２
……陰極、１４……駆動回路部、１５……半導体
ICチツプ、１７……パツド部、１９……保護キ
ヤツプ（パツケージ）、２０……接着剤、２１…
…外部端子、３０……外部からの光、４０……反
射係数小かつ吸収係数大なる物質。
る多ケタ蛍光表示管の一例を示す要部切欠き平面
図およびＡ−Ａ部切断断面図、第３図は本発明に
よるCOG構造を有する多ケタ蛍光表示管の一実
施例を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……配線被膜、３……絶
縁被膜、４……セグメント電極、５……蛍光体
層、６……陽極表示部、１１……制御電極、１２
……陰極、１４……駆動回路部、１５……半導体
ICチツプ、１７……パツド部、１９……保護キ
ヤツプ（パツケージ）、２０……接着剤、２１…
…外部端子、３０……外部からの光、４０……反
射係数小かつ吸収係数大なる物質。
Claims (1)
- １ 蛍光体層を有する表示部と、光によつて電気
特性が変化する問題を有する半導体素子で前記表
示部を動作させる駆動回路部とが、同一基板上に
一体形成され、かつ前記半導体素子を中空キヤツ
プにより覆い、基板上に封止した構造を有する蛍
光表示管において、前記中空キヤツプの内壁に、
光の反射係数が前記内壁より小でかつ吸収係数が
前記内壁より大なる物質からなる被膜を形成した
ことを特徴とする蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15608983A JPS6047354A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15608983A JPS6047354A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047354A JPS6047354A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0318298B2 true JPH0318298B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=15620062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15608983A Granted JPS6047354A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047354A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124948U (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-14 | 日本電気株式会社 | 螢光表示管 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15608983A patent/JPS6047354A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047354A (ja) | 1985-03-14 |
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