JPH03185719A - 拡散炉 - Google Patents
拡散炉Info
- Publication number
- JPH03185719A JPH03185719A JP32512689A JP32512689A JPH03185719A JP H03185719 A JPH03185719 A JP H03185719A JP 32512689 A JP32512689 A JP 32512689A JP 32512689 A JP32512689 A JP 32512689A JP H03185719 A JPH03185719 A JP H03185719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- oxygen
- reaction
- furnace
- diffusion furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に拡散炉の構造に関
する。
する。
第３図は従来の一例を示す拡散炉の概略断面図である。
従来、この種の拡散炉は、第３図に示すように、石英ポ
ート５に乗せられた半導体ウェーハ６を収納する反応用
石英管１と、この反応用石英管１の外周囲にある加熱用
のヒータ３と、反応石英管ｌの一端の開口部に設けられ
たスカベンジャ４と、この開口部に隣接して設けられた
受皿７と、反応用石英管１の他端に設けられたガス導入
口２とから構成されている。次に、半導体ウェーハに不
純物を拡散する場合を説明すると、石英ポート５に半導
体ウェハ６を立て、それを反応石英管１内に入れて、４
所定の温度でガラスで処理して行なわれている。このと
き、ガス導入管２より反応石英管内へＮ２ガスを流し、
炉口３Ａ部から反応石英管内への空気のまわりこみを防
止している。
ート５に乗せられた半導体ウェーハ６を収納する反応用
石英管１と、この反応用石英管１の外周囲にある加熱用
のヒータ３と、反応石英管ｌの一端の開口部に設けられ
たスカベンジャ４と、この開口部に隣接して設けられた
受皿７と、反応用石英管１の他端に設けられたガス導入
口２とから構成されている。次に、半導体ウェーハに不
純物を拡散する場合を説明すると、石英ポート５に半導
体ウェハ６を立て、それを反応石英管１内に入れて、４
所定の温度でガラスで処理して行なわれている。このと
き、ガス導入管２より反応石英管内へＮ２ガスを流し、
炉口３Ａ部から反応石英管内への空気のまわりこみを防
止している。
しかしながら、上述した従来の拡散炉では、炉口３Ａか
ら反応石英管１へ空気がまわりこむ距離は、通常反応石
英管径の３倍程度である。近年のように、ウェーハの大
口径化になると、この距離も大きくなる傾向にある。こ
のときに問題となるのは、まわりこみ空気内の酸素であ
り、このまわりこむ距離が長くなるほど反応石英管内の
温度の高い部分に酸素が存在することになる。
ら反応石英管１へ空気がまわりこむ距離は、通常反応石
英管径の３倍程度である。近年のように、ウェーハの大
口径化になると、この距離も大きくなる傾向にある。こ
のときに問題となるのは、まわりこみ空気内の酸素であ
り、このまわりこむ距離が長くなるほど反応石英管内の
温度の高い部分に酸素が存在することになる。
石英ポートを人出炉する時、この高温酸素にウェーハが
さらされる。このためウェー７１は酸化されることにな
る。従って、ウェーノ）を全く酸化（はとんどわずかで
も）させたくない工程の場合には問題となる。また、例
えば、ゲート酸化工程等の薄くて精密な膜厚をフントロ
ールする場合には、バラツキの要因となる。例えば炉芯
管径２０ｃｍの場合、酸素まわりこむ距離は、約６０ｃ
ｍとなり、１０００℃で使用する炉では、その点の温度
は５００℃以上になり、ポートの人出４毎に５００℃以
上の酸素でウェーノ１がさらされることになる。
さらされる。このためウェー７１は酸化されることにな
る。従って、ウェーノ）を全く酸化（はとんどわずかで
も）させたくない工程の場合には問題となる。また、例
えば、ゲート酸化工程等の薄くて精密な膜厚をフントロ
ールする場合には、バラツキの要因となる。例えば炉芯
管径２０ｃｍの場合、酸素まわりこむ距離は、約６０ｃ
ｍとなり、１０００℃で使用する炉では、その点の温度
は５００℃以上になり、ポートの人出４毎に５００℃以
上の酸素でウェーノ１がさらされることになる。
本発明の目的は、かかる問題を解決する拡散炉を提供す
ることである。
ることである。
本発明の拡散炉は、円筒状の反応用石英管の入口部に接
するとともにその直径が前記反応用石英管と同一径でか
つその長さが直径の３〜５倍である円筒状の付属石英管
を備え構成される。
するとともにその直径が前記反応用石英管と同一径でか
つその長さが直径の３〜５倍である円筒状の付属石英管
を備え構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す拡散炉の概略断面図で
ある。この拡散炉は、スカベンジャ４に接して付属用石
英管１１を設けたことである。それ以外は従来例と同じ
である。この付属用石英管１１の直径は、反応用石英管
と同じ直径であり、例えば、その直径は２０ｃｍで、そ
の長さは４倍の８０ｃｍである。また、この付属用石英
管１１はスカベンジャ４への排気口１２の機能を持って
いる。
ある。この拡散炉は、スカベンジャ４に接して付属用石
英管１１を設けたことである。それ以外は従来例と同じ
である。この付属用石英管１１の直径は、反応用石英管
と同じ直径であり、例えば、その直径は２０ｃｍで、そ
の長さは４倍の８０ｃｍである。また、この付属用石英
管１１はスカベンジャ４への排気口１２の機能を持って
いる。
ここで、この拡散炉での空気（即ち酸素）のまわりこみ
について考えてみる。この実施例の場合は、空気まわり
こみ口が付属用石英管１１の端１Ａとみなされるので、
酸素まわりこみ長は、ＬＡから６０ｃｍの所ＩＢとなる
。この点は、この付属用石英管１１内部であるので、は
ぼ室温に近い温度となっており、従来法のように人出４
時、高温酸素にウェーハがさらされないことがわかる。
について考えてみる。この実施例の場合は、空気まわり
こみ口が付属用石英管１１の端１Ａとみなされるので、
酸素まわりこみ長は、ＬＡから６０ｃｍの所ＩＢとなる
。この点は、この付属用石英管１１内部であるので、は
ぼ室温に近い温度となっており、従来法のように人出４
時、高温酸素にウェーハがさらされないことがわかる。
すなわち、反応石英管炉口に設置した付属用石英管１１
が、その長さ分だけ酸素まわりこみ位置を右側にシフト
させたことになり、その酸素まわりこみ部の温度が十分
低くなっているので、入出力４時の問題が起きないこと
がわかる。
が、その長さ分だけ酸素まわりこみ位置を右側にシフト
させたことになり、その酸素まわりこみ部の温度が十分
低くなっているので、入出力４時の問題が起きないこと
がわかる。
第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の概略断面図
である。この拡散炉は、付属用石英管１１の中央部にＮ
２ガスの導入口２１を設けたものである。この実施例の
場合は、前述の実施例よりも酸素まわりこみ防止効果は
大となり、酸素まわりこみ長は、空気まわりこみ口から
２０ｃｍ程度の場所２Ｂとなる。この部分の温度は、前
述の実施例よりも低く、はとんど室温となる。
である。この拡散炉は、付属用石英管１１の中央部にＮ
２ガスの導入口２１を設けたものである。この実施例の
場合は、前述の実施例よりも酸素まわりこみ防止効果は
大となり、酸素まわりこみ長は、空気まわりこみ口から
２０ｃｍ程度の場所２Ｂとなる。この部分の温度は、前
述の実施例よりも低く、はとんど室温となる。
また、本発明は拡散炉について説明したがＨｏｔＷａｌ
ｌタイプの減圧ＣＶＤ炉にも適用可能なことは容易に推
察できる。
ｌタイプの減圧ＣＶＤ炉にも適用可能なことは容易に推
察できる。
以上説明したように本発明は、反応用石英管とその炉口
に、それとは別の同一形状の付属用石英管（Ｎ２ガス導
入口があればより良い）を設置することにより、反応用
石英管内への酸素のまわりこみを防止でき、よって人出
４時に高温酸素にウェーハがさらされない安定した半導
体ウェーハ処理が可能となる拡散炉が得られるという効
果がある。
に、それとは別の同一形状の付属用石英管（Ｎ２ガス導
入口があればより良い）を設置することにより、反応用
石英管内への酸素のまわりこみを防止でき、よって人出
４時に高温酸素にウェーハがさらされない安定した半導
体ウェーハ処理が可能となる拡散炉が得られるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す拡散炉の概略断面図、
第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の概略断面図
、第３図は従来の一例を示す拡散炉の概略断面図である
。 １・・・・・・反応用石英管、２・・・・・・ガス導入
部、３・・・・・・ヒータ、４・・・・・・スカベンジ
ャ、５・・・・・・石英ホード、６・・・・・・半導体
ウェーハ ７・・・・・・受皿、１１・・・・・・付属
用石英管、１２・曲・スカベンジャ用口、２１・・・・
・・導入口。
第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の概略断面図
、第３図は従来の一例を示す拡散炉の概略断面図である
。 １・・・・・・反応用石英管、２・・・・・・ガス導入
部、３・・・・・・ヒータ、４・・・・・・スカベンジ
ャ、５・・・・・・石英ホード、６・・・・・・半導体
ウェーハ ７・・・・・・受皿、１１・・・・・・付属
用石英管、１２・曲・スカベンジャ用口、２１・・・・
・・導入口。
Claims (1)
- 円筒状の反応用石英管の入口部に接するとともにその
直径が前記反応用石英管と同一径でかつその長さが直径
の３〜５倍である円筒形状の付属石英管を備えることを
特徴とする拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32512689A JPH03185719A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32512689A JPH03185719A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 拡散炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185719A true JPH03185719A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18173370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32512689A Pending JPH03185719A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185719A (ja) |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32512689A patent/JPH03185719A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20030093312A (ko) | 반도체 처리용 열처리 장치 및 방법 | |
| US4203387A (en) | Cage for low pressure silicon dioxide deposition reactors | |
| JPH03185719A (ja) | 拡散炉 | |
| JP2502692B2 (ja) | 拡散炉装置 | |
| JPH0369117A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS551130A (en) | Furnace core pipe for manufacturing semiconductor | |
| JPS6310519A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0574757A (ja) | 半導体装置用高圧酸化炉 | |
| JPH0783000B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH11329986A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5860543A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH01260815A (ja) | 半導体基板の加熱処理装置 | |
| JPH05291161A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPH08316156A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0496321A (ja) | 半導体製造用加熱装置 | |
| JPH01198477A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPS60227415A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5922114Y2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS5821173Y2 (ja) | 炉心管 | |
| JPS60138912A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPH03194924A (ja) | 縦型処理装置 | |
| JPH02112228A (ja) | 拡散装置 | |
| JPS54154267A (en) | Heat treatment method of wafer | |
| JPH027516A (ja) | 半導体に於ける不純物の拡散方法 | |
| JPH0221617A (ja) | 半導体製造装置 |