JPH03198211A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、たとえば磁気ディスク装置で使用される薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関するもので、特にコイルに
接続される端子部を形成する工程に改良を施したもので
あり、 アルミナ保護膜に埋まった前記端子部を形成する工程で
形成された端子部を露出させるラッピング工程において
、アルミナ保護膜の剥離およびラッピング定盤の傷付き
を防止することを目的とし、基板上にコイルと絶縁膜と
磁性膜とリード・ライトギャップとからなる電磁変換素
子部を形成する工程と、電解めっきによるコイルの端子
部を形成する工程と、前記電磁変換素子部および端子部
を保護するアルミナ保護膜の成膜工程と、アルミナ保護
膜に埋まった前記端子部を露出させるラフピング工程な
どの各工程からなる薄膜磁気ヘッドの製造方法における
前記端子部を形成する工程において、端子パターンおよ
び電解めっき電流の導入部のみを露出したフォトレジス
トを付着して端子部を電解めっきによって形成したこと
を特徴とするものである。

〔産業上の利用分野］ この発明は、たとえば磁気ディスク装置で使用される薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関するもので、特にコイルに
接続される端子部を形成する工程に改良を施したもので
ある。

〔従来の技術〕

近年のコンピュータ・システムの高速化・小型化の要求
に伴い、磁気ディスク装置も高速・大容量・小型化が要
求されている。このため、磁気ディスク装置に用いる薄
膜磁気ヘッドは、低インダクタンスで高記録密度の高性
能なものが必要であり、これを歩留り良く製造すること
が求められている。

第２図は従来一般の磁気ディスク装置で使用される薄膜
磁気ヘッドの組立体の斜視図であり、１は薄膜磁気ヘッ
ドで、弾性を有するジンバル２の先端部２ａに取付けら
れており、このジンバル２の基端部２ｂは図示しないキ
ャリッジアームに取付けられるようになっている。３は
薄膜磁気ヘッド１の電磁変換素子部１ａを形成するコイ
ルに連設した端子部１ｂに接続されたリード線である。

第３図はこの薄膜磁気ヘッド１の拡大斜視図で、その大
きさは、たとえば幅Ａが２．５ｍ、奥行きＢが３Ｍ、厚
さＣが０．６Ｍの小さなものであり、１ａは後述するコ
イルと磁性膜とリード・ライトギャップとからなる電磁
変換素子部、１ｂはこの電磁変換素子部１ａを形成する
コイルに連設された端子部である。電磁変換素子部１ａ
および端子部１ｂは二個形成されているが、その内の一
個を選択して使用するようにしている。

第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図であり、
１ａは電磁変換素子部、１ｂは後述するコイルに連設さ
れた端子部、ＩＣはセラミックなどの基板、１ｄは下地
のアルミナ膜、１ｅは磁性膜、１ｆはリード・ライトギ
ャップ、１ｇはコイル、１ｈはアルミナ保護膜である。

第５図はこのような薄膜磁気ヘッドｌの従来−般の製造
工程を示すものであり、（１）はフォトリソグラフィ技
術、電解めっき技術、真空蒸着技術などの薄膜形成技術
を組み合わせることにより、セラミックの基板ＩＣの上
に下地のアルミナ膜１ｄを形成し、この下地のアルミナ
膜１ｄの上に、磁性膜１ｅ、ｌｅ、リード・ライトギャ
ップ１ｆ、コイル１ｇおよび端子形成部１ｉ、ｌｉ’を
それぞれ形成して、電磁変換素子部１ａを形成した工程
を示すものである。なお、前記端子形成部１ｉ。

ｌｉ′は紙面に対し垂直方向の前後にずれており互いに
非接触状態にある。

（２）は後述するような方法により、銅めっきによって
コイル１ｇに連設した端子部１ｂを形成した工程を示す
ものである。

（３）は前記のように形成した電磁変換素子部１ａと端
子部１ｂとの上にアルミナ保護膜１ｈを形成した工程を
示すものである。

（４）はこのアルミナ保護膜１ｈの上を前記端子部１ｂ
が露出するまで平面化ラッピングした工程を示すもので
ある。

このような薄膜磁気ヘッド１は、たとえば直径的７６ｍ
ｍの円板状のセラミックの基板ＩＣ上に約４００個形成
されており、それを個別に切り出して、第３図に示すよ
うな薄膜磁気ヘッド１が形成される。

前記工程（２）における端子部１ｂは、フォトレジスト
に形成したパターンを用いた選択的な電解めっきにより
次のように形成されていた。

すなわち、第６図に示すように、フォトレジストの端子
パターンは、第５図の工程（１）に示すような電磁変換
素子部１ａが既に多数形成されたほぼ円板状のセラミッ
クの基板ＩＣ上に、銅めっき用の導電薄膜４が基板の前
面に蒸着され、さらに基板１ｃの全面にスピンコードさ
れたフォトレジスト膜５に、周知のフォトリソグラフィ
技術により端子パターン４ａが形成される。

その際、第６図に示すように、端子パターン４ａは、円
形の基板ＩＣに内接するほぼ正方形の内部に限定されて
おり、その外側は捨てめっき部分４ｂとなるため、フォ
トレジストは除去されている。このようなフォトレジス
ト・パターンを有する銅めっき用の導電薄膜４に対して
、フォトレジスト５から最も遠い箇所に設けた電解めっ
き電流の導入部４ｃより電流を流して銅めっきを行うこ
とにより、端子パターン４ａおよび捨てめっき部分４ｂ
に銅薄膜を成膜して端子部１ｂを形成することができる
（第５図の工程（２）参照）。

次に、アルミナ保護膜１ｈを基板ＩＣの全面にスパッタ
リングにより成膜（第５図の工程（３）参照）した後、
端子部１ｂの銅薄膜を露出させるための平面化ラッピン
グ（第５図の工程（４）参照）を行う。

なお、前記第６図に示すように、端子パターン４ａは、
円形の基板ＩＣに内接するほぼ正方形の内部に限定した
のは、フォトレジストの加工技術におけるマスク・パタ
ーンを、フォトレジストが塗布された円形の基板ＩＣ上
に位置合わせし易いためである。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記第５図に示す工程（４）において、端子部１ｂの銅
薄膜が露出する直前まで平面化ラッピングが進むと、ア
ルミナ保護膜１ｈは機械的な接合強度を失い剥がれるお
それがある。また、前記捨てめっき部分４ｂにめっきさ
れたｍｉ膜の部分は、端子部１ｂに比べてはるかに大き
な面積を有するため、この部分から剥離した大きなアル
ミナ膜は、ラッピング定盤を傷付ける。その結果、基板
ＩＣ上の端子部１ｂまたはアルミナ保護膜１ｈが傷付き
不良品となる。さらに、傷付いたラッピング定盤の修正
には数日かかると言う問題があった。

この発明は、アルミナ保護膜に埋まった前記端子部を形
成する工程で形成された端子部を露出させるラッピング
工程において、アルミナ保護膜の剥離およびラッピング
定盤の傷付きを防止することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段〕 この発明は、前記のような課題を解決するため、第１図
乃至第５図に示すように、基板　Ｉｃ上にコイル１ｇと
絶縁膜と磁性膜１ｅとリード・ライトギャップＩｆとか
らなる電磁変換素子部１ａを形成する工程と、電解めっ
きによるコイルの端子部１ｂを形成する工程と、前記電
磁変換素子部１ａおよび端子部１ｂを保護するアルミナ
保護膜１ｈの成膜工程と、アルミナ保護膜１ｈに埋まっ
た前記端子部１ｂを露出させるラッピング工程などの各
工程からなる薄膜磁気ヘッド１の製造方法における前記
端子部１ｂを形成する工程において、端子パターン４ａ
および電解めっき電流の導入部４Ｃのみを露出したフォ
トレジスト５を付着して端子部１ｂを電解めっきによっ
て形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
としたものである。

〔作用〕

この発明によれば、すなわち、薄膜磁気ヘッド１の製造
方法における前記端子部１ｂを形成する工程において、
端子パターン４ａおよび電解めっき電流の導入部４ｃの
みを露出したフォトレジスト５のパターンを用いて端子
部１ｂを基板上に電解めっきによって形成するようにし
たので、電磁変換素子部１ａおよび端子部１ｂを覆った
アルミナ保護膜１ｈを平面化ラッピングして端子部１ｂ
を露出させるときに、従来のように銅の捨てめっきを行
っていないので、大きなアルミナ保護膜の剥がれが無く
、また、銅の捨てめっき部分の研削屑が生じないので、
ラッピング定盤を傷付けるおそれがなくなる。

〔実施例〕

以下、この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例を
第１図および前述の従来一般の製造方法と共に説明する
。

この発明は、第５図に示すように、フォトリソグラフィ
技術、電解めっき技術、真空蒸着技術などの薄膜形成技
術を組み合わせることにより、基板Ｉｃ上にコイル１ｇ
と絶縁膜と磁性膜１ｅとリード・ライトギャップ１ｆと
からなる電磁変換素子部１ａを形成する工程（１）と、
電解めっきによるコイルの端子部１ｂを形成する工程（
２）と、前記電磁変換素子部１ａおよび端子部１ｂを保
護するアルミナ保護膜１ｈの成膜工程（３）と、アルミ
ナ保護膜１ｈに埋まった前記端子部１ｂを露出させるラ
ッピング工程（４）などの各工程からなる薄膜磁気ヘッ
ド１の製造方法における前記端子部１ｂを形成する工程
において、 第１図に示すように、端子パターン４ａおよび電解めっ
き電流の導入部４ｃのみを露出したフォトレジスト５を
付着して、端子部１ｂを電解めっきによって形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法としたもので
ある。

さらに詳しく説明すると、第５図の工程（１）に示すよ
うに、セラミックの基板１ｃの上に電磁変換素子部１ａ
と端子形成部１ｉ、ｌｉ’までを形成した上に、厚さ０
．０５〜０．１μｍの銅めっき用の導電薄膜を真空蒸着
あるいはスパッタリングなどにより成膜する。

次に、厚さ５０〜６０μｍのフォトレジストを基板１ｃ
の表面全面にスピン塗布したものに対し露光・現像を行
い、第１図に示すように、端子パターン４ａおよび電解
めっき電流の導入部４ｃのみフォトレジスト５が除かれ
る。

以上のようなパターンの形成後、厚さ５０〜６０μｍの
銅めっきをすることにより、端子パターン４ａにのみ銅
めっき膜が成長する。

この銅めっきを行った後、イオンミリングやスパッタエ
ツチングなどにより、前記銅めっき膜が成長しなかった
部分の銅めっき用の導電薄膜を除去することにより、第
５図の工程（２）に示すような端子部１ｂが形成される
。

次に、第５図の工程（３）のように、厚さ５０〜６０μ
ｍのアルミナ保護膜１ｈをスパッタリングにより成膜す
る。

最後に、第５図の工程（４）に示すように、平面化ラッ
ピングにより、端子成形部の端子部１ｂを露出させる。

〔発明の効果〕

この発明は、以上説明したように、基板上にコイルと絶
縁膜と磁性膜とリード・ライトギャップとからなる電磁
変換素子部を形成する工程と、電解めっきによるコイル
の端子部を形成する工程と、前記電磁変換素子部および
端子部を保護するアルミナ保護膜の成膜工程と、アルミ
ナ保護膜に埋まった前記端子部を露出させるラッピング
工程などの各工程からなる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おける前記端子部を形成する工程において、端子パター
ンおよび電解めっき電流の導入部のみを露出したフォト
レジストを付着して端子部を電解めっきによって形成し
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法としたの
で、電磁変換素子部および端子部を覆ったアルミナ保護
膜を平面化ラッピングして端子部を露出させるときに、
従来のように銅の捨てめっきを行っていないので、大き
なアルミナ保護膜の剥がれが無く、また、銅の捨てめっ
き部分の研削屑が生じないので、ラッピング定盤を傷付
けるおそれがなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法における
コイルの端子部形成工程のフォトレジストの端子パター
ンを示す図、第２図は従来一般の磁気ディスク装置で使
用される薄膜磁気ヘッドの組立体の斜視図、第３図は従
来一般の薄膜磁気ヘッドの拡大斜視図、第４図は第３図
のＩＶ−ＩＶ線における断面図、第５図はこのような薄
膜磁気ヘッドの従来一般の製造工程を示す図、第６図は
従来の端子部形成工程のフォトレジストの端子パターン
を示す図である。 １・・・薄膜磁気ヘッド １ａ・・・電磁変換素子部 １ｂ・・・端子部 ｌｃ・・・基板 １ｄ・・・アルミナ膜 １ｅ・・・磁性膜 １ｆ・・・リード・ライトギャップ １ｇ・・・コイル １ｈ・・・アルミナ保護膜 １ｉ、ｌｉ’・・・端子形成部 ２・・・ジンバル ３・・・リード線 ４・・・銅めっき用の導電薄膜 ４ａ・・・端子パターン ４ｂ・・・捨てめっき部分 ４ｃ・・・電解めっき電流の導入部 ５・・・フォトレジスト この発明の端子部形成工程のフォトレジストの端子バタ
第１図 ンを示す図 第３図のＩＶ−ＩＶ線における断面図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１ｃ）上にコイル（１ｇ）と絶縁膜と磁性膜（１
   ｅ）とリード・ライトギャップ（１ｆ）とからなる電磁
   変換素子部（１ａ）を形成する工程と、電解めっきによ
   るコイルの端子部（１ｂ）を形成する工程と、前記電磁
   変換素子部（１ａ）および端子部（１ｂ）を保護するア
   ルミナ保護膜（１ｈ）の成膜工程と、アルミナ保護膜（
   １ｈ）に埋まった前記端子部（１ｂ）を露出させるラッ
   ピング工程などの各工程からなる薄膜磁気ヘッド（１）
   の製造方法における前記端子部（１ｂ）を形成する工程
   において、 端子パターン（４ａ）および電解めっき電流の導入部（
   ４ｃ）のみを露出したフォトレジスト（５）を付着して
   端子部（１ｂ）を電解めっきによって形成したことを特
   徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。