JPH0526366B2 - - Google Patents

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JPH0526366B2
JPH0526366B2 JP58151925A JP15192583A JPH0526366B2 JP H0526366 B2 JPH0526366 B2 JP H0526366B2 JP 58151925 A JP58151925 A JP 58151925A JP 15192583 A JP15192583 A JP 15192583A JP H0526366 B2 JPH0526366 B2 JP H0526366B2
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JP
Japan
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terminals
phase
main
circuit
ssr
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58151925A
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English (en)
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JPS6042931A (ja
Inventor
Seiichi Ooshima
Shinzo Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6042931A publication Critical patent/JPS6042931A/ja
Publication of JPH0526366B2 publication Critical patent/JPH0526366B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents

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  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、3相交流電源の負荷への供給を接断
制御する3相ソリツドステートリレー(以下3相
SSRと記す)に関するものである。
〔従来技術〕
従来、3相交流モータの駆動制御を行なう場合
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
ところで、従来、単相交流電源の負荷への供給
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、それは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
第1図はこのような単相SSRの半導体主素子回
路80を示し、同図において、81,82は電源
側、負荷側主端子、83,84は第1、第2サイ
リスタ、85,86は図示しない制御回路に接続
される制御端子、87,88はそれぞれ抵抗8
9、ダイオード90からなる第1、第2ゲート補
助回路である。
そして上記制御回路に外部から印加される制御
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負のサイクルでは、同様にして第
2ゲート補助回路88および第1サイリスタ83
が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ8
3を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相電
力が供給されることとなる。
一方、上記制御信号が“L”のときは上記制御
端子85,86間は開放状態となり、その結果両
サイリスタ83,84はオフのままで負荷には単
相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを用
いれば上記制御信号によつて単相電源の負荷への
供給を接断制御できることとなる。
このような従来の状況において、上記3相交流
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せることに
よつて上記寿命低下の問題を回避することが可能
であると考えられる。
〔発明の概要〕
本発明は、かかる点に鑑み、3相交流電源の負
荷への供給を接断するための装置として、上記電
磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下とい
う問題を回避できる3相SSRであつて、かつ電力
用サイリスタで構成する半導体主素子回路を収納
したソリツドステートリレー本体の表面に、電源
側及び負荷側主端子と電力用サイリスタのゲート
中継端子とをそれぞれ交互に隔壁を介して配設
し、この表面上に、制御回路とアブゾーバ回路と
を収納した付属回路部を、ソリツドステートリレ
ー本体の主端子、ゲート中継端子と付属回路部の
接続端子をそれぞれ対応させて着脱自在に構成す
ることにより、各回路部をそれぞれ独立して交換
でき、経済的に信頼性が高くコンパクトでかつ便
利な3相ソリツドステートリレーを提供すること
を目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面について説明す
る。第2図は本発明の一実施例による3相SSR7
0を示し、これは第3図に示すように、3相交流
電源62と負荷である3相交流モータ63とを接
続する3相ケーブル64の途中に介挿され、第1
図に示す主素子回路80と同じ回路を3つ備えた
主回路部61でもつて上記3相交流電源62のモ
ータ63への供給を接断制御するものである。
そして上記3相SSR70は、第2図に示すよう
に、それぞれ相互に分割して構成されたSSR本体
10及び付属回路部30からなり、上記SSR本体
10には、上述の主回路部61が収納されてい
る。またこのSSR本体10の上面前、後部には、
上記各主素子回路80を電源側又は負荷側の3相
ケーブル64に接続するための主端子11a,1
2a,13a及び主端子11b,12b,13b
が対向して形成されており、この主端子11a〜
13a及び主端子11b〜13bはそれぞれ相互
に平行な直線上に配設されている。そしてこの各
主端子11〜13と同一線上に、上記各主素子回
路80に制御信号を印加するためのゲート中継端
子14,15,16が上記各主端子11〜13と
交互に配設されており、該ゲート中継端子14〜
16はそれぞれ上方に突出して形成されている。
そして上記主端子11〜13は、それぞれを隔離
する外方側面が開口したコ字状の出力バリア17
で囲まれており、これにより主端子11〜13と
ゲート中継端子14〜16との絶縁距離、即ち沿
面距離と空間距離とが確保されている。なお、1
8,19はねじ穴である。
また、上記付属回路部30には、上記主素子回
路80をオン、オフ制御するための制御回路及び
上記主素子回路80を雷等のサージ電圧から保護
するアブソーバ回路が収納されており、該付属回
路部30の側部には上記制御回路に制御信号を入
力するための1対の入力端子22a,22bが配
置され、また、前、後部にはそれぞれ3対の上記
制御回路の出力端子23,24,25及び上記ア
ブソーバ回路の端子32,33,34がそれぞれ
対向して配設されている。そして上記制御回路の
出力端子23〜25のそれぞれには、該端子23
〜25と上記SSR本体10のゲート中継端子14
〜16とを接続するための孔43,44,45が
形成されており、また上記アブソーバ端子32〜
34は、電源側、負荷側の3相ケーブル64とと
もに上記SSR本体10の各主端子11〜13に接
続されるようになつている。なお、35はこの付
属回路部30を上記SSR本体10に取付けるため
の取付孔である。
次に作用効果について説明する。
まずこの3相SSR70を組立てる場合は、付属
回路部30を、その制御信号入力端子22、制御
信号出力端子23〜25及びアブソーバ端子32
〜34がそれぞれSSR本体10のねじ穴19、ゲ
ート中継端子14〜16及び主端子11〜13の
位置にくるようにして上記SSR本体10の上に載
置し、これらを取付孔35及びねじ穴18を使用
してねじ40により固定すればよい。
そして使用に際しては、外部からの制御信号線
を制御信号入力端子22に接続し、電源側、負荷
側の3相ケーブル64を上記主端子11a〜13
a上に位置せられた上記アブソーバ端子32a〜
34a、又は上記主端子11b〜13b上に位置
せられたアブソーバ端子32b〜34bにそれぞ
れ接続すればよい。
このような本実施例装置によれば、3相交流電
源62の負荷63への供給の接断を無接点方式の
半導体主素子回路80で行なうようにしたので、
高頻度の開閉を行なう使用状況下においても十分
な耐久性、寿命が得られる。また、SSR本体10
の表面に主端子とゲート中継端子とを隔壁を介し
て敗勢し付属回路部をソリツドステートリレー本
体の主端子、中継端子と付属回路部の接続端子を
それぞれ対応させて着脱自在としたので各回路部
をそれぞれ独立して交換でき、経済的で信頼性が
高くコンパクトでまた付属回路部30を、その制
御回路が例えば位相制御機能、タイマー機能を有
するものに交替したり、さらにそのアブソーバ回
路が負荷に応じた容量を持つものに交替すること
もでき、実施用に際し非常に便利である。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、3相交流電
源の負荷への供給の接断を、半導体で構成した3
相SSRで行なうようにしたので、高頻度の開閉を
行なう使用状況下においても、十分な耐久性、寿
命を有し、しかも該3相SSRのSSR本体及び付属
回路部をそれぞれ分割して構成し、相互に着脱自
在としたので、各回路部をそれぞれ独立して交換
でき、非常に経済的で便利な3相ソリツドステー
トリレーが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は単相SSRの半導体主素子回路の回路
図、第2図は本発明の一実施例による3相SSRの
分解斜視図、第3図は本3相SSRの使用状態を示
す図である。 10……SSR本体、30……付属回路部、80
……半導体主素子回路。なお図中、同一符号は同
一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 逆並列に接続された電力用サイリスタで構成
    する半導体主素子回路、3相交流電源から負荷へ
    の供給を接断する上記半導体主素子回路を収納す
    ると共にその表面にそれぞれ互に対向して配設さ
    れた電源側及び負荷側主端子とこの電源側及び負
    荷側主端子それぞれにおいて各主端子と隔壁を介
    して交互に配設された上記電力用サイリスタのゲ
    ート中継端子とを備えたソリツドステートリレー
    本体と、 該ソリツドステートリレー本体の上記表面上に
    着脱自在に配設され、上記半導体主素子回路を外
    部からの制御信号に応じてオン、オフ制御する制
    御回路及び上記半導体主素子回路を異常電圧から
    保護するアブソーバ回路を収納すると共に上記ゲ
    ート中継端子及び主端子に対応するように配設さ
    れた接続端子を有する付属回路部とを備えたこと
    を特徴とする3相ソリツドステートリレー。
JP15192583A 1983-08-19 1983-08-19 3相ソリツドステ−トリレ− Granted JPS6042931A (ja)

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JPS6042931A JPS6042931A (ja) 1985-03-07
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5846604B2 (ja) * 1975-07-07 1983-10-18 ニホンソリツド カブシキガイシヤ 埋立工法
JPS5692483U (ja) * 1979-12-18 1981-07-23

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JPS6042931A (ja) 1985-03-07

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