JPH03212977A - 太陽電池用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入射光を散乱せしめて活性層で吸収される光を
有効に利用することによって太陽電池の出力特性を向上
させた太陽電池用基板に関する。

〔技術の背景〕

光反射性基板を用いた太陽電池において、その基板表面
を凹凸のある粗面として形成し、とりわけ吸収係数の小
さい長波長光の光路長を増大せしめることによりその出
力特性を改善する方法は、例えば、ＵＳＰ第４，１２６
．１５０号明細書（ＲＣＡ）第７カラム３行目〜８行目
に示唆され、特開昭５６−１５２２７６号公報（音大）
においても述べられている。更に特開昭５９１０４１８
５号公報（エクソン・リサーチ・アンド・エンジニアリ
ング・カンパニー）において、粗面化基板の光学的効果
が詳述されている。

更に、ジャーナル・オブ・アプライド・フイジイクス誌
（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）　６２巻、７号、３０１６頁（Ｔｈｏｍａｓ　Ｃ
，Ｐａｕｌｉｃｋ。

Ｏｃｔ　　’８７）において、銀の凹凸（Ｔｅｘｔｕｒ
ｅ）を用いたアモルファスシリコン太陽電池の光学反射
特性が数学的に取り扱われている。

前記凹凸表面の形成法としては、特開昭５４−１５３５
８８号公報（ナショナル・パテント・ディベロップメン
ト・コーポレーション）においてウェット・エツチング
が、特開昭５８−１５９３８３号公報（エナジー・コン
バージョン・デバイセス）においてサンドブラスト法・
ファセット形成法・共蒸着法が、特開昭５９＝１４６８
２号公報（電解箔工業地）において直流電解エツチング
又は化学エツチング法によるアルミニウム粗面化が、特
開昭５９−８２７７８号公報（エナジー・コンバージョ
ン・デバイセス）においてスパッタエッチ法・サンドブ
ラスト法が、前述の特開昭５９−１０４１８５号公報に
おいてリソグラフィ法・熱分解スプレーによる透明導体
沈着法・イオンビーム同時沈着法・エツチング法が、そ
れぞれ開示されている。

このほか、本源的に凹凸を形成し易い材料を使うものと
して、特開昭５８−１８００６９号公報（工業技術院長
）の有機絶縁層とその上に設ける金属反射層、特開昭５
９−２１３１７４号公１ｌｌ（工業技術院長）のセラミ
ック基板、などがある。

太陽電池とりわけアモルファスシリコン太陽電池の基板
に望まれる特性としては、 ○　長波長光を有効に利用するための凹凸構造を有する
。

Ｏ前項凹凸構造が太陽電池の短絡をもたらさない。

○　基板組成物が太陽電池に浸透して太陽電池の特性を
悪化させない。

などがあるが、前述の先行技術では未だ不十分な点があ
った。

即ち、凹凸構造を構成する金属原子がアモルファスシリ
コン層中に浸ｉ３　（ｍｉｇｒａｔｅ　）　Ｌ、不純物
層のドーピングプロファイルを変えたり、再結合中心を
形成して出力電流の低下をもたらすという問題点があっ
た。

また、セラミックス等の粉体を焼結したものを基体に用
いたり、エツチング等の方法で平滑面を粗面にしたり、
金属で凹凸構造の膜を形成した場合等には、該凹凸構造
が不揃いになったり鋭いエッヂを有するものになり易く
、この上に直接太陽電池を形成した場合、太陽電池の特
性のばらつきや短絡等が起こり易くなるという問題点が
あった。

また、金属面上に直接アモルファスシリコン膜を形成し
た場合、境界面から剥離が生じ易く、太陽電池の歩留り
を低下させるという問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、本
発明は、凹凸表面を有する太陽電池用基板において、長
波長光を有効に利用するための凹凸構造を有し、該凹凸
構造が太陽電池の短絡をもたらさず、また前記基Ｆｉ組
成物が太陽電池に浸透して、太陽電池の特性を悪化させ
ない太陽電池基板を提供することを目的としている。

また更に、本発明は太陽電池用基板と太陽電池を構成す
る半導体層との間の密着性の良い太陽電池基板を提供す
ることを目的としている。

また更に加えて本発明は、太陽電池用基板の金属面から
の光の反射を向上させることを目的としている。

〔発明の構成〕 前述の目的を達成するための本発明は、導電性支持体上
に０．１μｍ以上の凹凸表面を有し、かつ一般式〔Ｉ〕
で表され、重量平均分子量が６０００乃至２０００００
である従来未知の新規なポリシラン化合物（以下単にポ
リシラン化合物と呼ぶ）によって構成される層を設けて
成ることを特徴とする。

Ｒ＋　　　　　　　　　　Ｒｉ Ａ　　−Ｂｉ−ＦＴ−一子３１→コーＡ′　・・・　Ｎ
）Ｒｚ　　　　　　　　　Ｒａ （但し、式中、Ｒ１は炭素数１又は２のアルキル基、Ｒ
２は炭素数３乃至８のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基又は、アラルキル基、Ｒ２は炭素数１乃至４
のアルキル基、Ｒ４は炭素数１乃至４のアルキル基をそ
れぞれ示す、Ａ、Ａ’　は、それぞれ炭素数４乃至１２
のアルキル基、シクロアルキル基、了り−ル基又はアラ
ルキル基であり、両者は同じであっても或いは異なって
いてもよい。

ｎとｍは、ポリマー中の総モノマーに対するそれぞれの
千ツマー数の割合を示すモル比であり、ｎ　＋ｍ＝　１
となり、０＜ｎ≦１．０≦ｍ＜ｌである。） 第１図は、本発明による太陽電池用基板を用いたＰＩＮ
型アモルファスシリコン太陽電池の一般的構造を模式的
に示した図である。以下便宜上ＰＩＮ型太陽電池を用い
て本発明の説明を行うが、本発明はショー／　トキ型は
じめ他の形式の太陽電池にも応用が可能であり、これに
限定されるものではない。

本発明に適用可能な支持体１０１の材料としては、モリ
ブデン、タングステン、チタン、コバルト、クロム、鉄
、銅、タンクル、ニオブ、ジルコニウム、アルミニウム
金属又はそれらの合金での板状体、フィルム体が挙げら
れる。なかでもステンレス鋼、ニッケルクロム合金及び
二、ケル、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、チタン金
属及び／又は合金は、耐蝕性の点から特に好ましい。ま
た、これらの金属及び／又は合金を、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテート
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミックス等の上に形成したも
のも使用可能である。

前記支持体１０１の厚さは、支持体としての機能が達せ
られる限りにおいて薄くすることが可能であるが、製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は１０μ
ｍ以上とされる。

前記支持体１０１上には反射性導電層１０２が設けられ
ている０本発明に適用可能な反射性導電層１０２の材質
としては、金、銀、銅、アルミニウム等の光学的反射能
の大きい金属が挙げられる。

また、前記支持体１０１の光学的反射能が十分大きい場
合、該反射性導電層１０２を省く構造とすることも可能
である。

前記反射性導電層１０２の表面は、平滑面であっても凹
凸面であってもよい、該凹凸面は、例えば前記反射性導
電Ｎ１０２に用いられる金属を蒸着等で堆積するときに
、支持体１０１の温度を調整することによって容易に得
られる。一般に、支持体１０１の温度を高めに設定した
場合により強い凹凸表面が得られる。

前記反射性導電層１０２の上には、前記ポリシラン化合
物から成るポリシラン層１０３が形成される。

前記支持体１０１と前記反射性導電層１０２と前記ポリ
シラン層１０３を総称して基板１０４と呼ぶ。

本発明の太陽電池用基板１０４に用いられているポリシ
ラン層１０３は、前記従来技術の問題点を克服すべく鋭
意研究を重ねた結果得られた知見に基づいている。即ち
、前記凹凸表面を有する凹凸層をポリシラン化合物で構
成することによって、凹凸表面による光の閉じ込め効果
を有しつつ、金属原子等のアモルファスシリコン層への
浸透を防ぎ、該凹凸構造に起因する太陽電池のリークを
起こりに（＜、かつリークが起きたとしてもその悪影響
を最小限にとどめることができる。

本発明において用いられるポリシラン化合物は、その重
量平均分子量が６０００乃至２０００００のものである
が、溶剤への溶解性及びフィルム形成能の観点からより
好ましいものは、重量平均分子量が８０００乃至１２０
０００のものであり、最適なものは重量平均分子量が１
００００乃至５ｏｏｏｏのものである。

なお、重量平均分子量が６０００以下であるものは高分
子の特徴を示さず、フィルム形成能がない、また、重量
平均分子量がｚｏｏｏｏｏ以上であるものは溶剤に対す
る溶解性が悪く、所望のフィルム形成が困難である。

また本発明において使用する前出の一般式（ｒ）で表さ
れる上述のポリシラン化合物は、形成するフィルムにつ
いて特に強靭性を望む場合、その末端基Ａ及びＡ′が、
炭素数５乃至１２のアルキル基、炭素数５乃至１２のシ
クロアルキル基、了り−ル基及びアラルキル基からなる
群から選択される基であることが望ましい、この場合の
最も好ましい本発明において使用するポリシラン化合物
は、末端基Ａ及びＡ′が、炭素数５乃至１２のアルキル
基及び炭素数５乃至１２のシクロアルキル基の中から選
択される基である場合である。

本発明において使用される上述のポリシラン化合物はつ
ぎのようにして合成することができる。

即ち、酸素及び水分を無くした高純度不活性雰囲ｆｉ下
で、ジクロロシランモノマーをアルカリ金属からなる縮
合触媒に接触させてハロゲン脱離と縮重合を行い中間体
ポリマーを合成し、得られた該中間体ポリマーを未反応
のモノマーと分離し、該中間体ポリマーに所定のハロゲ
ン化有機試薬をアルカリ金属からなる縮合触媒の存在下
で反応せしめて該ポリマーの末端に有機基を縮合せしめ
ることにより合成される。

上記合成操作にあっては、出発物質たるジクロロシラン
モノマー、前記中間体ポリマー、ハロゲン化有機試薬及
びアルカリ金属縮合触媒は、いずれも酸素や水分との反
応性が高いので、これら酸素や水分が存在する雰囲気の
下では目的の上述のポリシラン化合物は得られない。

したがって本発明において使用する上述のポリシラン化
合物を得る上述の操作は、酸素及び水分のいずれもが存
在しない雰囲気下で実施することが必要である。このた
め、反応系に酸素及び水分のいずれもが存在するところ
とならないように反応容器及び使用する試薬の全てにつ
いて留意が必要である０例えば反応容器については、ブ
ローボックス中で真空吸引とアルゴンガス置換を行って
水分や酸素の系内への吸着がないようにする。使用する
アルゴンガスは、いずれの場合にあっても予めシリカゲ
ルカラムに通し脱水し、ついで銅粉末を１００℃に加熱
したカラムに通して脱酸素処理して使用する。

出発原料たるジクロロシランモノマーについては、反応
系内への導入直前で脱酸素処理した上述のアルゴンガス
を使用して減圧蒸留を行った後に反応系内に導入する。

特定の有機基を導入するための上記ハロゲン化有機試薬
及び使用する上記溶剤についても、ジクロロシランモノ
マーと同様に脱酸素処理した後に反応系内に導入する。

なお、溶剤の脱酸素処理は、上述の脱酸素処理したアル
ゴンガスを使用して減圧蒸留した後、金属ナトリウムで
更に脱水処理する。

上記縮合触媒については、ワイヤー化或いはチップ化し
て使用するところ、前記ワイヤー化又はチップ化は無酸
素のパラフィン系溶剤中で行い、酸化が起こらないよう
にして使用する。

本発明において使用する前出の一般式〔Ｉ〕で表される
ポリシラン化合物を製造するに際して使用する出発原料
のジクロロシランモノマーは、般式：　Ｒ＋Ｒｘ５ｉＣ
Ｉｔで表されるシラン化合物か又はこれと一般式：　Ｒ
ｚＲａＳｉＣｌｚで表されるシラン化合物が選択的に使
用される。

上述の縮合触媒は、ハロゲン脱離して縮合反応をもたら
しめるアルカリ金属が望ましく使用され、該アルカリ金
属の具体例としてリチウム、ナトリウム、カリウムが挙
げられ、中でもリチウム及びナトリウムが好適である。

上述のハロゲン化有機試薬は、Ａ及びＡ′で表される置
換基を導入するためのものであって、ハロゲン化アルキ
ル化合物、ハロゲン化シクロアルキル化合物、ハロゲン
化アリール化合物及びハロゲン化アラルキル化合物から
なる群から選択される適当な化合物、即ち、−ａ式：　
Ａ−Ｘ及び／又は一般式：Ａ’−Ｘ（但し、ＸはＣＩ！
又はＢｒ）で表され、後述する具体例の中の適当な化合
物が選択的に使用される。

上述の中間体ポリマーを合成するに際して使用する一般
式：　ＲＩＲｔＳｉＣ１２又はこれと一般式：ＲｘＲａ
５：Ｃ１２で表されるジクロロシランモノマーは、所定
の溶剤に溶解して反応系に導入されるところ、該溶剤と
しては、パラフィン系の無極性炭化水素溶剤が望ましく
使用される。該溶剤の好ましい例としては、ｎ−へキサ
ン、ｎ−オクタン、ｎ〜ノナン、ｎ−ドデカン、シクロ
ヘキサン及びシクロオクタンが挙げられる。

そして生成する中間体ポリマーはこれらの溶剤に不溶で
あることから、該中間体ポリマーを未反応のジクロロシ
ランモノマーから分離するについて好都合である０分離
した中間体ポリマーは、ついで上述のハロゲン化有機試
薬と反応せしめるわけであるが、その際両者は同じ溶剤
に溶解せしめて反応に供される。この場合の溶剤として
はベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族溶剤が好適
に使用される。

上述のジクロロシランモノマーを上述のアルカリ金属触
媒を使用して縮合せしめて所望の中間体を得るについて
は、反応温度と反応時間を調節することにより得られる
中間体ポリマーの重合度を適宜制御できる。しかしなが
らその際の反応温度は６０℃〜１３０℃の間に設定する
のが望ましい。

以上説明の本発明において使用する前出の一般式（＋）
で表される上述のポリシラン化合物の製造方法の望まし
い一態様を以下に述べる。

即ち、本発明において使用する上述のポリシラン化合物
の製造方法は、（ｉ）中間体ポリマーを製造する工程と
（ｉｉ）ｉｆ中間体ポリマーの末端に置換基Ａ及びＡ′
を導入する工程とからなる。

上記（ｉ）の工程はつぎのようにして行われる。

即ち、反応容器の反応系内を酸素及び水分を完全に除い
てアルゴンで支配され所定の内圧に維持した状態にし、
無酸素のパラフィン系溶剤と無酸素の縮合触媒を入れ、
ついで無酸素のジクロロシランモノマーを入れ、全体を
撹拌しながら所定温度に加熱して該七ツマ−の縮合を行
う。この際前記ジクロロシランモノマーの縮合度合は、
反応温度と反応時間を調節し、所望の重合度の中間体ポ
リマーが生成されるようにする。

この際の反応は、下記の反応式（ｉ）で表されるように
ジクロロシランモノマーのクロル基と触媒が脱塩反応を
起こしてＳｉ基同志が縮合を繰り返してポリマー化して
中間体ポリマーを生成する。

触媒 ｎＲ＋Ｒｚ　５ｉＣ１ｌｔ　＋ｍＲ＝Ｒ４ＳｉＣ１ｘ　
→Ｒ＋　　　　　　　　　Ｒコ Ｃ１−鵠ｉＨトＴ−−任−５ｉ−Ｙ１−　ＣＲ・・・　
（ｉ）Ｒｚ　　　　　　　　　Ｒａ なお、このところの具体的反応操作手順は、パラフィン
系溶剤中に縮合触媒（アルカリ金属）を仕込んでおき、
加熱下で撹拌しながらジクロロシランモノマーを滴下し
て添加する。ポリマー化の度合は、反応液をサンプリン
グして確認する。

ポリマー化の簡単な確認はサンプリング液を揮発させフ
ィルムが形成できるか否かで判断できる。

縮合が進み、ポリマーが形成されると白色固体となって
反応系から析出してくる。ここで冷却し、反応系からモ
ノマーを含む溶媒をデカンテーションで分離し、中間体
ポリマーを得る。

ついで前記ｆｂｌの工程を行う。即ち、得られた中間体
ポリマーの末端基のクロル基をハロゲン化有機剤と縮合
触媒（アルカリ金属）を用いて脱塩縮合を行いポリマー
末端基を所定の有機基で置換する。この際の反応は下記
の反応式（ｉｉ）で表される。

ＲＩ　　　　　　　　　　Ｒ１ Ｃｌ１−Ｈｌ−トＴ−−−−士”Ｓｉ−ト１−　Ｃ１＋ （２Ａ Ｘ＋Ａ’ Ｘ） ３ 一日＋＋＋　　　　　　　ｉ−→、Ａ’（ｉｉ　） ２ ４ このところ具体的には、 ジクロ口シランモノマ −の縮合で得られた中間体ポリマーに芳香族系溶剤を加
え溶解する。次に縮合触媒（アルカリ金属）を加え、室
温でハロゲン化有機剤を滴下する。

この時ポリマー末端基同士の縮合反応と競合するためハ
ロゲン化有機剤を出発モノマーに対して０．０１〜０．
１倍の過剰量添加する。徐々に加熱し、８０℃〜１００
℃で１時間加熱撹拌し、目的の反応を行う。

反応終了後冷却し、触媒のアルカリ金属を除去するため
、メタノールを加える。次に生成したポリシラン化合物
をトルエンで抽出し、シリカゲルカラムで精製する。か
くして本発明において使用する所望のポリシラン化合物
が得られる。

（以下余白） ＲＩＲｔ　ＳｉＣＩＩ　！　　びＲ５Ｒａ　ＳｉＣＲ１
の　傍注）　：下記の化合物の中、ａ　−２〜１６，１
８．２０，２１゜２３．２４が１ｌＩＲ２ＳｉＣ／ｚに
用いられ、ａ−１゜２．１１．１７，１９，２２，２３
．２５が１１３Ｒ４ＳｉＣ１ｚに用いられる。

（ＣＩ＋３）　ｚｓ　ｉＣ１２ｚ −１ （（Ｏｌｉ）ｚ＠ｚｓｉｃｊ！ｚ −２２ （（ＣＨ３）　３Ｃ）　ｚｓｉｃ　Ｊ　ｚ−５ Ａ−Ｘ　　びＡ’　　−Ｘの具 （Ｃ）１３）　ｚ（ＩＣ１ｌｚＣｊ！ −１ ＣＩ＋（ＣＨＪａＣｆｆｉ −２ ０ｉ（ＣＨＪｓＣｊ２ −３ ＣＩ（３（０１ｇ）　＋　ｏＣ１ −４ Ｃ１１ｚ　（Ｃ１ｌｚ）　５Ｂｒ Ｃｌｌ３　（ＣＨｚ）　Ｉｏａｒ −１４ −１５ 触媒としてはアルカリ金属が好ましい。

アルカリ金属としてはリチウム、ナトリウム、カリウム
が使用される。形状はワイヤー状またはチップ状にして
表面積を大きくすることが好ましい。

本 において するポリシラン の具体 廻 Ｃｌｌ。

Ｃ３（Ｃ１＋、）□ Ｃ１１（ＣＩＩＪＩ Ｃ１ｌ。

Ｈ３ 島 Ｉ３ ｌ１３ １１３ ｌ１３ 注）；上記構造式中のＸとＹはいずれも単量体の重合単
位を示す。そしてｎは、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）、また、ｍは、
Ｙ／（Ｘ十Ｙ）の計算式によりそれぞれ求められる。

このようにして合成されたポリシラン化合物に対して適
当な不純物を混合させることによって、電気的抵抗率を
制御することも容易である。Ｎ型伝導を示すようにする
ための不純物としては、ＴＰＡ　（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ
ａｍｔｎｅ）　、　ＴＭＰＤ　（Ｎ、　Ｎ。

Ｎ’　　Ｎ’　　ｔｅｔｒａ　　ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎ
ｙｌｅｎｅ　　ｄｉａｍｉｎｅ　　）　　等が挙げられ
る。

またＰ型伝導を示すようにするための不純物としては、
２　、　４　、　７−　ｔｒｉｎｉｔｒｏｆｌｕｏｒｅ
ｎｏｎｅ　＋Ｔ　ＣＮ　Ｑ（Ｌｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕ
ｉｎｏ　ｄｉｍｅｔｈａｎｅ）、　Ｓ　ｂ　Ｆ　５Ａｓ
Ｆ５等が挙げられる。

Ｐ型半導体層と接するポリシラン層は、Ｐ型のポリシラ
ン層が好ましく、Ｎ型半導体層と接するポリシラン層は
、Ｎ型のポリシラン層が好ましいものである。

本発明において用いられるポリシラン化合物の電気的抵
抗率は所望の目的に応じて適宜定められるものである。

即ち、太陽電池によって発生した電気エネルギーを取り
出すためには電気的抵抗率は低い方がよいが、ＰＩＮ構
造に発生するピンホールによる短絡の悪影響を最小限に
とどめるためには電気的抵抗率が高い方がよいので、実
際の太陽電池においてはポリシラン層１０３の電気的抵
抗率には最適値が存在する。

上述の方法で合成したポリシラン化合物を原料として前
記ポリシラン層１０３を形成する方法を以下に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。

前記ポリシラン層１０３を形成する方法としては、スピ
ンナー法、スプレー法、ディッピング法等により支持体
上に塗布する方法が挙げられる。

スピンナー法は、高速回転する保持具に支持体を固定し
、高速回転させ、高速回転している支持体上に有機溶媒
に溶解したポリシランを滴下し、遠心力で支持体上に均
一に塗布し、溶媒を気化させて、支持体上に均一なポリ
シラン層を形成する方法である。

スピンナー法でポリシラン層の層厚は、有機溶媒に溶解
したポリシランの溶液の粘度と、スピンナーの回転速度
を調節することで所望に制御できる。またポリシラン層
上の凹凸の形状は、スピンナーでポリシラン溶液を塗布
した後、溶媒を気化させる前に前記保持具を振動させて
、ポリシラン層に凹凸を形成させる。

凹凸の形状は、前記保持具の振動数と振幅及び溶液の粘
度で所望の形状に制御される。

スプレー法は、スピンナー法と同様にポリシランを有機
溶媒に溶解し、霧吹き機で支持体上にポリシランを溶解
した溶液を吹きつけて、ポリシラン層を形成する方法で
ある。

該ポリシラン層の層厚は、ポリシラン溶液の粘度、霧吹
き機のノズルの径及び吹きつけるポリシラン溶液の量等
を制御することで所望の層厚に制御される。また、ポリ
シラン層の凹凸の形状は、ポリシラン溶液の粘度及び霧
吹き機のノズル径等を適宜制御することで所望の形状に
制御できる。

たとえば、霧の粒径を大きくし、ポリシラン溶液の粘度
を高くすると、凹凸の形状を大きくすることができる。

ディッピング法は、前記ポリシラン溶液に前記支持体を
浸漬し、支持体を前記溶液から引き上げて支持体上にポ
リシラン層を形成する方法である。

ディッピング法によるポリシラン層の層厚の制御は、ポ
リシラン溶液の粘度及び該溶液からの引き上げ速度を変
えることで行われる。またポリシラン層の凹凸形状は、
ディッピング法で支持体上にポリシラン溶液を塗布した
後、支持体を振動させることによって所望の形状に形成
される。

上記スピンナー法、スプレー法、ディッピング法におけ
るポリシラン溶液の粘度は、ポリシランと有機溶媒の混
合比及びポリシラン溶液の温度等で制御される。

また、本発明のポリシラン熔解用の有機溶媒としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族溶剤が好適に
使用される。

本発明において用いられるポリシラン層１０３の好まし
い平均層厚は０．１〜１０μｍであり、より好ましくは
０．３〜２μｍである。該ポリシラン層の層厚が小さ過
ぎると基板に到達した長波長光を効果的に散乱すること
ができず、光閉じ込め効果が期待できなくなってしまう
、また、層厚が大き過ぎると今度は該ポリシラン層での
光の吸収が大きくなってしまう、また、前記凹凸構造の
平均的間隔及び粗さは所望の太陽電池特性によって適宜
定められるものであるが、好ましくは平均間隔が０．１
〜１μｍ、粗さが０．１〜０．８　ｐ　ｍとされる。

このようにして形成された前記ポリシラン層１０３を含
む前記基板１０４上にＮ型アモルファス装シリコン１１
１０５、Ｉ型アモルファスシリコン層１０６、Ｐ型アモ
ルファスシリコン層１０７からなるＰＩＮ型アモルファ
スシリコン太陽電池１０８を形成する。該太陽電池１０
８の作製には、スパッタ法、グロー放電分解法、マイク
ロ波ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法その他の通常のアモルファス
シリコン膜作製法が利用可能であるが、原料ガス利用効
率、堆積速度、堆積膜の特性等の点でマイクロ波ＣＶＤ
法が望ましい。

前記ＰＩＮ型太陽電池１０８上に透明導電膜１０９が形
成される。該透明導電膜１０９にはｒＴｏ　　５ｎｏｔ
、Ｉｎｘ０ｉ等が用いられる。これらは例えば加熱蒸着
やスパッタ法によって容易に形成可能である 前記透明導電膜１０９上に集電電極１１０が形成される
。該集電電極１１０には前記透明導電膜１０９と外部リ
ードｗＡ（不図示）の間の電気的導電性をよくする材料
が望ましい。そのような材料として、恨、クロム、白金
、金、アルミニウム等が挙げられる。これらの金属は、
前記透明電極１０９上にマスクを用いて形成することが
可能である。

〔本発明において使用するポリシラン化合物の製造例〕

以下に、本発明において使用するポリシラン化合物につ
いて、その具体的製造方法を製造例を挙げて説明し、併
せて該ポリシラン化合物の有用性を説明する。

なお、上述する製造例及び比較製造例においては、生成
物について、まずＣｌ基の存在の有無を確かめ、ＣＩ！
基の存在の認められたものについてはその定量を行い、
その存在量を生成物１０００グラム当たりのミリモル当
量数で表した。

また、得られた生成物について、長鎖構造の５ｉ−３ｉ
結合からなる主鎖を有するポリシラン化合物であるか否
かをＦＴ−Ｉ　Ｒ及び／又はＵＶスペクトルとによりＶ
１！認した。更にこれと併せて、側鎖の置換基の結合の
有無を、ＦＴ−ＩＲより調べ、又は／及び置換基中のプ
ロトンをＦＴ−ＮＭＲにより調べることにより確認した
。

以上の得られた結果から合成生成物の構造決定を行った
。

上述した、生成物中のＣＸ基の有無の確認は、蛍光Ｘ線
分析装置（全自動蛍光Ｘ線分析装置システム３０８０　
：理学電機工業株式会社製）を使用して行った。その際
、標準試料としてトリメチルりロルシラン（チン素株式
会社製）を用意し、これを１．５，１０，５０．１００
倍のそれぞれに希釈して標準液を作製し、それぞれの標
準液を前記蛍光Ｘ線分析装置にかけてＣβ基の量を測定
し、得られた結果に基づいて検量線を求めた。一方、被
検試料たる生成物については、その１グラム量を脱水ト
ルエンに溶解して全量を１０ｍｊ！として被検試料を作
製し、これを前記蛍光ＸｖＡ分析装置にかけて測定し、
測定結果を前記検査線に照合させてＣＺ基の量を求めた
。

ＦＴ−Ｉ　Ｈによる測定は、被検試料のＫＢｒペレット
を作製し、これをＮ１ｃｏｌｅｔ　　Ｆ　Ｔ　−Ｉ　Ｒ
７５０にコレ−・ジャパン社製）にセントして測定する
ことにより行った。また、ＦＴ−ＮＭＲによる測定は、
被検試料をＣＤ（１！、に溶解し、これをＦＴ−ＮＭＲ
ＦＸ−９Ｑ　（日本電子株式会社製）にセントして測定
することにより行った。

なお、ＵＶスペクトルにおいて、ポリシラン化合物が低
分子のものである場合、該スペクトルは短波長側に寄り
、それが高分子のものである場合、該スペクトルは長波
長側に寄ることは、ピュアアンドアブライズケミストリ
ー（Ｐｕｒｅ＆Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）
　５↓、Ｎ１５．ｐｐ。

１０４１−１０５０　（１９８２）に報告されている。

裂１Ｊ０− 真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度針と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。

この三ツロフラスコ中に脱水ドデカン１００グラムとワ
イヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌しな
がら１００℃に加熱した０次にジクロロシランモノマー
（チッソ側型）（ａ−７）０．１モルを脱水ドデカン３
０グラムに溶解させて、用意した溶液を反応系にゆっく
り滴下した。

滴下後、１００℃で１時間線重合させることにより、白
色固体を析出させた。この後冷却し、ドデカンをデカン
チーシロンして、さらに脱水トルエン１００グラムを加
えることにより、白色固体を熔解させ、金属ナトリウム
０．０１モルを加えた。

次に、ｎ−ヘキシルクロライド（東京化成製）（ｂ３）
０．０１モルをトルエン１０ｍｌに溶解させて用意した
溶液を反応系に撹拌しながらゆっくり滴下して添加し、
１００℃で１時間加熱した。この後冷却し、過剰の金属
ナトリウムを処理するため、メタノール５０ｍＡをゆっ
くり滴下した。これにより懸濁層とトルエン層とが生成
した。

次に、トルエン層を分離し、減圧濃縮した後シリカゲル
カラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、６５％
の収率で生成物を得た。この生成物について、上述のＣ
Ｚ基含有量の測定方法により測定したところ、ＣＺ基の
含有は認められなかった（即ち、試料１０００グラム中
０．００ミリモル当量）。

また、この生成物の重量平均分子量をＧＰＣ法によりＴ
ＨＦ展開して測定したところ、７５，０００であった（
ポリスチレンを標準とした）、そして、該生成物につい
て、上述の手法でＦＴ−Ｉ　Ｒ測定し、ついでＦＴ−Ｎ
ＭＲ測定したところ、５ｉ−Ｃｊ！結合、５ｉ−０−３
！結合、５ｉ−０−Ｒ結合が全くないことがわかり、該
生成物は前述のＣ−１の構造を有するポリシラン化合物
であることがわかった。

以上の結果は第４表に示した。

ｌ量適Ｉ 真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度針と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。

この三ツロフラスコ中に脱水ドデカン１００グラムと１
ｎ角の金属リチウム０．３モルを仕込み、撹拌しながら
１００℃に加熱した０次にジクロロシランモノマー（チ
ッソ側製）（ａ−７）０．１モルを脱水ドデカン３０グ
ラムに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっくり滴下
した。滴下後、１００℃で２時間線重合させることによ
り、白色固体を析出させた。この後冷却し、ドデカンを
デカンテーションして、さらに脱水トルエン１００グラ
ムを加えることにより、白色固体を溶解させ、金属リチ
ウム０．０２モルを加えた。

次に、クロルベンゼン（東京化成製）、（ｂ−５）０．
０２モルをトルエン１０ｍｌ１に溶解させて用意した溶
液を反応系に撹拌しながらゆっくり滴下して添加し、１
００℃で１時間加熱した。この後冷却し、過剰の金属リ
チウムを処理するため、メタノール５０ｍｌ１をゆっく
り滴下した。これにより懸濁層とトルエン層とが生成し
た。

次に、トルエン層を分離し、減圧濃縮した後、シリカゲ
ルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリ
シラン化合物阻２（構造式：Ｃ−３）を得た。収率は７
２％であり、重量平均分子量は９２，０００であった。

結果を第４表に示した。

製造撚１ 真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度針と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。

この三ツロフラスコ中に脱水ｎ−ヘキサン１００グラム
と１■ｌ角の金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌
しながら８０℃に加熱した０次にジクロロシランモノマ
ー（チッソ■ＩＪ）（ａ−７）０．１モルを脱水ｎ−へ
キサンに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっくりと
滴下した０滴下後８０℃で３時間縮重合させることによ
り、白色固体を析出させた。この後冷却し、ｎ−ヘキサ
ンをデカンテーションして、さらに脱水トルエン１００
グラムを加えることにより白色固体を溶解させ、金属ナ
トリウム０．０１モルを加えた０次に、ベンジルクロラ
イド（東京化成製）（ｂ−１２）０．０１モルをトルエ
ン１０ｍｊ！に溶解させて用意した溶液を反応系に撹拌
しながらゆっくり滴下して添加し、８０℃で１時間加熱
した。この後冷却し、過剰の金属ナトリウムを処理する
ため、メタノール５０ｍｆｆ１をゆっくり滴下した。こ
れにより懸濁層とトルエン層とが生成した。

次に、トルエン層を分離し、減圧濃縮した後、シリカゲ
ルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリ
シラン化合物ｍ３（Ｆ！Ｉｊ造式二ｃ−４）を得た。収
率は６１％であり、重量平均分子量は４７，０００であ
った。結果を第４表に示しなお、このポリシラン化合物
においては未反応の５ｉ−Ｃｊ！、副生成物のＳ　ｉ　
−０−３ｔ、　　Ｓ　１−Ｏ−Ｒに帰属されるＴＲ吸収
は全く存在しなかった。

ｌ遺舅↓旦走グ） 第１表に示すジクロロシランモノマーと末端基処理剤を
用いて実施例３と同様に合成を行って、ポリシラン化合
動磁４（構造式：Ｃ−６）及びポリシラン化合物阻５（
構造式：Ｃ−２）を、それぞれ６０％及び６２％の収率
で得た。なお、このポリシラン化合物においては未反応
の５ｔ−Ｃｊ！、副生成物のＳｉ−○−３ｉ、５ｔ−０
−Ｈに帰属されるＴＲ吸収は全く存在しなかった。同定
結果を第４表にまとめて示した。

止較袈遺■上 実施例３と同様にしてジクロロシランモノマー（チッソ
■製）（ａ　−７）を縮合させポリマーの末端基を処理
しない以外は実施例３と同様にして合成を行い、第４表
に示す構造式のポリシラン化合物ＮＩＤ−１を得た。収
率は６０％であり、重量平均分子量は４６，０００であ
った。結果を第４表に示した。

なお、このポリシラン化合物においては末端基には未反
応のＳ　１−ＣＩ、副生成物の５ｔ−ＯＲに帰属される
ＴＲ吸収が認められた。

製遺五ｌ二上皇 第２表に示すジクロロシランモノマーを用いて反応時間
を第２表のように変化させて実施例３と同様にして重合
を行った。また、末端基処理剤としては第２表に示す化
合物を用いた０合成生成物を製造例３と同様にして精製
した。かくして第４表に示すポリシラン化合物Ｎａ６〜
１０を得た。

得られた各ポリシラン化合物の収率、重量平均分子量は
第４表に示すとおりであった。

なお、いずれのポリシラン化合物においても未反応の５
ｔ−Ｃ１、副生成物の５ｉ−０−３ｔ。

５ｉ−０−Ｒに帰属されるＴＲ吸収は全くなかった。

此１ム［ 製造例６においてジクロロシランモノマーの反応時間を
１０分とした以外は製造例６と全く同様の手法で合成を
行い、第４表に示すポリシラン化合物嵐Ｄ−２を得た。

得られた該ポリシラン化合物の収率及び重量平均分子量
は第４表に示すとおりであった。

なお、得られた該ポリシラン化合物には、未反応（７）
Ｓｉ−Ｃ（１，副生成物（Ｄ　Ｓ　ｉ　−０−Ｓ　ｉ　
。

５ｉ−０−Ｒに帰属されるＩＲ吸収は全く存在しなかっ
た。

製１１０−レ二１４ 第３表に示すジクロロシランモノマーと末端基処理剤を
使用して実施例１と同様の手法で合成を行い、第４表に
示すポリシラン化合物１ｍ１ｌ乃至隘１４を得た。得ら
れたそれぞれのポリシラン化合物の収率及び重量平均分
子量は第４表に示すとおりであった。

上較製造■工 真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフラックスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。

この三ツロフラスコ中に脱水ドデカン１００グラムとワ
イヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌しな
がら１００℃に加熱した０次にジクロロシランモノマー
（チッソ側製）を０．１モルを脱水ドデカン３０グラム
に溶解させて用意した溶液を反応系にゆっくり滴下した
０滴下後、１００℃で１時間縮重合させることにより、
白色固体を析出させた。この後冷却し、過剰の金属ナト
リウムを処理するため、メタノール５０ｍＡ！をゆっく
り滴下した。

次に、白色固体を濾葉し、ｎ−ヘキサンとメタノールで
洗浄を繰り返し、第４表に示すポリシラン化合物阻Ｄ−
３を得た。

このポリシラン化合物はトルエン、クロロホルム、ＴＨ
Ｆ等のを機溶剤に不溶であった。結果は第４表に示すと
おりであった。

止較裂量適土 真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフラックスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。

この三ツロフラスコ中に脱水ドデカン１００グラムとワ
イヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌しな
がら１００℃に加熱した。

次にジフェニルジクロロシランモノマー（チッソ部製）
を０．１モルを脱水ドデカン３０グラムに溶解させて用
意した溶液を反応系にゆっくり滴下した０滴下後、１０
０℃で１時間縮重合させることにより、白色固体を析出
させた。

この後冷却し、過剰の金属ナトリウムを処理するため、
メタノール５０ｍｊ！をゆっくり滴下した。

次に、白色固体を濾葉し、ｎ−ヘキサンとメタノールで
洗浄を繰り返し、第４表に示すポリシラン化合物嵐Ｄ−
４を得た。

このポリシラン化合物はトルエン、クロロホルム、ＴＨ
Ｆ等の有機溶剤に不溶であった。結果を第４表に示した
。

〔実施例〕

以下、実施例にて本発明の詳細な説明するが、本発明は
これによって限定されるものではない。

大振班上 支持体１０１として、表面に鏡面研磨を施したステンレ
ス板（ＳＵＳ３０４製、面積５０ｆｌ×５０鶴、厚さ０
．５龍）を用いた。

アルゴンスパンタによって、支持体１０１の上面に銀を
平均層厚１μｍの厚みで堆積した。銀の表面性は、銀の
堆積時の基板温度を約３５０℃とすることで表面粗さ約
０．５μｍ、凸部間隔の平均値を約１μｍの凹凸表面に
した。このようにして反射性導電層１０２を形成した。

ポリシラン層は、製造例１に示すポリシランを用いスピ
ンナー法で０．８μｍ堆積した。

得られたポリシラン層１０３の表面を電子顕微鏡にて観
察したところ、基板の全域にわたって均一な凹凸構造が
認められ、粗さが約０．８μｍ、凸部間隔の平均値が約
１．０μｍであることが確認された。

上記の方法によって作製した基板を用いて、第１図に示
す層構成を持ち、第３図に示すように各々１ｄの面積を
有するアモルファスシリコン太陽電池を１６単位セル作
製した。これらのアモルファスシリコン太陽電池につい
て、標準光源（ＡＭｌ、５．１００ｍＷ／ｃｄ）の下で
の出力特性を評価し、その結果を第５表に示す。変換効
率、短絡電流、開放電圧、フィルファクターについては
、基板上の太陽電池のうち明らかにリークを起こしてい
るものを除いた平均値を算出し、次の述べる比較例の太
陽電池（Ｓ）によって得られた値を１として規格化を施
しである。

〔比較例〕

本発明の実施例に対する比較例として、平均の厚さ１μ
ｍの銀を表面が鏡面（Ｓ）及び凸部間隔の平均値が約１
μｍ、粗さが約０．５μｍの凹凸面（Ｔ）となるように
堆積したステンレス基板、及び該（Ｔ）基板上に第２図
に示すスパッタ装置を用いてＺｎＯを約０．８μｍの厚
さに堆積した基板（Ｚ）の３種類の基板を各々用いて実
施例１と同様の太陽電池を作製し、出力特性の評価を行
ったその結果を第６表に示す、実施例１と同様に、各特
性値は比較例（Ｓ）の太陽電池によって得られた値によ
って規格化されている。

実施例１の太陽電池（Ｐ）と、比較例の太陽電池（Ｔ）
、　　（Ｚ）との比較実験を１０回繰り返して、太陽電
池（Ｐ）、（Ｔ）、（Ｚ）の変換効率を調べた結果を第
４図に示す、また、各ロフトにおけるリークを起こして
いない太陽電池の割合（以下、６生存率”と呼ぶ、）を
第５図に示す、とりわけ太陽電池（Ｔ）においては、各
ロフト間の出力特性のバラツキが大きく、生存率もかな
り小さいが、これは前記銀層とアモルファスシリコン層
の間での剥離や凹凸構造の凸部におけるリークが起こり
易いためであると考えられる。太陽電池（Ｐ）ではその
ような部分がポリシラン化合物で覆われているので、剥
離しにくく、リークが起きに（く、かつ万一リークが起
きたとしてもポリシラン層の持つ適度な抵抗率のために
その影響が現れにくくなっているものと思われる。

叉隻拠１ 支持体１０１の母材として、表面に鏡面研磨を施したア
ルミニウム板（面積５０　ｍ　Ｘ　５０　ｔｍ、厚さ０
．５　ｍｌ　）を用いた０本実施例では、この支持体１
０１が反射性導電層をも兼ねており、この上にポリシラ
ン層１０３が形成される。

ポリシラン層は、製造例２に示すポリシラン化合物を用
いた。ポリシラン層１０３の形成方法としては、該ポリ
シラン化合物をトルエンに溶解し、スピンナー法で形成
した。

回転数１０００のスピンナーでポリシランを一様に塗布
した後、スピンナーの回転台を１００Ｈｚ、振幅０．１
　ｍｍで振動させ、ポリシランの凹凸を形成した。更に
、該ポリシラン層まで形成した基板を真空容器に入れ、
Ａ３Ｆ＆ガスを１１０００ｐｐ混合したＡ「ガスを１０
０ｓｃｃｙａ流しながら乾燥した。

このようにして得られた基板１０４の表面を電子ｇＪ徽
鏡にて観察したところ、基板の全域にわたって均一な凹
凸構造が認められ、粗さが０．６μｍ１凸部間隔の平均
値が約１．０μｍであることが確認された。

上記の方法によって作製した基板を用いて、実施例１と
同様のアモルファスシリコン太陽電池を作製した。この
太陽電池について、出力特性を評価した結果を第７表に
示す。

大施桝主 支持体１０１の母材として、表面に鏡面研磨を施したア
ルミニウム板（面積５０ｍＸ５０龍、厚さ０．５ｍ）を
用いた０本実施例では、この支持体１０１上に反射性導
電層１０２として鏡面を有する約１μｍの厚さの銀をス
パッタ法によって堆積した。この上にポリシラン層１０
３を形成した。

本実施例において、ポリシラン化合物は、製造例３で合
成したものを使用した。

該ポリシラン化合物をキシレンに溶解し、ＴＰＡを０．
１％添加した。

このようにして得られたポリシラン化合物をスプレー法
で塗布した。その後、基板を１００１（ｚ。

振幅０．１ｆｌで振動させ、凹凸構造を作った。

このようにして得られた基板１０４の表面を電子顕微鏡
にて観察したところ、基板の全域にわたって均一な凹凸
構造が認められ、粗さが０．６μｍ、凸部間隔の平均値
が約０．９μｍであることが確認された。

上記の方法によって作製した基板を用いて、実施例１と
同様のアモルファスシリコン太陽電池を作製した。この
太陽電池について、出力特性を評価した結果を第８表に
示す。

大止開土二上主 支持体１０１の母材として、表面を鏡面研磨したステン
レス（ＳＵＳ３０４）誉反（面積５０會曹×５０１菖、
厚さ０．５ｍ）を用いた０本実施例では、この支持体１
０１上に反射性導電Ｎ１０２として鏡面を有する約１μ
ｍの厚さの根をスバ・７タ法により堆積した。この上に
ポリシラン層１０３を形成した。

本実施例におけるポリシラン化合物は、製造例４に示す
ものを用いた。該ポリシラン化合物は、キシレンに溶解
しスピンナー法で塗布した。ポリシラン層の表面の凹凸
は、ポリシラン化合物をスピンナーで塗布した後、スピ
ンナーの回転台を振動させることで形成した。振動させ
る条件は、第５表に示す条件で行った。ポリシラン層の
表面の凹凸は第５表に示すような表面性であった。また
太陽電池は、このような表面性の基板上に実施例１と同
様な方法で形成した。

太陽電池の変換効率は第９表に示すような結果であった
。

（以下余白） 第 表 第 表 第 表 第 ５ 表 第 表 第 表 第 表 第 表 〔発明の効果の概要〕 以上に述べたように、本発明によれば、凹凸表面による
光の閉じ込め効果を有しつつ、金属原子等のアモルファ
スシリコン層への侵透を防ぎ、該凹凸構造に起因する太
陽電池のリークを起こりに＜（シ、かつリークが起きた
としてもその悪影響を最小限にとどめることが可能とな
り、その結果として、太陽電池の出力特性を安定かつ優
れたものにする太陽電池基板を簡便な方法で作製するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による改良された太陽電池基板を用い
た太陽電池の模式的構造図である。 第２図は、本発明による改良された太陽電池基板を作製
するためのスパック装置の模式的構造図である。 第３図は、本発明による改良された太陽電池基板を用い
て作製した太陽電池の各単位セルの構成図である。 第４図は、実施例１と比較例において太陽電池（Ｐ）、
（Ｔ）、（Ｚ）の比較実験を１０回繰り返したときの変
換効率の推移を示すグラフである。 第５図は、実施例１と比較例において太陽電池（Ｐ）、
（Ｔ）、（Ｚ）の比較実験を１０回繰り返したときの生
存率の推移を示すグラフである。 １０１・・・基体、１０２・・・反射性導電層、１０３
・・・ポリシラン層、１０４・・・基板、１０５・・・
Ｎ型アモルファスシリコン層、１０６・・・Ｉ型アモル
ファスシリコン層、１０７・・・Ｐ型アモルファスシリ
コン層、１０Ｂ・・・ＰＩＮ型アモルファスシリコン太
陽電池、１０９・・・透明導電膜、１１０・・・集電電
極、２０１・・・チャンバー ２０２・・・基体ホルダー付きアノード電極、２０３・
・・ターゲットホルダー付きカソード１！極、２０４・
・・絶縁体、２０５・・・マツチングボックス、２０６
・・・ＲＦ電源、２０７・・・シャッター２０８・・・
基体、２０９・・・スパッタ用ターゲット、２１０・・
・スパッタ用Ａｒガス導入管、２１１・・・排気孔、２
１２・・・基体加熱用ヒーター３０１・・・基板、３０
２・・・単位太陽電池、３０３・・・透明導電膜、 ３０４・・・集電電極。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に０．１μｍ以上の凹凸表面を有
   し、かつ一般式〔 I 〕で表され重量平均分子量が６０
   ００乃至２０００００である従来未知の新規なポリシラ
   ン化合物によって構成される層を設けて成ることを特徴
   とする太陽電池用基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （但し、式中、Ｒ＿１は炭素数１又は２のアルキル基、
   Ｒ＿２は炭素数３乃至８のアルキル基、シクロアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＿３は炭素数１乃
   至４のアルキル基、Ｒ＿４は炭素数１乃至４のアルキル
   基をそれぞれ示す。Ａ、Ａ′は、それぞれ炭素数４乃至
   １２のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は
   アラルキル基であり、両者は同じであっても或いは異な
   っていてもよい。ｎとｍは、ポリマー中の総モノマーに
   対するそれぞれのモノマー数の割合を示すモル比であり
   、ｎ＋ｍ＝１となり、０＜ｎ≦１、０≦ｍ＜１である。 ）
2. （２）一般式〔 I 〕中のＡ、及びＡ′が炭素数５乃至
   １２のアルキル基又はシクロアルキル基である請求項（
   １）に記載の太陽電池用基板。