JPH0319226A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0319226A JPH0319226A JP15346689A JP15346689A JPH0319226A JP H0319226 A JPH0319226 A JP H0319226A JP 15346689 A JP15346689 A JP 15346689A JP 15346689 A JP15346689 A JP 15346689A JP H0319226 A JPH0319226 A JP H0319226A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多層配線におけるコンタクト形成に特徴を有す
る半導体装置の製造方法に関るものである。
る半導体装置の製造方法に関るものである。
従来の技術
半導体装置において多層配線が多く用いられているが素
子の微細化に伴い、配線間のコンタクト即ちパイアホー
〃の径が狭小になっており、通常用いられているアルミ
スパッタ法ではコンタクトホーノレ内の被覆率が悪く、
良好なコンタクトの形成が困難である。従来から上記問
題の対策として、バイアホールにテーパーを形成したシ
スパッタ時に半導体基板を加熱する方法、あるいはバイ
アススパッタと呼ばれる、基板に高周波電力を印加する
方法などが検討されている。
子の微細化に伴い、配線間のコンタクト即ちパイアホー
〃の径が狭小になっており、通常用いられているアルミ
スパッタ法ではコンタクトホーノレ内の被覆率が悪く、
良好なコンタクトの形成が困難である。従来から上記問
題の対策として、バイアホールにテーパーを形成したシ
スパッタ時に半導体基板を加熱する方法、あるいはバイ
アススパッタと呼ばれる、基板に高周波電力を印加する
方法などが検討されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前者は再現性の点で問題があう、後者の二
つば形成されたアノレミ配線のストレスマイグレーショ
ンなどの信頼性あるいはエッチングの困難さが問題であ
った。
つば形成されたアノレミ配線のストレスマイグレーショ
ンなどの信頼性あるいはエッチングの困難さが問題であ
った。
本発明は上記従来の課題である配線信頼性を低下させる
ことなく、良好なコンタクトの形成を行う半導体装置の
製造方法を提供せんとするものである。
ことなく、良好なコンタクトの形成を行う半導体装置の
製造方法を提供せんとするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、下層配層の上層
、及び上層配線の下層にタングステンなどの異種金属を
用い、層間のバイアホールを電気伝導性を有するＳＯＧ
で埋めこむことにより層間のコンタクトを形成する工程
を備えている。
、及び上層配線の下層にタングステンなどの異種金属を
用い、層間のバイアホールを電気伝導性を有するＳＯＧ
で埋めこむことにより層間のコンタクトを形成する工程
を備えている。
作 用
本発明はＳＯＧを用いることによシ、パイアホ−μ部は
完全に埋め込みが可能であり、１た、直接ＳＯＧと接す
る各配線の上，下面にタングステン１たはシリサイドを
用いる事でＳＯＧ中に含有される塩素あるいは水分がア
μミと反応することを防止でき、會た各配線を２層構造
とすることによ９熱処理時に発生するヒロックの抑制効
果も大である。
完全に埋め込みが可能であり、１た、直接ＳＯＧと接す
る各配線の上，下面にタングステン１たはシリサイドを
用いる事でＳＯＧ中に含有される塩素あるいは水分がア
μミと反応することを防止でき、會た各配線を２層構造
とすることによ９熱処理時に発生するヒロックの抑制効
果も大である。
実施例
第１図は本発明の実施例を示す概略図である。
所定のゲート，キャパシタなどを形成した半導体装置基
板上に第一の配線を例えばＡ／−Ｓｔを０．８μｍの厚
さにスパッタ法によジ被着した後に連続してタングステ
ンを０．１μｍ被着し、フォトリングラフィ，ドライエ
ッチにより所定の配線パターンを形成する。熱処理後に
プラズマＣＶＤ法により酸化膜をＯ．Ｓ〜１．０μｍの
厚さに或長し層間絶縁膜とし、第１図ａに示すようにフ
ォトリソグラフィ，ドライエッチにより所定の径のバイ
アホールを形成する。さらに電気伝導性を有するＳＯＧ
を半導体装置基板上に回転塗布法により全面塗布し、第
１図ｂに示すように所定の熱処理によシガラヌ化を行う
。次に四弗化炭素及び酸素混合ガスプラズマ中で平坦部
のＳｏＧが除去される時点１でエッチングを行い、第１
図Ｃに示すようにバイアホール内のみにＳＯＧが残留し
ている状態とする。更に第二の配線層として第１図ｄに
示すようにタングヌテ：／０．１μｍ及びＡｌ−！３ｉ
０．８μｍを順にスパッタ法によう形成し、以降所定の
工程を経て半導体装置を製造する。
板上に第一の配線を例えばＡ／−Ｓｔを０．８μｍの厚
さにスパッタ法によジ被着した後に連続してタングステ
ンを０．１μｍ被着し、フォトリングラフィ，ドライエ
ッチにより所定の配線パターンを形成する。熱処理後に
プラズマＣＶＤ法により酸化膜をＯ．Ｓ〜１．０μｍの
厚さに或長し層間絶縁膜とし、第１図ａに示すようにフ
ォトリソグラフィ，ドライエッチにより所定の径のバイ
アホールを形成する。さらに電気伝導性を有するＳＯＧ
を半導体装置基板上に回転塗布法により全面塗布し、第
１図ｂに示すように所定の熱処理によシガラヌ化を行う
。次に四弗化炭素及び酸素混合ガスプラズマ中で平坦部
のＳｏＧが除去される時点１でエッチングを行い、第１
図Ｃに示すようにバイアホール内のみにＳＯＧが残留し
ている状態とする。更に第二の配線層として第１図ｄに
示すようにタングヌテ：／０．１μｍ及びＡｌ−！３ｉ
０．８μｍを順にスパッタ法によう形成し、以降所定の
工程を経て半導体装置を製造する。
発明の効果
以上述べた様に本発明によれば、微細なバイアホールコ
ンタクトの形成が容易であう、上層金属配線のコンタク
トホール内被覆率の低下に起因するコンタクト抵抗の増
大を防止でき、半導体装置の製造に多大の効果が予想さ
れる。
ンタクトの形成が容易であう、上層金属配線のコンタク
トホール内被覆率の低下に起因するコンタクト抵抗の増
大を防止でき、半導体装置の製造に多大の効果が予想さ
れる。
第１図は本発明の実施例を示す概略図である。
１・・・・・・半導体装置基板、２・・・・・・第一〇
Ａｌ−Ｓｔ層、３・・・・・・第一のタングステン層、
４・・・・・・酸化膜（層間絶縁膜）、５・・・・・・
ＳＯＧ（導電性）、６・・・・・・第二のタングステン
層、７・・・・・・第二〇Ａｌ−Ｓｉ層。
Ａｌ−Ｓｔ層、３・・・・・・第一のタングステン層、
４・・・・・・酸化膜（層間絶縁膜）、５・・・・・・
ＳＯＧ（導電性）、６・・・・・・第二のタングステン
層、７・・・・・・第二〇Ａｌ−Ｓｉ層。
Claims (1)
- 半導体装置において第一の配線層がタングステンあるい
はシリサイドから成る上層と、アルミニウムまたはアル
ミ合金から成る下層から構成され、所定の層間絶縁膜を
形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングによ
りバイアホールを形成する工程、上記バイアホール形成
後、導電性を有するＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｒａｓｓ）
を回転塗布、ガラス化する工程、バイアホール内のみに
ＳＯＧ膜が残留する時点までプラズマ中でエッチングす
る工程、さらに第二の配線としてタングステンあるいは
シリサイドから成る下層とアルミまたはアルミ合金から
成る上層から構成される配線層を被着、形成する工程と
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346689A JPH0319226A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346689A JPH0319226A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319226A true JPH0319226A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15563182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15346689A Pending JPH0319226A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319226A (ja) |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15346689A patent/JPH0319226A/ja active Pending
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