JPH0319230Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0319230Y2 JPH0319230Y2 JP1983099161U JP9916183U JPH0319230Y2 JP H0319230 Y2 JPH0319230 Y2 JP H0319230Y2 JP 1983099161 U JP1983099161 U JP 1983099161U JP 9916183 U JP9916183 U JP 9916183U JP H0319230 Y2 JPH0319230 Y2 JP H0319230Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- lead wire
- metal plates
- opposing sides
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
- H10W72/651—Materials of strap connectors
- H10W72/652—Materials of strap connectors comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/761—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors
- H10W90/766—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂封止されてなるブリツジ型半導体
装置の構造に関するものであり、特に樹脂間の半
導体チツプの発生熱をリード線にほぼ均等に分担
せしめることの可能な新規な半導体装置を提供す
るものである。
装置の構造に関するものであり、特に樹脂間の半
導体チツプの発生熱をリード線にほぼ均等に分担
せしめることの可能な新規な半導体装置を提供す
るものである。
第１図ａ，ｂ，ｃは従来装置の平面図、側面図
及び電気的等価回路図で図において１ａ乃至１ｄ
は金属板から打抜加工等により形成されたリード
フレーム、２ａ，２ｂは接続子、ｄ１〜ｄ４は半
導体（ダイオード）チツプで前記リードフレーム
１ｂ，１ｃ及び接続子２ａ，２ｂ間で半田付され
ｃ図に示す単相ブリツジ回路を形成し、これを樹
脂成形法等により樹脂封止３されている。この構
造の半導体装置はリード線が同一方向に一列に揃
つて導出される所謂シングルインラインパツケー
ジ構造として実装上優れた構造であるが樹脂内で
ダイオードチツプｄ１〜ｄ４の発生熱のバランス
が悪く一部のリードフレームに集中するために電
流容量を大きくできない欠点がある。即ちリード
フレーム１ｂ，１ｃには近接して２個のダイオー
ドチツプｄ１，ｄ２（又はｄ３，ｄ４）が接着さ
れているためリードフレーム１ａ又は１ｄに比し
熱の集中が多くその分担が多くなる。本考案は同
一フレーム状に接着される半導体チツプの配置間
隙を長くし、他方のフレームに配置される半導体
チツプを隣接せしめて叙上の欠点を解消するよう
にしたものである。本考案は、２辺部が対向する
略コ字状金属板の一対を互いに対向部間に一方の
金属板の１辺部と他方の金属板の１辺部が並置す
る如く配置すると共に前記各辺部に夫々ほぼ列状
をなす如く半導体チツプを接着し、又前記隣接す
る辺部上の半導体チツプに跨つて接着される一対
の略Ｔ字状接続金属板と前記夫々金属板に連接さ
れたリード線部とによりブリツジ回路を形成して
夫々半導体チツプからの発生熱を前記夫々リード
線部にほぼ均等に分担せしめるようにしたことを
特徴とするものである。
及び電気的等価回路図で図において１ａ乃至１ｄ
は金属板から打抜加工等により形成されたリード
フレーム、２ａ，２ｂは接続子、ｄ１〜ｄ４は半
導体（ダイオード）チツプで前記リードフレーム
１ｂ，１ｃ及び接続子２ａ，２ｂ間で半田付され
ｃ図に示す単相ブリツジ回路を形成し、これを樹
脂成形法等により樹脂封止３されている。この構
造の半導体装置はリード線が同一方向に一列に揃
つて導出される所謂シングルインラインパツケー
ジ構造として実装上優れた構造であるが樹脂内で
ダイオードチツプｄ１〜ｄ４の発生熱のバランス
が悪く一部のリードフレームに集中するために電
流容量を大きくできない欠点がある。即ちリード
フレーム１ｂ，１ｃには近接して２個のダイオー
ドチツプｄ１，ｄ２（又はｄ３，ｄ４）が接着さ
れているためリードフレーム１ａ又は１ｄに比し
熱の集中が多くその分担が多くなる。本考案は同
一フレーム状に接着される半導体チツプの配置間
隙を長くし、他方のフレームに配置される半導体
チツプを隣接せしめて叙上の欠点を解消するよう
にしたものである。本考案は、２辺部が対向する
略コ字状金属板の一対を互いに対向部間に一方の
金属板の１辺部と他方の金属板の１辺部が並置す
る如く配置すると共に前記各辺部に夫々ほぼ列状
をなす如く半導体チツプを接着し、又前記隣接す
る辺部上の半導体チツプに跨つて接着される一対
の略Ｔ字状接続金属板と前記夫々金属板に連接さ
れたリード線部とによりブリツジ回路を形成して
夫々半導体チツプからの発生熱を前記夫々リード
線部にほぼ均等に分担せしめるようにしたことを
特徴とするものである。
以下図面を参照して説明する。第２図ａ，ｂ，
ｃは本考案の一実施例を示す平面図、側面図及び
部品図（平面図）で従来例と同一符号は同等部分
を示す。図において、１１，１２はほぼ対称形状
の略コ字状金属板で該金属板１１はｃ図に示す如
く長辺部１１ａと短辺部１１ｂが対向辺１１ｄを
通して対向し、又該長辺部１１ａに連接するリー
ド線部１１ｃが設けられ、又金属板１２において
１２ａ，１２ｂ，１２ｃはそれぞれ長辺部、短辺
部及びリード線部であり、夫々対向部に相互に一
方の長辺部１２ａ（又は１１ａ）と他方の短辺部
１１ｂ（又は１２ｂ）が対向する如く間隙をもつ
て並置されている。又前記各辺部に接着されるダ
イオードチツプ（ｄ１〜ｄ４）は短辺部１１ｂ，
１２ｂにおいてほぼ先端に接着され、又長辺部１
１ａ，１２ａにおいてはほぼ中間部に接着されて
各辺部間でほぼ一直線の列状を形成する。１３，
１４は略Ｔ字状接続金属板で該接続金属板１３は
隣接する長辺部１１ａ及び短辺部１２ｂ上のダイ
オードチツプｄ１，ｄ２を跨き、夫々チツプ（ｄ
１，ｄ２）に接着され、又一端部にはリード線部
１３ｃが設けられ、又接続金属板１４も上記同様
にダイオードチツプ（ｄ３，ｄ４）に接続され、
一端部にはリード線部１４ｃが設けられている。
ｃは本考案の一実施例を示す平面図、側面図及び
部品図（平面図）で従来例と同一符号は同等部分
を示す。図において、１１，１２はほぼ対称形状
の略コ字状金属板で該金属板１１はｃ図に示す如
く長辺部１１ａと短辺部１１ｂが対向辺１１ｄを
通して対向し、又該長辺部１１ａに連接するリー
ド線部１１ｃが設けられ、又金属板１２において
１２ａ，１２ｂ，１２ｃはそれぞれ長辺部、短辺
部及びリード線部であり、夫々対向部に相互に一
方の長辺部１２ａ（又は１１ａ）と他方の短辺部
１１ｂ（又は１２ｂ）が対向する如く間隙をもつ
て並置されている。又前記各辺部に接着されるダ
イオードチツプ（ｄ１〜ｄ４）は短辺部１１ｂ，
１２ｂにおいてほぼ先端に接着され、又長辺部１
１ａ，１２ａにおいてはほぼ中間部に接着されて
各辺部間でほぼ一直線の列状を形成する。１３，
１４は略Ｔ字状接続金属板で該接続金属板１３は
隣接する長辺部１１ａ及び短辺部１２ｂ上のダイ
オードチツプｄ１，ｄ２を跨き、夫々チツプ（ｄ
１，ｄ２）に接着され、又一端部にはリード線部
１３ｃが設けられ、又接続金属板１４も上記同様
にダイオードチツプ（ｄ３，ｄ４）に接続され、
一端部にはリード線部１４ｃが設けられている。
なお、上記実施例では金属板１１，１２におい
ては対向辺部を長辺部、短辺部として説明した
が、各辺部の長さは等しくともよい。要は金属板
１１，１２を組合せた時、各金属板１１，１２の
対向辺部の距離Ｓを長くしてブリツジが構成でき
ればよい。このような構造をもつ本案装置は樹脂
３内でダイオードチツプ（ｄ１〜ｄ４）の発生熱
がバランスして夫々略対応するリード線部を介し
て放熱される。即ちダイオードチツプｄ１はリー
ド線部１１ｃから、ｄ２は１３ｃから、ｄ３は１
４ｃから、又ｄ４は１２ｃから夫々主に放熱され
る。
ては対向辺部を長辺部、短辺部として説明した
が、各辺部の長さは等しくともよい。要は金属板
１１，１２を組合せた時、各金属板１１，１２の
対向辺部の距離Ｓを長くしてブリツジが構成でき
ればよい。このような構造をもつ本案装置は樹脂
３内でダイオードチツプ（ｄ１〜ｄ４）の発生熱
がバランスして夫々略対応するリード線部を介し
て放熱される。即ちダイオードチツプｄ１はリー
ド線部１１ｃから、ｄ２は１３ｃから、ｄ３は１
４ｃから、又ｄ４は１２ｃから夫々主に放熱され
る。
そして本案装置は左右対称のためダイオードチ
ツプｄ４とｄ１、又ｄ３とｄ２の放熱は略等しく
なり、更にダイオードチツプｄ３とｄ２は矢印で
示すように夫々金属板１１（又は１２）の対向辺
部１１ｄ（又は１２ｄ）を通して放熱されるため
ダイオードチツプｄ４（又はｄ１）と熱的にバラ
ンスされる。このため各リード線部間の熱バラン
スが良く一リード線部への集中発熱を防止できる
利点がある。因みに本考案によれば従来例と同一
外形（樹脂部外形）でほぼ10％電流容量が向上で
きた。
ツプｄ４とｄ１、又ｄ３とｄ２の放熱は略等しく
なり、更にダイオードチツプｄ３とｄ２は矢印で
示すように夫々金属板１１（又は１２）の対向辺
部１１ｄ（又は１２ｄ）を通して放熱されるため
ダイオードチツプｄ４（又はｄ１）と熱的にバラ
ンスされる。このため各リード線部間の熱バラン
スが良く一リード線部への集中発熱を防止できる
利点がある。因みに本考案によれば従来例と同一
外形（樹脂部外形）でほぼ10％電流容量が向上で
きた。
以上の説明から明らかなように本考案によれば
樹脂外形に対し半導体チツプをバランス良く一列
に配列させる事により、半導体チツプの発熱の集
中を避ける事ができる。この結果電流容量を高め
る効果が得られる。又半導体チツプから距離を多
くとれる構造でありリードフレームからの放熱効
果を利用し、さらに電流容量を高める事ができる
等実用上の効果は大きい。
樹脂外形に対し半導体チツプをバランス良く一列
に配列させる事により、半導体チツプの発熱の集
中を避ける事ができる。この結果電流容量を高め
る効果が得られる。又半導体チツプから距離を多
くとれる構造でありリードフレームからの放熱効
果を利用し、さらに電流容量を高める事ができる
等実用上の効果は大きい。
第１図ａ，ｂ，ｃは従来装置の平面図、側面図
及び電気的等価回路図、第２図ａ，ｂ，ｃは本考
案の一実施例を示す平面図、側面図及び部品図で
ある。図において１ａ〜１ｄはリードフレーム、
２ａ，２ｂは接続子、３は封止樹脂、ｄ１〜ｄ４
は半導体チツプ、１１，１２はコ字状金属板、１
１ａ，１２ａは長辺部、１１ｂ，１２ｂは短辺
部、１３，１４は接続金属板、１１ｃ〜１４ｃは
リード線部、１１ｄ，１２ｄは対向辺部である。
及び電気的等価回路図、第２図ａ，ｂ，ｃは本考
案の一実施例を示す平面図、側面図及び部品図で
ある。図において１ａ〜１ｄはリードフレーム、
２ａ，２ｂは接続子、３は封止樹脂、ｄ１〜ｄ４
は半導体チツプ、１１，１２はコ字状金属板、１
１ａ，１２ａは長辺部、１１ｂ，１２ｂは短辺
部、１３，１４は接続金属板、１１ｃ〜１４ｃは
リード線部、１１ｄ，１２ｄは対向辺部である。
Claims (1)
- 金属板間に半導体チツプを接着してブリツジ回
路を形成し、これを樹脂封止するようにしたブリ
ツジ型半導体装置において、２辺部が対向する略
コ字状金属板の一対を互いに対向部間に一方の金
属板の１辺部と他方の金属板の１辺部が並置する
如く配置すると共に、前記各辺部に夫々ほぼ列状
をなす如く半導体チツプを接着し、又前記隣接す
る辺部上の半導体チツプに跨つて接着される略Ｔ
字状接続金属板と、前記夫々金属板に連接された
リード線部とによりブリツジ回路を形成して夫々
半導体チツプからの発生熱を前記夫々リード線部
にほぼ均等に分担せしめるようにしたことを特徴
とするブリツジ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983099161U JPS606253U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ブリツジ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983099161U JPS606253U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ブリツジ型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606253U JPS606253U (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0319230Y2 true JPH0319230Y2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=30235116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983099161U Granted JPS606253U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ブリツジ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606253U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5620773B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-11-05 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP5820696B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-11-24 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造用治具 |
| WO2020194480A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、リードフレーム及び電源装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2738218A1 (de) * | 1977-08-24 | 1979-03-01 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP1983099161U patent/JPS606253U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606253U (ja) | 1985-01-17 |
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