JPH03210804A - 導波管―マイクロストリップライン変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第３図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（第１図） 作用 実施例（第２図） 発明の効果 〔概要〕 導波管−マイクロストリップライン変換器に関し、 その製作を容易にすると共に、信頼性を高めることを目
的とし、 導波管からマイクロストリップラインに垂直な同軸線路
を介して変換を行う導波管−マイクロストリップライン
変換器において、同軸線路の中心導体を絶縁体（誘電体
）で支持し、更に、絶縁体の一部に金（Ａｕ）パターン
を設け、金（Ａｕ）パターンを介して、中心導体とマイ
クロストリンプラインとを接続するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は導波管−マイクロストリップライン変換器に関
し、更に詳しくいえば、各種の超高周波装置などにおい
て、その入出力が導波管系を必要とし、尚且つ、導波管
からマイクロストリップラインに垂直な同軸線路を介し
て変換を行う際に用いられ、特に、製作を容易にし、信
頼性を向上した導波管−マイクロストリップライン変換
器に関する。

〔従来の技術〕

従来、例えば導波管半導体装置においては、ハメチック
ガラス端子を使用し、導波管内の電界と結合させること
により、同軸導波管変換を行い、変換された高周波は、
マイクロストリップラインがパターニングされたセラミ
ック基板と、半導体素子によって構成される半導体装置
へ伝送される。

その後、半導体装置から出力された高周波は、入力時と
同様に同軸導波管変換されることになる。

第３図は、従来の導波管−マイクロストリップライン変
換器の構成図であり、（Ａ）は組立前の筐体、（Ｂ）は
ハーメチックガラス端子の断面図、（Ｃ）は組立後の斜
視図、（Ｄ）は（Ｃ）図のＳ−Ｔ線方向の断面図である
。

図中、ｌは筐体、２はマイクロストリップラインがパタ
ーニングされたセラミック基板、３は孔、４はハーメチ
ックガラス端子、５は中心導体、６は絶縁体（誘電体）
、７は外側導体、８は金（ＡＵ）リボン、９はマイクロ
ストリップラインを示す。

従来の導波管−マイクロストリップライン変換器は、次
のようにして製作される。

先ず、筺体１にハーメチックガラス端子４を挿入する孔
３を設けると共に、マイクロストリップライン９をパタ
ーニングしたセラミック基板２を筺体ｌ上に設ける。

次に、ハーメチックガラス端子４を筺体１の底面（セラ
ミック基板と反対側）より孔３内に挿入し、半田、ある
いは金−スズ合金等により固着する。

この場合、ハーメチックガラス端子４′は、中心部に中
心導体５があり、その外側の一部に絶縁体６を介して外
側導体（アース側）７が設けられていて、同軸線路を構
成する。そして、前記外側導体７は、その一部に大径部
分があり、この大径部分が孔３の底面側に設けられた段
部に当接して（Ｄ）図のように固着される。

続いて、孔３の中心部分で、筐体の上面（セラミック基
板側）まで延びた中心導体と、セラミック基板２上のマ
イクロストリップライン９の間を金（Ａｕ）リボン８を
用いて、ボンディングにより接続する。

このようにして組み立てられた導波管−マイクロストリ
ップライン変換器は、（Ｃ）図及び（Ｄ）図のような構
成、となる０図から明らかなように、ハーメチックガラ
ス端子４の中心導体５は、マイクロストリップライン９
との接続部側（筐体の上面側）では、孔３の中央部に突
出しており、その周囲には何もない状態となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来のものにおいては次のような欠点があ
った。

（１）ハーメチックガラス端子４の中心導体５と、セラ
ミック基板２上のマイクロストリップライン９との接続
には、金リボン８をボンディングすることで接続する。

しかし、この部分は、一種の空中線であって、その製作
には高度の技術を要するが、上記中心導体５の接続部付
近は、その周囲に支えがなく、作業時にブラブラ動（な
どして作業が困難である。

（２）上記の金リボン８は、極薄いものであるため、例
えば中心導体５が動いたりすると、切断することがある
。また中心導体５が筺体ｌに接触することもあり、製作
、及び信頼性の点で問題があった。

本発明は、このような従来の欠点を解消し、導波管−マ
イクロストリップライン変換器の製作を容易にすると共
に、信頼性の高いものにすることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理図であり、（Ａ）は絶縁体の斜視
図、（Ｂ）はハーメチックガラス端子の斜視図、（Ｃ）
図は組立後の斜視図である。図中、第３図と同符号は同
一のものを示す。また、１０は絶縁体（誘電体）、１１
は中心導体５を挿入するための貫通孔、１２は金パター
ンを示す。

上記の目的を達成するため、本発明は、導波管からマイ
クロストリップラインに垂直な同軸線路を介して変換を
行う導波管−マイクロストリップライン変換器において
、 同軸線路を構成するハーメチックガラス端子４の中心導
体５を絶縁体（誘電体）１０で支持し、更に、前記絶縁
体１０の一部に金（Ａ　ｕ　）パターン１２を設け、こ
の金（Ａｕ）パターン１２を介して上記中心導体５とマ
イクロストリップライン９とを接続したものである。

〔作用〕

本発明は上記のように構成したので、例えば次のように
して製作できる。

先ず、絶縁体１０の一部に金（Ａ　ｕ　）パターン１２
を設けて用意し、次に、上記従来例と同様にしてハーメ
チックガラス端子４を筺体１の孔に底面から挿入した後
、筺体ｌの上面より絶縁体１ｏを挿入する。

この場合、絶縁体ｌＯの貫通孔１１とハーメチックガラ
ス端子４の中心導体とを嵌合して、絶縁体１０が中心導
体５の支えとなるように圧入する。

続いて、中心導体５とセラミック基板２上のマイクロス
トリップライン９とを、絶縁体１０に設けられた金（Ａ
ｕ）パターン１２を介して金（ＡＵ）リボン８をボンデ
ィングすることにより接続する。

従って、中心導体５は、絶縁体１０によって支持される
と共に、中心導体５とマイクロストリップライン９との
接続は、金（Ａｕ）パターン１２を介して行うから、製
作が容易で、しかも高精度にできる。

この変換器は、中心導体５を導波管内の電界と結合させ
ることにより、同軸導波管変換を行い、変換された高周
波は、中心導体５からマイクロストリップライン９を通
り、半導体装置へ伝送される。その後、半導体装置から
出力された高周波は、上記と同様にして同軸導波管変換
される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第２図は、本発明の１実施例の構成図であり、（Ａ）は
組立前の筐体、（Ｂ）は絶縁体の平面図、（Ｃ）は（Ｂ
）図のＡ−Ｂ線方向の断面図、（Ｄ）はハーメチックガ
ラス端子の平面図、（Ｅ）は（Ｄ）のＭ−Ｎ線方向の断
面図、（Ｆ）組立後の断面図である０図中、第１図及び
第３図と同符号は同一のものを示す。

この実施例では、同軸線路を構成するハーメチックガラ
ス端子４の中心導体５に、絶縁体（誘電体）１０を嵌合
させることにより、中心導体５を支持し、更に、上記絶
縁体ｌＯとセラミック基板２上に形成されたマイクロス
トリップラインとの接続を容易にするために、上記絶縁
体ｌＯの一部（上面）に金（Ａｕ）パターン１２を設け
たものである。

このような構成の導波管−マイクロストリップライン変
換器は、次のようにして製作する。

先ず、（Ａ）のように、筺体１の一部にハーメチックガ
ラス端子４と絶縁体ｌＯを挿入するための孔３を設ける
と共に、筺体ｌの上面にマイクロストリップラインを形
成したセラミック基板２を設ける。

また、円筒状の絶縁体１０には、その中心部に、ハーメ
チックガラス端子４の中心導体５が挿入できる大きさの
貫通孔１１を設け、更に、絶縁体ｌＯの上面の一部に金
（Ａｕ）パターン１２をメツキ等により形成する。

ハーメチックガラス端子４は、従来例と同じものであり
、中心部に中心導体５を設け、その一部の周囲に絶縁体
（誘電体）６を介して外側導体７を設けた構造のものを
用いる。

上記（Ａ）に示した筺体１の底面（セラミック基板２と
反対側）から、孔３にハーメチックガラス端子４を挿入
して金−スズ合金等により固着すると共に、上面（セラ
ミック基板２を設けた面）から孔３内に絶縁体１０を挿
入（圧入）する。

この場合、中心導体５が貫通孔１１に嵌合丈るようにし
て挿入すると共に、金（Ａｕ）パターン１２が外部に出
るようにして挿入する。

次に、中心導体５とセラミック基板２上に形成されたマ
イクロストリップラインとを、金（ＡＵ）リボン８を用
い、金（Ａｕ）パターン１２を介してボンディングによ
り接続する。

このようにして製作された変換器の断面は、（Ｆ）のよ
うになっている。即ち、中心導体５の周囲には、絶縁体
１０があり、しかも孔３の内側に圧入しているから、こ
の絶縁体１０により、中心導体５は動かないように固定
されている。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば次のような効果が
ある。

（１）同軸線路の中心導体は、絶縁体によって強固に支
持されているから、従来のようにプラブラ動くようなこ
とはなくなる。

したがって、中心導体とマイクロストリップラインとの
接続時に、作業がしやすくなり、製作が容易になる。

（２）　　中心導体を絶縁体によって支えているから、
使用中に動くこともなくなり、金リボンが切断したり、
筐体に接触したりしない。

したがって、変換器の信頼性が向上する。

（３）同軸線路の中心導体とマイクロストリップライン
との接続は、絶縁体上に設けられた金パタンを介して行
われるから、接続作業が容易となり、しかも強固な接続
ができる。

従って、製作が容易で高精度な変換器が得られ、信頼性
も向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る導波管−マイクロストリップライ
ン変換器の原理図、 第２図は本発明の１実施例の構成図、 第３図は従来例の構成図である。 １−筐体 ２−セラミック基板 ４−ハーメチックガラス端子 ５−中心導体 １０−・−絶縁体 １２−　　金（Ａ　ｕ　）パターン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　導波管からマイクロストリップラインに垂直な同軸線
   路を介して変換を行う導波管−マイクロストリップライ
   ン変換器において、 同軸線路の中心導体（５）を絶縁体（誘電体）１０で支
   持し、 更に、前記絶縁体（１０）の一部に金（Ａｕ）パターン
   （１２）を設け、 前記金（Ａｕ）パターン（１２）を介して、上記中心導
   体（５）とマイクロストリップラインとを接続したこと
   を特徴とする導波管−マイクロストリップライン変換器
   。