JPH0320066A - 半導体パッケージ部品 - Google Patents

半導体パッケージ部品

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Publication number
JPH0320066A
JPH0320066A JP1155387A JP15538789A JPH0320066A JP H0320066 A JPH0320066 A JP H0320066A JP 1155387 A JP1155387 A JP 1155387A JP 15538789 A JP15538789 A JP 15538789A JP H0320066 A JPH0320066 A JP H0320066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
package
hole
polyimide resin
die pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1155387A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Nose
幸之 野世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1155387A priority Critical patent/JPH0320066A/ja
Publication of JPH0320066A publication Critical patent/JPH0320066A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路に用いる樹脂封止型の半導体
パッケージ部品に関するものである。
従来の技術 電子機器の小型，軽量化が進む中で、これらに用いる電
子部品の小型化指向は強い。この電子部品はプリント基
板に装着されて用いられ、実装密度を上げるべく、プリ
ント基板の両面に半田付けにより固着される。
この電子部品の中核をなす半導体集積回路は、樹脂封止
形パッケージがその大半で１、表面実装用の代表例とし
てＳＯＴパッケージを用いて説明する。
パッケージのリードフレームは、厚さ約０．２鴫の鉄ニ
ッケノレ合金や銅系合金で形威されている。
リードフレームのダイパッド上には半導体チップが、例
えば銀ペースト樹脂によう固着される。固着後、チップ
上に形戒されたポンディングパッドとインナーリードを
金線によう接続する。その後、封止金型を用いてチップ
が固着されたダイパッドとインナーリードを封止樹脂で
パッケージの形状に或形する。そしてアウターリード間
を接続しているタイパーやフレームに接続されているア
ウターリード先端や吊シリードを切断した後、アウター
リードを内側へ“１１字形に或形し、Ｓｏｌパッケ・−
ジが完成する。
発明が解決しようとする課題 大面積半導体チップを小型薄型樹脂パッケージに納める
際に、最大の問題となるのが、樹脂が吸湿している状態
で、プリント基板にパッケージの半田付けを行った場合
、ダイパットと樹脂界面、チップと樹脂界面の水分が、
半田、付け温度（２２ｏ〜２６０℃）で蒸気化し、その
蒸気圧が３０〜４０気圧にも達し、樹脂の破壊を誘発す
る。
この原因は、樹脂とダイパッドやチップ界面の周辺部で
初期的に剥離が存在して訃シ、この剥離部に水蒸気が飽
和するに足シろ水分を蓄めることにある。
樹脂パッケージにおける樹脂の破壊は、パッケージの品
質上の致命的問題である。
課題を解決するための手段 この問題を解決するために、本発明は半導体チップを搭
載するダイパッドの裏面に、矩形の穴を設け、その穴に
ポリイミド樹脂を流し込み、金属とポリイミドの２層構
造を形或する。
作　　用 上記手段に加え搭載する半導体チップ表面にポリイミド
膜をスビンコードで形成したものを用いる。
これを封止樹脂でパッケージ形状に或形することで、チ
ップ表面部、ダイバッド裏面部の剥離を防ぐことができ
る。そして半田付け時の樹脂パッ？ージの破壊は防止で
きる。
実施例 第１図は本発明に基づ〈リードフレーム１のダイパッド
２部分とそこに表面をポリイミドコートした半導体チッ
プ３を搭載した状態を示すものである。
ダイパッド２の裏面は矩形の穴４を設ける。この穴４０
部分にはボリイ■ド樹脂５が埋められている。
穴４へのポリイミド樹脂６の埋め込み方法は、次の手順
に従って行われる。
先ず、リードフレーム１の裏面が上方になるようにセッ
トする。その時、ダイパッド２０穴４も上方になる。こ
の穴４に低粘度（６０〜１ｓｏｃｐ）で低温硬化（２０
０〜２５０℃）が可能なポリイミド樹脂６を滴下法によ
り流し込む。
このポリイミド樹脂６は、穴４の中で広がり最後に平坦
な厚さになる。この状態で硬化を行い、均一なポリイミ
ド樹脂６の薄膜が形戒される。
従って、組立て手順は、 （１）　　リードフレーム１に半導体チップ３を銀ペー
スト８で貼シ付け、１６０℃程度で予備硬化させておく
。
（２）ダイパッド２裏面の穴４にポリイミド樹脂６を滴
下し、広がった後に２００〜２５０’Ｃで１時間程度硬
化する。この時、銀ペースト６も同時に最終硬化が進む
。
（３）金線７で、半導体チップ３のボンディングパッド
８とリードフレーム１のインナーリード９の間を接続す
る。
（４）　　これを樹脂或形金型で封止樹脂１０を或形し
てパッケージソグする。
以上のように封止樹脂でパッケージ形状に或形すること
で、チップ表面部、ダイパッド裏面部の剥離を防ぐこと
ができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、チップ界面，ダイパッド
界面での剥離が防止出来てパッケージの吸湿時での熱衝
撃による破壊が防げる。
【図面の簡単な説明】
−ドフレームとダイパッド及びポリイミド樹脂埋設部の
断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・タイパ
ット、３半導体チップ、４・・・・・・穴、６・・・・
・・ポリイミド樹脂、６・・・・・・銀ペースト、７・
・・・・・金線、８・・・・・・ポンディングパッド、
９・・・・・・インナーリード、１ｏ叫・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップを搭載するリードフレームのダイパッド裏
    面に窪みを有し、その窪みにポリイミドが埋設されてい
    ることを特徴とする半導体パッケージ部品。
JP1155387A 1989-06-16 1989-06-16 半導体パッケージ部品 Pending JPH0320066A (ja)

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JP1155387A JPH0320066A (ja) 1989-06-16 1989-06-16 半導体パッケージ部品

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JP1155387A JPH0320066A (ja) 1989-06-16 1989-06-16 半導体パッケージ部品

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Publication Number Publication Date
JPH0320066A true JPH0320066A (ja) 1991-01-29

Family

ID=15604841

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JP1155387A Pending JPH0320066A (ja) 1989-06-16 1989-06-16 半導体パッケージ部品

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JP (1) JPH0320066A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1080931C (zh) * 1995-07-31 2002-03-13 三星电子株式会社 用于生产半导体封装引线框架的工艺

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1080931C (zh) * 1995-07-31 2002-03-13 三星电子株式会社 用于生产半导体封装引线框架的工艺

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