JPH03187227A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03187227A JPH03187227A JP32623989A JP32623989A JPH03187227A JP H03187227 A JPH03187227 A JP H03187227A JP 32623989 A JP32623989 A JP 32623989A JP 32623989 A JP32623989 A JP 32623989A JP H03187227 A JPH03187227 A JP H03187227A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- chip
- metal
- semiconductor
- plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の構造に関するものである。
第4図は従来の半導体装置を示す断酊図であり、図にお
いて(1)は半導体チップ、(2)は絶縁層である酸化
膜、(3)は電極、(4)は半田バンブである。
いて(1)は半導体チップ、(2)は絶縁層である酸化
膜、(3)は電極、(4)は半田バンブである。
次に動作につい・〔説明する。半導体チップ(1)の電
柵(3)上に設けられた半田バンブ0)はパッケージの
金属配線上に熱等により直接接合され、半導体チップ(
1〉が外部と電気的に接合される。
柵(3)上に設けられた半田バンブ0)はパッケージの
金属配線上に熱等により直接接合され、半導体チップ(
1〉が外部と電気的に接合される。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので半
田バンブの量をコントロールすることが難しいため、全
電極を均一に接合させる事が非常に困難であった。
田バンブの量をコントロールすることが難しいため、全
電極を均一に接合させる事が非常に困難であった。
この発明は上記のような欠点を解消するためになされた
もので全電極の高さが均一な半導体装置を得ることを目
的としCいる。
もので全電極の高さが均一な半導体装置を得ることを目
的としCいる。
この発明に係る半導体装置は半田バンブにする方法をあ
らかじめ一定の大きさにそろえた金属チップを半導体装
置の電極面に接合させる様にしたものである。
らかじめ一定の大きさにそろえた金属チップを半導体装
置の電極面に接合させる様にしたものである。
この発明に督い゛C半導体装置の電極面に接合された金
属チップは厚みが一定であるため、パッケージとの接合
がより安定したものが得られる。
属チップは厚みが一定であるため、パッケージとの接合
がより安定したものが得られる。
以下、この発明の一実施例を図につい′〔説明する。第
1図は半導体装置の断面図、@2図は@1図に示す金属
チップの上面図、第3図は第2図に示すA−Aにかける
断面図である。
1図は半導体装置の断面図、@2図は@1図に示す金属
チップの上面図、第3図は第2図に示すA−Aにかける
断面図である。
図におい°C,(1)は半導体テップ、(2)は絶縁層
である酸化膜、(3)は′R極、(5)は金属チップ、
(6)はAuメツキ又はロー剤、導電性接着剤である。
である酸化膜、(3)は′R極、(5)は金属チップ、
(6)はAuメツキ又はロー剤、導電性接着剤である。
次に動作につい′〔説明する。
半導体チップ(1)の電極(3)上に接合された金属チ
ップ(5)は、第2図に示すごと(その接合面にAuメ
ツキ又はロー剤・導電性接着剤(6ンが施されてあり、
それにより半導体チップ(1)の電極(3)と接合され
る。
ップ(5)は、第2図に示すごと(その接合面にAuメ
ツキ又はロー剤・導電性接着剤(6ンが施されてあり、
それにより半導体チップ(1)の電極(3)と接合され
る。
さらに接合された金属チップ(5)はAuメツキ又はロ
ー剤導電性接着剤(6)を施した状態にあるのでパッケ
ージの金属配線上にそれを熱等で接合させる。
ー剤導電性接着剤(6)を施した状態にあるのでパッケ
ージの金属配線上にそれを熱等で接合させる。
これにより半導体チップ(1)が外部と電気的に接合さ
れる。
れる。
なか、上記実施例では金属チップ(6)の形状が四角形
のものに−りい′〔説明したが、これは円形であつ゛〔
も多角形であつ°〔もよい。又金属チップ(6)に施し
たAt+メツキ又はロー剤・導電性接着剤(6)につい
ては上下共同−材料でなくても良い。又、Auメツキに
つい°〔も他の金属メツキ(例、Ag # Cu s
N* )であ・り′〔も上記実施例と同様の効果を奏す
る。
のものに−りい′〔説明したが、これは円形であつ゛〔
も多角形であつ°〔もよい。又金属チップ(6)に施し
たAt+メツキ又はロー剤・導電性接着剤(6)につい
ては上下共同−材料でなくても良い。又、Auメツキに
つい°〔も他の金属メツキ(例、Ag # Cu s
N* )であ・り′〔も上記実施例と同様の効果を奏す
る。
以上のようにこの発明によれば、半導体装置の電極面に
金属チップを設けたので高さのバラツキがなくなり、よ
り精度の高いパッケージ側への接合が可能になる。
金属チップを設けたので高さのバラツキがなくなり、よ
り精度の高いパッケージ側への接合が可能になる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の断面図
、第2図は第1図に示す金属チップの上面図、第3図は
第2図に示すA−Aにかける断面図、第4図は従来の半
導体装置の断面図である。 図にかいて(1)は半導体チップ、(2)は酸化膜、〈
3)は電厖、(5)は金属チップ、(6)はAuメツキ
又はロー剤・導電性接着剤である。 なか、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
、第2図は第1図に示す金属チップの上面図、第3図は
第2図に示すA−Aにかける断面図、第4図は従来の半
導体装置の断面図である。 図にかいて(1)は半導体チップ、(2)は酸化膜、〈
3)は電厖、(5)は金属チップ、(6)はAuメツキ
又はロー剤・導電性接着剤である。 なか、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置の電極部に金属チップを貼り付けた事を特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623989A JPH03187227A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623989A JPH03187227A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187227A true JPH03187227A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18185548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32623989A Pending JPH03187227A (ja) | 1989-12-16 | 1989-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05329681A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-12-14 | Nec Corp | 多層ろう材とその製造方法および接続方法 |
| US7026719B2 (en) * | 2003-02-26 | 2006-04-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with a heat spreader |
-
1989
- 1989-12-16 JP JP32623989A patent/JPH03187227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05329681A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-12-14 | Nec Corp | 多層ろう材とその製造方法および接続方法 |
| US7026719B2 (en) * | 2003-02-26 | 2006-04-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with a heat spreader |
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