JPH0526367B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526367B2 JPH0526367B2 JP58151926A JP15192683A JPH0526367B2 JP H0526367 B2 JPH0526367 B2 JP H0526367B2 JP 58151926 A JP58151926 A JP 58151926A JP 15192683 A JP15192683 A JP 15192683A JP H0526367 B2 JPH0526367 B2 JP H0526367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- terminals
- main
- element circuit
- ssr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、3相交流電源の負荷への供給を接断
制御する3相ソリツドステートリレー(以下3相
SSRと記す)に関するものである。
制御する3相ソリツドステートリレー(以下3相
SSRと記す)に関するものである。
従来、3相交流モータの駆動制御を行なう場合
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
ところで、従来、単相交流電源の負荷への供給
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
第1図はこのような単相SSRの半導体主素子回
路80を示し、同図において、81,82は電源
側、負荷側主端子、83,84は第1、第2サイ
リスタ、85,86は図示しない制御回路に接続
される制御端子、87,88はそれぞれ抵抗8
9、ダイオード90からなる第1、第2ゲート補
助回路である。
路80を示し、同図において、81,82は電源
側、負荷側主端子、83,84は第1、第2サイ
リスタ、85,86は図示しない制御回路に接続
される制御端子、87,88はそれぞれ抵抗8
9、ダイオード90からなる第1、第2ゲート補
助回路である。
そして上記制御回路に外部から印加される制御
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負のサイクルでは、同様にして第
2ゲート補助回路88および第1サイリスタ83
が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ8
3を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相電
力が供給されることとなる。
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負のサイクルでは、同様にして第
2ゲート補助回路88および第1サイリスタ83
が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ8
3を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相電
力が供給されることとなる。
一方、上記制御信号が“L”のときは上記制御
端子85,86間は開放状態となり、その結果両
サイリスタ83,84はオフのままで負荷には単
相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを用
いれば上記制御信号によつて単相電源の負荷への
供給を接断制御できることとなる。
端子85,86間は開放状態となり、その結果両
サイリスタ83,84はオフのままで負荷には単
相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを用
いれば上記制御信号によつて単相電源の負荷への
供給を接断制御できることとなる。
このような従来の状況において、上記3相交流
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せることに
よつて上記寿命低下の問題を回避することが可能
であると考えられる。
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せることに
よつて上記寿命低下の問題を回避することが可能
であると考えられる。
本発明は、かかる点に鑑み、3相交流電源の負
荷への供給を接断するための装置として、上記電
磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下とい
う問題を回避できる3相SSRであつて、かつ電力
用サイリスタで構成する半導体主素子回路とアブ
ソーバ回路とを収納したソリツドステートリレー
本体の表面に、互に対向して電源側及び負荷側主
端子を設け、それぞれの側の各主端子と電力用サ
イリスタのゲート中継端子とを隔壁を介してそれ
ぞれ交互に配設し、この表面上にゲート中継端子
と制御回路部の接続端子とをそれぞれ対応させて
制御回路部を着脱自在に構成することにより、各
回路部をそれぞれ独立して交換でき、経済的で信
頼性が高くコンパクトでかつ便利な3相ソリツド
ステートリレーを提供することを目的としてい
る。
荷への供給を接断するための装置として、上記電
磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下とい
う問題を回避できる3相SSRであつて、かつ電力
用サイリスタで構成する半導体主素子回路とアブ
ソーバ回路とを収納したソリツドステートリレー
本体の表面に、互に対向して電源側及び負荷側主
端子を設け、それぞれの側の各主端子と電力用サ
イリスタのゲート中継端子とを隔壁を介してそれ
ぞれ交互に配設し、この表面上にゲート中継端子
と制御回路部の接続端子とをそれぞれ対応させて
制御回路部を着脱自在に構成することにより、各
回路部をそれぞれ独立して交換でき、経済的で信
頼性が高くコンパクトでかつ便利な3相ソリツド
ステートリレーを提供することを目的としてい
る。
以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。第2図は本発明の一実施例による3相SSR7
0を示し、これは第3図に示すように、3相交流
電源62と負荷である3相交流モータ63とを接
続する3相ケーブル64の途中に介挿され、第1
図に示す主素子回路80と同じ回路を3つ備えた
主回路部61でもつて上記3相交流電源62のモ
ータ63への供給を接断制御するものである。
る。第2図は本発明の一実施例による3相SSR7
0を示し、これは第3図に示すように、3相交流
電源62と負荷である3相交流モータ63とを接
続する3相ケーブル64の途中に介挿され、第1
図に示す主素子回路80と同じ回路を3つ備えた
主回路部61でもつて上記3相交流電源62のモ
ータ63への供給を接断制御するものである。
そして上記3相SSR70は、第2図に示すよう
に、それぞれ相互に分割して構成されたSSR本体
10及び制御回路部20からなり、上記SSR本体
10には、上述の主回路部61及びこれを雷等の
サージ電圧から保護するアブソーバ回路が収納さ
れている。またこのSSR本体10の上面前、後部
には、上記各主素子回路80を電源側又は負荷側
の3相ケーブル64に接続するための主端子11
a,12a,13a及び主端子11b,12b,
13bが対向して形成されており、この主端子1
1a〜13a及び主端子11b〜13bはそれぞ
れ相互に平行な直線上に配設されている。そして
この各主端子11〜13と同一線上に、上記各主
素子回路80に制御信号を印加するためのゲート
中継端子14,15,16が上記各主端子11〜
13と交互に配設されており、該ゲート中継端子
14〜16はそれぞれ上方に突出して形成されて
いる。そして上記主端子11〜13は、それぞれ
隔離する外方側面が開口したコ字状の出力バリア
17で囲まれており、これにより主端子11〜1
3とゲート中継端子14〜14との絶縁距離、即
ち沿面距離と空間距離とが確保されている。な
お、18,19はねじ穴である。
に、それぞれ相互に分割して構成されたSSR本体
10及び制御回路部20からなり、上記SSR本体
10には、上述の主回路部61及びこれを雷等の
サージ電圧から保護するアブソーバ回路が収納さ
れている。またこのSSR本体10の上面前、後部
には、上記各主素子回路80を電源側又は負荷側
の3相ケーブル64に接続するための主端子11
a,12a,13a及び主端子11b,12b,
13bが対向して形成されており、この主端子1
1a〜13a及び主端子11b〜13bはそれぞ
れ相互に平行な直線上に配設されている。そして
この各主端子11〜13と同一線上に、上記各主
素子回路80に制御信号を印加するためのゲート
中継端子14,15,16が上記各主端子11〜
13と交互に配設されており、該ゲート中継端子
14〜16はそれぞれ上方に突出して形成されて
いる。そして上記主端子11〜13は、それぞれ
隔離する外方側面が開口したコ字状の出力バリア
17で囲まれており、これにより主端子11〜1
3とゲート中継端子14〜14との絶縁距離、即
ち沿面距離と空間距離とが確保されている。な
お、18,19はねじ穴である。
また、上記制御回路部20には、上記主素子回
路80をオン、オフ制御するための制御回路(図
示せず)が収納されており、その側部には1対の
入力端子22が配設され、また前、後部には3対
の出力端子23,24,25がそれぞれ対向して
配設されている。そして上記出力端子23〜25
のそれぞれに該端子23〜25と上記SSR本体1
0のゲート中継端子14〜16とを接続するため
の孔43,44,45が形成されている。なお、
26はこの制御回路部20を上記SSR本体10に
取付けるための取付孔である。
路80をオン、オフ制御するための制御回路(図
示せず)が収納されており、その側部には1対の
入力端子22が配設され、また前、後部には3対
の出力端子23,24,25がそれぞれ対向して
配設されている。そして上記出力端子23〜25
のそれぞれに該端子23〜25と上記SSR本体1
0のゲート中継端子14〜16とを接続するため
の孔43,44,45が形成されている。なお、
26はこの制御回路部20を上記SSR本体10に
取付けるための取付孔である。
次に作用効果について説明する。
まずこの3相SSR70を組立てる場合は、制御
回路部20を、その出力端子23〜25の孔43
〜45がSSR本体10のゲート中継端子14〜1
6に嵌合するように上記SSR本体10の上に載置
し、これらを取付孔26及びねじ穴18を使用し
てねじにより固定すればよい。
回路部20を、その出力端子23〜25の孔43
〜45がSSR本体10のゲート中継端子14〜1
6に嵌合するように上記SSR本体10の上に載置
し、これらを取付孔26及びねじ穴18を使用し
てねじにより固定すればよい。
そして使用に際しては、外部からの制御信号線
を制御回路部20の入力端子22に接続し、電源
側、負荷側の3相ケーブルSSR本体10の主端子
11a,12a,13a又は主端子11b,12
b,13bにそれぞれ接続すればよい。
を制御回路部20の入力端子22に接続し、電源
側、負荷側の3相ケーブルSSR本体10の主端子
11a,12a,13a又は主端子11b,12
b,13bにそれぞれ接続すればよい。
このような本実施例装置によれば、3相交流電
源62の負荷63への供給の接断を無接点方式の
半導体主素子回路80で行なうようにしたので、
高頻度の開閉を行なう使用状況下においても十分
な耐久性、寿命が得られる。また、SSR本体10
と制御回路部20とを相互に着脱自在としている
ので、そのいずれかに故障が生じても故障したも
のだけを交換すればよく、経済的である。また制
御回路部20を、例えば位相制御機能、タイマー
機能を有するものに取替えることができ、実使用
に際し非常に便利である。
源62の負荷63への供給の接断を無接点方式の
半導体主素子回路80で行なうようにしたので、
高頻度の開閉を行なう使用状況下においても十分
な耐久性、寿命が得られる。また、SSR本体10
と制御回路部20とを相互に着脱自在としている
ので、そのいずれかに故障が生じても故障したも
のだけを交換すればよく、経済的である。また制
御回路部20を、例えば位相制御機能、タイマー
機能を有するものに取替えることができ、実使用
に際し非常に便利である。
以上のように、この発明によれば、3相交流電
源の負荷への供給の接断を、半導体で構成した3
相SSRで行なうようにしたので、高頻度の開閉を
行なう使用状況下においても、十分な耐久性、寿
命を有し、しかも該3相SSRのSSR本体の表面に
主端子とゲート中継端子とを隔壁を介して配設
し、この表面上に、ゲート中継端子と制御回路部
の接続端子とをそれぞれ対応させて制御回路部を
着脱自在としたので、各回路部をそれぞれ独立し
た交換でき、経済的で信頼性が高くコンパクトで
便利な3相ソリツドヌテートリレーが得られる効
果がある。
源の負荷への供給の接断を、半導体で構成した3
相SSRで行なうようにしたので、高頻度の開閉を
行なう使用状況下においても、十分な耐久性、寿
命を有し、しかも該3相SSRのSSR本体の表面に
主端子とゲート中継端子とを隔壁を介して配設
し、この表面上に、ゲート中継端子と制御回路部
の接続端子とをそれぞれ対応させて制御回路部を
着脱自在としたので、各回路部をそれぞれ独立し
た交換でき、経済的で信頼性が高くコンパクトで
便利な3相ソリツドヌテートリレーが得られる効
果がある。
第1図は単相SSRの半導体主素子回路の回路
図、第2図は本発明の一実施例による3相SSRの
分解斜視図、第3図は本3相SSRの使用状態を示
す図である。 10……SSR本体、20……制御回路部、80
……半導体主素子回路。なお図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。
図、第2図は本発明の一実施例による3相SSRの
分解斜視図、第3図は本3相SSRの使用状態を示
す図である。 10……SSR本体、20……制御回路部、80
……半導体主素子回路。なお図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 逆並列に接続された電力用サイリスタで構成
する半導体主素子回路、3相交流電源から負荷へ
の供給を接断する上記半導体主素子回路及びこの
半導体素子回路を異常電圧から保護するアブソー
バ回路を収納すると共にその表面にそれぞれ互に
対向して配設された電源側及び負荷側主端子とこ
の電源側及び負荷側主端子それぞれにおいて各主
端子と隔壁を介して交互に配設された上記電力用
サイリスタのゲート中継端子とを備えたソリツド
ステートリレー本体と、 このソリツドステートリレー本体の上記表面上
に着脱自在に配設され、上記半導体主素子回路を
外部からの制御信号に応じてオン、オフ制御する
制御回路を収納すると共に上記ゲート中継端子に
対応するように配設された接続端子を有する制御
回路部とを備えたことを特徴とする3相ソリツド
ステートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192683A JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192683A JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042932A JPS6042932A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0526367B2 true JPH0526367B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=15529215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15192683A Granted JPS6042932A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042932A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846604B2 (ja) * | 1975-07-07 | 1983-10-18 | ニホンソリツド カブシキガイシヤ | 埋立工法 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15192683A patent/JPS6042932A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6042932A (ja) | 1985-03-07 |
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