JPH0321335A - ポリアミド共重合体が界面重合した微小多孔性基質層 - Google Patents
ポリアミド共重合体が界面重合した微小多孔性基質層Info
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- JPH0321335A JPH0321335A JP2099474A JP9947490A JPH0321335A JP H0321335 A JPH0321335 A JP H0321335A JP 2099474 A JP2099474 A JP 2099474A JP 9947490 A JP9947490 A JP 9947490A JP H0321335 A JPH0321335 A JP H0321335A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/12—Composite membranes; Ultra-thin membranes
- B01D69/125—In situ manufacturing by polymerisation, polycondensation, cross-linking or chemical reaction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/06—Organic material
- B01D71/76—Macromolecular material not specifically provided for in a single one of groups B01D71/08 - B01D71/74
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/06—Organic material
- B01D71/56—Polyamides, e.g. polyester-amides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polyamides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水溶液の脱塩のような逆浸透法に使用するのに
適した複合膜に関する。さらに詳細には本発明は一つの
層がm−フ二二レンジアミンとシクロヘキサン−1.3
.5− 1−リカルボニノレクロロドおよび少なくとも
1個の二官能性アシルクロリドとの共重合体である多層
膜に関する。
適した複合膜に関する。さらに詳細には本発明は一つの
層がm−フ二二レンジアミンとシクロヘキサン−1.3
.5− 1−リカルボニノレクロロドおよび少なくとも
1個の二官能性アシルクロリドとの共重合体である多層
膜に関する。
これを要約すれば本発明は微小多孔性の基質の上に界面
重合によりつくられたポリアミド共重合体の脱塩用の膜
に関する。このポリアミド共重合体はm−7二二レンジ
アミンをシクロヘキサン−1,3.5−トリカルポニル
クロリドおよびイソフタロイルクロリド、テレフタロイ
ルクロリドまたはシクロヘキサンジカルボニルクロリド
のいずれかと共重合させアシルクロリドの平均の官能基
の数を2.20〜2.40にすることによりつくられる
。
重合によりつくられたポリアミド共重合体の脱塩用の膜
に関する。このポリアミド共重合体はm−7二二レンジ
アミンをシクロヘキサン−1,3.5−トリカルポニル
クロリドおよびイソフタロイルクロリド、テレフタロイ
ルクロリドまたはシクロヘキサンジカルボニルクロリド
のいずれかと共重合させアシルクロリドの平均の官能基
の数を2.20〜2.40にすることによりつくられる
。
水溶液の脱塩に使用するのに適した選択浸透性をもった
膜は多くの特許に記載されている。米国特許第4.71
9.062号には、微小多孔性ポリスル7オン基質層お
よびそれに重ねられたポリアミド層から戊る選択浸透性
をもった多層膜が記載されており、該ポリアミド層は芳
香族ジアミンおよびトリメソイルクロリドまたはシクロ
ヘキサン−1.3.5−トリカルポニルクロロドからつ
くられ、随時最高50%のテレフタロイルクロリドまた
はインフタロイル,クロリドのいずれかを含んでいる。
膜は多くの特許に記載されている。米国特許第4.71
9.062号には、微小多孔性ポリスル7オン基質層お
よびそれに重ねられたポリアミド層から戊る選択浸透性
をもった多層膜が記載されており、該ポリアミド層は芳
香族ジアミンおよびトリメソイルクロリドまたはシクロ
ヘキサン−1.3.5−トリカルポニルクロロドからつ
くられ、随時最高50%のテレフタロイルクロリドまた
はインフタロイル,クロリドのいずれかを含んでいる。
キャドット(Cadatta)の米国特許第4.277
.344号には、微小多孔性ボリスル7オン基質層およ
びそれに重ねられた芳香族トリ酸ハライドおよび芳香族
ジアミンからつくられたポリアミド層から或る選択浸透
性をもった多層膜が記載されている。スカラ(Scal
a)等の米国特許第3,744.642号には、一つの
層が多孔性の基質であり、それと直接接触した層がポリ
アミド、ポリフェニルエーテルまたはポリスルフォンア
ミドである多層膜が記載されている。ウエイランド(W
eyland)の米国特許第3.649,687号には
、交叉結合剤である!.3.5−シクロヘキサントリイ
ソシアネートの製造に1.3.5−シクロヘキサントリ
カルボニルクロロドを使用することが記載されている。
.344号には、微小多孔性ボリスル7オン基質層およ
びそれに重ねられた芳香族トリ酸ハライドおよび芳香族
ジアミンからつくられたポリアミド層から或る選択浸透
性をもった多層膜が記載されている。スカラ(Scal
a)等の米国特許第3,744.642号には、一つの
層が多孔性の基質であり、それと直接接触した層がポリ
アミド、ポリフェニルエーテルまたはポリスルフォンア
ミドである多層膜が記載されている。ウエイランド(W
eyland)の米国特許第3.649,687号には
、交叉結合剤である!.3.5−シクロヘキサントリイ
ソシアネートの製造に1.3.5−シクロヘキサントリ
カルボニルクロロドを使用することが記載されている。
米国特許第4.520.044号および同第4.529
.646号には、微小多孔性ボリスルフオン基質層およ
び!.3.5−シクロヘキサントリ力ルポニルクロロド
およびジアミンからつくられたポリアミド層から或る選
択浸透性をもった多層膜が記載されている。
.646号には、微小多孔性ボリスルフオン基質層およ
び!.3.5−シクロヘキサントリ力ルポニルクロロド
およびジアミンからつくられたポリアミド層から或る選
択浸透性をもった多層膜が記載されている。
米国特許第4.626.468号には、微小多孔性ポリ
スルフオン基質層およびポリアミド層から戊る選択浸透
性をもった多層膜が記載されており、該ポリアミド層は
芳香族ジアミンからつくられ、重合した酸クロリドに関
しトリメソイルクロリドから誘導された反復単位がlO
〜80重量%、シクロヘキサン−1.3.5− 1−リ
カルボニルクロロドから誘導された反復単位が90〜1
5重量%およびイソフタロイルクロリド、テレフタロイ
ルクロリドまたはそれらの混合物から誘導された反復単
位が最高40重量%存在している。
スルフオン基質層およびポリアミド層から戊る選択浸透
性をもった多層膜が記載されており、該ポリアミド層は
芳香族ジアミンからつくられ、重合した酸クロリドに関
しトリメソイルクロリドから誘導された反復単位がlO
〜80重量%、シクロヘキサン−1.3.5− 1−リ
カルボニルクロロドから誘導された反復単位が90〜1
5重量%およびイソフタロイルクロリド、テレフタロイ
ルクロリドまたはそれらの混合物から誘導された反復単
位が最高40重量%存在している。
米国特許第4,783.346号には、微小多孔性の基
質の上にポリアミドを界面重合させてつくられた逆浸透
法用の膜が記載されている。この方法では微小多孔性の
基質に先ず1〜2個の環をもつ芳香族ジアミンを1−1
0重量%含む溶液を被覆し、次いでアシルクロリドを含
む分子1個当たり平均2.2〜4個のアシルクロリド基
を有するアシルクロリド混合物を第lの溶媒と混合し得
る溶媒中に含む溶液を被覆する。このようにして異なっ
たアシルクロリドの溶液を基質に被覆する。この第2の
溶液中の個々のアシルクロリドは2.2〜4個のアシル
クロリド基が炭素数4〜l2の脂肪族アルキレン基また
は環を1〜2個有する炭素数6〜l4の芳香族または脂
環式の基に結合していることができる。
質の上にポリアミドを界面重合させてつくられた逆浸透
法用の膜が記載されている。この方法では微小多孔性の
基質に先ず1〜2個の環をもつ芳香族ジアミンを1−1
0重量%含む溶液を被覆し、次いでアシルクロリドを含
む分子1個当たり平均2.2〜4個のアシルクロリド基
を有するアシルクロリド混合物を第lの溶媒と混合し得
る溶媒中に含む溶液を被覆する。このようにして異なっ
たアシルクロリドの溶液を基質に被覆する。この第2の
溶液中の個々のアシルクロリドは2.2〜4個のアシル
クロリド基が炭素数4〜l2の脂肪族アルキレン基また
は環を1〜2個有する炭素数6〜l4の芳香族または脂
環式の基に結合していることができる。
米国特許第4.643.829号には、多孔性の基質と
ポリ(m−7ェニレンシク口ヘキサン−1.3.5−
} !J カルポキシアミド)からつくられた層から成
る逆浸透用の多層膜が記載されている。
ポリ(m−7ェニレンシク口ヘキサン−1.3.5−
} !J カルポキシアミド)からつくられた層から成
る逆浸透用の多層膜が記載されている。
本発明によれば微小多孔性基質層、および備−フェニレ
ンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5−}リカルポ
ニルクロリドおよび脂環式または芳香族ジアシルクロリ
ドのいずれかとから誘導された該基質層の上に重ねられ
たポリアミド共重合体から或る多層膜が提供される。
ンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5−}リカルポ
ニルクロリドおよび脂環式または芳香族ジアシルクロリ
ドのいずれかとから誘導された該基質層の上に重ねられ
たポリアミド共重合体から或る多層膜が提供される。
好適な具体化例においては、微小多孔性の基質はポリス
ノレ7オンであり、ポリスノレフオンの細孔の平均の大
きさは直径が約20旧以下である。使用した基質を試験
したが、l00nmより大きな細孔は検出されなかった
。電子S微鏡写真によれば、直径が5またはl Onm
より大きなものは殆どないことが示された。
ノレ7オンであり、ポリスノレフオンの細孔の平均の大
きさは直径が約20旧以下である。使用した基質を試験
したが、l00nmより大きな細孔は検出されなかった
。電子S微鏡写真によれば、直径が5またはl Onm
より大きなものは殆どないことが示された。
本発明の膜を製造する便利な方法は界面縮重合法、即ち
ポリスルフオン基質を惜一7ェニレンジアミンの溶液と
接触させた後、ポリスルフオン基質を使用すべき酸クロ
リドの溶液と接触させる方法である。反応は拡散制御型
であり自己終結性をもっているために、この方法により
非常に薄いフィルムが得られる。
ポリスルフオン基質を惜一7ェニレンジアミンの溶液と
接触させた後、ポリスルフオン基質を使用すべき酸クロ
リドの溶液と接触させる方法である。反応は拡散制御型
であり自己終結性をもっているために、この方法により
非常に薄いフィルムが得られる。
本発明の膜においては微小多孔性の基質は厚さが通常約
0.5〜5ミルであり、ポリアミド共重合体層は厚さが
通常約20〜200nmである。
0.5〜5ミルであり、ポリアミド共重合体層は厚さが
通常約20〜200nmである。
この種の複合膜を製造するのに必要な条件はキャドット
の米国特許第4,277.344号、またはサンデット
(Sundat)の米国特許第4.719.062号ま
たは同第4,529.646号に例示されている。この
方法は実質的に下記に記載する数個の工程から戊ってい
る。
の米国特許第4,277.344号、またはサンデット
(Sundat)の米国特許第4.719.062号ま
たは同第4,529.646号に例示されている。この
方法は実質的に下記に記載する数個の工程から戊ってい
る。
平均細孔直径が20nmより小さい微小多孔性の基質を
つくる。これはジメチル7才ルムアミドの15%溶液か
ら注形されたポリスルフオンを直ちに水中で急冷し、ポ
リスルフオンを沈澱させ溶媒を抽出することにより行わ
れる。これらの膜の品質が適当なものであるかどうかは
、一定プログラムに従って窒素で加圧し最高200ps
iにおいて通過する窒素の量が非常に少ないことを検
査することにより行うことが便利である。
つくる。これはジメチル7才ルムアミドの15%溶液か
ら注形されたポリスルフオンを直ちに水中で急冷し、ポ
リスルフオンを沈澱させ溶媒を抽出することにより行わ
れる。これらの膜の品質が適当なものであるかどうかは
、一定プログラムに従って窒素で加圧し最高200ps
iにおいて通過する窒素の量が非常に少ないことを検
査することにより行うことが便利である。
次にこの基質(乾燥して貯蔵したもの、或いは新しくつ
くった湿ったもの)に、濃度0.5〜10%、好ましく
は1〜3%の芳香族ジアミン水溶液を被覆し、水切り、
ロール掛けまたはスポンジで拭き取るような方法で表面
から過剰の溶液を除去する。
くった湿ったもの)に、濃度0.5〜10%、好ましく
は1〜3%の芳香族ジアミン水溶液を被覆し、水切り、
ロール掛けまたはスポンジで拭き取るような方法で表面
から過剰の溶液を除去する。
得られた複合体の使用特性に対しジアミンの濃度は重要
な因子である。ジアミン濃度が低すぎると一定の流量に
おいて塩を除去する特性が低くなる。
な因子である。ジアミン濃度が低すぎると一定の流量に
おいて塩を除去する特性が低くなる。
ジアミン濃度が高すぎると流量が低下する。
必要に応じ0.1−10重量%、好ましくは0.5〜5
重量%、最も好ましくは1〜3重量%の芳香族ジアミン
を含む水溶液中で注形したポリスルフオンを急冷する。
重量%、最も好ましくは1〜3重量%の芳香族ジアミン
を含む水溶液中で注形したポリスルフオンを急冷する。
この方法により水で急冷した後ジアミンを被覆する上記
二工程で得られる複合膜よりも優れた複合膜が得られる
場合が多い。
二工程で得られる複合膜よりも優れた複合膜が得られる
場合が多い。
次に被覆した基質を、商品名フレオン(Freon)’
37Fの液体クロロ7ルオロ炭素、またはヘキサン、或
いはこれらの混合物中に混合酸クロリドを含む溶液に室
温において5〜90秒、好ましくはlO〜35秒浸漬す
る(上記溶媒はボリスル7オン基質の微小多孔性構造に
悪影響を及ぼさない)。ポリアミドが生威し、最初光沢
をもっていた基質の表面に曇り仕上げが生じる。
37Fの液体クロロ7ルオロ炭素、またはヘキサン、或
いはこれらの混合物中に混合酸クロリドを含む溶液に室
温において5〜90秒、好ましくはlO〜35秒浸漬す
る(上記溶媒はボリスル7オン基質の微小多孔性構造に
悪影響を及ぼさない)。ポリアミドが生威し、最初光沢
をもっていた基質の表面に曇り仕上げが生じる。
得られた複合体を次に温度20〜100℃、好ましくは
50〜70℃で5〜180秒間、好ましくは15〜60
秒間乾燥し、表面のポリアミドをポリスルフオン基質に
接着させる。
50〜70℃で5〜180秒間、好ましくは15〜60
秒間乾燥し、表面のポリアミドをポリスルフオン基質に
接着させる。
残留したジアミンおよび反応の副戊物は水中でソーキン
グするか、或いは好ましくは複数の低級アルカノール溶
液でソーキングした後に水でソーキングして抽出する。
グするか、或いは好ましくは複数の低級アルカノール溶
液でソーキングした後に水でソーキングして抽出する。
これは温度20〜70℃で行うことが適当である。
本発明はシクロヘキサン−1.3.5− トリ力ルポニ
ルクロリドと種々の二官能性環式酸クロリドとの混合物
を用いてつくられたポリアミドの排除層が2.20〜2
.40個の範囲の官能基をもっている場合に塩の通過量
が最小になるという発見に基礎を置いている。テレ7タ
ロイルクロリドを含む共重合体に対する好適なアシルク
ロリド官能基の数は2.23〜2.30である。イソフ
タロイルクロリドを含む共重合体に対する好適なアシル
クロリド官能基の数は2.23〜2.38である。これ
よりも官能基の数が多いと流量定数は大きくなるが脱塩
率は幾分低下する傾向があり、官能基の数が少ないと脱
塩性は決定的に低下する。従って上記値が好適な組成範
囲である。(ここで官能基の数とは反応溶液中に存在す
る二官能性および三官能性アシルクロリド混合物のアシ
ルクロリド反応原料1分子当たりのカルポニルクロリド
基の見掛けの平均の数である。)ポリアミド界面重合法
により複合膜上に脱塩層をつくる場合の最も重要な因子
は、反応原料の濃度の他には次のものがある。
ルクロリドと種々の二官能性環式酸クロリドとの混合物
を用いてつくられたポリアミドの排除層が2.20〜2
.40個の範囲の官能基をもっている場合に塩の通過量
が最小になるという発見に基礎を置いている。テレ7タ
ロイルクロリドを含む共重合体に対する好適なアシルク
ロリド官能基の数は2.23〜2.30である。イソフ
タロイルクロリドを含む共重合体に対する好適なアシル
クロリド官能基の数は2.23〜2.38である。これ
よりも官能基の数が多いと流量定数は大きくなるが脱塩
率は幾分低下する傾向があり、官能基の数が少ないと脱
塩性は決定的に低下する。従って上記値が好適な組成範
囲である。(ここで官能基の数とは反応溶液中に存在す
る二官能性および三官能性アシルクロリド混合物のアシ
ルクロリド反応原料1分子当たりのカルポニルクロリド
基の見掛けの平均の数である。)ポリアミド界面重合法
により複合膜上に脱塩層をつくる場合の最も重要な因子
は、反応原料の濃度の他には次のものがある。
(a)酸クロリド官能基の数。これによって交叉結合し
たポリアミド・ゲルが生じ溶液から分離する時間と変化
率(ポリアミドの生戒における)が大部分決定される。
たポリアミド・ゲルが生じ溶液から分離する時間と変化
率(ポリアミドの生戒における)が大部分決定される。
(b)反応原料の他の構造的な特徴(幾何学的形状等)
。これによってこのような複合体をつくる際に通常使用
される溶解度の少ない溶媒中におけるポリアミドの一時
的な溶解度が決定される。
。これによってこのような複合体をつくる際に通常使用
される溶解度の少ない溶媒中におけるポリアミドの一時
的な溶解度が決定される。
シクロヘキサントリカルポニルクロリドを環式のジ酸ク
ロリドで変性することにより得られる利点は、沈澱する
ポリアミドの形状的な変化によって賓されることは極め
て明らかであるが、この変化が分岐度の減少によって得
られるか、ポリアミド鎖の溶解度が増加することによる
のか、或いは最終的なポリアミド中においてカルボキシ
ル基の濃度が低下することによるのかは明確には判って
いない。或る特定のジ酸ジクロリドに対して最適な値よ
り低い平均的な官能基の数においては、ポリアミド沈着
物の脱塩性は急激に低下し始める。
ロリドで変性することにより得られる利点は、沈澱する
ポリアミドの形状的な変化によって賓されることは極め
て明らかであるが、この変化が分岐度の減少によって得
られるか、ポリアミド鎖の溶解度が増加することによる
のか、或いは最終的なポリアミド中においてカルボキシ
ル基の濃度が低下することによるのかは明確には判って
いない。或る特定のジ酸ジクロリドに対して最適な値よ
り低い平均的な官能基の数においては、ポリアミド沈着
物の脱塩性は急激に低下し始める。
これは単に分岐機能が失われる効果であろう。
少ししか変性しない場合(官能基の数2.81〜2.5
3で15〜40%)、環式二官能性酸クロリドの主な効
果は膜の流量を増加させることであり、しばしば塩の通
過量も増加する。しかし50〜75%(官能基の数2.
43〜2.20)では、(環式二宮能性酸クロリドを使
用すると)流量は減少し、塩の通過量は増加する。75
%(官能基の数2.20の環式二官能性酸クロリドを使
用)では塩の通過量および流量の両方が増加して系は劣
化し始め、これは約80%(官能基の数2.16)にお
いて明瞭になる。
3で15〜40%)、環式二官能性酸クロリドの主な効
果は膜の流量を増加させることであり、しばしば塩の通
過量も増加する。しかし50〜75%(官能基の数2.
43〜2.20)では、(環式二宮能性酸クロリドを使
用すると)流量は減少し、塩の通過量は増加する。75
%(官能基の数2.20の環式二官能性酸クロリドを使
用)では塩の通過量および流量の両方が増加して系は劣
化し始め、これは約80%(官能基の数2.16)にお
いて明瞭になる。
ポリアミド層をつくるポリアミド界面重合法によって種
々の条件が大体において決定される。適当な温度はθ℃
ないし使用溶媒の沸点であり、適当な圧力は大気圧付近
であり、反応時間は5〜100秒である。ジ酸クロリド
の置換基はポリアミド重合反応を妨害するものであって
はならない。
々の条件が大体において決定される。適当な温度はθ℃
ないし使用溶媒の沸点であり、適当な圧力は大気圧付近
であり、反応時間は5〜100秒である。ジ酸クロリド
の置換基はポリアミド重合反応を妨害するものであって
はならない。
実施例
実施例1
m−フェニレンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5
−トリ力ルポニルクロリドおよびテレフタロイルクロリ
ドとのポリアミド共重合体。
−トリ力ルポニルクロリドおよびテレフタロイルクロリ
ドとのポリアミド共重合体。
分子量約35,000のビスフェノールAおよびp.p
−ジルロロジフェニルスル7オンからつ<ラレタホリ
スルフオン、ユーデル(Udel) P3500をl6
%、ギャファック(Gafac) RE610 (複雑
な有機燐酸エステルからつくられた遊離酸の表面活性剤
)を0.2%、および水を0.6%含むN,N−ジメチ
ルフォルムアミド溶液を、6ミル(0.15mm)に設
定したガードナー・ナイフ(Gardner knif
e)でガラス板の上に注形し、脱イオン水中で直ちに急
冷し、3分間脱イオン水で抽出した後、下記第1表記載
の濃度で3分間m−フ二二レンジアミン水溶液を被覆す
る。このようにして得られた微小多孔性基質は比較的滑
らかな表面を示し、細孔の直径は電子lI微鏡で検査し
て20nmより小さかった。これよりも大きな細孔(直
径がl00nl+より大きいもの)は脱塩作用に悪影響
を及ぼすが、顕微鏡では発見が困難である。その出現頻
度は窒素ガスを湿った基質に強制的に通し、ガスの圧力
を徐々に(lpsi/秒)最高200ps iまで上げ
て窒素の通過量を測定することにより定性的に評価した
。基質の面積が5001の場合、この試験でN2の量は
lQ+m(2より、好ましくは5mnより少なかった。
−ジルロロジフェニルスル7オンからつ<ラレタホリ
スルフオン、ユーデル(Udel) P3500をl6
%、ギャファック(Gafac) RE610 (複雑
な有機燐酸エステルからつくられた遊離酸の表面活性剤
)を0.2%、および水を0.6%含むN,N−ジメチ
ルフォルムアミド溶液を、6ミル(0.15mm)に設
定したガードナー・ナイフ(Gardner knif
e)でガラス板の上に注形し、脱イオン水中で直ちに急
冷し、3分間脱イオン水で抽出した後、下記第1表記載
の濃度で3分間m−フ二二レンジアミン水溶液を被覆す
る。このようにして得られた微小多孔性基質は比較的滑
らかな表面を示し、細孔の直径は電子lI微鏡で検査し
て20nmより小さかった。これよりも大きな細孔(直
径がl00nl+より大きいもの)は脱塩作用に悪影響
を及ぼすが、顕微鏡では発見が困難である。その出現頻
度は窒素ガスを湿った基質に強制的に通し、ガスの圧力
を徐々に(lpsi/秒)最高200ps iまで上げ
て窒素の通過量を測定することにより定性的に評価した
。基質の面積が5001の場合、この試験でN2の量は
lQ+m(2より、好ましくは5mnより少なかった。
柔らかいスポンジ・ゴムのローラを掛けて表面の液滴を
除去した後、被覆したポリスルフオンの基質をフレオン
TF(1.1 .2− トリクロロー1.2.2−トリ
プルオロエタン)中に酸クロリドを下記tJl表記載の
濃度で含む溶液に浸漬する。15秒浸漬した後、5秒間
膜の水切りを行い、lO秒間フレオンTF中で濯ぎ、空
気中で5分間乾燥する。25℃において15%エタノー
ル水溶液で5分間抽出し、lO%エタノール水溶液で4
5℃において5分間、5%エタノール水溶液で65℃に
おいて5分間、さらに80℃において水中で5分間抽出
した後、脱イオン水中に貯蔵する。その透過特性は、予
め1時間15%のエタノール溶液を70〜80psi(
483〜552 kPa)で吹き付けた後、標準設計の
磁気撹拌試験槽を用いて決定した。
除去した後、被覆したポリスルフオンの基質をフレオン
TF(1.1 .2− トリクロロー1.2.2−トリ
プルオロエタン)中に酸クロリドを下記tJl表記載の
濃度で含む溶液に浸漬する。15秒浸漬した後、5秒間
膜の水切りを行い、lO秒間フレオンTF中で濯ぎ、空
気中で5分間乾燥する。25℃において15%エタノー
ル水溶液で5分間抽出し、lO%エタノール水溶液で4
5℃において5分間、5%エタノール水溶液で65℃に
おいて5分間、さらに80℃において水中で5分間抽出
した後、脱イオン水中に貯蔵する。その透過特性は、予
め1時間15%のエタノール溶液を70〜80psi(
483〜552 kPa)で吹き付けた後、標準設計の
磁気撹拌試験槽を用いて決定した。
0.2%の塩化ナトリウムおよび殺菌剤としての0.0
2%ナトリウムアジドを含む供給溶液を用い供給圧力2
25psi(1551 kPa)で測定を行った。下記
のデータはすべて16〜22時間操作した後に得られた
値である。
2%ナトリウムアジドを含む供給溶液を用い供給圧力2
25psi(1551 kPa)で測定を行った。下記
のデータはすべて16〜22時間操作した後に得られた
値である。
下記表においてMPDはm−フェニレンジアミンを、H
TMesC1はシクロヘキサン−1.3.5− トリ力
ルボニルクロリドを、比はHTMesC 1対使用した
二宮能性ア?ルクロリドの重量比を、Fnclはアシル
クロリド1分子当たりのアシルクロリド基の平均の数で
ある官能基の数を、%SPは塩の通過率(%単位)を表
す。Kwは式Kw ■流量/実効圧力(a+/s/TP
a単位)により決定される。
TMesC1はシクロヘキサン−1.3.5− トリ力
ルボニルクロリドを、比はHTMesC 1対使用した
二宮能性ア?ルクロリドの重量比を、Fnclはアシル
クロリド1分子当たりのアシルクロリド基の平均の数で
ある官能基の数を、%SPは塩の通過率(%単位)を表
す。Kwは式Kw ■流量/実効圧力(a+/s/TP
a単位)により決定される。
第1表
1−a 1−4 0.16
1−b # 0.096
1−c # 0.080
1−d # 0.064
100/0
0.064 60/40
0.080 50/50
0.096 40/60
1−e # 0.056
1−f # 0.048
1−g tt O.040
1−h # 0.032
0.104
0.112
0.120
0.128
35/65
30/70
25/75
20/80
1−i 1.7 0.064 0.09640
/60 0.056 0.104 35/650.048
0.112 30/701−1 0.040 0.120 25/75 3.00 2.52/8.83 2.53 2.33/9.75 2.43 1.68/8.’l9 2.33 2.63/8.08 1.81/8.53 2,29 1.78/7.40 2.24 1.76/7.05 2.20 1.96/6.58 2.16 4.19/6.18 2.75/6.63 2.33 2.85/8.00 1.96/7.70 2.29 2.05/7.40 2.24 3.38/6.63 1.81/6.95 2.20 2.31/6.36 1−m 2.0 0.080 0.080
50/50 2−43 3−30/7.721
−n N O.056 0.104 3
5/65 2.29 2.09/7.081−
o 1F 0.048 0.112 3
0/70 2.24 1.76/6.751−
p tt O.032 0.128 2
0/80 2.16 2.19/6.68実施
例2 m−フ二二レンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5
一トリ力ルポニルクロリドおよびイソフタロイルクロリ
ドとのポリアミド共重合体。
/60 0.056 0.104 35/650.048
0.112 30/701−1 0.040 0.120 25/75 3.00 2.52/8.83 2.53 2.33/9.75 2.43 1.68/8.’l9 2.33 2.63/8.08 1.81/8.53 2,29 1.78/7.40 2.24 1.76/7.05 2.20 1.96/6.58 2.16 4.19/6.18 2.75/6.63 2.33 2.85/8.00 1.96/7.70 2.29 2.05/7.40 2.24 3.38/6.63 1.81/6.95 2.20 2.31/6.36 1−m 2.0 0.080 0.080
50/50 2−43 3−30/7.721
−n N O.056 0.104 3
5/65 2.29 2.09/7.081−
o 1F 0.048 0.112 3
0/70 2.24 1.76/6.751−
p tt O.032 0.128 2
0/80 2.16 2.19/6.68実施
例2 m−フ二二レンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5
一トリ力ルポニルクロリドおよびイソフタロイルクロリ
ドとのポリアミド共重合体。
ユーデルP3500を16%、ギヤファックRE6 1
0を0.2%、および水を0.6%含むN,N−ジメチ
ルフォルムアミド溶液を、6ミル(0.15mm)に設
定したガードナー・ナイフでガラス板の上に注形し、脱
イオン水中で23〜25℃で急冷する。このようにして
得られた微小多孔性基質を脱イオン水中で3分間抽出し
、次いで恒−フェニレンジアミンの1.4%水溶液中で
ソーキングする。柔らかいスポンジ・ゴムのローラを掛
けて被覆した基質の表面の液滴を除去した後、フレオン
TF中に酸クロリドを下記第2表記載の濃度で含む溶液
にl5秒間浸漬する。5〜6秒間膜の水切りを行い、1
0秒間シクロヘキサン−1.3,5−トリカルボニルク
ロリドの0.02w/v%溶液に浸漬し、最後に5分間
実験室の空気中で乾燥した。
0を0.2%、および水を0.6%含むN,N−ジメチ
ルフォルムアミド溶液を、6ミル(0.15mm)に設
定したガードナー・ナイフでガラス板の上に注形し、脱
イオン水中で23〜25℃で急冷する。このようにして
得られた微小多孔性基質を脱イオン水中で3分間抽出し
、次いで恒−フェニレンジアミンの1.4%水溶液中で
ソーキングする。柔らかいスポンジ・ゴムのローラを掛
けて被覆した基質の表面の液滴を除去した後、フレオン
TF中に酸クロリドを下記第2表記載の濃度で含む溶液
にl5秒間浸漬する。5〜6秒間膜の水切りを行い、1
0秒間シクロヘキサン−1.3,5−トリカルボニルク
ロリドの0.02w/v%溶液に浸漬し、最後に5分間
実験室の空気中で乾燥した。
25℃において15%エタノール水溶液で5分間抽出し
、10%エタノール水溶液で45℃において5分間、5
%エタノール水溶液で65℃において5分間、さらに8
0℃において水中で5分間抽出した。これを0.2%の
塩化ナトリウムおよび殺菌剤としてのナトリウムアジド
を含む供給溶液を用い供給圧力225ps iにおいて
標準設計の磁気撹拌試験槽を用いて試験した。下記表に
おいて透過特性は塩の通過百分率および流量定数として
表され、Kwはm/秒/テラパスカル単位で与えられる
。第2および3表においてICIはイソフタロイルクロ
リドを表す。
、10%エタノール水溶液で45℃において5分間、5
%エタノール水溶液で65℃において5分間、さらに8
0℃において水中で5分間抽出した。これを0.2%の
塩化ナトリウムおよび殺菌剤としてのナトリウムアジド
を含む供給溶液を用い供給圧力225ps iにおいて
標準設計の磁気撹拌試験槽を用いて試験した。下記表に
おいて透過特性は塩の通過百分率および流量定数として
表され、Kwはm/秒/テラパスカル単位で与えられる
。第2および3表においてICIはイソフタロイルクロ
リドを表す。
第2表
2−a O.080 0.080 50/5
0 2.43 1.13/8.022−b O
.064 0.Q96 40/60 2.33
0.88/6.922−c O.048
0.112 30/70 2.24 1.22/
6.082−d O.032 0.128
20/80 2.16 12.14/4.71同じ
方法を用いたが最後の抽出を80℃ではなく75゜Cで
行ってつくった他の膜を異なった時間間隔で試験したが
、一致した結果を得た。
0 2.43 1.13/8.022−b O
.064 0.Q96 40/60 2.33
0.88/6.922−c O.048
0.112 30/70 2.24 1.22/
6.082−d O.032 0.128
20/80 2.16 12.14/4.71同じ
方法を用いたが最後の抽出を80℃ではなく75゜Cで
行ってつくった他の膜を異なった時間間隔で試験したが
、一致した結果を得た。
実施例3
m−フェニレンジアミンとシクロヘキサン−1.3.5
一トリ力ルポニルクロリドおよびシクロヘキサンー1.
4−ジカルポニルクロリドとのポリアミド共重合体。
一トリ力ルポニルクロリドおよびシクロヘキサンー1.
4−ジカルポニルクロリドとのポリアミド共重合体。
上記実施例と同様にしてつくった基質に、1.6%のM
PDを25°Cにおい3分間被覆した後、柔らかいスポ
ンジ・ゴムのロールを掛けて表面の液滴を除去する。こ
れを下記第4表記載のようなHTMesC1とシクロヘ
キサン−1.4−ジカノレボニノレクロリド(トランス
異性体)との混合物と15秒間反応させ、次いで0.0
2w/v%のHT)JesCIとIO秒間反応させた後
、5分間実験室の空気中で乾燥した。上記実施例と同様
にして抽出を行った後、標準的な手順に従って膜の試験
を行い、次のような22時間後の結果を得た。
PDを25°Cにおい3分間被覆した後、柔らかいスポ
ンジ・ゴムのロールを掛けて表面の液滴を除去する。こ
れを下記第4表記載のようなHTMesC1とシクロヘ
キサン−1.4−ジカノレボニノレクロリド(トランス
異性体)との混合物と15秒間反応させ、次いで0.0
2w/v%のHT)JesCIとIO秒間反応させた後
、5分間実験室の空気中で乾燥した。上記実施例と同様
にして抽出を行った後、標準的な手順に従って膜の試験
を行い、次のような22時間後の結果を得た。
第4表
5−a O.120 0.032 79/5
2 2.74 3.37/8.945−b O
.080 0.065 55/45 2.49
2.28/10.755−c O.064
0.077 45/55 2.39 2.01
/16.455−d O.048 0.090
35/65 2.29 1.76/9.86本発
明の主な特徴及び態様は次の通りである。
2 2.74 3.37/8.945−b O
.080 0.065 55/45 2.49
2.28/10.755−c O.064
0.077 45/55 2.39 2.01
/16.455−d O.048 0.090
35/65 2.29 1.76/9.86本発
明の主な特徴及び態様は次の通りである。
1、微小多孔性基質層、およびm−フェニレンジアミン
から誘導された単位およびシクロヘキサン−1.3.5
−1−リカルポニルクロリド、並びにイソフタ口イルク
ロリド、テレ7タ口イルクロリドまたはシクロヘキサリ
ンカルボニルジクロリドのいずれかから誘導された単位
から実質的に成りアシルクロリドの平均の官能基の数が
2.20〜2.40である該基質層に重ねられたポリア
ミド共重合体から戊る逆浸透用多層膜。
から誘導された単位およびシクロヘキサン−1.3.5
−1−リカルポニルクロリド、並びにイソフタ口イルク
ロリド、テレ7タ口イルクロリドまたはシクロヘキサリ
ンカルボニルジクロリドのいずれかから誘導された単位
から実質的に成りアシルクロリドの平均の官能基の数が
2.20〜2.40である該基質層に重ねられたポリア
ミド共重合体から戊る逆浸透用多層膜。
2.微小多孔性の層の細孔の平均直径は20nmより小
さい上記第1項記載の膜。
さい上記第1項記載の膜。
3.ポリアミド共重合体層は界面縮重合法により微小多
孔性の層の上にその場でつくられる上記第2項記載の膜
。
孔性の層の上にその場でつくられる上記第2項記載の膜
。
46二官能性のアシルクロリドがテレフタロイルクロリ
ドである上記第3項記載の膜。
ドである上記第3項記載の膜。
5.アシルクロリドの平均の官能基の数が2.23〜2
.30である上記第4項記載の膜。
.30である上記第4項記載の膜。
6.二官能性のアシルクロリドがイソフタロイルクロリ
ドである上記第3項記載の膜。
ドである上記第3項記載の膜。
7.アシルクロリドの平均の官能基の数が2.23〜2
.38である上記第4項記載の膜。
.38である上記第4項記載の膜。
8.二官能性のアシルクロリドがシクロヘキサンジアシ
ルクロリドである上記第4項記載の膜。
ルクロリドである上記第4項記載の膜。
9.二官能性のシクロヘキサンジアシルクロリドがシク
ロヘキサンジ−1.4−ジカルポニルクロリドである上
記第8項記載の膜。
ロヘキサンジ−1.4−ジカルポニルクロリドである上
記第8項記載の膜。
む{}φ
Claims (1)
- 1、微小多孔性基質層、並びにm−フェニレンジアミン
から誘導された単位とシクロヘキサン−1,3,5−ト
リカルボニルクロリド、およびイソフタロイルクロリド
、テレフタロイルクロリドまたはシクロヘキサリンカル
ボニルジクロリドのいずれかから誘導された単位から実
質的に成りアシルクロリドの平均の官能基の数が2.2
0〜2.40である該基質層に重ねられたポリアミド共
重合体から成ることを特徴とする逆浸透用多層膜。
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|---|---|---|---|
| US401380 | 1982-07-23 | ||
| US341037 | 1989-04-20 | ||
| US07/341,037 US5015382A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Microporous support layer with interfacially polymerized copolyamide membrane thereon |
| US07/401,380 US5015380A (en) | 1989-04-20 | 1989-08-31 | Microporous support layer with interfacially polymerized copolyamide membrane thereon |
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|---|---|
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| JP (1) | JPH0321335A (ja) |
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| CN113069922A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-07-06 | 北京碧水源分离膜科技有限公司 | 一种表面图灵结构可控的纳滤膜制备方法 |
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-
1990
- 1990-04-17 JP JP2099474A patent/JPH0321335A/ja active Pending
- 1990-04-18 CA CA002014802A patent/CA2014802A1/en not_active Abandoned
- 1990-04-19 EP EP19900304208 patent/EP0394038A3/en not_active Withdrawn
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| EP0394038A2 (en) | 1990-10-24 |
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