JPH0321081Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0321081Y2 JPH0321081Y2 JP14001083U JP14001083U JPH0321081Y2 JP H0321081 Y2 JPH0321081 Y2 JP H0321081Y2 JP 14001083 U JP14001083 U JP 14001083U JP 14001083 U JP14001083 U JP 14001083U JP H0321081 Y2 JPH0321081 Y2 JP H0321081Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- main element
- control
- circuit
- ssr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、3相交流電源の負荷への供給を接
断制御する3相ソリツドステートリレー(以下3
相SSRと記す)に関するものである。
断制御する3相ソリツドステートリレー(以下3
相SSRと記す)に関するものである。
従来、3相交流モータの駆動制御を行なう場合
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
ところで、従来、単相交流電源の負荷への供給
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いて無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いて無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
第1図は上記単相SSRの半導体主素子回路80
を示し、同図において、81,82は電源側、負
荷側主端子、83,84は第1、第2サイリス
タ、85,86は図示しない制御回路に接続され
る制御端子、87,88はそれぞれ抵抗89、ダ
イオード90からなる第1、第2ゲート補助回路
である。
を示し、同図において、81,82は電源側、負
荷側主端子、83,84は第1、第2サイリス
タ、85,86は図示しない制御回路に接続され
る制御端子、87,88はそれぞれ抵抗89、ダ
イオード90からなる第1、第2ゲート補助回路
である。
そして上記制御回路に外部から印加される制御
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負の半サイクルでは、同様にして
第2ゲート補助回路88及び第1サイリスタ83
が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ8
3を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相電
力が供給されることとなる。
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負の半サイクルでは、同様にして
第2ゲート補助回路88及び第1サイリスタ83
が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ8
3を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相電
力が供給されることとなる。
一方、上記制御信号が“L”のときは、上記制
御端子85,86間は開放状態となり、その結果
両サイリスタ83,84はオフのままで負荷には
単相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを
用いれば、上記制御信号によつて単相電源の負荷
への供給を接断制御できることとなる。
御端子85,86間は開放状態となり、その結果
両サイリスタ83,84はオフのままで負荷には
単相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを
用いれば、上記制御信号によつて単相電源の負荷
への供給を接断制御できることとなる。
このような従来の状況において、上記3相交流
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せて3相
SSRを構成することによつて上記寿命低下の問題
を回避することが可能であると考えられる。
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せて3相
SSRを構成することによつて上記寿命低下の問題
を回避することが可能であると考えられる。
この考案は、かかる従来の状況において、上記
電磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下と
いう問題を回避でき、さらには組立作業の簡単な
3相SSRを提供することを目的としている。
電磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下と
いう問題を回避でき、さらには組立作業の簡単な
3相SSRを提供することを目的としている。
即ち、この考案は、3相交流電源の負荷への供
給を接断するための3つの半導体主素子回路と、
該回路を外部からの制御信号に応じてオン・オフ
制御する制御回路とを備えた3相SSRであつて、
半導体主素子回路を収納する主素子収納ケースの
上面中央に凹部を設け、主素子収納ケースの上面
の周縁部に上記半導体主素子回路の制御端子リー
ドを植設し、制御回路の下面に制御端子リード当
該下面と略平行になるように突出させるととも
に、制御回路を主素子収納ケースの凹部に載置、
出力端子リードに制御子リードを嵌入して半田付
けをするようにすることにより、その半田付けお
よび位置決め作業を容易に行なえるようにしたも
のである。
給を接断するための3つの半導体主素子回路と、
該回路を外部からの制御信号に応じてオン・オフ
制御する制御回路とを備えた3相SSRであつて、
半導体主素子回路を収納する主素子収納ケースの
上面中央に凹部を設け、主素子収納ケースの上面
の周縁部に上記半導体主素子回路の制御端子リー
ドを植設し、制御回路の下面に制御端子リード当
該下面と略平行になるように突出させるととも
に、制御回路を主素子収納ケースの凹部に載置、
出力端子リードに制御子リードを嵌入して半田付
けをするようにすることにより、その半田付けお
よび位置決め作業を容易に行なえるようにしたも
のである。
以下、本考案の実施例を図について説明する。
第2図ないし第7図は本考案の一実施例による
3相SSRを示す。第2図において、1は3相交流
電源、2は負荷である3相交流モータ、3は3相
交流電源1を3相交流モータ2とを接続する3相
ケーブル、4は3相ケーブル3の途中に介設され
た3相SSRである。
3相SSRを示す。第2図において、1は3相交流
電源、2は負荷である3相交流モータ、3は3相
交流電源1を3相交流モータ2とを接続する3相
ケーブル、4は3相ケーブル3の途中に介設され
た3相SSRである。
Bまた第3図、第4図ないし第5図は3相SSR
の具体的な構造を示し、5は3相交流電源1の3
相交流モータ2への電気の供給を接断する3組の
半導体主素子回路(第1図参照)6と、該回路6
からの制御信号に応じてオン・オフ制御する制御
回路8とからなるSSR本体、7a〜7cおよび7
d〜7fは電源1(またはモータ2)およびモー
タ2(または電源1)からの3相ケーブル3の各
線を接続するための半導体主素子回路6の主端子
板、9はSSR本体5上に搭載され半導体主素子6
をサージ電圧等の異常高電圧から保護するアブソ
ーバ回路である。
の具体的な構造を示し、5は3相交流電源1の3
相交流モータ2への電気の供給を接断する3組の
半導体主素子回路(第1図参照)6と、該回路6
からの制御信号に応じてオン・オフ制御する制御
回路8とからなるSSR本体、7a〜7cおよび7
d〜7fは電源1(またはモータ2)およびモー
タ2(または電源1)からの3相ケーブル3の各
線を接続するための半導体主素子回路6の主端子
板、9はSSR本体5上に搭載され半導体主素子6
をサージ電圧等の異常高電圧から保護するアブソ
ーバ回路である。
従つて、第5図に示すごとく、SSR本体5は制
御回路8を主素子収納ケース51の凹部に載置
し、かつ制御回路8の制御端子リード12a〜1
2hの透孔に主素子回路の制御端子リード13を
嵌入、半田付けすることにより主素子収納ケース
51上に制御回路8を搭載接続されたものであ
り、アブソーバ回路9はSSR本体5の上に搭載さ
れている。
御回路8を主素子収納ケース51の凹部に載置
し、かつ制御回路8の制御端子リード12a〜1
2hの透孔に主素子回路の制御端子リード13を
嵌入、半田付けすることにより主素子収納ケース
51上に制御回路8を搭載接続されたものであ
り、アブソーバ回路9はSSR本体5の上に搭載さ
れている。
また、第6図、第7図は上記制御回路8の詳細
な構造を示し、10は制御回路8を収納するケー
ス、11は制御回路8をケース10内に封入固定
する樹脂、12a,12bは外部からの制御信号
が加えられる入力端子リード、12c〜12hは
半導体主素子回路6の制御端子リード13に半田
付けされる出力端子リードで、該リード12c〜
12hはケース10の中央部近傍において相互に
対向して配置されて樹脂11によつて固定され、
さらに該リード12c〜12fはケース10の両
側方に向けて曲成され、ケース10の切り欠き1
0aを通つて外部に突出している。
な構造を示し、10は制御回路8を収納するケー
ス、11は制御回路8をケース10内に封入固定
する樹脂、12a,12bは外部からの制御信号
が加えられる入力端子リード、12c〜12hは
半導体主素子回路6の制御端子リード13に半田
付けされる出力端子リードで、該リード12c〜
12hはケース10の中央部近傍において相互に
対向して配置されて樹脂11によつて固定され、
さらに該リード12c〜12fはケース10の両
側方に向けて曲成され、ケース10の切り欠き1
0aを通つて外部に突出している。
次に組立方法について説明する。本装置を組立
てる場合には、SSR本体5の半導体主素子回路6
上に制御回路8を載置し、該制御回路8の出力端
子リード12c〜12hの透孔に半導体主素子回
路6の制御端子リード13を嵌入し、両者を半田
ごて14を用いて半田付けすればよい。
てる場合には、SSR本体5の半導体主素子回路6
上に制御回路8を載置し、該制御回路8の出力端
子リード12c〜12hの透孔に半導体主素子回
路6の制御端子リード13を嵌入し、両者を半田
ごて14を用いて半田付けすればよい。
以上のような構成になる本実施例の装置では、
3相交流電源の負荷への供給を接断制御するもの
として半導体を用いた3相SSRを構成したので、
接点の摩耗による寿命低下の問題を解消できる。
3相交流電源の負荷への供給を接断制御するもの
として半導体を用いた3相SSRを構成したので、
接点の摩耗による寿命低下の問題を解消できる。
また、このような3相SSRにおいては、まず、
制御回路の出力端子リードを下方に真直に突出さ
せ、これらを半導体主素子回路の制御端子リード
と半田付けすることが考えられるが、この方法で
は半田ごての当て方が難しく、半田付け作業が大
変煩雑になるという問題が生じる。しかるに本装
置では、制御回路の出力端子リードをケースの外
側壁より突出させているので、出力端子リードと
制御端子リードとの半田付け作業が大変簡単であ
り、又組立時の位置合せも大変簡単である。
制御回路の出力端子リードを下方に真直に突出さ
せ、これらを半導体主素子回路の制御端子リード
と半田付けすることが考えられるが、この方法で
は半田ごての当て方が難しく、半田付け作業が大
変煩雑になるという問題が生じる。しかるに本装
置では、制御回路の出力端子リードをケースの外
側壁より突出させているので、出力端子リードと
制御端子リードとの半田付け作業が大変簡単であ
り、又組立時の位置合せも大変簡単である。
以上のように本考案によれば、3相SSRを3つ
の半導体主素子回路により構成し、かつ半導体主
素子回路を収納する主素子収納ケースの上面中央
に凹部を設け、主素子収納ケースの上面の周縁部
に上記半導体主素子回路の制御端子リードを植設
し、制御回路の下面に制御端子リードを当該下面
と略平行になるように突出させるとともに、制御
回路を主素子収納ケースの凹部に載置し、出力端
子リードに制御端子リードを嵌入するようにした
ので、従来の電磁開閉器のような短寿命という問
題を解決できるばかりでなく、制御回路の制御端
子リードの半田付けおよび位置合せ作業が簡単化
でき、組立作業が大変簡単であるという効果があ
る。
の半導体主素子回路により構成し、かつ半導体主
素子回路を収納する主素子収納ケースの上面中央
に凹部を設け、主素子収納ケースの上面の周縁部
に上記半導体主素子回路の制御端子リードを植設
し、制御回路の下面に制御端子リードを当該下面
と略平行になるように突出させるとともに、制御
回路を主素子収納ケースの凹部に載置し、出力端
子リードに制御端子リードを嵌入するようにした
ので、従来の電磁開閉器のような短寿命という問
題を解決できるばかりでなく、制御回路の制御端
子リードの半田付けおよび位置合せ作業が簡単化
でき、組立作業が大変簡単であるという効果があ
る。
第1図は従来の単相SSRの半導体主素子回路の
回路構成図、第2図は本考案の一実施例による3
相SSRの使用状態における電源及び負荷との接続
関係を示す回路図、第3図及び第4図は上記3相
SSRの平面図及び側面図、第5図は上記3相SSR
の要部分解斜視図、第6図a〜cは上記3相SSR
の制御回路の底面図、断面側面図、及び断面正面
図、第7図は上記3相SSRの組立状態を示す要部
斜視図である。 6……半導体主素子回路、8……制御回路、1
0……ケース、12c〜12h……出力端子リー
ド。なお図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
回路構成図、第2図は本考案の一実施例による3
相SSRの使用状態における電源及び負荷との接続
関係を示す回路図、第3図及び第4図は上記3相
SSRの平面図及び側面図、第5図は上記3相SSR
の要部分解斜視図、第6図a〜cは上記3相SSR
の制御回路の底面図、断面側面図、及び断面正面
図、第7図は上記3相SSRの組立状態を示す要部
斜視図である。 6……半導体主素子回路、8……制御回路、1
0……ケース、12c〜12h……出力端子リー
ド。なお図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 3相交流電源の負荷への供給を接断する3つの
半導体主素子回路と、 該各主素子回路を外部からの制御信号に応じて
オン・オフ制御する制御回路とを備えた3相ソリ
ツドステートリレーであつて、 上記半導体主素子回路を収納する主素子収納ケ
ースの上面中央に凹部を設け、 上記収納ケースの上面の周縁部に上記半導体主
素子回路の制御端子リードを植設し、 上記制御回路の下面に制御端子リードを当該下
面と略平行になるように突出させるとともに、上
記制御回路を上記主素子収納ケースの凹部に載置
し、 かつ上記出力端子リードに上記制御端子リード
を嵌入してなることを特徴とする3相ソリツドス
テートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001083U JPS6047336U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001083U JPS6047336U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047336U JPS6047336U (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0321081Y2 true JPH0321081Y2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=30313623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14001083U Granted JPS6047336U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047336U (ja) |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP14001083U patent/JPS6047336U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047336U (ja) | 1985-04-03 |
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