JPH03184932A - アルケニルオキシアリルベンゼン類 - Google Patents
アルケニルオキシアリルベンゼン類Info
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- JPH03184932A JPH03184932A JP1323956A JP32395689A JPH03184932A JP H03184932 A JPH03184932 A JP H03184932A JP 1323956 A JP1323956 A JP 1323956A JP 32395689 A JP32395689 A JP 32395689A JP H03184932 A JPH03184932 A JP H03184932A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なアルケニルオキシアリルベンゼン類お
よび該化合物を有効成分とする液晶組成物に関する。
よび該化合物を有効成分とする液晶組成物に関する。
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化され、スメクチック液晶の応用開発が
さかんに行なわれている。
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化され、スメクチック液晶の応用開発が
さかんに行なわれている。
それらには液晶表示に応用されている電気光学効果に対
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質は自然界のなるべく広
い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質は自然界のなるべく広
い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
近年表示素子の大型化が望まれ、スメクチック液晶を用
いたレーザー光書き込み型大画面デスプレイをF、J、
カーノ(P、J、 Kahn、 Appl Phys。
いたレーザー光書き込み型大画面デスプレイをF、J、
カーノ(P、J、 Kahn、 Appl Phys。
Lett、、 22.111−113 (1973))
が提案した。これに用いられる液晶化合物は、スメクチ
ック相−→ネマチック相←→等方性液体のような順で相
転移しなければならない。
が提案した。これに用いられる液晶化合物は、スメクチ
ック相−→ネマチック相←→等方性液体のような順で相
転移しなければならない。
又一方では従来のTN型方式では表示品位が劣るため、
新たに一連の5TN(スーパーツイスト)型表示素子が
M、シャット、F、リーンフーツ(Appl、 Phy
s、Lett、、 50.286 (1987))によ
り開発され、大型化しても表示品位が劣らないものであ
る。
新たに一連の5TN(スーパーツイスト)型表示素子が
M、シャット、F、リーンフーツ(Appl、 Phy
s、Lett、、 50.286 (1987))によ
り開発され、大型化しても表示品位が劣らないものであ
る。
この方式に望まれる液晶の性質はに3/に1が大きく、
K2/Klは小さい、Δε/ε□は小さい値が望まれて
いる(M、5chadt、 P、LeenhoutsS
ociety for Information
Display Internatio−nal
Symposium Digest of T
echnical PaparsVol、X Mi
ll New 0rleans、Lousjana
May 12−14゜(1987)372−37
5) 。
K2/Klは小さい、Δε/ε□は小さい値が望まれて
いる(M、5chadt、 P、LeenhoutsS
ociety for Information
Display Internatio−nal
Symposium Digest of T
echnical PaparsVol、X Mi
ll New 0rleans、Lousjana
May 12−14゜(1987)372−37
5) 。
但しに1は広がりの弾性定数、R2はねじれの弾性定数
、R3は曲がりの弾性定数であり、−様に配向したセル
に磁界あるいは電界を印加した時のしきい値電圧から求
められる。
、R3は曲がりの弾性定数であり、−様に配向したセル
に磁界あるいは電界を印加した時のしきい値電圧から求
められる。
ε□は配向ベクトルに垂直な方向の誘電率を、ε〃を配
向ベクトルに平行な方向の誘電率とすると、Δε−ε〃
−ε□であり、誘電率異方性を示す。
向ベクトルに平行な方向の誘電率とすると、Δε−ε〃
−ε□であり、誘電率異方性を示す。
本発明の目的はΔnをそれ程大きくせずに、K3/に1
が大きく、相溶性に優れており、上述のSTN型表不表
示素子用できる化合物であって、液晶組成物として有用
な新規化合物を提供することである。他の目的は、該化
合物を含有することを特徴とする液晶組成物を提供する
ことである。
が大きく、相溶性に優れており、上述のSTN型表不表
示素子用できる化合物であって、液晶組成物として有用
な新規化合物を提供することである。他の目的は、該化
合物を含有することを特徴とする液晶組成物を提供する
ことである。
但しΔnはnn −1]よであり、配向ベクトルに平行
な方向の屈折率と垂直な方向の屈折率の差である。
な方向の屈折率と垂直な方向の屈折率の差である。
本発明は
(1) 一般式
(上式中R1は直鎖又は枝分れした炭素数1〜15のア
ルケニル基であり、R2は直鎖又は枝分れした炭素数1
〜15のアルキル基であり、gは1又は2を示す) で表わされるアルケニルオキシアリルベンゼン類であり
、 (2) 前記(1)記載のアルケニルオキシアリルベン
ゼン類を少なくとも一種類含有する液晶組成物である。
ルケニル基であり、R2は直鎖又は枝分れした炭素数1
〜15のアルキル基であり、gは1又は2を示す) で表わされるアルケニルオキシアリルベンゼン類であり
、 (2) 前記(1)記載のアルケニルオキシアリルベン
ゼン類を少なくとも一種類含有する液晶組成物である。
本発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外
の他の成分としては、例えばエステル系、 − シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン
系、複素環系等の液晶化合物をあげることができる。
の他の成分としては、例えばエステル系、 − シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン
系、複素環系等の液晶化合物をあげることができる。
本発明の化合物の製造法は、例えば次式(II)(m)
の反応によって示される。
の反応によって示される。
(上式中R,R2,Dは前記に同じであり、EtOHは
エタノールを、P h N M e 2はジメチルアニ
リンを、DMFはN、N−ジメチルホルムアミドを示す
) すなわち臭化アリルと4−アルキルシクロヘキシルフェ
ノール(、Q=1)又は4−アルキルビシクロヘキシル
フェノール(Ill−2)をエタノール中、水酸化カリ
ウムと反応を行い、フェニルアリルエーテル体とし、つ
いでジメチルアニリン中で還流下に加熱し、クライゼン
転位によって、2アリル−4−アルキルシクロヘキシル
フェノールとする。
エタノールを、P h N M e 2はジメチルアニ
リンを、DMFはN、N−ジメチルホルムアミドを示す
) すなわち臭化アリルと4−アルキルシクロヘキシルフェ
ノール(、Q=1)又は4−アルキルビシクロヘキシル
フェノール(Ill−2)をエタノール中、水酸化カリ
ウムと反応を行い、フェニルアリルエーテル体とし、つ
いでジメチルアニリン中で還流下に加熱し、クライゼン
転位によって、2アリル−4−アルキルシクロヘキシル
フェノールとする。
このアリルフェノール類と臭化アルケニルをN。
N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)溶媒中
無水炭酸カリウムと反応を行い目的とするアルケニルオ
キシアリルベンゼン類を取得した。
無水炭酸カリウムと反応を行い目的とするアルケニルオ
キシアリルベンゼン類を取得した。
以下に実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこの実施例によって何等限定されるものではな
い。
本発明はこの実施例によって何等限定されるものではな
い。
(実施例1)
1−アリルオキシ−2−アリル−4−(トランス−4−
プロピルシクロへキシル−トランス−4シクロヘキシル
)ベンゼンの製造。
プロピルシクロへキシル−トランス−4シクロヘキシル
)ベンゼンの製造。
2
(式IでR−CH=CHCH2−、R−C3H7−1N
=2の場合) 1−ヒドロキシ−2−アリル−4−(トランス4−プロ
ピルシクロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル)
ベンゼン3.4g (0,01モル)に200 mlの
DMFを加え、これに無水炭酸カリウム50gを加えた
。攪拌しながら臭化アリル3.6g (0,03モル)
を加え、80℃で12時間反応を行った。
=2の場合) 1−ヒドロキシ−2−アリル−4−(トランス4−プロ
ピルシクロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル)
ベンゼン3.4g (0,01モル)に200 mlの
DMFを加え、これに無水炭酸カリウム50gを加えた
。攪拌しながら臭化アリル3.6g (0,03モル)
を加え、80℃で12時間反応を行った。
反応終了後、反応液に水を加え、析出した油状物をトル
エンで抽出した。トルエン層を2N水酸化ナトリウムで
洗い、ついで中性になるまで水でトルエン層を洗った。
エンで抽出した。トルエン層を2N水酸化ナトリウムで
洗い、ついで中性になるまで水でトルエン層を洗った。
無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥後、トルエンを
減圧にして留去した。残った結晶をエタノール−〇−ヘ
キサンで再結晶を行った。結晶スメクチックA点37℃
、スメクチックA−ネマチック点54.9℃、ネマチッ
ク−透明点65.1℃であった。収量は2.7g(収率
67%)であった。
減圧にして留去した。残った結晶をエタノール−〇−ヘ
キサンで再結晶を行った。結晶スメクチックA点37℃
、スメクチックA−ネマチック点54.9℃、ネマチッ
ク−透明点65.1℃であった。収量は2.7g(収率
67%)であった。
(応用例1)
トランス−4−プロピル−(4−シアノフェニル)シク
ロヘキサン 30重量%トランス−4−ペ
ンチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
40重量%トランス−4−へブチル−(4−シ
アノフェニル)シクロヘキサン 30重量
%なる組成の液晶混合物(A)のN−I点は52.1℃
、Δεは11.2.20℃における粘度は23,4、Δ
nは0.119、K /KLは1.82である。液晶
セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビング処
理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組立
てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の液
晶組成物(A)を封入して20℃でその特性を測定した
ところ、しきい値電圧(以下vthと略記する)は1、
.55Vであった。
ロヘキサン 30重量%トランス−4−ペ
ンチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
40重量%トランス−4−へブチル−(4−シ
アノフェニル)シクロヘキサン 30重量
%なる組成の液晶混合物(A)のN−I点は52.1℃
、Δεは11.2.20℃における粘度は23,4、Δ
nは0.119、K /KLは1.82である。液晶
セルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビング処
理した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組立
てた、電極間距離が10μmのものを用意し、上記の液
晶組成物(A)を封入して20℃でその特性を測定した
ところ、しきい値電圧(以下vthと略記する)は1、
.55Vであった。
この液晶組成物(A)85重量%に本発明の実 −
施例1で製造した1−アリルオキシ−2−アリル4−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス−4
−シクロヘキシル)ベンゼン15重量%を溶解した組成
物のN−1点は52.4℃、Δεは9.5、Δnは0.
120、vthは1.60Vであった。
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス−4
−シクロヘキシル)ベンゼン15重量%を溶解した組成
物のN−1点は52.4℃、Δεは9.5、Δnは0.
120、vthは1.60Vであった。
又K /に1は1,92と大きくなり又N−I点も高
める事ができ、STN用としても好適である。
める事ができ、STN用としても好適である。
(実施例2)
にDMFとCHCH−CHCH2B rを加え反応を行
った。得られた化合物は であり、この化合物の結晶−ネマチック(C−N)点は
66.5〜67.5℃であり、ネマチック透明(N−I
)点は80.4℃であった。
った。得られた化合物は であり、この化合物の結晶−ネマチック(C−N)点は
66.5〜67.5℃であり、ネマチック透明(N−I
)点は80.4℃であった。
0
〔発明の効果〕
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加えることによって、
Δnをそれ程大きくせずに、又しきい値電圧をそれ程高
くせずにK 3 / K tの値を大きくできるためS
TN型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物であり、
又、ここで製造した1−アルケニルオキシ−2−アリル
−4−トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシルベンゼンはスメクチックA相
←→ネマチック相−→液体と相転位するのでスメクチッ
クA相を用いたレーザー書き込み型表示装置に好適であ
る。
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加えることによって、
Δnをそれ程大きくせずに、又しきい値電圧をそれ程高
くせずにK 3 / K tの値を大きくできるためS
TN型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物であり、
又、ここで製造した1−アルケニルオキシ−2−アリル
−4−トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシルベンゼンはスメクチックA相
←→ネマチック相−→液体と相転位するのでスメクチッ
クA相を用いたレーザー書き込み型表示装置に好適であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) (上式中R^1は直鎖又は枝分れした炭素数1〜15の
アルケニル基であり、R^2は直鎖又は枝分れした炭素
数1〜15のアルキル基であり、lは1又は2を示す) で表わされるアルケニルオキシアリルベンゼン類。 2、請求項1記載のアルケニルオキシアリルベンゼン類
を少なくとも一種類含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323956A JP2752203B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | アルケニルオキシアリルベンゼン類 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323956A JP2752203B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | アルケニルオキシアリルベンゼン類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184932A true JPH03184932A (ja) | 1991-08-12 |
| JP2752203B2 JP2752203B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18160506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1323956A Expired - Lifetime JP2752203B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | アルケニルオキシアリルベンゼン類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752203B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1323956A patent/JP2752203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752203B2 (ja) | 1998-05-18 |
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