JPH0319620B2 - - Google Patents
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- JPH0319620B2 JPH0319620B2 JP56178846A JP17884681A JPH0319620B2 JP H0319620 B2 JPH0319620 B2 JP H0319620B2 JP 56178846 A JP56178846 A JP 56178846A JP 17884681 A JP17884681 A JP 17884681A JP H0319620 B2 JPH0319620 B2 JP H0319620B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- cans
- ferromagnetic layer
- roller
- layer
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子成形物基板上に蒸着された強磁
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法
および同装置に係る。
性層を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法
および同装置に係る。
磁気記録に於て短波長記録に強磁性金属薄膜を
磁気記録層として用いることの有価値性は良く知
られ、かかる媒体も実験室規模で湿式めつき法、
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法等により製造されてきたが、一部は低速
オーデイオ用として実用化され、ビデオ用途の実
用化も近ずいて、工業レベルでの諸問題の解決へ
の努力が各方面でなされている。
磁気記録層として用いることの有価値性は良く知
られ、かかる媒体も実験室規模で湿式めつき法、
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法等により製造されてきたが、一部は低速
オーデイオ用として実用化され、ビデオ用途の実
用化も近ずいて、工業レベルでの諸問題の解決へ
の努力が各方面でなされている。
一般に磁気記録媒体は第２図ａ〜ｄに示すいく
つかの構成のいずれかに属する場合が多い。なお
同図においてバツクコート層は図示を省略してあ
る。
つかの構成のいずれかに属する場合が多い。なお
同図においてバツクコート層は図示を省略してあ
る。
第２図ａは基板２２上に強磁性層２３が１層設
けられている場合を示し、同図ｂは非磁性層２５
を基板２４上に配しその上に強磁性層２６を設け
た場合を示し、同図ｃは基板２７上に非磁性層２
８，３０、強磁性層２９，３１を交互に配し多層
構造にした場合を示し、同図ｄは基板３２上に強
磁性層３３、保護層３４を有する場合を示す。他
に、同図ｂ又はｃにおける強磁性層２６（又は３
１）上に保護層を配するなどした変形も勿論可能
である。
けられている場合を示し、同図ｂは非磁性層２５
を基板２４上に配しその上に強磁性層２６を設け
た場合を示し、同図ｃは基板２７上に非磁性層２
８，３０、強磁性層２９，３１を交互に配し多層
構造にした場合を示し、同図ｄは基板３２上に強
磁性層３３、保護層３４を有する場合を示す。他
に、同図ｂ又はｃにおける強磁性層２６（又は３
１）上に保護層を配するなどした変形も勿論可能
である。
本発明は第２図ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ示した磁
気記録媒体を工業規模で製造する場合にそうぐう
する問題を解決することを目的とする。
気記録媒体を工業規模で製造する場合にそうぐう
する問題を解決することを目的とする。
勿論、第２図ａに示した磁気記録媒体でも、磁
性層を分割してくり返し蒸着で構成する場合で蒸
着後表面を積極的に処理する場合にも同様の問題
が発生するから、媒体の構成を選択するのが重要
ではなく、どういつた製造プロセスを採用するか
により本発明の対象となるかどうかが決るのであ
る。
性層を分割してくり返し蒸着で構成する場合で蒸
着後表面を積極的に処理する場合にも同様の問題
が発生するから、媒体の構成を選択するのが重要
ではなく、どういつた製造プロセスを採用するか
により本発明の対象となるかどうかが決るのであ
る。
なおここでいう蒸着は、真空蒸着、イオンプレ
ーテイング、スパツタリングを含む真空内で薄膜
形成を行うプロセスを指すものとする。
ーテイング、スパツタリングを含む真空内で薄膜
形成を行うプロセスを指すものとする。
本発明は、高分子成形物基板上に強磁性層を形
成したのち、保護層を蒸着する場合、２個以上の
回転キヤンにて、一種類の強磁性層を例えば斜方
蒸着にて所定の厚みに達するまで、くり返し蒸着
する場合、強磁性層を形成後表面を酸化処理する
場合等を連続プロセスとして取り扱つた場合に起
る磁性層の亀裂発生の問題に詳細な検討を重ね、
改良を加えた結果なされたものである。
成したのち、保護層を蒸着する場合、２個以上の
回転キヤンにて、一種類の強磁性層を例えば斜方
蒸着にて所定の厚みに達するまで、くり返し蒸着
する場合、強磁性層を形成後表面を酸化処理する
場合等を連続プロセスとして取り扱つた場合に起
る磁性層の亀裂発生の問題に詳細な検討を重ね、
改良を加えた結果なされたものである。
以下に図面を用い本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明による蒸着装置の一例を示す。
第１図は本発明による蒸着装置の一例を示す。
なお第１図では回転キヤンが２個の場合を示し
ているが、３個以上の場合も思想は同一である。
また第１図では真空槽７を３室に分割した場合を
示したが、これにこだわらず、グロー処理するた
めにさらに分割することもできるが、本発明の基
本要件を詳述するに足る程度に簡素化を図つてい
る。
ているが、３個以上の場合も思想は同一である。
また第１図では真空槽７を３室に分割した場合を
示したが、これにこだわらず、グロー処理するた
めにさらに分割することもできるが、本発明の基
本要件を詳述するに足る程度に簡素化を図つてい
る。
さて第１図に示すように、上室１０は主として
捲き取り系を配設し、蒸着室は８，９に分けられ
ている。この場合、電子ビーム蒸着とスパツタリ
ングの組み合わせの例を引いたが、これにこだわ
らないのは前述した通りである。第１キヤン５と
蒸発源２を対向配設し、第２キヤン６とはスパツ
タ源４を対向配設してある。部屋１０，９，８は
それぞれ独立した排気系１３，１１，１２により
排気される。
捲き取り系を配設し、蒸着室は８，９に分けられ
ている。この場合、電子ビーム蒸着とスパツタリ
ングの組み合わせの例を引いたが、これにこだわ
らないのは前述した通りである。第１キヤン５と
蒸発源２を対向配設し、第２キヤン６とはスパツ
タ源４を対向配設してある。部屋１０，９，８は
それぞれ独立した排気系１３，１１，１２により
排気される。
基板１は送り出し軸１４より第１キヤン５、第
２キヤン６を介して捲き取り軸１５へ捲き取られ
る。１６はフリーローラでエキスパンダローラは
図示してない。１７は各キヤン間の周速変動分を
吸収するために設けられたローラーで、例えば支
点１９とレバーで結ばれ、一定の張力がフイルム
にかけられるように構成する。なおこの構成は一
例であつて、ローラー１７の回転軸を上下にスラ
イドさせるだけでも良い。３は斜方蒸着するため
のマスクで、２０，２１はかく壁であり、ガス導
入部は図示を省略してある。
２キヤン６を介して捲き取り軸１５へ捲き取られ
る。１６はフリーローラでエキスパンダローラは
図示してない。１７は各キヤン間の周速変動分を
吸収するために設けられたローラーで、例えば支
点１９とレバーで結ばれ、一定の張力がフイルム
にかけられるように構成する。なおこの構成は一
例であつて、ローラー１７の回転軸を上下にスラ
イドさせるだけでも良い。３は斜方蒸着するため
のマスクで、２０，２１はかく壁であり、ガス導
入部は図示を省略してある。
なおここでローラー１７の作用について説明す
る。複数のキヤンで捲き取りを行う場合、真空で
あることから基板１とキヤンとにすべりは殆んど
生じない。一方回転キヤンの回転数は、電動機を
制御することで一定に保持するよう構成するので
あるが、周速変動を0.2％程度以下に制御するの
は、例えば直径1mの回転キヤンの自重が幅500mm
のフイイルム搬送用に用いられるものでは1000Kg
に近いことから伺い知れる。又、周速変動の原因
はメカロスにもよるため、同一形状に仕上げても
各キヤンの周速を全く同じにすることもできな
い。従つて、例えば第１キヤン５と第２キヤン６
の関係を等速化しても前記した変動分の変位がフ
イルムに生じることになり、磁性層を形成したの
ち、かかる変動を受けると長手の一部の蒸着層に
亀裂が生じ、これは短波長記録時ノイズの限因と
なり、防止しなければならないが、ローラー１７
の吸収によりこれを完全に防止できるものであ
る。
る。複数のキヤンで捲き取りを行う場合、真空で
あることから基板１とキヤンとにすべりは殆んど
生じない。一方回転キヤンの回転数は、電動機を
制御することで一定に保持するよう構成するので
あるが、周速変動を0.2％程度以下に制御するの
は、例えば直径1mの回転キヤンの自重が幅500mm
のフイイルム搬送用に用いられるものでは1000Kg
に近いことから伺い知れる。又、周速変動の原因
はメカロスにもよるため、同一形状に仕上げても
各キヤンの周速を全く同じにすることもできな
い。従つて、例えば第１キヤン５と第２キヤン６
の関係を等速化しても前記した変動分の変位がフ
イルムに生じることになり、磁性層を形成したの
ち、かかる変動を受けると長手の一部の蒸着層に
亀裂が生じ、これは短波長記録時ノイズの限因と
なり、防止しなければならないが、ローラー１７
の吸収によりこれを完全に防止できるものであ
る。
次により具体的に本発明の実施例を説明する。
実施例 １
第１図に示した蒸着装置を用い、直径1mと直
径50cmの回転キヤン２個を用いポリエチレンテレ
フタレートフイルム（強化延伸形、厚さ12μm、
幅500mm）上に酸素を外部より0.2／min導入
し、真空度３×10-5Torrで電子ビーム加熱によ
り得たCo100％の蒸気流により、入射角40゜以上
で斜方蒸着し、強磁性層を形成した。その膜厚は
0.2μmであつた。次に、N2ガスを0.1／min導入
し、Si3N4をターゲツトとし、１×10-3Torrでマ
グネトロンスパツタを行い、保護層を0.02μmの
厚さに形成した。
径50cmの回転キヤン２個を用いポリエチレンテレ
フタレートフイルム（強化延伸形、厚さ12μm、
幅500mm）上に酸素を外部より0.2／min導入
し、真空度３×10-5Torrで電子ビーム加熱によ
り得たCo100％の蒸気流により、入射角40゜以上
で斜方蒸着し、強磁性層を形成した。その膜厚は
0.2μmであつた。次に、N2ガスを0.1／min導入
し、Si3N4をターゲツトとし、１×10-3Torrでマ
グネトロンスパツタを行い、保護層を0.02μmの
厚さに形成した。
第１図におけるローラー１７の重量を４Kgに設
定した場合と、ローラー１７をバイパスした従来
方式のそれぞれにより前記工程を実施した。捲き
取り速度は30m／minで、第１キヤン５と第２キ
ヤン６の変動はそれぞれ±0.15％、±0.22％であ
つた。
定した場合と、ローラー１７をバイパスした従来
方式のそれぞれにより前記工程を実施した。捲き
取り速度は30m／minで、第１キヤン５と第２キ
ヤン６の変動はそれぞれ±0.15％、±0.22％であ
つた。
以上のようにして強磁性層および保護層を形成
した基板を熱処理し、基板背面に滑性付与のため
の樹脂コートを行い、1/4インチにスリツトして
製造した磁気テープについてノイズを調べた。
した基板を熱処理し、基板背面に滑性付与のため
の樹脂コートを行い、1/4インチにスリツトして
製造した磁気テープについてノイズを調べた。
その結果、本発明により製造された磁気テープ
では、1000mの長さにわたつて均一でかつ、低ノ
イズを達成できたのに対し、従来方式により製造
された磁気テープでは1000m長の中で、ノイズが
４〜6dB高い領域が180m存在していた。
では、1000mの長さにわたつて均一でかつ、低ノ
イズを達成できたのに対し、従来方式により製造
された磁気テープでは1000m長の中で、ノイズが
４〜6dB高い領域が180m存在していた。
そこでその領域を観察したところ、基板の移動
方向とほぼ直交する方向に亀裂が生じていた。発
生位置は規則性がないため、実用に供するために
全長にわたり検査することが必要であるが、かか
る検査は実工程で行うことはできないため、この
テープは実用に供し得ない。
方向とほぼ直交する方向に亀裂が生じていた。発
生位置は規則性がないため、実用に供するために
全長にわたり検査することが必要であるが、かか
る検査は実工程で行うことはできないため、この
テープは実用に供し得ない。
実施例 ２
直径500mmのキヤンに沿つた状態のポリアミド
フイルム（厚さ8μm）上にCo90％Cr10％を１×
10-5Torrの真空中で入射角45゜以上で0.28μm厚に
斜方蒸着して強磁性層を形成し、次の直径500mm
のキヤンに沿つた状態で、酸素分圧0.03Torrで
の高周波グロー放電による表面処理を行つた。フ
イルムの捲き取り速度は25m／minで２つのキヤ
ンの周速変動はそれぞれ±0.21％であつた。ロー
ラー１７により25Kgの張力を与えて周速変動を吸
収した場合と、従来方式によりローラー１７をバ
イパスした場合のそれぞれにより製造した磁気テ
ープの長さ850mにわたつて実施例１におけると
同様のノイズ比較を行つた。
フイルム（厚さ8μm）上にCo90％Cr10％を１×
10-5Torrの真空中で入射角45゜以上で0.28μm厚に
斜方蒸着して強磁性層を形成し、次の直径500mm
のキヤンに沿つた状態で、酸素分圧0.03Torrで
の高周波グロー放電による表面処理を行つた。フ
イルムの捲き取り速度は25m／minで２つのキヤ
ンの周速変動はそれぞれ±0.21％であつた。ロー
ラー１７により25Kgの張力を与えて周速変動を吸
収した場合と、従来方式によりローラー１７をバ
イパスした場合のそれぞれにより製造した磁気テ
ープの長さ850mにわたつて実施例１におけると
同様のノイズ比較を行つた。
その結果、従来方式により製造されたもので
は、8dB〜12dBノイズの高い領域が全部で90m
あり、また３〜5dB高い領域が140mあつたのに
比べ本発明により製造されたものでは、全長にわ
たり均一かつ低ノイズであつた。これは、ローラ
−１７の重さを３Kg〜７Kg変化させても変化なか
つた。
は、8dB〜12dBノイズの高い領域が全部で90m
あり、また３〜5dB高い領域が140mあつたのに
比べ本発明により製造されたものでは、全長にわ
たり均一かつ低ノイズであつた。これは、ローラ
−１７の重さを３Kg〜７Kg変化させても変化なか
つた。
実施例 ３
第１の回転キヤン（直径500mm）に沿つたポリ
イミドフイルム（厚さ25μm）上に電子ビーム蒸
着にてパーマロイ層を1μmの厚さに形成した後、
ローラー１７にて９Kgの張力を与え、第２のキヤ
ン（直径500mm）にて、Co85％Cr15％を垂直入射
で電子ビーム蒸着にて、0.33μmの厚さに形成し
垂直記録用を媒体を製造した。比較用として、ロ
ーラー１７をバイパスせしめ媒体を製造した。
イミドフイルム（厚さ25μm）上に電子ビーム蒸
着にてパーマロイ層を1μmの厚さに形成した後、
ローラー１７にて９Kgの張力を与え、第２のキヤ
ン（直径500mm）にて、Co85％Cr15％を垂直入射
で電子ビーム蒸着にて、0.33μmの厚さに形成し
垂直記録用を媒体を製造した。比較用として、ロ
ーラー１７をバイパスせしめ媒体を製造した。
フイルムの捲取速度が10m／min〜30m／min、
各キヤンの周速変動が±0.3％、±0.27％の場合に
ついて調べたが、本発明により製造したものでは
1300mの範囲にわたり亀裂がまつたく見られなか
つた。
各キヤンの周速変動が±0.3％、±0.27％の場合に
ついて調べたが、本発明により製造したものでは
1300mの範囲にわたり亀裂がまつたく見られなか
つた。
これに対し従来方式により製造したものでは、
全体で470mにわたり亀裂が生じていた。垂直記
録に於ても、この亀裂によるノイズは分解能を落
とす欠点を有しており、本発明の効果は大きい。
全体で470mにわたり亀裂が生じていた。垂直記
録に於ても、この亀裂によるノイズは分解能を落
とす欠点を有しており、本発明の効果は大きい。
この他、ポリエチレンテレフタレート5.5μm〜
27μm厚、ポリアミド3.8μm〜9.7μm厚、ポリイミ
ド25μm〜190μm厚のそれぞれのフイルムを基板
として用い、Cr0.2μm厚上にCo80％Ni20％、
Co70％Ni25％Cr5％、Co95％Pt5％、Co95％W5
％等を0.1μm〜0.3μmの厚さに本発明により形成
したが、同様に亀裂はみられなかつた。
27μm厚、ポリアミド3.8μm〜9.7μm厚、ポリイミ
ド25μm〜190μm厚のそれぞれのフイルムを基板
として用い、Cr0.2μm厚上にCo80％Ni20％、
Co70％Ni25％Cr5％、Co95％Pt5％、Co95％W5
％等を0.1μm〜0.3μmの厚さに本発明により形成
したが、同様に亀裂はみられなかつた。
第１図の装置において、基板が送り出し軸１４
より捲き取り軸１５へ移動する時、それぞれのキ
ヤンで70゜以上の入射角でCo80％Ni20％を斜方蒸
着（各キヤンで0.05μm厚さづつ）し、さらに同
じく、Co80％Ni20％を70゜以上の入射角で電子ビ
ーム蒸着し、全厚み0.2μmの磁性層を、前記基板
上に本発明により形成して討た磁気テープにもや
はり亀裂は見られず均一かつ低ノイズが実現され
ていた。
より捲き取り軸１５へ移動する時、それぞれのキ
ヤンで70゜以上の入射角でCo80％Ni20％を斜方蒸
着（各キヤンで0.05μm厚さづつ）し、さらに同
じく、Co80％Ni20％を70゜以上の入射角で電子ビ
ーム蒸着し、全厚み0.2μmの磁性層を、前記基板
上に本発明により形成して討た磁気テープにもや
はり亀裂は見られず均一かつ低ノイズが実現され
ていた。
本発明の急唆な周速変動により生ずるフイルム
の変位から発生する亀裂の防止作用は、他の多く
の実施例についても確かめられた。直径500mmの
キヤン２ケ、同1000mmのキヤン１ケの計３ケを有
する装置を用い製造した場合についても全く同様
の効果を確認した。
の変位から発生する亀裂の防止作用は、他の多く
の実施例についても確かめられた。直径500mmの
キヤン２ケ、同1000mmのキヤン１ケの計３ケを有
する装置を用い製造した場合についても全く同様
の効果を確認した。
以上の説明から明らかなように、本発明により
得られる媒体は短波長記録の長所をそこなわない
優れたもので、本発明の工業的価値は大である。
得られる媒体は短波長記録の長所をそこなわない
優れたもので、本発明の工業的価値は大である。
第１図は本発明による製造装置の一例を示す
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄはそれぞれ磁気記録媒
体の構成例を示す断面図である。 １，２２，２４，２７，３２……基板、２……
蒸発源、３……マスク、４……スパツタ源、５，
６……キヤン、７……真空槽、１４……送り出し
軸、１５……捲き取り軸、１６，１７……ロー
ラ、２０，２１……かく壁、２３，２５，２６，
２９，３１，３３……強磁性層。
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄはそれぞれ磁気記録媒
体の構成例を示す断面図である。 １，２２，２４，２７，３２……基板、２……
蒸発源、３……マスク、４……スパツタ源、５，
６……キヤン、７……真空槽、１４……送り出し
軸、１５……捲き取り軸、１６，１７……ロー
ラ、２０，２１……かく壁、２３，２５，２６，
２９，３１，３３……強磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直列に並んだ個別モータにより等速に周速制
御された複数個の回転キヤンに沿つて移動する高
分子成形物基板上に強磁性層を蒸着にて形成する
際、隣り合つた上記回転キヤン間において上記基
板に張力を付与することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 ２ 蒸着により面上に強磁性層を形成しようとす
る高分子成形基板を周面に沿わせて移動せしめる
等速に周速制御された回転ローラが複数個直列に
配置され、かつ隣り合つた上記回転キヤン間にお
いて移動中の上記基板に張力を付与するための手
段が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178846A JPS5880135A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法および同装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178846A JPS5880135A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法および同装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880135A JPS5880135A (ja) | 1983-05-14 |
| JPH0319620B2 true JPH0319620B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16055688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178846A Granted JPS5880135A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気記録媒体の製造方法および同装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880135A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167137A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-14 | Olympus Optical Co Ltd | Formation for thin film |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP56178846A patent/JPS5880135A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5880135A (ja) | 1983-05-14 |
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