JPH03196655A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03196655A JPH03196655A JP33963289A JP33963289A JPH03196655A JP H03196655 A JPH03196655 A JP H03196655A JP 33963289 A JP33963289 A JP 33963289A JP 33963289 A JP33963289 A JP 33963289A JP H03196655 A JPH03196655 A JP H03196655A
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- Japan
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- oxide film
- source
- probe pad
- equalizing
- contact holes
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に電気的特性評価専用の
素子の探針パッドの構造に関する。
素子の探針パッドの構造に関する。
半導体装置の製造工程において、内部素子の電気的特性
を測定するために電気的特性評価専用の素子が設けられ
ている。
を測定するために電気的特性評価専用の素子が設けられ
ている。
アルミニウム配線工程において形成される探針バッドに
より、電気的特性を測定することができる。
より、電気的特性を測定することができる。
従来技術におけるＭＯＳ−ＦＥＴ型素子について第５図
（ａ）〜（ｄ）の平面図と、それぞれのＡ−Ｂ断面図で
ある第６図（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
（ａ）〜（ｄ）の平面図と、それぞれのＡ−Ｂ断面図で
ある第６図（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
はじめに第５図（ａ）、第６図（ａ）に示すように、シ
リコン基板１の表面にＬＯＣＯ３法によりフィールド酸
化膜２が形成され、ゲート酸化膜３、ゲート電極４、ソ
ース−ドレイン層５、酸化膜６が形成され、ＰＳＧ膜７
が形成される。
リコン基板１の表面にＬＯＣＯ３法によりフィールド酸
化膜２が形成され、ゲート酸化膜３、ゲート電極４、ソ
ース−ドレイン層５、酸化膜６が形成され、ＰＳＧ膜７
が形成される。
つぎに第５図（ｂ）、第６図（ｂ）に示すように、コン
タクト孔８が形成される。
タクト孔８が形成される。
つぎに第５図（Ｃ）、第６図（ｃ）に示すように、アル
ミニウムからなる探針パッド１０が形成されて素子部が
完成する。
ミニウムからなる探針パッド１０が形成されて素子部が
完成する。
あるいは第５図（Ｃ）、第６図（Ｃ）の替りに第５図（
ｄ）、第６図（ｄ）に示すように、選択ＣＶＤ法により
、コンタクト孔８にタングステン９を埋め込んでからア
ルミニウムからなる探針パッド１０を形成される。
ｄ）、第６図（ｄ）に示すように、選択ＣＶＤ法により
、コンタクト孔８にタングステン９を埋め込んでからア
ルミニウムからなる探針パッド１０を形成される。
従来技術による電気的特性評価専用の素子は、アルミニ
ウム膜からなる探針パッドを、アルミニウム配線工程に
おいて形成するので、配線工程が終了するまで電気的測
定評価ができなかった。
ウム膜からなる探針パッドを、アルミニウム配線工程に
おいて形成するので、配線工程が終了するまで電気的測
定評価ができなかった。
配線工程の前でプロセスを制御したり特性不良対策を講
じたりすることができなかった。
じたりすることができなかった。
本発明の電気的特性評価専用の素子は、測定用探針パッ
ドと同等の大きさのコンタクト孔を開口し、金属を選択
埋め込みして、探針パッドを形成されたものである。
ドと同等の大きさのコンタクト孔を開口し、金属を選択
埋め込みして、探針パッドを形成されたものである。
本発明の第１の実施例について、第１図（ａ）〜（ｃ）
の平面図と、それぞれのＡ−Ｂ断面図である第２図（ａ
）〜（Ｃ）を参照して説明する。
の平面図と、それぞれのＡ−Ｂ断面図である第２図（ａ
）〜（Ｃ）を参照して説明する。
はじめに第１図（ａ）、第２図（ａ）に示すように、シ
リコン基板１の表面にＬＯＣＯ３法によりフィールド酸
化膜２が形成され、ゲート酸化膜３が形成される。
リコン基板１の表面にＬＯＣＯ３法によりフィールド酸
化膜２が形成され、ゲート酸化膜３が形成される。
つぎにポリシリコンからなるゲート電極４の端部がソー
ス５ａおよびドレイン５ｂの探針パッドと同等の大きさ
（例えば７０μｍ×７０μｍ）に形成される。
ス５ａおよびドレイン５ｂの探針パッドと同等の大きさ
（例えば７０μｍ×７０μｍ）に形成される。
つぎにソース−ドレイン層５、酸化膜６が形成されたの
ち、ＰＳＧ膜７が形成される。
ち、ＰＳＧ膜７が形成される。
つぎに第１図（ｂ）、第２図（ｂ）に示すように、（例
えば５０μｍ×５０μｍ）の大きなコンタクト孔８が形
成される。
えば５０μｍ×５０μｍ）の大きなコンタクト孔８が形
成される。
つぎに第１図（Ｃ）、第２図（Ｃ）に示すように、選択
ＣＶＤ法により、コンタクト孔８にタングステン９を埋
め込まれて探針用のパッド９ａが完成する。
ＣＶＤ法により、コンタクト孔８にタングステン９を埋
め込まれて探針用のパッド９ａが完成する。
つぎに本発明の第２の実施例について、第３図（ａ）の
平面図と、そのＡ−Ｂ断面図である第３図（ｂ）に示す
。
平面図と、そのＡ−Ｂ断面図である第３図（ｂ）に示す
。
ここではゲート酸化膜３の上のポリシリコン膜４ａの抵
抗を測定することができる。
抗を測定することができる。
つぎに本発明の第３の実施例について、第４図（ａ）の
平面図と、そのＡ−Ｂ断面図である第４図（ｂ）に示す
。
平面図と、そのＡ−Ｂ断面図である第４図（ｂ）に示す
。
ここでは拡散層５Ｃの抵抗を測定することができる。
探針用のパッドと同等の大きさのコンタクト孔を形成す
ることにより、配線工程の前に評価専用の素子で内部素
子の電気的特性を測定してプロセスを制御したり特性不
良対策を講じたりすることができるようになった。
ることにより、配線工程の前に評価専用の素子で内部素
子の電気的特性を測定してプロセスを制御したり特性不
良対策を講じたりすることができるようになった。
配線工程前に素子の検査を行なって、不良の素子を排除
できるので、無駄な配線工程を省くことができるという
効果がある。
できるので、無駄な配線工程を省くことができるという
効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を示す平
面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を
示す断面図、第３図（ａ）は本発明の第２の実施例を示
す平面図、第３図（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す
断面図、第４図（ａ）は本発明の第３の実施例を示す平
面図、第４図（ｂ＞は本発明の第３の実施例を示す断面
図、第５図（ａ）〜（ｄ）は従来技術を示す平面図、第
６図（ａ）〜（ｄ）は従来技術を示す断面図である。 ■・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５−・・・
ソース−ドレイン層、５ａ・・・ソース、５ｂ・・・ド
レイン、５Ｃ・・・拡散層、６・・・酸化膜、７・・・
ＰＳＧ膜、８・・・コンタクト孔、９・・・タングステ
ン、９・・・タングステン、９ａ・・・探針パッド（タ
ングステン）、１０・・・探針パッド（アルミニウム）
。
面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を
示す断面図、第３図（ａ）は本発明の第２の実施例を示
す平面図、第３図（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す
断面図、第４図（ａ）は本発明の第３の実施例を示す平
面図、第４図（ｂ＞は本発明の第３の実施例を示す断面
図、第５図（ａ）〜（ｄ）は従来技術を示す平面図、第
６図（ａ）〜（ｄ）は従来技術を示す断面図である。 ■・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５−・・・
ソース−ドレイン層、５ａ・・・ソース、５ｂ・・・ド
レイン、５Ｃ・・・拡散層、６・・・酸化膜、７・・・
ＰＳＧ膜、８・・・コンタクト孔、９・・・タングステ
ン、９・・・タングステン、９ａ・・・探針パッド（タ
ングステン）、１０・・・探針パッド（アルミニウム）
。
Claims (1)
- 半導体装置に設けられた電気的特性評価専用の素子にお
いて、測定用探針パッドと同等の大きさの前記素子のコ
ンタクト孔を開口し、金属を選択埋め込みして、探針パ
ッドが形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33963289A JPH03196655A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33963289A JPH03196655A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196655A true JPH03196655A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18329335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33963289A Pending JPH03196655A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414336B2 (en) | 1999-07-26 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Semiconductor device capable of improving manufacturing |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33963289A patent/JPH03196655A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414336B2 (en) | 1999-07-26 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Semiconductor device capable of improving manufacturing |
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