JPH0318703B2 - - Google Patents

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JPH0318703B2
JPH0318703B2 JP58034589A JP3458983A JPH0318703B2 JP H0318703 B2 JPH0318703 B2 JP H0318703B2 JP 58034589 A JP58034589 A JP 58034589A JP 3458983 A JP3458983 A JP 3458983A JP H0318703 B2 JPH0318703 B2 JP H0318703B2
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pattern
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Mitsumasa Kojima
Fumio Kataoka
Fusaji Shoji
Ataru Yokono
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕 本発明は、耐熱性高分子となる新規な感光性重
合体組成物に関するものである。 〔従来技術〕 従来、マイクロエレクトロニクス素子の層間絶
縁膜や表面保護膜には、(1)膜形成が容易、(2)容易
に平坦化ができる。(3)耐熱性があるなどの利点が
あることからポリイミドが、用いられているが、
ポリイミド前駆体のポリアミド酸に感光性が付与
された感光性重合体、又は感光性重合体組成物
は、フオトレジストと絶縁膜機能を兼ねるため、
その膜形成プロセスが大幅に合理化されることか
ら、現在まで数多くの材料が検討されてきた。 その具体的な例を上げると、(a)ポリイミド前駆
体であるポリアミド酸に、三級炭素または二級炭
素に結合した水素を有する基、または不飽和結合
を有するアミン化合物をイオン結合させさらにビ
スアジド化合物を光架橋剤として用いた系、(b)ポ
リアミド酸に、芳香族ビスアジド又はスルホニル
アジド基を含むアミン化合物を添加した系などが
知られている。 これら(a)、(b)の材料を用いたパターン形成プロ
セスは基板上に上記材料のワニスを塗布し、加熱
乾燥によつて塗膜を得、次にフオトマスクを介し
て露光現像によつてパターン化し、さらに加熱処
理することによつて最終的にポリイミドのパター
ンを得るものである。前記した材料を用いた場
合、現像工程でパターンにクラツクが入るという
問題があり、これは塗膜形成後時間を経ると特に
顕著であつた。 パターンにクラツクが生ずるのは、膜に加わる
外力及び膜に生ずる内部応力に対し、これに対抗
する膜強度が不十分なためであると考えられる。 膜に加わる外力としては、前記材料の塗膜形成
温度（50〜100℃）は、現像温度（０〜40℃）に
比べて高いため、現像時には熱膨張係数の大きい
塗膜が基板に比べてより大きく収縮する。このた
め接着基板からは、引張の力を受けていることが
考えられる。 膜に生じる内部応力としては、膜上部層と下部
層で光による架橋度が異なるために生ずる内部応
力が考えられ、これは膜厚が厚い程、上部と下部
での架橋の違いが大きいため、膜厚が厚い程クラ
ツクの発生は顕著になる。 現像工程においてパターンが形成されると、こ
れらの力がパターンの端面で集中し、クラツクが
発生するものと考えられる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前記した問題点を克服し、パ
ターンにクラツクが生じない感光性重合体組成物
を提供することにある。 上記目的を達成するためには、塗膜自体に柔軟
性を持たせば前記した力に対抗でき、その結果ク
ラツクの発生を防げるのではないかと考えた。 柔軟性を持たせるには、塗膜形成時に揮発しな
いように沸点が高く、かつ極性の強いポリアミド
酸と親和力を持つ極性の高い化合物を新たに添加
剤として加えれば良いと考え、一般式〔１〕で表
わされるポリアミド酸100重量部、一般式〔２〕
で表わされるビスアジド化合物0.1〜100重量部、
一般式〔３〕で表わされる１個以上の炭素−炭素
二重結合を有するアミン化合物１〜400重量部と
から成る感光性ポリアミド酸又は一般式〔１〕で
表わされるポリアミド酸100重量部、一般式〔４〕
で表わされる同一分子内に芳香族アジド基又はス
ルホニルアジド基を含むアミン化合物１〜100重
量部とから成るポリアミド酸に、分子内に一個以
上の水酸基を含みかつその沸点が常圧で150℃以
上の化合物が１〜50重量部加えられることを特徴
とする感光性重合体組成物が現像工程でクラツク
発生のない鮮明なパターンを得ることができるこ
とを見い出した。 （但し、式中R1は３価または４価の有機基、
R2は２価の有機基、ｎは１または２である。） N3−R3−N3 ……〔２〕 （但し、式中R3は２価または３価の有機基を
表わす。） （但し、式中R4、R5、R6、R8は水素、低級ア
ルキル基、フエニル基、ビニル基の中から選ばれ
た基、R7はアルキレンで表わされ、ｍは１以上
の整数を表わす。） （但し、式中Ｘは−SO2N3又はN3、Ｙは
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】を表わし、ＸとＹは各々メ タあるいはパラの位置にある。） 以下、本発明で使用する材料について説明す
る。一般式〔１〕で示されるポリアミド酸は、加
熱処理によつてポリイミド酸と成り得るものであ
り、これらポリイミドは耐熱性を有する。一般式
〔１〕で表わされる繰り返し単位を主成分とする
ポリマは、一般式〔１〕で示されるポリアミド酸
のみからなるものでも、これと他の繰り返し単位
との共重合体であつても良い。これらの例として
はポリエステルアミド酸、ポリヒドラジドアミド
酸などが挙げられる。共重合に用いられる繰り返
し単位の種類、量は最終加熱によつて得られるポ
リイミドの耐熱性を著しく損なわない範囲で選択
するのが望しい。ポリイミドの耐熱性としては、
窒素雰囲気中300〜400℃に１時間加熱しても形成
されたレリーフ・パターンが保持されるものが望
ましい。 一般式〔１〕中のR1、R2はポリイミドとした
時の耐熱性の面から含芳香族環有機基、含複素環
有機基が望しい。 R1は具体的には、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】 （式中の結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との
結合を表わし、カルボキシル基は結合手に対して
オルト位に位置する。）などが挙げられる。 R2は具体的には、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
〔発明の実施例〕
実施例 １ 窒素気流下４，4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル100ｇ（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリド
ン1791ｇに溶解し、アミン溶液を調合した。次
に、この溶液を氷冷によつて約15℃の温度に保ち
ながら、撹拌下にピロメリツト酸二無水物109ｇ
（0.5モル）を加えた。加え終えてからさらに約15
℃で５時間反応させて、粘度50ポアズ（30℃）の
ポリアミド酸(A)の溶液を得た。 ポリアミド酸(A)の溶液20ｇに、２−（Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノ）エチルメタクリレート1.57ｇ
（0.01モル）、２，６−ビス（Ｐ−アジドベンザ
ル）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン0.37ｇ
（0.001モル）、トリエチレングリコール0.4ｇを溶
解し、次いで1μm孔のフイルタを用いて加圧過
した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上に
回転塗布し、次いで70℃30分間乾燥して1.5μm厚
の塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス
製フオトマスクで密着被覆し、500WのXe−Hg
灯で30秒間紫外線照射した。露光面での紫外線強
度は、365nmの波長域で2mW／cm2であつた。露
光後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、水１容
の混液で現像し、次いでリンス液（エタノール）
で洗浄して最小線幅3μmのレリーフ・パターンを
得た。得られたパターンは400℃で60分間加熱し
てもパターンのぼやけは見られなかつた。また塗
布膜形成直後、３日経過後のいずれの場合におい
ても得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ２ 実施例１で得られたポリアミド酸(A)の溶液20ｇ
に、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメ
タクリレート1.7ｇ（0.01モル）、２，６−ビス
（Ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキシシクロヘ
キサノン0.32ｇ（0.0008モル）、トリエチレング
リコール0.4ｇを溶解し、次いで1μm孔のフイル
タを用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上に
回転塗布し、次いで70℃30分加熱乾燥して4μmの
塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス製
フオトマスクで密着被覆し、500Wの高圧水銀灯
で30秒間紫外線照射した。露光後、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、水１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールで洗浄して最小線幅7μmの
レリーフ・パターンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗布
膜形成直後、３日経過後のいずれの場合において
も、得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ３ 実施例１で得られたポリアミド酸(A)の溶液20ｇ
に、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメ
タクリレート1.7ｇ（0.01モル）、２，６−ビス
（Ｐ−アジドベンザル）−４−メトキシシクロヘキ
サノン0.38ｇ（0.001モル）、テトラエチレングリ
コール0.5ｇを溶解し、次いで1μm孔のフイルタ
を用いて加圧過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハー上
に回転塗布し、次にで70℃で30分加熱乾燥して
4.2μmの塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダ
ガラス製フオトマスクを介して密着被覆し、
500Wの高圧水銀灯で30秒間紫外線照射した。露
光後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、水１容
から成る混液で現像し、次いでエタノールで浄洗
して最小線幅7μmのレリーフ・パターンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合において
も、得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ４ 窒素気流下に４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル90ｇ（0.45モル）、４，4′−ジアミノジフエ
ニルエーテル−３−カルボンアミド12.1ｇ（0.05
モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン1764ｇに
溶解してアミン溶液を調合した。次にこの溶液を
氷冷によつて約15℃の温度に保ちながら、撹拌下
にピロメリツト酸二無水物54.5ｇ（0.25モル）、
３，3′，４，4′−ベンゾフエノンテトラカルボン
酸二無水物80.5ｇ（0.25モル）を加えた。加え終
えてから、さらに約15℃で５時間反応させて、粘
度50ポアズ（30℃）のポリアミド酸の溶液(B)を得
た。 （但し、R9は
【式】と
【式】が１：１、R10は
【式】と
【式】が９：１） 上記によつて得られたポリアミド酸(B)の溶液20
ｇに、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル
メタクリレート1.7ｇ（0.01モル）、２，６−ビス
（Ｐ−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘ
キサノン0.37ｇ（0.001モル）、グリセリン0.5ｇを
溶解し、次いで1μm孔のフイルターを用いて加圧
過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上に
回転塗布し、次いで70℃30分間乾燥して4μm厚の
塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス製
フオトマスクで密着被覆し、500W高圧水銀灯で
30秒間紫外線照射して、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン４容、水１容から成る混液で現像し、エタノ
ールで洗浄して最少線幅7μmのレリーフ・パター
ンを得た。 得られたパターンを、400℃、60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合において
も、得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ５ 実施例４で得られたポリアミド酸(B)の溶液20ｇ
に、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメ
タクリレート1.7ｇ（0.01モル）、２，６−ビス
（Ｐ−アジドベンザル）−４−カルボキシシクロヘ
キサノン0.32ｇ（0.0008モル）、テトラエチレン
グリコール0.5ｇを溶解し、次いで1μm孔のフイ
ルタを用いて加圧過した。得られた溶液をスピ
ンナでシリコンウエハ上に回転塗布し次いで70℃
30分間乾燥して2μm厚の塗膜を得た。この塗膜を
縞模様のソーダガラス製フオトマスクで密着被覆
し、500W高圧水銀灯で30秒間紫外線照射してＮ
−メチル−２−ピロリドン４容、水１容から成る
混液で現像し、エタノールで洗浄して最小線幅
4μmのレリーフ・パターンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合において
も、得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ６ 窒素気流下に４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル100ｇ（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン2105ｇに溶解し、アミン溶液を調合した。次
にこの溶液を氷冷によつて約15℃の温度に保ちな
がら、撹拌下に３，3′，４，4′−ビフエニルテト
ラカルボン酸二無水物147ｇ（0.5モル）を加え
た。加え終えてからさらに約15℃で５時間反応さ
せて、粘度70ポアズ（30℃）のポリアミド酸(C)の
溶液を得た。 ポリアミド酸(C)の溶液20ｇに、３−（Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノ）プロピルメタクリレート1.5ｇ
（0.009モル）２，６−ビス（Ｐ−アジドベンザ
ル）−４−カルボキシシクロヘキサノン0.28ｇ
（0.0007モル）、テトラエチレングリコール0.5ｇ
を溶解し、次いで1μm孔のフイルタを用いて加圧
過した。 得られた溶液をスピンナでシリコンウエハ上に
回転塗布し、次いで70℃30分間乾燥して2μm厚の
塗膜を得た。この塗膜を縞模様のソーダガラス製
フオトマスクで密着被覆し、500WのXe−Hg灯
で30秒間紫外線照射した。露光後Ｎ−メチル−２
−ピロリドン５容、水１容の混液で現像し、次い
でリンス液（エタノール）で洗浄して最小線幅
3μmのレリーフ・パターンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合において
も、得られたパターンにクラツクの発生は見られ
なかつた。 実施例 ７ 実施例１で得られたポリアミド酸(A)の溶液20ｇ
に、パラ−アジド安息香酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）エチル2.34ｇ（0.01モル）、トリエチ
レングリコール0.4ｇを溶解し、次いで1μm孔の
フイルタを用いて加圧過した。得られた溶液を
スピンナでシリコンウエハー上に回転塗布し、次
いで90℃30分間乾燥して1.5μm厚の塗膜を得た。
このの塗膜を縞模様のフオトマスクで密着被覆
し、500WのXe−Hg灯で30秒間紫外線照射した。
露光後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、水１
容の混液で現像し、次いでリンス液（エタノー
ル）で洗浄して最小線幅3μmのレリーフ・パター
ンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合においても
得られたパターンにクラツクの発生は見られなか
つた。 実施例 ８ 実施例１で得られたポリマ溶液(A)20ｇに、パラ
−アジドケイ皮酸２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）
エチル2.6ｇ（0.01モル）、テトラエチレングリコ
ール0.4ｇを溶解し、次いで1μm孔のフイルタを
用いて加圧過した。得られた溶液をスピンナで
シリコンウエハ上に回転塗布し、次いで80℃30分
間加熱乾燥して2μm厚の塗膜を得た。この塗膜の
縞模様のフオトマスクで密着被覆し、500WのXe
−Hg灯で30秒間紫外線照射した。露光後、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン４容、水１容の混液で現
像し、次いでリンス液（エタノール）で洗浄して
最小線幅3μmのレリーフ・パターンを得た。 得られたパターンは、400℃で60分間加熱して
もパターンのぼやけは見られなかつた。また塗膜
形成直後、３日経過後のいずれの場合においても
得られたパターンにクラツクの発生は見られなか
つた。 比較例 実施例１〜８において、トリエチレングリコー
ル、テトラエチレングリコール、グリセリンを添
加せずに、その他は全く同一の組成で同一の評価
実験を行つたところ、塗膜形成後１日以内放置し
た試料は、現像工程において、パターンに部分的
にクラツクの発生が見られた。また特に塗膜形成
後３日経た場合には、クラツクの発生はさらに増
加する傾向が見られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 感光性ポリアミド酸組成物が(a)ポリアミド酸
    100重量部、ビスアジド化合物0.1〜100重量部、
    １個以上の炭素−炭素二重結合を有するアミン化
    合物１〜400重量部とから成るものか、(b)ポリア
    ミド酸100重量部、同一分子内に芳香族アジド基
    又はスルホニルアジド基を有するアミン化合物１
    〜100重量部とから成るものであり、これらの分
    子内に一個以上の水酸基を含み、かつその沸点が
    常温で150℃以上の化合物が１〜50重量部加えら
    れることを特徴とする感光性重合体組成物。 ２ ポリアミド酸が一般式〔１〕で表わされるも
    のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    記載の感光性重合体組成物。 （但し、式中R1は３価または４価の有機基、
    R2は２価の有機基、ｎは１または２である。） ３ 上記ビスアジド化合物が、一般式〔２〕で表
    わされるものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の感光性重合体組成物。 N3−R3−N3 ……〔２〕 （但し、式中R3は２価または３価の有機基を
    表す。） ４ 上記アミン化合物が、一般式〔３〕で表わさ
    れるものであることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の感光性重合体組成物。 （但し、式中R4、R5、R6、R8は水素、低級ア
    ルキル基、フエニル基、ビニル基の中から選ばれ
    た基、R7はアルキレンで表され、ｍは１以上の
    整数を表わす。） ５ 上記同一分子内に芳香族アジド基又はスルホ
    ニルアジド基を有するアミン化合物が、一般式
    〔４〕で表わされるものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の感光性重合体組成
    物。 （但し、式中Ｘは−SO2N2又はN3、Ｙは 【式】【式】 【式】 【式】【式】 【式】を表わし、ＸとＹは各々メ タあるいはパラの位置にある。）
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556625A (en) * 1982-07-09 1985-12-03 Armstrong World Industries, Inc. Development of a colored image on a cellulosic material with monosulfonyl azides
JP2727185B2 (ja) * 1987-08-27 1998-03-11 宇部興産株式会社 芳香族ポリイミド多層フィルムの製造方法
US4883744A (en) * 1988-05-17 1989-11-28 International Business Machines Corporation Forming a polymide pattern on a substrate
JPH0827541B2 (ja) * 1988-12-01 1996-03-21 日立化成工業株式会社 感光性重合体組成物
US5238784A (en) * 1989-11-30 1993-08-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer
JP2814442B2 (ja) * 1991-10-25 1998-10-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 感光性ポリイミドプリカーサー組成物
WO1994018607A1 (fr) * 1993-02-03 1994-08-18 Toray Industries, Inc. Procede de formation d'un motif en polyimide positif
US5851681A (en) * 1993-03-15 1998-12-22 Hitachi, Ltd. Wiring structure with metal wiring layers and polyimide layers, and fabrication process of multilayer wiring board
JP3687988B2 (ja) 1993-09-03 2005-08-24 日立化成工業株式会社 ｉ線ステッパ用感光性樹脂組成物
US6017682A (en) * 1995-03-14 2000-01-25 Internatonal Business Machines Corporation Solid state extension method
JP5338033B2 (ja) * 2006-05-31 2013-11-13 東レ株式会社 耐熱性樹脂組成物およびそれを用いた金属樹脂複合体ならびに電子部品
TW201026513A (en) * 2009-01-08 2010-07-16 Univ Nat Cheng Kung Imprinting process of polyimide

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2990281A (en) * 1956-12-17 1961-06-27 Monsanto Chemicals Photosensitive resinous compositions and photographic elements
JPS5740501B2 (ja) * 1973-10-24 1982-08-27
JPS5234967B2 (ja) * 1973-10-24 1977-09-06
US4107391A (en) * 1973-12-10 1978-08-15 General Electric Company Method for making thermoformable composites and composites made thereby
US4148654A (en) * 1976-07-22 1979-04-10 Oddi Michael J Positive acting photoresist comprising diazide ester, novolak resin and rosin
JPS5420719A (en) * 1977-07-15 1979-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material for image formation and image formation method
US4216019A (en) * 1977-07-21 1980-08-05 Kenneth James Reed Photographically produced stencils
CA1100148A (en) * 1978-01-04 1981-04-28 Rudolph L. Pohl Photopolymer compositions for printing plates
JPS54109828A (en) * 1978-02-17 1979-08-28 Asahi Chemical Ind Heat resistant photoresist composition
JPS559539A (en) * 1978-07-07 1980-01-23 Asahi Chem Ind Co Ltd Heat resistant paste for photoforming
JPS5664335A (en) * 1979-10-29 1981-06-01 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
GB2092164B (en) * 1980-12-17 1984-12-05 Hitachi Ltd Loght or radiation-sensitive polymer composition
JPS57168942A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Photosensitive polymer composition
US4548891A (en) * 1983-02-11 1985-10-22 Ciba Geigy Corporation Photopolymerizable compositions containing prepolymers with olefin double bonds and titanium metallocene photoinitiators

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