JPH03209623A - メモリーテープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はメモリーテープに関するものである。

［従来の技術］ メモリーテープは、主にコンピューター等のデータスト
レージに用いられ、磁気記録媒体のなかでも繰り返し使
用がなされ、また、通常シーケンシャル（物理的位置が
連続的）記録のため高速で使用されるものである。

かかるメモリーテープ等磁気記録媒体としては、ポリエ
ステルフィルムに酸化物塗布型磁性層を設けてなる磁気
記録媒体が知られている（たとえば特開昭６１−２６９
３３号公報等）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来のメモリーテープでは、メモリ
ーテープがしばしば高速で用いられるため、接触するロ
ールやガイドでテープ表面に傷がつくという欠点があっ
た。また、従来のものでは記録の書き込み、再生が繰り
返し行なわれると出力特性が低いために、Ｓ／Ｎ（シグ
ナル／ノイズ比）が不十分という欠点があった。

本発明はかかる課題を解決し、特に高速工程でテープに
傷がつきに＜＜（以下耐スクラッチ性に優れるという）
、シかも繰り返し記録の書き込み、再生に耐える（以下
出力特性に優れるという）メモリーテープを提供するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、基材フィルムの少なくとも片面に磁性層を設
けてなるメモリーテープであって、該基材フィルムが熱
可塑性樹脂Ｂよりなる層（Ｂ層）の少なくとも片面に粒
子を含有する熱可塑性樹脂Ａよりなる層（Ａ層）を積層
した積層フィルムであり、Ａ層の表面粗さＲａが７５ｎ
ｍ以下、最大高さＲｔとＲａの比Ｒｔ　／　Ｒａか８．
０以下であり、Ａ層に含有される粒子の平均粒径ｄが１
０〜１１０００ｎ、該粒子のＡ層に対する含有量が１〜
４０重量％、Ａ層の厚さｔと該粒子の平均粒径ｄの比ｔ
／ｄが０．　１〜３であることを特徴とするメモリーテ
ープに関するものである。

本発明の基材フィルムを構成する熱可塑性樹脂Ａ、Ｂは
同じでも、異なる種類のものでもよ（、ポリエステル、
ポリオレフィン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィ
ドなど特に限定されることはないが、特に、ポリエステ
ル、中でも、エチレンテレフタレート、エチレンα、β
−ビス（２−クロルフェノキシ）エタン−４，４′−ジ
カルボキシレト、エチレン２．６−ナフタレート単位か
ら選ばれた少なくとも一種の構造単位を主要構成成分と
する場合に耐スクラッチ性かより一層良好となるので望
ましい。また、本発明を構成する熱可塑性樹脂Ａは結晶
性である場合に耐スクラッチ性かより一層良好となるの
できわめて望ましい。ここでいう結晶性とはいわゆる非
晶質ではないことを示すものであり、定量的には結晶化
パラメータにおける冷結晶化温度Ｔｃｃが検出され、か
つ結晶化パラメータΔＴｃｇが１５０℃以下のものであ
る。さらに、示差走査熱量計で測定された融解熱（融解
エンタルピー変化）が７．５ｃａｌ／ｇ以上の結晶性を
示す場合に耐スクラッチ性がより一層良好となるのでき
わめて望ましい。また、エチレンテレフタレートを主要
構成成分とするポリエステルの場合に耐スクラッチ性が
より一層良好となるので特に望ましい。

なお、本発明を阻害しない範囲内で、熱可塑性樹脂Ａ、
Ｂには他種の熱可塑性樹脂を混合してもよいし共重合ポ
リマを用いても良い。また、本発明の目的を阻害しない
範囲内で、熱可塑性樹脂Ａ、Ｂに酸化防止剤、熱安定剤
、滑剤、紫外線吸収剤などの有機添加剤が通常添加され
る程度添加されていてもよい。

本発明を構成する基材フィルムのＡ層中の粒子の平均粒
径ｄは耐スクラッチ性、出力特性の点から１０〜１１０
００ｎである必要かあり、さらにＡ層側に磁性層が設け
られる場合には１０〜５０Ｑｎｍ、磁性層が設けられな
い場合には３０〜１１０００ｎが好ましい。

また本発明の基材フィルムＡ層中の粒子の含有量は１〜
４０重量％、好ましくは２〜３０重量％、さらに好まし
くは３〜２０重量％であることが必要である。含有量が
上記の範囲より多いと出力特性が満足できず、少ないと
耐スクラッチ性が不良となり好ましくない。

さらに本発明の基材フィルムＡ層の厚さｔと該Ａ層中に
含有する粒子の平均粒径ｄの比ｔ／ｄは０．１〜３、好
ましくは０．　２〜２．０、さらに好ましくは０．　３
〜１．５の範囲であることが必要である。ｔ／ｄが上記
の範囲より小さいと耐スクラッチ性が不良となり、逆に
大きいと出力特性が不良となるので好ましくない。

さらに、本発明のＢ層中には粒子を含有している必要は
特にないが、平均粒径が５〜５００ｎｍ、特に１０〜４
００ｎｍの粒子が０．００１〜０゜５重量％、特に０．
００５〜０．３重量％含有されていると耐スクラッチ性
、出力特性かより一層良好となるので望ましい。

本発明の熱可塑性樹脂Ａに含有される粒子は、粒径比（
粒子の長径／短径）が１．０〜１．３の粒子、特に、球
形状の粒子の場合に耐スクラッチ性、出力特性がより一
層良好となるので望ましい。

また、該粒子は基材フィルム中での単一粒子指数が０．
　７以上、好ましくは０．　９以上である場合に耐スク
ラッチ性、出力特性がより一層良好となるので特に望ま
しい。さらに該粒子は粒径の相対標準偏差が０．６以下
、好ましくは０．　５以下の場合に耐スクラッチ性、出
力特性がより一層良好となるので望ましい。

本発明に用いる粒子の種類は特に限定されないが、コロ
イダルシリカに起因する実質的に球形のシリカ粒子、架
橋高分子による粒子（たとえば架橋ポリスチレン）等が
あるが、特に１０重量％減量時温度（窒素中で熱重量分
析装置を用いて測定。

昇温速度２０°Ｃ／分）が３８０℃以上になるまで架橋
度を高くした架橋高分子粒子の場合に耐スクラッチ性、
出力特性がより一層良好となるので特に望ましい。なお
、コロイダルシリカに起因する球形シリカの場合にはア
ルコキシド法で製造された、ナトリウム含有量が少ない
、実質的に球形のシリカの場合に耐スクラッチ性、出力
特性がより一層良好となるので特に望ましい。しかしな
がら、その他の粒子、例えば炭酸カルシウム、二酸化チ
タン、アルミナ等他の粒子でも熱可塑性樹脂Ａ層の厚さ
ｔと平均粒径ｄの比の適切なコントロールにより十分使
いこなせるものである。

本発明を構成する基体は上記組成物からなる積層フィル
ムを二軸配向せしめたフィルムであって、−軸あるいは
無配向フィルムでは耐スクラッチ性が不良となるので好
ましくない。この配向の程度は特に限定されないが、高
分子の分子配向の程度の目安であるヤング率が長手方向
、幅方向ともに３５０　ｋｇ／ｍｍ２以上である場合に
出力特性、耐スクラッチ性がより一層良好となるのでき
わめて望ましい。分子配向の程度の目安であるヤング率
の上限は特に限定されないが、通常、１５００ｋｇ／ｆ
１１［ｎ２程度が製造上の限界である。

本発明を構成する基材フィルムの該Ａ層表面の全反射ラ
マン結晶化指数は、２０ｃｍ−”以下の場合に耐スクラ
ッチ性、出力特性がより一層良好となるので特に望まし
い。

本発明は上記基材フィルムの少なくとも片面に磁性層を
設けてなる磁気記録媒体である。用いられる磁性粉末は
特に限定されないが強磁性粉末、なかでもγ−Ｆｅ２Ｏ
３、ｃｏ含有７−Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ｃｏ含有Ｆ
ｅ３Ｏ４、ＣｒＯ２等が好ましく用いられる。

磁性粉は各種バインダーを用いて磁性塗料とすることが
できるが、一般には熱硬化性樹脂系バインダーおよび放
射線硬化系バインダーが好ましく、その他添加剤として
分散剤、潤滑剤、帯電防止剤を常法に従って用いてもよ
い。例えば塩化ビニル・酢酸ビニル・ビニルアルコール
共重合体、ポリウレタンプレポリマおよびポリイソシア
ネートよりなるバインダーなどを用いることができる。

磁性層の厚さｔ　Ｍは特に限定されないが、磁性層側の
Ａ層の厚さｔ（−層）との比、１／１Ｍは特に限定され
ないが、０．００２〜１０、好ましくは０．０１〜１０
、さらに好ましくは０．０１〜５の範囲である場合に出
力特性、耐スクラッチ性がより一層良好となるので望ま
しい。またｔＭの値としては０．　５〜５μｍの範囲と
しておくことが出力特性、耐スクラッチ性がより一層良
好となるので望ましい。

本発明を構成するＡ層の幅方向厚さ斑は２５％以下、さ
らに好ましくは２０％以下である場合に出力特性、耐ス
クラッチ性がより一層良好となるので特に望ましい。

本発明を構成するＡ層の厚さは０．０１〜１μｍ１好ま
しくは０．０２〜０．５μｍの場合に耐スクラッチ性、
出力特性がより一層良好となるので特に望ましい。

本発明を構成するＡ層の表面粗さＲａは、出力特性、耐
スクラッチ性の点から７５ｎｍ以下、好ましくは６０ｎ
ｍ以下、さらに好ましくは４５ｎｍ以下である。

本発明を構成するＡ層の最大高さＲｔ、ｌ！：Ｒａの比
Ｒｔ　／　Ｒａは、出力特性、耐スクラッチ性の点から
８．０以下、好ましくは７．５以下、さらに好ましくは
７以下である。

本発明を構成する該Ａ層表面の２次イオンマススペクト
ルによって測定される表層粒子濃度比は特に限定されな
いが、表層粒子濃度比が１／１０以下、特に１１５０以
下である場合に耐スクラッチ性、出力特性がより一層良
好となるので特に望ましい。

次に本発明のメモリーテープの製造方法について説明す
る。

まず、熱可塑性樹脂Ａに粒子を含有せしめる方法として
は、粒子をエチレングリコールのスラリーとし、ベント
方式の２軸混練押出機を用いて熱可塑性樹脂に練り込む
方法が、延伸破れなく、本発明範囲の厚さと平均粒径の
関係、含有量の基材フィルムを得るのにきわめて有効で
ある。

粒子の含有量を調節する方法としては、上記方法で高濃
度マスターを作っておき、それを製膜時に粒子を実質的
に含有しない熱可塑性樹脂で希釈して粒子の含有量を調
節する方法が有効である。

次に、熱可塑性樹脂８１粒子を所定量含有する熱可塑性
樹脂Ａのペレットを必要に応じて乾燥したのち、公知の
溶融積層用押出装置に供給し、スリット状のダイからシ
ート状に押出し、キャスティングロール上で冷却固化せ
しめて未延伸フィルムを作る。すなわち、２または３台
の押出し機、２または３層のマニホールドまたは合流ブ
ロックを用いて、熱可塑性樹脂Ａ、Ｂを積層し、口金か
ら２または３層のシートを押し出し、キャスティングロ
ールで冷却して未延伸フィルムを作る。この場合、熱可
塑性樹脂Ａのポリマ流路に、スタティックミキサー、ギ
ヤポンプを設置する方法は延伸破れなく、本発明範囲の
厚さと平均粒径の関係、含有量、望ましい範囲の表層粒
子濃度比のフィルムを得るのに有効である。また、合流
ブロックとして矩形のフィードブロックを用いるのが本
発明範囲の厚さと平均粒径の関係を得るのにきわめて有
効である。また、熱可塑性樹脂Ａ側の押し出し機の溶融
温度を、熱可塑性樹脂Ｂ側より、１０〜４０℃高くする
ことが、延伸破れなく、本発明範囲の厚さと平均粒径の
関係、含有量、望ましい範囲の積層厚さ斑、表層粒子濃
度比、全反射ラマン結晶化指数のフィルムを得るのに有
効である。上記の説明は構成として、Ａ／ＢＸＡ／Ｂ／
Ａについて述べたが、Ａ／Ｂ／Ｃ等３層以上の構成にも
適用でき、特に３層の場合は３台の押出機を用いて同様
に、３層のマニホールドまたは合流ブロックを用いて、
熱可塑性樹脂Ａ、Ｂ、Ｃを積層し、口金から３層のシー
トを押し出し、キャスティングロールで冷却して未延伸
フィルムを作る。

次にこの未延伸フィルムを二軸延伸し、二軸配向せしめ
る。延伸方法としては、逐次二軸延伸法または同時二軸
延伸法を用いることができる。ただし、最初に長手方向
、次に幅方向の延伸を行なう逐次二軸延伸法を用い、長
手方向の延伸を３段階以上に分けて、総絞延伸倍率を３
．　０〜６．５倍で行なう方法は、本発明範囲の厚さと
平均粒径の関係、含有量のフィルムを得るのに有効であ
る。

長手方向延伸温度は熱可塑性樹脂の種類によって異なり
一種には言えないが、通常、その１段目を５０〜１３０
°Ｃとし、２段目以降はそれより高くすることが本発明
範囲の厚さと平均粒径の関係、本発明の望ましい範囲の
表層粒子濃度比のフィルムを得るのに有効である。長手
方向延伸速度は５０００〜５００００％／分の範囲が好
適である。幅方向の延伸方法としてはステンタを用いる
方法が一般的である。延伸倍率は、３．０〜５．０倍、
延伸速度は、１，０００〜２０．０００％／分、温度は
８０〜１６０℃の範囲が好適である。次にこの延伸フィ
ルムを熱処理する。この場合の熱処理温度は１７０〜２
００°Ｃ１特に１７０〜１９０℃、時間は０゜５〜６０
秒の範囲が好適である。

次に、このフィルムに所定の磁性層を塗布する。

磁性層を塗布する方法は公知の方法で行なうことができ
るが、グラビヤロールで塗布する方法が本発明範囲の厚
さと平均粒径の関係、本発明の望ましい範囲の表層粒子
濃度比のフィルムを得るのに有効である。塗布後の乾燥
工程は、温度を９０〜１２０℃とするのが好ましい。

また、カレンダー工程は、ポリアミドまたはポリエステ
ルを弾性ロールに用い、２５〜９０°Ｃ１特に４０〜７
０°Ｃの温度範囲で行なうのが本発明範囲の厚さと平均
粒径の関係、本発明の望ましい範囲の表層粒子濃度比の
フィルムを得るのに有効である。さらに、このフィルム
の磁性層をキュアした後、その原反（広幅）をスリット
して本発明のメモリーテープを得る。

［物性の測定方法ならびに効果の評価方法］本発明の特
性値の測定方法並びに効果の評価方法は次の通りである
。

（１）粒子の平均粒径 フィルムから熱可塑性樹脂をプラズマ低温灰化処理法で
除去し粒子を露出させる。処理条件は熱可塑性樹脂は灰
化されるが粒子はダメージを受けない条件を選択する。

これを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、粒子の画
像をイメージアナライザーで処理する。観察箇所を変え
て粒子数５０００個以上で次の数値処理を行ない、それ
によって求めた数平均径りを平均粒径とする。

Ｄ−ΣＤｉ／Ｎ ここで、Ｄｉは粒子の円相光径、Ｎは粒子数である。

（２）粒径比 上記（１）の測定において個々の粒子の（長径の平均値
）／（短径の平均値）の比である。すなわち、下式で求
められる。

長径＝ΣＤｌｉ／Ｎ 短径＝ΣＤ２ｉ／Ｎ Ｄｌｉ、　Ｄ２ｉはそれぞれ個々の粒子の長径（最大径
）、短径（最短径）、Ｎは粒子数である。

（３）粒径の相対標準偏差 上記（１）の方法で測定された個々の粒径Ｄ１、平均径
Ｄ１粒子数Ｎから計算される標準偏差σ（＝（Σ（Ｄｉ
　−Ｄ）　２／Ｎ）”２）を平均径りで割った値（σ／
Ｄ）で表わした。

（４）単一粒子指数 フィルムの断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で写真観
察し、粒子を検知する。観察倍率を１０万倍程度にすれ
ば、それ以上分けることができない１個の粒子が観察で
きる。粒子の占める全面積をＡ１そのうち２個以上の粒
子が凝集している凝集体の占める面積をＢとした時、（
Ａ−Ｂ）／Ａをもって、単一粒子指数とする。ＴＥＭ条
件は下記のとおりであり１視野面積＝２μｍ２の測定を
場所を変えて、５００視野測定する。

・観察倍率：１０万倍 ・加速電圧：１００ｋＶ ・切片厚さ：約１，０ＯＯＡ （５）粒子の含有量 熱可塑性樹脂は溶解し粒子は溶解させない溶媒を選択し
、粒子を熱可塑性樹脂から遠心分離し、粒子の全体重量
に対する比率（重量％）をもって粒子含有量とする。

（６）結晶化パラメータΔＴｃｇ、融解熱示差走査熱量
計（Ｄ　Ｓ　Ｃ）を用いて測定した。

ＤＳＣの測定条件は次の通りである。すなわち、試料１
０ｍｇをＤＳＣ装置にセットし、３００℃の温度で５分
間溶融した後、液体窒素中に急冷する。

この急冷試料を１０℃／分で昇温し、ガラス転移点Ｔｇ
を検知する。さらに昇温を続け、ガラス状態からの結晶
化発熱ピーク温度をもって冷結晶化温度Ｔｃｃとした。

さらに昇温を続け、融解ピークから融解熱を求めた。こ
こでＴｃｃ、！：Ｔｇの差（Ｔｃｃ−Ｔｇ）を結晶化パ
ラメータΔＴｃｇと定義する。

（７）ヤング率 Ｊ　Ｉ　５−Ｚ−１７０２に規定された方法にしたがっ
て、インストロンタイプの引っ張り試験機を用いて、２
５℃、６５％ＲＨにて測定した。

（８）全反射ラマン結晶化指数 全反射ラマンスペクトルを測定し、カルボニル基の伸縮
振動である１　７３０ｃｍ−”の半価幅をもって表面の
全反射ラマン結晶化指数とした。測定条件は次の通りで
ある。但し測定深さは、表面から５００〜１，０ＯＯＡ
程度とした。

■光源 アルゴンイオンレーザ−（５，１４５Ａ）■試料のセツ
ティング レーザー偏光方向（Ｓ偏光）とフィルム長手方向が平行
となるようにフィルム表面を全反射プリズムに圧着させ
、レーザーのプリズムへの入射角（フィルム厚さ方向と
の角度）は６０°　とした。

■検出器 ＰＭ　：　ＲＣＡ３１０３４／Ｐｈｏｔｏｎ　Ｃｏｕｎ
ｔｉｎｇ　Ｓｙｓｊｅｍ（Ｈａｍａｍａｌｓｕ　Ｃ１２
３０）　　（ｓｕｐｐｌｙ　１，６００Ｖ）■測定条件 ５ＬＩＴ　　　　　　　　１．［）０［１μｍＬＡＳＥ
Ｒ１００ｍＷ ＧＡＴＥ　　ＴＩＭＥ　　　　　　　　１．０ｓｅｃＳ
ＣＡＮ　５ＰＥＥＤ　　　　　１２ｃｍ−’／ｍｉｎＳ
ＡＭＰＬＩＮＧ　　ＩＮＴＥＲＶＡＬ　　０．２ｃｍＲ
ＥＰＥＡＴ　　ＴＩＭＥ　　　　　　　６（９）固有粘
度［η］　（単位はｄｉ／ｇ）オルトクロロフェノール
中、２５℃で測定した溶液粘度から下記式で計算される
値を用いる。すなわち、 η　５．／Ｃ＝　　［η］　＋Ｋ　［ηコ　２　・　に
こで、η５Ｐ−（溶液粘度／溶媒粘度）−１、Ｃは溶媒
１００ｍ１あたりの溶解ポリマ重量（ｇ／１００ｍ１．
通常］、、２）、Ｋはハギンス定数（０，３４３とする
）。また、溶液粘度、溶媒粘度はオストワルド粘度計を
用いて測定した。

（１０）表層粒子濃度比 ２次イオンマススペクトル（Ｓ　ＩＭＳ）を用いて、フ
ィルム中の粒子に起因する元素のうち最も高濃度の元素
と熱可塑性樹脂の炭素元素の濃度比を粒子濃度とし、厚
さ方向の分析を行なう。Ｓ■ＭＳによって測定される最
表層粒子濃度（深さＯの点）における粒子濃度Ａとさら
に深さ方向の分析を続けて得られる最高濃度Ｂの比、Ａ
／Ｂを表層粒子濃度比と定義した。測定装置、条件は下
記のとおりである。

１次イオン種　　　＝０２ １次イオン加速電圧：１２ＫＶ １次イオン電流　　：２００ｎＡ ラスター領域　　　：４００μｍ口 分析領域　　　　　、ゲート３０％ 測定真空度　　　　：　６．　　ＯＸ　１０−９Ｔｏ＋
ｒＥ−ＧＵＮ　　　　　：０．　５ＫＶ−３，０Ａ（１
１）表面粗さパラメータＲａ（中心線平均粗さ）、Ｒｔ
（最大高さ） 表面粗さ計を用いて測定した。条件は下記のとおりであ
り、２０回の測定の平均値をもって値とした。

・触針先端半径二０．５μｍ ・触針荷重　　：５ｍｇ ・測定長　　　：１ｍｍ ・カットオフ値：０．０８ｍｍ （１２）出力特性 シフナル発生器により１００％信号を記録し、その再生
信号からシグナルノイズ測定器でＳ／Ｎを測定しＡとし
た。また上記と同じ信号を記録したテープを用いて信号
の記録再生を繰り返し、１万回後のテープのＳ／Ｎを上
記と同様にして測定しＢとした。この繰り返しによるＳ
／Ｎの低下（Ａ　−Ｂ）が６．ＯｄＢ未満の場合は出力
特性良好、それ以上の場合は出力特性不良と判定した。

（１３）耐スクラッチ性 ２０℃相対湿度６０％の雰囲気下で、外径６ｍｍφの固
定軸（表面粗度０．２８）に１／２インチ幅のテープを
角度θ＝πｒａｄで接触させ、入テンション８０ｇで速
度５００ｍ／ｍｉｎ　　（−８３３ｃｍ／ｓ）で１００
回走行させた後のテープ非磁性面をアルミ蒸着して、ス
クラッチ傷の本数、幅の大きさ及び白粉の発生状態を微
分干渉顕微鏡で観察した。

全（スクラッチ傷か見られずかつ白粉の発生のないもの
を耐スクラッチ性、優、スクラッチ傷が３本／ｃｍ未満
でかつ白粉の発生かほとんどないものを耐スクラッチ性
：良、それ以外を耐スクラッチ性：不良と判定した。

［実施例］ 本発明を実施例に基づいて説明する。

実施例１〜４、及び比較例１〜４ 平均粒径の異なる架橋ポリスチレン粒子、コロイダルシ
リカに起因するシリカ粒子を含有するエチレングリコー
ルスラリーを調製し、このエチレングリコールスラリー
を１９０℃で１．５時間熱処理した後、テレフタル酸ジ
メチルとエステル交換反応させ、重縮合し、該粒子を０
．３〜６重量％含有するポリエチレンテレフタレート（
以下ＰＥＴと略す）のペレットを作った。この時、重縮
合時間を調節し固有粘度を０．６５とした（熱可塑性樹
脂Ａ）。また、常法によって、固有粘度０゜６２の実質
的に粒子を含有しないＰＥＴを製造し、熱可塑性樹脂Ｂ
とした。

これらのポリマをそれぞれ１８０°Ｃで６時間減圧乾燥
（３Ｔｏｒｒ）　した後、熱可塑性樹脂Ａを押出機１に
供給し２８５℃で溶融し、さらに、熱可塑性樹脂Ｂを押
出機２に供給し、２８０°Ｃで溶融し、これらのポリマ
を合流ブロックで合流積層し、静電印加キャスト法を用
いて表面温度３０℃のキャスティングドラムに巻きつけ
て冷却固化し、積層未延伸フィルムを作った。この時、
それぞれの押出機の吐出量を調節し総厚さ、熱可塑性樹
脂Ａ層の厚さを調節した。

この未延伸フィルムを温度８２℃にて長手方向に４．０
倍延伸した。この延伸は２組ずつのロルの周速差で、４
段階で行なった。この−軸延伸フィルムをステンタを用
いて延伸速度２．０００％／分で１０５°Ｃて幅方向に
４．４倍延伸し、定長下で２１０℃にて５秒間熱処理し
、総厚さ１０μｍの二軸配向積層フィルムを得た。

このフィルムに磁性塗料をグラビヤロールを用いて塗布
する。磁性塗料は次のようにして調製した。

”７−Ｆｅ２Ｏ３１００部 平均粒子サイズ　長さ　二０．３μｍ 針状比：１０／１ 抗磁力　　　　　５０００ｅ ・ポリウレタン樹脂　　　　　　　　１５部・塩化ビニ
ル・酢酸ビニル共重合体　　５部・ニトロセルロース樹
脂　　　　　　　５部・酸化アルミ粉末　　　　　　　
　　　３部平均粒径　　　　　　　：０．３μｍ ・カーボンブラック　　　　　　　　　１部・レシチン
　　　　　　　　　　　　　２部・メチルエチルケトン
　　　　　　１００部・メチルイソブチルケトン　　　
　１００部・トルエン　　　　　　　　　　　　１００
部・ステアリン酸　　　　　　　　　　　２部上記組成
物をボールミルで４８時間混合分散した後、硬化剤６部
を添加して得られた混練物をフィルターでろ過して磁性
塗布液を準備し、上記フィルム上に塗布、磁場配向させ
、１１０℃で乾燥し、さらに小型テストカレンダー装置
（スチールロール／ナイロンロール、５段）で、温度７
５℃、線圧２５０　ｋｇ／ｃｍでカレンダー処理した後
、７０℃、４８時間でキユアリングしメモリーテープを
得た。

これらの特性は第１表に示したとおりであり、本発明の
メモリーテープは耐スクラッチ性、出力特性が優または
良であったか、そうでない場合は耐スクラッチ性、出力
特性を満足するメモリーテープは得られなかった。

［発明の効果］ 本発明は、製法の工夫により、粒子を含有する熱可塑性
樹脂を用いて、粒子の大きさとフィルム厚さの関係、含
有量を特定範囲としたので、耐スクラッチ性、出力特性
に優れたメモリ−テープが得られたものであり、各用途
での加工速度の増大に対応できるものである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基材フィルムの少なくとも片面に磁性層を設けてなるメ
   モリーテープであって、該基材フィルムが熱可塑性樹脂
   Ｂよりなる層（Ｂ層）の少なくとも片面に粒子を含有す
   る熱可塑性樹脂Ａよりなる層（Ａ層）を積層した積層フ
   ィルムであり、Ａ層の表面粗さＲａが７５ｎｍ以下、最
   大高さＲｔとＲａの比Ｒｔ／Ｒａが８．０以下であり、
   Ａ層に含有される粒子の平均粒径ｄが１０〜１０００ｎ
   ｍ、該粒子のＡ層に対する含有量が１〜４０重量％、Ａ
   層の厚さｔと該粒子の平均粒径ｄの比ｔ／ｄが０．１〜
   ３であることを特徴とするメモリーテープ。