JPH03187227A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03187227A
JPH03187227A JP32623989A JP32623989A JPH03187227A JP H03187227 A JPH03187227 A JP H03187227A JP 32623989 A JP32623989 A JP 32623989A JP 32623989 A JP32623989 A JP 32623989A JP H03187227 A JPH03187227 A JP H03187227A
Authority
JP
Japan
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semiconductor device
chip
metal
semiconductor
plating
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Pending
Application number
JP32623989A
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English (en)
Inventor
Jiro Osedo
大施戸 治郎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は従来の半導体装置を示す断酊図であり、図にお
いて(1)は半導体チップ、(2)は絶縁層である酸化
膜、(3)は電極、(4)は半田バンブである。
次に動作につい・〔説明する。半導体チップ(1)の電
柵(3)上に設けられた半田バンブ0)はパッケージの
金属配線上に熱等により直接接合され、半導体チップ(
1〉が外部と電気的に接合される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので半
田バンブの量をコントロールすることが難しいため、全
電極を均一に接合させる事が非常に困難であった。
この発明は上記のような欠点を解消するためになされた
もので全電極の高さが均一な半導体装置を得ることを目
的としCいる。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は半田バンブにする方法をあ
らかじめ一定の大きさにそろえた金属チップを半導体装
置の電極面に接合させる様にしたものである。
〔作用〕
この発明に督い゛C半導体装置の電極面に接合された金
属チップは厚みが一定であるため、パッケージとの接合
がより安定したものが得られる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図につい′〔説明する。第
1図は半導体装置の断面図、@2図は@1図に示す金属
チップの上面図、第3図は第2図に示すA−Aにかける
断面図である。
図におい°C,(1)は半導体テップ、(2)は絶縁層
である酸化膜、(3)は′R極、(5)は金属チップ、
(6)はAuメツキ又はロー剤、導電性接着剤である。
次に動作につい′〔説明する。
半導体チップ(1)の電極(3)上に接合された金属チ
ップ(5)は、第2図に示すごと(その接合面にAuメ
ツキ又はロー剤・導電性接着剤(6ンが施されてあり、
それにより半導体チップ(1)の電極(3)と接合され
る。
さらに接合された金属チップ(5)はAuメツキ又はロ
ー剤導電性接着剤(6)を施した状態にあるのでパッケ
ージの金属配線上にそれを熱等で接合させる。
これにより半導体チップ(1)が外部と電気的に接合さ
れる。
なか、上記実施例では金属チップ(6)の形状が四角形
のものに−りい′〔説明したが、これは円形であつ゛〔
も多角形であつ°〔もよい。又金属チップ(6)に施し
たAt+メツキ又はロー剤・導電性接着剤(6)につい
ては上下共同−材料でなくても良い。又、Auメツキに
つい°〔も他の金属メツキ(例、Ag # Cu s 
N* )であ・り′〔も上記実施例と同様の効果を奏す
る。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、半導体装置の電極面に
金属チップを設けたので高さのバラツキがなくなり、よ
り精度の高いパッケージ側への接合が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の断面図
、第2図は第1図に示す金属チップの上面図、第3図は
第2図に示すA−Aにかける断面図、第4図は従来の半
導体装置の断面図である。 図にかいて(1)は半導体チップ、(2)は酸化膜、〈
3)は電厖、(5)は金属チップ、(6)はAuメツキ
又はロー剤・導電性接着剤である。 なか、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置の電極部に金属チップを貼り付けた事を特徴
    とする半導体装置。
JP32623989A 1989-12-16 1989-12-16 半導体装置 Pending JPH03187227A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05329681A (ja) * 1991-12-10 1993-12-14 Nec Corp 多層ろう材とその製造方法および接続方法
US7026719B2 (en) * 2003-02-26 2006-04-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with a heat spreader

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