JPH03204838A - 光学活性4―フェニル酪酸エステル誘導体のラセミ化方法 - Google Patents

光学活性4―フェニル酪酸エステル誘導体のラセミ化方法

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JPH03204838A
JPH03204838A JP2256027A JP25602790A JPH03204838A JP H03204838 A JPH03204838 A JP H03204838A JP 2256027 A JP2256027 A JP 2256027A JP 25602790 A JP25602790 A JP 25602790A JP H03204838 A JPH03204838 A JP H03204838A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、−形式(1) (式中、R1は水酸基、ビニルエーテルで保護された水
酸基または低級アシルオキシ基を表し、Rgは低級アル
キル基を表す)で示される光学活性4フ工ニル酪酸エス
テル誘導体のラセミ化方法に関する。
上記−形式に含まれる光学活性2−ヒドロキシ−4−フ
ェニル酪酸エステル、あるいはその誘導体はシラザブリ
ル、キナプリル、エナラプリル、イントラプリル、ラミ
プリル、リシノブリルなどのアンジオテンシン変換酵素
阻害剤などの医薬品合成原料として有用である。
〔従来の技術〕
上記−形式において2−位が水酸基、ビニルエ−チルで
保護された水酸基または低級アシルオキシ基で置換され
た光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導体のラセミ化
方法はこれまで知られていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
光学不活性(±)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸
エステルは、例えば後述の方法により合成できるが、上
記の医薬品合成原料として使用する場合には、2−位の
水酸基の立体配座に関して、例えばR(−) −2−ヒ
ドロキシ−4−フェニル酪酸エステルのように一方の立
体配座のエステルが要求されているため、ラセミ体の光
学分割処理がさらに必要である。従来(±)−2−ヒド
ロキシ−4−フェニル酪酸あるいはそのエステルから各
々の光学活性体に分割するには、(±)−2−ヒドロキ
シ−4−フェニル酪酸に光学活性なメントールを作用さ
せ、メンチルエステルとして石油エーテルからの再結晶
を繰り返し光学活性なメンチルエステルを得る方法(O
PTICAL RESOLUTIONPROCEDUR
ES for CHEMICAL COMPOUNDS
、 476(1986):0PTICAL  RESO
LUTION  INFORM八Tl0Nへ CENT
ER。
Manhattan CoCo11e+ Riverd
ale、 New York発行参照)、あるいは(±
)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸に分割剤として
光学活性な1−(pトリル)エチルアミンあるいはN−
(2−ヒドロキシ)エチル−α−メチルベンジルアミン
を作用させる方法が知られている(EP 032915
6参照)。
しかし、従来、光学活性2−ヒドロキシ−4−フェニル
酪酸および光学活性2−ヒドロキシ−4フエニル酪酸エ
ステル類のラセミ化方法は知られていなかった。そのた
め(±)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸あるいは
そのエステルを光学分割する際に回収される、必要とし
ない一方の光学活性体は有効に利用されていないのが現
状である。
、しかして、本発明の目的は光学活性4−フェニル酪酸
エステル誘導体を収率よく、かつ容易にラセミ化する方
法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば上記の目的は一般式(1)(式中、R1
は水酸基、ビニルエーテルで保護された水酸基または低
級アシルオキシ基を表し、R1は低級アルキル基を表す
)で示される光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導体
にアルカリ金属アルコラード、水素化アルカリ金属およ
びアルカリ金属アミドからなる群より選ばれる塩基を作
用させることによって達成される。すなわち、光学活性
2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸はほとんどラセミ化
を起こさないが、該光学活性2−ヒドロキシ−4−フェ
ニル酪酸から製造できる光学活性4−フェニル酪酸エス
テル誘導体は上記特定の塩基の作用で容易にラセミ化が
起こることを見出し、本発明に到った。
上記−形式(1)のR1及びR2を詳しく説明する。
R1として水酸基、(テトラヒドロフラン−2−イル)
オキシ基、(テトラヒドロピラン−2−イル)オキシ基
、(3−メチルテトラヒドロピラン−2−イル)オキシ
基、(1−エトキシ)エトキシ基、(1−プロポキシ)
エトキシ基、(1−ブトキシ)エトキシ基などの、いわ
ゆるビニルエーテルで保護された水酸基及びホルミルオ
キシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリ
ルオキシ基、j−ブチリルオキシ基、バレリルオキシ基
、i−バレリルオキシ基などの低級アシルオキシ基など
が挙げられる。
R’が水酸基である場合の光学活性2−ヒドロキシ−4
−フェニル酪酸エステルはアンジオテンシン変換酵素阻
害剤などの医薬品合成原料として特に有用である。
またR1の低級アルキル基としては、通常炭素数1〜5
のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基
、i−プロピル基、ブチル基、S−ブチル基、t−ブチ
ル基、ペンチル基、ネオペンチル基などを挙げることが
できる。−形式(1)で示される光学活性4−フェニル
酪酸エステル誘導体の具体例としては、S (+) −
2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸メチル、S (+)
 −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチル、S (
+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸プロピル、
S(+)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸iプロピ
ル、S (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸
ブチル、S (+) −2−アセトキシ−4−フェニル
酪酸エチル、s(+)−2−(テトラヒドロピラン−2
−イル)オキシ−4−フェニル酪酸エチル、s(+)−
2−(1−エトキシ)エトキシ−4−フェニル酪酸エチ
ル及びそれらの光学対掌体であるR (−) −4−フ
ェニル酪酸エステル誘導体などが挙げられる。
ここで本発明において原料として用いる光学活性4−フ
ェニル酪酸エステル誘導体の製造方法を例示する。
H 1)シアンヒドリン化 10%酢酸ナトリウム水溶液を触媒として、3−フェニ
ルプロパナール(1)と青酸を反応温度20〜25℃で
30分間反応させることによつてシアンヒドリン(2)
を製造する。
2)加水分解 シアンヒドリン(2)を濃塩酸と内温70〜120°C
で3〜5時間反応させることによって、(±)−2−ヒ
ドロキシ−4−フェニル酪酸(3)を製造する。
3)光学分割(HP 0329156参照)(±) −
2−1::ドロキシ−4−フェニル酪酸(3)に対して
光学分割剤として1−(p−トリル)エチルアミンまた
はN−(2−ヒドロキシ)エチルα−メチルベンジルア
ミン0.4〜1当量を作用させることにより、それぞれ
対応するジアステレオマー塩を形成させる。次に、ジア
ステレオマー塩をその溶媒に対する溶解度差を利用して
分離することによってR−またはS−の光学活性2−ヒ
ドロキシ−4−フェニル酪酸(4)を製造する。
4)エステル化(1) ・・反応させることによって、光学活性2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸エステル(5)を製造する。
この反応で用いられる低級アルコールの具体例として、
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコ
ール、i−プロピルアルコール、ブチルアルコール、i
−ブチルアルコール、S−ブチルアルコール、アミルア
ルコールなどを例示することができる。触媒としては硫
酸、りん酸などの鉱酸が用いられ、特に硫酸が好適であ
る。触媒量は光学活性2−ヒドロキシ−4−フェニル酪
酸に対して当モル以下、好ましくは3〜10mo1%で
ある。反応温度は触媒の種類及び量、使用する低級アル
コールの種類及び量などによって変化するが、通常50
°Cないし150°Cの範囲である。
また、低級アルコールの量はエステル化反応をスムーズ
に進行させるためには、光学活性2−ヒドロキシ−4−
フェニル酪酸に対して多い程好ましいが、当モル−5倍
モルの使用が実際的である。
かかる方法により製造した光学活性2−ヒドロキシ−4
−フェニル酪酸エステル(5)は、例えば水に注いでイ
ソプロピルエーテルなどの溶剤で抽出処理した後、溶剤
を留去することにより単離することができる。
5)エステル化(2) 光学活性2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エステル(
5)と酸無水物をジメチルアミノピリジンを触媒として
、室温下で反応させることによって、光学活性2−アシ
ルオキシ−4−フェニル酪酸エステル(6)を製造する
5)アセタール化 塩化メチレン溶液中、光学活性2−ヒドロキシ4−フェ
ニル酪酸エステル(6)とビニルエーテルをp−)ルエ
ンスルホン酸のピリジン塩を触媒として、室温下で反応
させて光学活性2−(1−アルコキシ)エトキシ−4−
フェニル酪酸エステル(7)を製造する。
次に本発明方法で採用されるラセミ化条件について説明
する。
一般式(1)で示される光学活性4−フェニル酪酸エス
テル誘導体のラセミ化は塩基の存在下で行われる。本発
明で用いられる塩基は、具体的にはナトリウムメチラー
ト、ナトリウムエチラート、カリウムメチラート、カリ
ウムエチラート、カリウムt−ブチラードなどのアルカ
リ金属アルコラード;水素化ナトリウム、水素化カリウ
ムなどの水素化アルカリ金属;ナトリウムアミド、カリ
ウムアミド、リチウムアミドなどのアルカリ金属アミド
である。特に好ましい塩基はアルカリ金属アルコラード
及び水素化アルカリ金属である。塩基の使用量はラセミ
化の温度あるいは時間に影響されるが、通常は一般式(
1)で示される光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導
体に対して0.5+no1%以上の量で用いられる。反
応性及び経済性を考慮すると1=10mo1%程度の量
を使用するのが好ましい。なお、反応系中に水分が存在
すると、塩基と水分が反応してその活性が失われること
があるので、水分の混入には十分注意を要する。ラセミ
化は無溶媒でおこなうことができる。また、ベンゼン、
トルエン、キシレン、p−シメン、オクタン、デカン、
シクロヘキサンなどの炭化水素類;ブチルエーテル、i
−ブチルエーテル、アニソールなどのエーテル類ニジメ
チルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルトリアミド
などの塩基に対して不活性な有機溶媒などをラセミ化溶
媒として使用することができる。溶媒の使用量は経済的
な観点から、基質に対して当量ないし10倍容量使用す
るのが実際的である。ラセミ化温度は50℃以上で行わ
れるが、70〜150℃程度の温度範囲で行うのが好ま
しい。ラセミ化時間は温度、塩基の種類によって変化す
るが、例えば、塩基として水素化ナトリウムを基質に対
して2.51101%用いて、トルエンのりフラックス
下でラセミ化を実施する場合には、1時間程度でラセミ
化は終了する。
ラセミ化反応液の後処理は、反応液を多量の水もしくは
塩酸水の中に注いだのち、ラセミ化に使用した溶媒ある
いはi−プロピルエーテルで抽出し、さらに抽出した溶
液を水洗後、溶剤を除去することによって行われる。こ
のようにして得られた(±)−4−フェニル酪酸エステ
ル誘導体の精製は蒸留によって行われる。また、(±)
−4−フェニル酪酸エステル誘導体は下記の常法の化学
的手段により、C±)−2−ヒドロキシ−4−フェニル
酪酸としたのち、結晶化によって精製することもできる
。その変換方法を次に例示する。
(1)2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エステルまた
は2−アシルオキシ−4−フェニル酪酸エステルから2
−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸への交換。
エタノール溶媒中、2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸
エステルまたは2−アシルオキシ−4−フェニル酪酸エ
ステルと水酸化ナトリウム(5〜10モル倍)をリフラ
ックス下で3時間反応させてエタノールを除去後、塩酸
水で系を酸性化することによって2−ヒドロキシ−4−
フェニル酪酸を製造する。2−ヒドロキシ−4−フェニ
ル酪酸は水から再結晶することで高純度化することがで
きる。
(2)2−(1−アルコキシ)エトキシ−4−フェニル
酪酸エステルから2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸へ
の変換。
含水テトラヒドロフラン溶媒中、2−(1−アルコキシ
)エトキシ−4−フェニル酪酸エステルを室温下で3時
間、希塩酸で処理することによっていわゆる水酸基の脱
保護反応がおこり、2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸
エステルを製造することができる。さらにこのものを、
上記(1)の方法と同様の処理に供することで2−ヒド
ロキシ−4フエニル酪酸を製造することができる。
このような方法で製造した(±)−2−ヒドロキシ−4
−フェニル酪酸は前記例示3)の光学分割処理を行うこ
とによって、目的とする一方の光学活性2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸を確保することができる。また、不
用な一方の光学対掌体は前記例示4)のエステル化を経
たのちラセミ化処理することによって、(±)−2−ヒ
ドロキシ−4−フェニル酪酸に変換することができ、こ
の操作を繰り返すことで目的とする一方の光学活性体の
みを製造することができる。
以下に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれ
らの実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1 300iI11のフラスコにS (+) −2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチル50g、水素化ナトリウ
ム(60%純度)0.24g及び脱水トルエン150d
をとり、リフラックス条件下で1時間反応を行った。反
応液を室温まで冷却後、1%塩酸水200d中に注いで
反応を中止し、トルエン層を分液した。分液下層はさら
にトルエン10(ld!で抽出したのち、両者を合わせ
て200dで2回洗浄した。トルエンを減圧下で除去し
、淡黄色の油分50.8 gを得た。この油分を下記の
液体クロマトグラフィー条件下で分析した結果、S(+
)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチルとR(−
)−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチルの面積比
率は49.5:50.5であった。
液体クロマトグラフィー分析条件 カラム;Chiralcel OD+  4.6X25
0 am展開液;ヘキサン/ミープロパツール=9/1
(容量) 流速; 0.5 ml/min。
検出器; UV (254nm) また油分をガスクロマトグラフィーで定量分析した結果
、S (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エ
チルとR(−)・−2ヒドロキシ−4=フエニル酪酸エ
チルが合計で43.6 g含まれていた。
ガスクロマトグラフィー分析条件 カラム; 5ilicon OV −17、2mカラム
温度;150°C Inj 、温度;230°C 実施例2〜4 水素化ナトリウムの代りに他の塩基化合物を用いた以外
は実施例1と同様の条件下で、S(+)−2−ヒドロキ
シ−4−フェニル酪酸のラセミ化を実施した。結果を表
1に示した。
実施例5〜11 トルエンの代りに他の溶媒を用いた以外は実施例1と同
様の条件下で、S (+) −2−ヒドロキシ−4−フ
ェニル酪酸エチルのラセミ化を実施した。結果を表2に
示した。
以下余白 実施例12〜14 S (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチ
ルの代りに、種々の光学活性2−ヒドロキシ−4−フェ
ニル酪酸エステルを使用して実施例1と同様にラセミ化
を実施した。結果を表3に示した。なお、反応生成物の
分析も実施例1と同じ条件下である。
以下余白 実施例15 <s (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エ
チルの製造〉 1000dのフラスコにS (+) −2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸88.2g、エチルアルコール35
2g、ヘキサン200g及び濃硫酸2gをとり、共沸条
件下で生成する水を分離した。水が分離しなくなった時
点で反応を終了し、減圧下にエタノールを除去した。次
にこの中に水400m及びi−プロピルエーテル400
mを加えて有機層を抽出した。有機層を1%炭酸ソーダ
水で洗浄後、減圧下にi−プロピルエーテルを除去して
淡黄色の油分110.2 gを得た。ガスクロマトグラ
フィーで分析した結果、この油分は102.0 gの2
−ヒトロキシー4−フェニル酪酸エチルを含んでいた。
また、液体クロマトグラフィーで分析した結果、S (
+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチルとR
(−) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチルの
割合は99.510.5であり、エチルエステル化条件
下でのラセミ化は見られなかった。ガスクロマトグラフ
ィー及び液体クロマトグラフィーの分析条件は実施例1
のそれらと同じである。
〈ラセミ化〉 2000dのフラスコにS (+) −2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸エチル100g、水素化ナトリウム
O−48g(60%油性)及びトルエン300mをとり
、リフラックス条件下で1時間反応を行った。
〈加水分解〉 次に上記の反応液から減圧下にトルエンを除去し、この
中にエチルアルコール1000m及び20%水酸化ナト
リウム水溶液288gを加えてリフラックス条件下で2
.5時間反応を行った。反応後、減圧下にエチルアルコ
ールを除去し、続いてこの中に水300gを加え、さら
に濃塩酸で系のpH値を1〜2とした。5〜10°Cで
5時間静置後、フィルターし、乾燥して白色結晶73.
0 gを得た。このもののNMRスペクトルは2−ヒド
ロキシ−4−フェニル酪酸のそれと一致した。また、こ
の結晶を液体クロマトグラフィーで分析した結果、S 
(+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸とR(−
)〜2−ヒドロキシー4−フェニル酪酸の50.119
.9の混合物であった。
液体クロマトグラフィー分析条件 カラム; CHIRALPAK WH,4,6X250
 m展開液; )lzo 、 0.25mM Cu5O
n流速;0.5d/sin。
検出器; UV (254nts) 実施例16 くアセタール化〉 s (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチ
ル10.9ツg、エチルビニルエーテル20d及び塩化
メチレン40dを200dのフラスコにより、p−)ル
エンスルホン酸のピリジン塩0.1gを加えて内温lO
〜15℃で2時間反応を行った。反応終了後を2%炭酸
ソーダ水で洗浄後、塩化メチレンを除去して淡黄色の粗
2−(1−エトキシ)エトキシ−4−フェニル酪酸エチ
ル14.75gを得た。尚、このうちごく一部をとって
、酸で脱保護を行ない2−ヒドロキシ−4−フェニル酪
酸エチルとした後、実施例1の液体クロマトグラフィー
分析条件下で測定したがラセミ化は全く起きていなかっ
た。
〈ラセミ化〉 上記の反応生成物をトルエン50dに溶かし、さらに水
素化ナトリウム(60%油性) 0.25 gを加えて
、リフラックス条件下で1時間反応を行った。反応液を
水1001dで洗浄ののち減圧下にトルエンを除去して
黄色の油分14.30 gを得た。
〈脱保護〉 次に上記の油分をテトラヒドロフラン10d及び5%塩
酸水10mを加えて、室温下で2時間反応した。反応終
了後、この中に水200d及びi−プロピルエーテル2
00dを加えて有機層を抽出した。有機層を0.1%炭
酸ソーダ水で洗浄後、減圧下にi−プロピルエーテルを
除去して黄色の油分10.98%を得た。ガスクロマト
グラフィーで分析した結果、このものの中に2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチル10.30 gが含まれ
ていた、また、実施例1と同様の液体クロマトグラフィ
ー分析条件下で分析した結果、S (+) −2−ヒド
ロキシ−4−フェニル酪酸エチルとR(−)−2−ヒド
ロキシ−4−フェニル酪酸エチルの面積比率は50.0
:50.0であった。
実施例17 S (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エチ
ル酪酸エチル10.97 g及びエチルビニルエーテル
20dの代わりに、R(−) −2−ヒドロキシ−4−
フェニル酪酸エチル10.97 g及び3.4−ジヒド
ロ−2H−ピラン301dを用いる以外は実施例16と
同じ操作(アセタール化、ラセミ化及び脱保護)を行い
、黄色の油分10.75 gを得た。ガスクロマトグラ
フィーで分析した結果、このものの中に2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸エチル10.15 gが含まれてい
た。また、実施例16と同様の液体クロマトグラフィー
分析条件下で分析した結果、S (+) −2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチルとR(−)−2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸エチルの面積比率は49.8:
50.2であった。
実施例18 くアセチル化〉 50jlfのフラスコにS (+) −2−ヒドロキシ
4−フェニル酪酸エチル2.08 g、無水酢酸3g及
びジメチルアミノピリジン0.05 gをとり、40〜
50℃で5時間反応を行った。次に反応後を5%炭酸ソ
ーダ水50d中に注ぎ、i−プロピルエーテル50dで
抽出した。抽出液をさらに1%炭酸ソーダ水5IIlで
洗浄したのち、i−プロピルエーテルを減圧下に除去し
、淡黄色の油分2.55gを得た。なお、このもののご
く一部をとって加水分解処理を行い、実施例15と同様
の方法で分析したが、ラセミ化は全く起きていなかった
〈ラセミ化〉 上記の油分をトルエン10mに溶かし、さらに水素化ナ
トリウム(60%油性)0.05gを加えてリフラック
ス条件下で0.5時間反応を行った。
反応後、減圧下にトルエンを除去して黄色の油分2、5
0 gを得た。
〈加水分解〉 次に上記の油分にエタノール40m及び20%水酸化ナ
トリウム水溶液10gを加えて、リフラックス条件下で
反応を行った。反応終了後、エタノールを減圧下に除去
し、さらに10%塩酸水で系のpi値を1〜2とした。
析出した結晶をフィルター、乾燥して2−ヒドロキシ−
4−フェニル酪酸1.61gを得た。この結晶を実施例
15の方法で分析した結果、S (+) −2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸とR(−) −2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸の50.4:49.6の混合物であ
った。
参考例1 本発明で原料として用いられる光学活性2−ヒドロキシ
−4−フェニル酪酸エステルの製造法の一例を以下に示
す。
〈2−ヒドロキシ−4−フェニルブチロニトリルの合成
〉 3−フェニルプロパナール134g及びlO%酢酸ソー
ダ水1.4gを30011のフラスコにとり、反応温度
20〜25°Cに保ちながら、青酸27gを徐々に滴下
、さらにその温度で30分反応を行った。
液体クロマトグラフィー分析条件 カラム;Lichrosorb RP−18,4,6X
250 wn展開液; MeOH/HzO=6/4.H
:1PO42s+mol/ f流速; 0.5 d/w
in。
検出器; UV (254nall) 〈2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸の製造〉1000
dのフラスコに濃塩酸135.6gをとり、この中に内
温を50〜55°Cに保ちながら、上記の反応液を滴下
した。滴下終了後、内温を90℃としてさらに3時間反
応を行った。次に内温を15〜20℃にした。白色の結
晶として2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸が析出して
きた。
結晶をフィルター後、乾燥して2−ヒドロキシ−4−フ
ェニル酪酸126gを得た。液体クロマトグラフィー分
析条件は2−ヒドロキシ−4−フェニルブチロニトリル
の場合と同じである。
<S (+) −2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸の
製造〉 上記方法で製造した2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸
126g、(−) −1−(p−)リル)エチルアミン
56.7 g及び水酸化ナトリウム11.2gを72°
Cにて水350gに溶解させた。−夜放冷後、析出した
結晶を濾別し、S (+) −2−ヒドロキシ−4−フ
ェニル酪酸・ (−)〜1−(p−トリル)エチルアミ
ン塩83.3 gを得た。これに1規定の水酸化ナトリ
ウム溶液280dを加えてエーテル抽出した。エーテル
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を除去
することにより白い結晶としてS (+) −2−ヒド
ロキシ−4−フェニル酪酸44.1 gを得た。液体ク
ロマトグラフィーで分析した結果、S (+)−2−ヒ
ドロキシ−4−フェニル酪酸とR(−) −2−ヒドロ
キシ−4−フェニル酪酸が99.510.5の割合で含
まれていた。液体クロマトグラフィーの分析条件は実施
例15のそれと同じである。
参考例2〜3 下記条件下でS (+) −2−ヒドロキシ−4−フェ
ニル酪酸のラセミ化反応を実施したが、ラセミ化はほと
んど進行しなかった。
〔発明の効果〕
本発明によって光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導
体の高収率かつ容易なラセミ化方法が提供される。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、R^1は水酸基、ビニルエーテルで保護された
    水酸基または低級アシルオキシ基を表し、R^2は低級
    アルキル基を表す) で示される光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導体に
    アルカリ金属アルコラード、水素化アルカリ金属および
    アルカリ金属アミドからなる群より選ばれる塩基を作用
    させることを特徴とする光学活性4−フェニル酪酸エス
    テル誘導体のラセミ化方法。 2、光学活性4−フェニル酪酸エステル誘導体がS(+
    )−2−ヒドロキシ−4−フェニル酪酸エステルである
    請求項1記載の方法。
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