JPH03214080A - Ｌｓｉデバイス評価システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ＬＳＩデバイスの評価試験に使用されるＬＳ
Ｉデバイス評価システムに関する。

〈従来の技術〉 ＬＳＩデバイスの設計においては、設計された論理回路
の動作を確認するために、コンピュータを使用した回路
シミュレーションが行われている。

回路シミュレーションを経て試作されたＬＳ［デバイス
は、テスターによる試験を受け、回路シミュレーション
による解析結果との調整が図られる。

このようなＬＳＩデバイスの評価作業においては、テス
ターと回路シミュレーターとが使用される。テスターと
しては、最近は、電子ビームを利用して無負荷のブロー
ビングを行うＥＢテスターが多用されている。そして、
ＥＢテスターと回路シミュレーターとを同時に動作させ
、ＥＢテスターによる一定時間毎の実測結果に、回路シ
ミュレーションによる解析結果を対比させて行く。［１
路シミユレーシヨンデータとしては、回路シミュレーシ
ョンプログラムが内部で解析したデータを基にして出力
される一定時間毎のデータが用いられる。

〈発明が解決しようとする課題〉 回路シミュレーターから一定時間毎に解析データが出力
されることにより、ＥＢテスターによる実測結果と回路
シミュレーションによる解析結果との対比が可能になる
が、回路シミュレーションによる解析時間は一定ではな
い。つまり、ＬＳＩデバイス各部の過渡特性によって、
その解析に必要な時間が異なり、一般には、重要度の高
い部分はど解析時間は長くなる。それにもかかわらず、
回路シミュレーターから一定時間毎に解析データが出力
される従来の比較評価法では、重要度の高い部分で充分
な解析が行われないという問題が生じる。

すなわち、回路シミュレーターの機能として、高精度の
回路シミュレーションを行うことができるにもかかわら
ず、実際は、不充分な解析結果に基づいてＬＳＩデバイ
スの評価が行われることになり、この問題は、むしろ重
要度の高い部分で生じ、ＬＳＩデバイスの評価作業を不
正確なものにしている。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、回路シミュ
レーションによる解析時間間隔に影響されることなく、
高精度の解析結果をテスターによる実測結果に精度よく
対比させることができるＬＳＩデバイス評価システムを
提供することを目的とする。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明にかかる評価システムは、ＬＳＩデバイスの内部
電圧変化を所定の時間間隔で測定するテスターと、回路
シミュレーションの過渡解析により得られたＬＳＩデバ
イスの内部電圧変化についての解析結果を蓄積して、こ
れを任意の時間間隔で出力する蓄積手段と、前記テスタ
ーにより測定される実測結果と蓄積手段より出力される
解析結果を比較する比較手段とを具備したことを特徴と
している。

〈作用〉 回路シミュレーションによる解析結果を蓄積する蓄積手
段を具備し、回路シミュレーション機能を有するので、
テスターによる電圧変化測定の際に、回路シミュレータ
ーを使用する必要性がない。

テスターによる電圧変化測定の際には、その測定間隔に
合わせて、蓄積手段に蓄積された解析結果を出力させる
ことができる。従って、比較開始時刻および比較終了時
刻が一定でありさえすれば、テスターの測定間隔や回路
シミュレーションにおける解析時間間隔に影響されるこ
となく、回路シミュレーションによる解析結果とテスタ
ーによる実測結果とが正確に比較される。しかも、蓄積
手段には、予め充分な時間をかけて解析した高精度な解
析結果を蓄積させることができる。

〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明にかかるＬＳＩデバイス評価システムの一例を
示すブロック図である。

ＬＳＩデバイス評価システムは、ＥＢテスター１０を使
用している。ＥＢテスターＩＯは、ＬＳＩデバイスの内
部配線を電子ビームにて無負荷プローブすることにより
、配線各所の電圧特性を所定の時間間隔で順に測定して
行く。

ＥＢテスターｌＯにより測定された電圧データは、アナ
ログ／デジタル変換された後、実測結果蓄積部２０に数
値データとして蓄積される。実測結果蓄積部２０に蓄積
された数値データは、グラフデータ変換部３０において
、グラフ表示のためのデータ変換が行われ、グラフファ
イル４０として出力される。

一方、上記ＬＳＩデバイスの設計回路に関しては、その
配線各所の電圧特性が過渡解析されており、ＥＢテスタ
ー１０による電圧測定より前に、その全ての解析データ
が数値データとして解析結果蓄積部５０（蓄積手段）に
蓄積される。

そして、ＥＢテスターＩＯによる電圧測定の際には、測
定箇所に対応する解析データがＥＢテスター１０による
測定間隔と同じ時間間隔で解析結果蓄積部５０より出力
される。解析結果蓄積部５０より出力された解析データ
は、グラフデータ変換部６０において、グラフ表示のた
めのデータ変換が行われ、グラフファイル７０として出
力される。

かくして、相対応する電圧データと解析データとが、グ
ラフデータ変換部３０．６０よりグラフファイル４０．
７０として同期的に出力される。グラフデータ変換部３
０．６０より出力されたグラフファイル４０、７０は、
グラフデータ結合部８０（比較手段）において結合され
た後、グラフデータ表示部９ｏでグラフ表示される。

第２図（ａ）はＥＢテスター１ｏによる実測結果をグラ
フ表示したもの、第２図（ｂ）は回路シミュレーション
による解析結果をグラフ表示したもの、第２図（Ｃ）は
ＥＢテスター１０による実測結果と回路シミュレーショ
ンによる解析結果とを結合してグラフ表示したものであ
る。

回路シミュレーションによる全ての解析データが予め解
析結果蓄積部５０（蓄積手段）に蓄積され、ＥＢテスタ
ー１０による測定段階では、相対応する電圧データと解
析データとがグラフデータ変換部３０、６０より同期的
に出力されるので、充分な時間をかけて解析した解析結
果を用いるにもがかわらす、ＥＢテスター１０による実
測結果と回路シミーニレ−ジョンによる解析結果とが同
一グラフ上で正確に比較される。

〈発明の効果〉 以上の説明から明らかなように、本発明のＬＳＩデバイ
ス評価システムによれば、ＬＳＩデバイスの内部配線電
圧が、回路シミュレーションによる解析とは異なる時間
間隔で測定される場合にも、その実測結果と回路シミュ
レーションによる解析結果とが時間ずれなく正確に比較
できる。

また、解析データの算出間隔をテスターの測定間隔に一
致させる必要がなく、充分な時間をかけて過渡解析を行
うことができるので、高精度の解析結果を実測結果に対
比させることができ、ＬＳＩデバイスの評価精度が向上
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる評価システムの一例を示すブロ
ック図、第２図（ａ）はＥＢテスターによる実測結果、
第２図伽）は回路シミニレ−ジョンによる解析結果、第
２図（Ｃ）はＥＢテスターによる実測結果と回路シミュ
レーションによる解析結果との結合データをそれぞれ表
示したグラフである。 １０・・・ＥＢテスター ５０・・・蓄積手段 ８０・・・比較手段

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＬＳＩデバイスの内部電圧変化を所定の時間間隔
   で測定するテスターと、回路シミュレーションの過渡解
   析により得られたＬＳＩデバイスの内部電圧変化につい
   ての解析結果を蓄積して、これを任意の時間間隔で出力
   する蓄積手段と、前記テスターにより測定される実測結
   果と蓄積手段より出力される解析結果を比較する比較手
   段とを具備したことを特徴とするＬＳＩデバイス評価シ
   ステム。