JPH03204995A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH03204995A JPH03204995A JP2289122A JP28912290A JPH03204995A JP H03204995 A JPH03204995 A JP H03204995A JP 2289122 A JP2289122 A JP 2289122A JP 28912290 A JP28912290 A JP 28912290A JP H03204995 A JPH03204995 A JP H03204995A
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- Japan
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- ceramic multilayer
- multilayer substrate
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- firing
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、電子回路を構成するセラミック多層基板の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、電子回路の小形化、高密度化の要求に対し、熱伝
導性のよいセラミックを使用したセラミック多層基板が
開発され、実用化が進められている。
導性のよいセラミックを使用したセラミック多層基板が
開発され、実用化が進められている。
そして、このセラミック多層基板の製造方法として、セ
ラミック粉末と有機物を混合したスラリでグリーンシー
トを作成して積層一体止するグリンシート積層法が注目
されている。
ラミック粉末と有機物を混合したスラリでグリーンシー
トを作成して積層一体止するグリンシート積層法が注目
されている。
第４図ａ ” ｆは従来の積層体またはセラミック多層
基板の構造を示す平面図と断面図、第５図はセラミック
多層基板の端部のうねり量を示す説明図である。なお、
第４図ａ、ｂは焼成前のもの、第４図ｃ、ｄは焼成後で
あって、上部厚膜３形成前のもの、第４図ｅ、ｆは焼成
後であって、上部厚膜形成後のものを示している。まだ
、焼成後のもの（第４図Ｃ〜ｆ）は焼成前（第４図ａ、
ｂ）のものと比べ、焼成収縮のため、第４図Ｃのように
長さｒｔＪだけ収縮される。
基板の構造を示す平面図と断面図、第５図はセラミック
多層基板の端部のうねり量を示す説明図である。なお、
第４図ａ、ｂは焼成前のもの、第４図ｃ、ｄは焼成後で
あって、上部厚膜３形成前のもの、第４図ｅ、ｆは焼成
後であって、上部厚膜形成後のものを示している。まだ
、焼成後のもの（第４図Ｃ〜ｆ）は焼成前（第４図ａ、
ｂ）のものと比べ、焼成収縮のため、第４図Ｃのように
長さｒｔＪだけ収縮される。
第４図ａｘｆ、第５図において、１はグリーンシート、
２は導体ペースト、３は上部厚膜、１１は積層体であり
、導電ペースト２を印刷したグリーンシート１を所望枚
数積層したものである。
２は導体ペースト、３は上部厚膜、１１は積層体であり
、導電ペースト２を印刷したグリーンシート１を所望枚
数積層したものである。
１ａは焼成したグリーンシートから成る絶縁層、２ａは
焼成した導体ペースト２から成る導体層、１１Ａは積層
体１１を焼成したセラミック多層基板、１１Ｂは焼成し
たセラミック多層基板１１Ａに上部厚膜を形成したセラ
ミック基板を示す。
焼成した導体ペースト２から成る導体層、１１Ａは積層
体１１を焼成したセラミック多層基板、１１Ｂは焼成し
たセラミック多層基板１１Ａに上部厚膜を形成したセラ
ミック基板を示す。
そして、Δはセラミック多層基板１１Ａの端部に発生す
るうねり量を示す。
るうねり量を示す。
次に、上記従来例のセラミック多層基板の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、セラミック粉末と有機物を混合したスラリでグリ
ーンシート１を作成する。
ーンシート１を作成する。
そして、複数のグリーンシート１にそれぞれグイアホー
ルをパンチングして形成し、それぞれ異なるパターンの
導体ペースト２をそれぞれグリーンシート１に印刷した
後、乾燥させる。
ルをパンチングして形成し、それぞれ異なるパターンの
導体ペースト２をそれぞれグリーンシート１に印刷した
後、乾燥させる。
次に、異なるパターンを印刷したグリーンシート１を、
第４図ａ、ｂに示すように、所望枚数積層するとともに
、適切な温度、圧力でプレスして積層体１１を形成した
後、セラミック多層基板１１Ａができる。
第４図ａ、ｂに示すように、所望枚数積層するとともに
、適切な温度、圧力でプレスして積層体１１を形成した
後、セラミック多層基板１１Ａができる。
最後に、セラック多層基板１１Ａに最上層の上部厚膜３
を形成すると、セラミック多層基板１１Ｂが完成する。
を形成すると、セラミック多層基板１１Ｂが完成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来のセラミック多層基板の製造方
法では、積層体１１の焼成工程における昇温時の（積層
体１１の）表裏温度差が不適切であったため、第６図に
示すように、セラミック多層基板１１Ａの端部に発生す
るうねシ量Δが大きく、上部厚膜形成工程に移行できな
いという問題があった。
法では、積層体１１の焼成工程における昇温時の（積層
体１１の）表裏温度差が不適切であったため、第６図に
示すように、セラミック多層基板１１Ａの端部に発生す
るうねシ量Δが大きく、上部厚膜形成工程に移行できな
いという問題があった。
この発明は、このような従来の問題を解決するものであ
り、積層体の焼成時に適切なプロファイルを与えること
により、セラミック多層基板の端部に発生するうねシを
防止し、上部厚膜形成時の加工性を向上することのでき
るセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的
とするものである０ 課題を解決するための手段 この発明は、上記目的を達成するため、積層体の焼成ト
ップ温度を非晶質ガラスの結晶化ピ〜り点とし、昇温時
の積層体の表裏温度差を非晶質ガラスのガラス転移点〜
非晶質ガラスの結晶化ピーク点の間の温度範囲で、５０
℃以下となるようにしたものである。
り、積層体の焼成時に適切なプロファイルを与えること
により、セラミック多層基板の端部に発生するうねシを
防止し、上部厚膜形成時の加工性を向上することのでき
るセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的
とするものである０ 課題を解決するための手段 この発明は、上記目的を達成するため、積層体の焼成ト
ップ温度を非晶質ガラスの結晶化ピ〜り点とし、昇温時
の積層体の表裏温度差を非晶質ガラスのガラス転移点〜
非晶質ガラスの結晶化ピーク点の間の温度範囲で、５０
℃以下となるようにしたものである。
作 用
したがって、この発明によれば、積層体の焼成トップ温
度を非晶質ガラスの結晶化ピーク点とし、昇温時の積層
体の表裏温度差を非晶質ガラスのガラス転移点〜非晶質
ガラスの結晶化ピーク点の間の温度範囲で、５０ ”Ｃ
以下となるようにすることにより、非晶質ガラスの焼結
反応による収縮の表裏時間差が少なくなシ、セラミック
多層基板の端部に発生するりねシを防止することができ
、上部厚膜形成時の加工性を向上させることができる。
度を非晶質ガラスの結晶化ピーク点とし、昇温時の積層
体の表裏温度差を非晶質ガラスのガラス転移点〜非晶質
ガラスの結晶化ピーク点の間の温度範囲で、５０ ”Ｃ
以下となるようにすることにより、非晶質ガラスの焼結
反応による収縮の表裏時間差が少なくなシ、セラミック
多層基板の端部に発生するりねシを防止することができ
、上部厚膜形成時の加工性を向上させることができる。
実施例
第１図はこの発明のグリーンシート積層法によるセラミ
ック多層基板の製造方法を示す工程図、第２図はこの発
明のセラミック多層基板及び比較例におけるセラミック
多層基板と端部のうねυ量との関係を示す説明図、第３
図は第２図の特性を示すグラフである。
ック多層基板の製造方法を示す工程図、第２図はこの発
明のセラミック多層基板及び比較例におけるセラミック
多層基板と端部のうねυ量との関係を示す説明図、第３
図は第２図の特性を示すグラフである。
第２図において、実施例１，２は積層体を焼成トップ温
度５ｏｏｔ 、５００″Ｃ〜９００℃の温度範囲で積層
体の表裏温度差を３０℃、５０’Ｃとして焼成したもの
である。
度５ｏｏｔ 、５００″Ｃ〜９００℃の温度範囲で積層
体の表裏温度差を３０℃、５０’Ｃとして焼成したもの
である。
そして、比較例１〜４は積層体の焼成トップ温度９００
℃を変化させず、５０Ｑ℃〜９００℃の温度範囲で積層
体の表裏温度差を７０℃、９０℃。
℃を変化させず、５０Ｑ℃〜９００℃の温度範囲で積層
体の表裏温度差を７０℃、９０℃。
１２０℃および１００℃として焼成したものである。
次に、上記実施例のセラミック多層基板の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まス、アルミナ（酸化アルミニウムＡ１２０３）と、転
移点ＴＧが５００’Ｃ，軟化点Ｔｓが８００℃。
移点ＴＧが５００’Ｃ，軟化点Ｔｓが８００℃。
結晶化ピーク点が９００℃のホウ珪酸素ガス（ｓ １０
２−Ｂ２０３ ）を６０重量％づつ混合して得たセラミ
ックパウダ１００重量部に対し、溶剤としてメチルエチ
ルケトンを５０重量部１分割剤としてポリエチレングリ
コールを２重量部、結合剤としてポリビニルブチラール
を１ａ重量部および可塑剤としてジベンジルフタレート
を４重量部加え、ボールミルで２４時間混合して作成し
たスラリでグリーンシートを作成する（ステップ２１）
。
２−Ｂ２０３ ）を６０重量％づつ混合して得たセラミ
ックパウダ１００重量部に対し、溶剤としてメチルエチ
ルケトンを５０重量部１分割剤としてポリエチレングリ
コールを２重量部、結合剤としてポリビニルブチラール
を１ａ重量部および可塑剤としてジベンジルフタレート
を４重量部加え、ボールミルで２４時間混合して作成し
たスラリでグリーンシートを作成する（ステップ２１）
。
そして、複数のグリーンシートにそれぞれグイアホール
をパンチングして形成しくステップ２２Ａ〜２２Ｃ）、
それぞれのグリーンシート上に銀＜Ａｑ）ｉたけ銀とパ
ラジウム（Ｐｄ）の合金ペーストをスクリーン印刷で、
第４図ａ、ｂに示すように、それぞれ異なるパターンの
導体層を印刷した後（ステップ２３Ａ〜２３Ｃ）、乾燥
させる（ステップ２４Ａ〜２４Ｃ）。
をパンチングして形成しくステップ２２Ａ〜２２Ｃ）、
それぞれのグリーンシート上に銀＜Ａｑ）ｉたけ銀とパ
ラジウム（Ｐｄ）の合金ペーストをスクリーン印刷で、
第４図ａ、ｂに示すように、それぞれ異なるパターンの
導体層を印刷した後（ステップ２３Ａ〜２３Ｃ）、乾燥
させる（ステップ２４Ａ〜２４Ｃ）。
次に、上記パターンを印刷したクリーンシートを所望枚
数積層するとともに、適切な温度、圧力、例えば８０’
Ｃの温度、 ２００Ｋｙ ／（ｙｄの圧力で加圧して積
層体を形成した後（ステップ２６）、積層体を、焼成ト
ップ温度９００’Ｃ、６００’Ｃ〜９００°Ｃの温度範
囲で積層体の表裏温度差を５０°Ｃ以下として焼成する
（ステップ２６）。
数積層するとともに、適切な温度、圧力、例えば８０’
Ｃの温度、 ２００Ｋｙ ／（ｙｄの圧力で加圧して積
層体を形成した後（ステップ２６）、積層体を、焼成ト
ップ温度９００’Ｃ、６００’Ｃ〜９００°Ｃの温度範
囲で積層体の表裏温度差を５０°Ｃ以下として焼成する
（ステップ２６）。
最後に、焼成したセラミック基板に最上層の厚膜を形成
すると（ステップ２７）、セラミック多層基板が完成す
る（ステップ２８）。
すると（ステップ２７）、セラミック多層基板が完成す
る（ステップ２８）。
上述のようにして作成した実施例１，２および比較例１
〜４のセラミック多層基板のうねり量Δ（第６図）は、
第２図、第３図に示す値であった。
〜４のセラミック多層基板のうねり量Δ（第６図）は、
第２図、第３図に示す値であった。
したがって、第２図、第３図の特性図から明らかなよう
に、比較例１〜４では、積層体の焼成を５００’Ｃ〜９
００ ’Ｃの温度範囲、すなわち非結晶質ガラスの焼結
反応が行われ、積層体の体積変化（収縮）が起こる段階
での積層体の表裏温度差が大き過ぎるため、うねり量が
増大し、最上層の上部厚膜形成工程に移行できなくなる
。
に、比較例１〜４では、積層体の焼成を５００’Ｃ〜９
００ ’Ｃの温度範囲、すなわち非結晶質ガラスの焼結
反応が行われ、積層体の体積変化（収縮）が起こる段階
での積層体の表裏温度差が大き過ぎるため、うねり量が
増大し、最上層の上部厚膜形成工程に移行できなくなる
。
これに対し、この発明の実施例１，２のように、焼成時
の積層体の表裏温度差を５０°Ｃ以下に抑えると、うね
υ量が飛躍的に改善され（低下し）、上部厚膜形成工程
への移行がスムーズにできる。
の積層体の表裏温度差を５０°Ｃ以下に抑えると、うね
υ量が飛躍的に改善され（低下し）、上部厚膜形成工程
への移行がスムーズにできる。
発明の効果
この発明は、上記実施例よシ明らかなように、積層体の
焼成工程における加熱段階で、非晶質ガラスの焼結反応
が起こって積層体の収縮が起こる際に、積層体の表裏温
度差を低く抑えているので、ｆｊｔ層体の表裏が収縮す
る時間差が小さくなシ、焼成後のセラミック多層基板の
端部に発生するうねりが防止でき、上部厚膜形成時の加
工性を向上させることができる。
焼成工程における加熱段階で、非晶質ガラスの焼結反応
が起こって積層体の収縮が起こる際に、積層体の表裏温
度差を低く抑えているので、ｆｊｔ層体の表裏が収縮す
る時間差が小さくなシ、焼成後のセラミック多層基板の
端部に発生するうねりが防止でき、上部厚膜形成時の加
工性を向上させることができる。
第１図はこの発明のグリーンシート積層法によるセラミ
ック多層基板の製造方法を示す工程図、第２図はこの発
明のセラミック多層基板及び比較例におけるセラミック
多層基板と端部のうねり量の関係を示す説明図、第３図
は第２図の特性を示すグラフ、第４図ａ −ｆは従来の
積層体またはセラミック多層基板の構造を示す平面図と
断面図、第６図はセラミック多層基板の端部のうねり量
を示す説明図である。 １・・・・・・グリーンシート、１ａ・・・・・・焼成
したグリーンシートから成る絶縁層、２・・・・・・導
体ペースト、３・・・・・上部厚膜、１１・・・・・・
積層体、１１Ａ・・・・・・セラミック多層基板、１１
Ｂ・・・・・・上部厚膜を形成したセラミック多層基板
。
ック多層基板の製造方法を示す工程図、第２図はこの発
明のセラミック多層基板及び比較例におけるセラミック
多層基板と端部のうねり量の関係を示す説明図、第３図
は第２図の特性を示すグラフ、第４図ａ −ｆは従来の
積層体またはセラミック多層基板の構造を示す平面図と
断面図、第６図はセラミック多層基板の端部のうねり量
を示す説明図である。 １・・・・・・グリーンシート、１ａ・・・・・・焼成
したグリーンシートから成る絶縁層、２・・・・・・導
体ペースト、３・・・・・上部厚膜、１１・・・・・・
積層体、１１Ａ・・・・・・セラミック多層基板、１１
Ｂ・・・・・・上部厚膜を形成したセラミック多層基板
。
Claims (1)
- 結晶質フィラーおよび非晶質ガラスで構成したセラミ
ック絶縁体層と、導体層を交互に重な合わせて積層体と
した後、焼成トップ温度を前記非晶質ガラスの結晶化ピ
ーク点とし、昇温度時の前記積層体の表裏温度差を前記
非晶質ガラスのガラス転移点と前記非晶質ガラスの結晶
化ピーク点の間で、５０℃以下として前記積層体を焼成
するセラミック多層基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28093289 | 1989-10-27 | ||
| JP1-280932 | 1989-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03204995A true JPH03204995A (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=17631937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289122A Pending JPH03204995A (ja) | 1989-10-27 | 1990-10-25 | セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03204995A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128899A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating glass ceramic structure |
| JPS6112091A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 株式会社日立製作所 | 多層回路基板及びその製造方法 |
| JPS62292654A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスセラミツクス基板用組成物 |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2289122A patent/JPH03204995A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128899A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-06 | Ibm | Method of fabricating glass ceramic structure |
| JPS6112091A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 株式会社日立製作所 | 多層回路基板及びその製造方法 |
| JPS62292654A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスセラミツクス基板用組成物 |
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