JPH03218027A - ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、ショットキ接合型電界効果トランジスタの製
法に関する。

【従来の技術】

従来、第７図を伴って次に述べるショットキ接合型電界
効果トランジスタが提案されている。 すなわち、例えばＧａＡＳでなる半絶縁性半導体基板２
内の上面側または半絶縁性半導体基板２上に例えばｎ型
を有する半導体能動層３を形成している半導体基板体１
を有する。なお、図においては、半導体能動層３が、半
絶縁性半導体基板２内の上面側に、ｎ型不純物の打込処
理によって形成されている場合が示されている。 また、その半導体基板体１上に、その半導体能動層３と
の間でショットキ接合５を形成しているゲート電極層４
が形成されている。 この場合、ゲート電極層４は、ＷＳ　ｉ　Ｎ，　ＷＳｉ
、ＷＮ，ＷＡＩ、ＴｉＷ、丁Ｉ　Ｎ，ＭＯＳｉ　ｘ　　
（ただし、Ｘは正の数）及びＴａＳ　ｉ中から選ばれた
金属材料でなり、例えばスパッタリングによっていま述
べた金属材料でなる金属層を半導体基板体１上に形成し
、次にその金属層に対するマスク層を用いたエッチング
処理によって形成されている。 さらに、半導体基板体１内に、その半導体能ｖ′Ｊ層３
側から、ゲート電極層４を挟んだ両位置において、半導
体能動層３と同じｎ型を与える不純物イオンの打込処理
、それに続く活性化のための熱アニーリング処理によっ
て形成されたｎ＋型を有するソース領域６及びドレイン
領域７が形成されている。 また、ソース領域６及びドレイン領域７上に、ソース電
極層８及びドレイン電極層９がそれぞれオーミックに付
されている。 以上が、従来提案されているショットキ接合型電界効果
トランジスタの構成である。 このような構成を有するショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタによれば、ソース電極層８及びドレイン電極層
９間に負荷を通じて所要の電源を接続した状態で、ソー
ス電極層８及びゲート電極層４間に制御電圧を印加すれ
ば、半導体基板体１内に、ショットキ接合５から、その
制御電圧に応じた拡がりを有する空乏層が形成されるの
で、負荷に、電源から、制御電圧に応じて制御された電
流を供給させることができ、よって、電界効果トランジ
スタとしての機能を呈する。 また、従来、第７図で上述した従来のショットキ接合型
電界効果トランジスタと同様のショットキ接合型電界効
果トランジスタの製法として、第８図を伴って次に述べ
る方法が提案されている。 第８図において、第７図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。 第８図に示す従来のショットキ接合型電界効果トランジ
スタの製法は、次に述べる順次の工程をとって、第７図
で上述した従来のショットキ接合型電界効果トランジス
タと同様のショットキ接合型電界効果トランジスタを製
造する。 すなわち、平らな上面を有し且つＧａＡＳでなる半絶縁
性半導体基板２を予め用意する（第８図Ａ）。 そして、その上絶縁性半導体基板２内に、その上而側か
ら例えば３ｉイオンでなるｎ型不純物イオンの打込処理
によって、ｎ型を有する半導体能動層３を形成し、よっ
て、半絶縁性半導体基板２内の上面側にｎ型を有する半
導体能動層３を形成している半導体基板体１を得る（第
８図Ｂ）。 次に、半導体基板体１上に、半導体能動層３との間でシ
ョットキ接合５′を形成している金属層４′を、例えば
スパッタリング法によって形成する（第８図Ｃ）。 この場合、金属層４′は、ＷＳｉＮ，ＷＳＷＮ，ＷＡ　
ｌ　、丁ｉＷ，ＴｉＮ、ＭｏＳｉｘｘ及びＴａＳ　ｉ中
から選ばれた金属材料でなる。 次に、金属層４′上に、例えばフォトレジストでなるマ
スク層１１を形成する（第８図Ｄ）。 次に、金属層４′に対するマスク層１１をマスクとする
エッチング処理によって、金属層４のマスク層１１下の
領域によるゲート電極層４を形成する（第８図Ｅ）。 この場合、高周波プラズマエッチング装置を用いる。 その高周波プラズマエッチング装置は、第９図において
２０″ｃ示され、平らな試料載置用面２５ａを有し且つ
導電性を有する試料載置用台２５と、その試料載置用台
２５の試料載置用面２５ａと平行に対向している面２６
ａを有する電極板２６とを配しているエッチング用室２
２を形成し、且つエッチング用室２２内にＳＦ６または
ＣＦ４を主成分とするガスを導入させるためのガス導入
用管２３と、エッチング用室２２内を排気するための排
気用管２４とを導出している容器２１を有する。 また、高周波プラズマエッチング装置２０は、電楊板２
６と試料載置用台２５との間に接続されている高周波源
２７を有する。 そして、ゲート電極層４を形成するためのエッチング処
理を、上述した高周波プラズマエッチング装置２０のエ
ッチング用室２２内に配されている試料載置用台２５の
試料載置用面２５ａ上に、上面上にマスク層１１を形成
している金属層４′を上面に形成している半導体基板体
１を、その半絶縁性半導体基板２を試料載置用面２５ａ
側として配し、その状態で、エッチング用室２２内を排
気用管２４で排気しながら、エッチング用室２２内にガ
ス導入管２３を介してＳＦ　　またはＣＦ４を主成分と
するガスを導６ 人させ、そのガスを高周波電源２７からの高周波電流に
よってプラズマ化し、そのプラズマイオンを、金属層４
′の上面に対し垂直に照射させることによるプラズマエ
ッチング処理としている。 次に、マスク層１１を、金属層４上から除去する（第８
図Ｆ）。 次に、半導体基板体１に対する、ゲート電極層１４をマ
スクとする半導体能動層３と同じｎ型を与える例えばＳ
１イオンでなる不純物イオンの打込処理によって、半導
体基板体１内に、半導体能動層３側から、ゲート電極層
４を挟んだ両位置において、ｎ＋型を有するソース領域
６′及びドレイン領［７’　を形成する（第８図Ｇ）。 次に、半導体基板体１上に、ゲート電極層１４を覆って
延長している保護層１２を形成する（第８図Ｈ）。 この保護層１２は、例えばＳｈＯ　　　ＳＩＮ２ またはＳｉＯｘＹＹ　（ただし、Ｘ及びｙは正の数）で
なり、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成されている
。 次に、例えば温度７００℃〜１　２００℃の熱アニーリ
ング処理によって、ソース領域６′及びドレイン領域７
′を活性化させ、活性化されたソース領域６及びドレイ
ン領域７を得る（第８図Ｉ〉。 次に、半導体基板体１上から、保護層１２を、例えば弗
酸系エッチャントを用いたいわゆるウエットエッチング
処理によって、除去する（第８図Ｊ）。 次に、ソース領域６及びドレイン領域７上に、ソース電
極層８及びトレイン電極層９を付し、第７図で前述した
ショットキ接合型電界効果トランジスタと同様のショッ
トキ接合型電界効果トランジスタを得る（第８図Ｋ）。 以上が、従来のショットキ接合型電界効果トランジスタ
の製法である。 上述した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタ
の製法によって製造されるショットキ接合型電界効果ト
ランジスタ（第８図Ｋ）は、第７図で前述した従来のシ
ョットキ接合型電界効果トランジスタと同様の構成を有
し、従って、第７図で舶述した従来のショットキ接合型
電界効果トランジスタと同様の電界効果トランジスタと
しての機能を呈する。 また、第８図に示す従来のショットキ接合型電界効果ト
ランジスタの製法によれば、上述したところから明らか
なように、上述した電界効果トランジスタとしての機能
を呈するショットキ接合型電界効果トランジスタを、容
易に製造することができる。 また、第８図に示す従来のショットキ接合型電界効果ト
ランジスタの製法の場合、半導体基板体１内に、ゲート
電極層４を挟んだ両位置にソース領域６′及びドレイン
領域７′を形成する工程（第８図Ｇ）の後の、それらソ
ース領域６′及びトレイン領域７′を活性化させる工程
（第８図Ｉ）において、その熱アニーリング処理を、半
導体基板体１上が保護層１２によって覆われている状態
で行っているので、ソース領域６′及びドレイン領域７
′を活性化させる工程（第８図Ｉ）において、半導体基
板体１を構成している半導体材料の元素が不必要に外部
に飛散することがない。 また、金属層４′を形成する工程（第８図Ｃ》において
、その金属層４′を、ＷＳ　ｉ　Ｎ．　ＷＳｉ，ＷＮ，
ＷＡＩ、ＴｉＷ，ＴｉＮ，ＭｏＳ＋８及びｌａ３ｉ中か
ら選ばれた金属材料で形成し、従って、ゲート電極層４
を形成する工程（第８図Ｅ）において形成されるゲート
電極層４が、ＷＳｉＮ，ＷＳｉ，ＷＮ，ＷＡｌ、ＴＷ，
Ｔ　ｉ　Ｎ，ＭＯ３　ｉＸ及びＴａＳｉ中から選ばれた
金属材料でなる。そして、そのような金属材料は、耐熱
性に優れている。 従って、ソース領域６′及びドレイン領域７を活性化す
る工程（第８図Ｉ）において、その熱ア二一リング処理
を、上述したような高い温度で行うことができ、よって
、ソース領域６及びトレイン領域７′を十分活性化させ
ることができる。 さらに、ゲート電極層４を形成する工程（第８図Ｅ）に
おいて、第９図で上述した高周波プラズマエッチング装
＠２０を用い、そして、金属層４′に対するエッチング
処理を、ＳＦ６またはＣＦ４を主成分とするガスのプラ
ズマイオンを金属層４′の上面に対して垂直に照射させ
ることによるプラズマエッチング処理としているので、
ゲート電極層４を、その側面が半導体基板体１の上面と
垂直な面上に延長しているものとして形成することがで
きる。 このため、半導体基板体１上にゲート電極層４を覆って
延長している保護層１２を形成する工程（第８図Ｈ）に
おいて、保護層１２を、半導体基板体１及びゲート電極
層４との間に、ソース領域６′及びドレイン領域７′を
活性化させる王程（第８図■）における熱アニール処理
時に半導体基板体１からそれを構成している半導体材料
の元素が放散されるのを許容するような間隔を生ぜしめ
ることなしに、容易に形成することができる。 また、ゲート電極層４を形成する工程（第８図Ｅ）にお
けるプラズマエッチング処理に用いるプラズマイオンが
、ＳＦ６またはＣＦ４ガスのプラズマ化によって得れる
プラズマイオンであり、そし−（１ＳＦ　　またはＣＦ
４のガスは、６ 容易に入手し得且つ半導体基板休１にほとんど悪影響を
与えない。 以上のことから、第８図に示す従来のショットキ接合型
電界効果トランジスタの製法によれば、ショットキ接合
型電界効果トランジスタを、比較的良好な特性を有する
ものとして、比較的容易に製造することができる。 （発明が解決しようとする課題１ 第８図で上述した従来のショットキ接合聖電界効果トラ
ンジスタの製法において、ゲート電極４を形成する工程
（第８図Ｆ）におけるプラズマエッチング処理は、金属
層４のマスク層１１下の領域が丁度エッチング除去され
た時点で終るのが望ましいが、実際上、それが困難であ
ることから、プラズマエッチング処理を、金属層４のマ
スク層１１下の領域が丁度エッチング除去された時点を
超えた時点で終らせている。 すなわち、いわゆるオーバーエッチングを行っている。 ところで、第８図で上述した従来のショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の場合、ゲート電極層４を形
成する工程（第８図Ｅ）におけるプラズマエッチング処
理に用いるプラズマイオンを、第９図に示すような高周
波プラズマエッチング装置２０を用いて得ているが、そ
のプラズマイオンは、高周波プラズマエッチング装置２
０のエッチング用室２１内を比較的高いガス圧にしなけ
れば得られない。 このことから、ゲート電極層４を形成する工程（第８図
Ｅ）におけるプラズマエッチング処理は、比較的高いガ
ス圧の雰囲気で行われ、このため、プラズマエッチング
処理時、プラズマイオン密度が比較的大であり、よって
、プラズマイオン間の衝突により、金属層４′を照射す
るプラズマイオン中に、金属層４′をその上面に対して
垂直に照射するブ冫ズマイオンの外、金属層４′をその
上面に対して斜めに照射するプラズマイオンが比較的多
量に生じている。また、プラズマイオンの密度が比較的
大であることから、半導体基板体１の温度が上昇してい
る。 以上のことから、第８図で上述した従来のショットキ接
合型電界効果トランジスタの製法の場合、ゲート電極層
４を形成する工程（第８図Ｅ）において、実際上、上述
した理由でオーバーエッチングを行っているので、いま
、プラズマエッチング処理を金属層４のマスク層１１下
の領域が丁度エッチング除去される時点（これを第１の
時点と称す）まで行った場合、そのことを、プラズマエ
ッチング処理を１００％のオーバーエッチング率で行っ
たと称し、また、プラズマエッチング処理を上述した第
１の時点を超えた時点（これを一般に第２の時点と称す
）まで行った場合、そのことを、プラズマエッチング処
理の開始時点から第１の時点までの時間（これを王　と
する）に対する第１の時点から０ 第２の時点までの時間（これをＴ８とする）が１００分
率でａ％であるとき、プラズマエッチング処理を（１０
０＋ａ）％のオーバーエッチング率（％）（これをオー
バーエッチング率Ｆ（％）と称す）で行ったと称すると
き、ゲート電極層４が、上述したオーバーエッチング率
Ｆ（％）の値に比例したマスク１１１の側縁からとった
サイドエッチング社で、サイドエッチされて得られる。 このため、第８図で上述した従来のショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の場合、ゲート電極層４を予
定の長さを有するものとして形成するのがきわめて困難
であった。 従って、第８図で上述した従来のショットキ接合型電界
効果トランジスタの製法の場合、ショットキ接合型電界
効果トランジスタを、所期の特性を有するものとして製
造するのがきわめて困難である、という欠点を有してい
た。 よって、本発明は上述した欠点のない、新規なショット
キ接合型電界効果トランジスタの製法を提案せんとする
ものである。 （課題を解決するための手段１ 本発明によるショットキ接合型電界効果トランジスタの
製法は、第８図で前述した従来のショットキ接合型電界
効果トランジスタの製法の場合と同様に、（イ）半絶縁
性半導体基板内の上面側または上記半絶縁性半導体基板
上に所望の導電型を有する半導体能動層を形成している
半導体基板体を用意する工程と、（口）上記半導体基板
体上に、上記半導体能動層との間でショットキ接合を形
成している金属層を形成する工程と、（ハ）上記金属層
上に、マスク層を形成する工程と、（二）上記金属層に
対する、上記マスク層をマスクとするエッチング処理に
よって、上記金属層から、その上記マスク層下の領域に
よるゲート電極層を形成する工程と、（ホ）上記半導体
基板体内の上記半導体能動層側または上記半導体基板体
上に、上記ゲート電極層を挟んだ両位置において、上記
半導体能動層と同じ導電型を有する半導体ソース領域及
び半導体ドレイン領域を形成する工程とを有し、そして
、（へ）上記金属層を形成する工程において、上記金属
層を、ＷＳ　ｉ　Ｎ，ＷＳ　ｉ　，ＷＮ、ＷＡＩ、Ｔｉ
ＷＳＴｉＮ．ＭＯＳｉｘ及びＴａＳｉ中から選ばれた金
属材料で形成し、また、（ト）上記ゲート電極層を形成
する工程においで、上記金属層に対するエッチング処理
を、ＳＦ　またはＣＦ４を主成分とするガスのブラズ６ マイオンを上記金属材料でなり且つ上面に上記マスク層
を形成している上記金属層にその上面に対して垂直に照
射させることによるプラズマエッチング処理としている
。 しかしながら、本願第１番目の発明によるショットキ接
合型電界効果トランジスタの製法は、このようなショッ
トキ接合型電界効果トランジスタの製法において、（チ
）ゲート電極層を形成する工程において、（１）ＳＦ　
　またはＣＦ４を６ 主成分とするガスのプラズマイオンを上記金属材料でな
り且つ上面に上記マスク層を形成している上記金属層に
その上面に対して垂直に照射させることによるプラズマ
エッチング処理を行わせることができ且つそのようなプ
ラズマエッチング処理を行えば上記金属材料でなり且つ
上面に上記マスク層を形成している上記金属層のオーバ
ーエッチング率に対する上記マスク層下の領域の上記マ
スク層の側縁からとったサイドエッチング量の関係でみ
たエッチング特性が飽和特性を呈して得られる電子サイ
クロトロン共鳴プラズマエッチング装置を用い、■上記
金属層に対するエッチング処理を、上記プラズマエッチ
ング処理とし、（３）そのプラズマエッチング処理を、
上記エッチング特性の飽和点におけるオーバーエッチン
グ率以上のオーバーエッチング率で行わせる。 また、本願第２番目の発明によるショットキ接合型電界
効果トランジスタの製法は、第８図で前述した従来のシ
ョットキ接合型電界効果トランジスタの製法の場合と同
様に、（イ）半絶縁性半導体基板内の上面側または上記
半絶縁性半導体基板上に所望の導電型を有する半導体能
動層を形成している半導体基板体を用意する工程と、（
口）上記半導体基板体上に、上記半導体能動層との間で
ショットキ接合している金属層を形成する工程と、（ハ
）上記金属層上に、マスク層を形成する工程と、（二）
上記金属層に対する、上記マスク層をマスクとするエッ
チング処理によって、上記金属層から、その上記マスク
層下の領域によるゲート電極層を形成する工程と、（ホ
）上記マスク層を上記ゲート電極層上から除去して後、
上記半導体基板体に対する、上記ゲート電極層をマスク
とする上記半導体能動層と同じ導電型を与える不純物イ
オンの打込処理によって、上記半導体基板体内に、上記
半導体能動層側から、上記ゲート電極層を挟んだ両位置
において、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程
と、（へ）上記半導体基板体上に、上記ゲート電極層を
覆って延長している保護層を形成する工程と、（ト）上
記保護層を形成する工程後、熱アニーリング処理によっ
て、上記ソース領域及びドレイン領域を活性化させる工
程と、（チ）上記ソース領域及びドレイン領域を活性化
させる工程後、上記保護層を除去する工程とを有する。 しかしながら、本願第２番目の発明によるショットキ接
合型電界効果トランジスタの製法は、このようなショッ
トキ接合型電界効果トランジスタの製法において、（り
）上記保護層を形成する工程において、その保護層を、
ＷＳｉＮ、ＷＳｉ．ＷＮ，ＷＡＩ、ＴｉＷ．Ｔ＋Ｎ，Ｍ
Ｏ３　ｉ　ｘ及びＴａＳ　ｉ中から選ばれた金属材料で
形成し、また、（ヌ）上記保護層を除去する工程におい
て、（１）ＳＦ６またはＣＦ４を主成分とはるガスのプ
ラズマイオンを上記金属材料でなる保護層にその上而に
対して垂直に照射させることによるプラズマエッチング
処理を行わせることができ且つそのようなプラズマエッ
チング処理を行えば上記金属材料でなる保護層のオーバ
ーエッチング率に対する上記保護層の上記プラズマエッ
チング処理を行う前の側縁からとったサイドエッチング
量の関係でみたエッチング特性が飽和特性を呈して得ら
れる電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置を
用い、■上記保護層の除去を、上記プラズマエッチング
処理によって行い、（３）そのプラズマエッチング処理
を、上記エッチング特性の飽和点におけるオーハーエッ
チング率以上のオーバーエッチング率で行わせる。 さらに、本願第３番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法は、第８図で前述した従来の
ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法の場合と
同様に、（イ》半絶縁性半導体基板内の上面側または上
記半絶縁性半導体基板上に所望の導電型を有する半導体
能動層を形成している半導体基板体を用意する工程と、
（口）上記半導体基板体上に、上記半導体能動層との間
でショットキ接合している金属層を形成する工程とを有
する。 しかしながら、本願第３番目の発明によるショットキ接
合型電界効果トランジスタの製法は、上述した工程の外
、（ハ）上記金属層上に、第１のマスク層と第２のマス
ク層とがそれらの順に積層されているマスク体を形成す
る工程と、（二）上記金属層に対する、上記マスク体を
マスクとするエッチング処理によって、上記金属層から
、その上記マスク体下の領域によるゲート電極層を形成
する工程と、（ホ）上記マスク体の上記第２のマスク層
を上記第１のマスク体上から除去して後、上記半導体基
板体に対する、上記第１のマスク層及び上記ゲート電極
層をマスクとする上記半導体能動層と同じ導電型を与え
る不純物イオンの打込処理によって、上記半導体基板体
内に、上記半導体能動層側から、上記ゲート電ｉ４層を
挟んだ両偉置において、ソース領域及びドレインｉ！Ｓ
域を形成する工程と、（へ）上記半導体基板体上に、上
記第１のマスク層及び上記ゲート電極層を覆って延長し
ている保護層を形成する工程と、（ト）上記保護層を形
成する工程後、熱ア二一リング処理によって、上記ソー
ス領域及びドレイン領域を活性化させる工程と、（チ）
上記ソース領域及びトレイン領域を活性化させる工程後
、上記保護層を除去する工程とを有し、そして、（り）
上記金属層を形成する工程において、上記金属層を、Ｗ
ＳｉＮ，ＷＳ１、ＷＮ，ＷＡ１、ＴｉＷ，ＴＮ，ＭｏＳ
　ｉｘ及びｌａＳｉ中から選ばれた第１の金属材料で形
成し、また、（ヌ》上記保護層を形成する工程において
、その保護層を、ＷＳｉＮ．ＷＳｉ，ＷＮ，ＷＡＩ、Ｔ
ＯＷ，ＴＮ，ＭｏＳ　ｉ　　及びＴａＳ　ｉ中から選ば
レタ× 第２の金属材料で形成し、さらに、（ル）上記ゲート電
極層を形成する工程において、■（１）ＳＦ６またはＣ
Ｆ４を主成分とするガスのプラズマイオンを上記第１の
金属材料でなり且つ上面に上記マスク体を形成している
上記金属層にその上面に対して垂直に照射させることに
よる第１のプラズマエッチング処理を行わせることがで
き且つそのような第１のプラズマエッチング処理を行え
ば上記第１の金属材料でなり且つ上面に上記マスク体を
形成している上記金属層のオーバーエッチング率に対す
る上記マスク体の第２のマスク層下の領域の上記第２の
マスク層の側縁からとったサイドエッチング量の関係で
みた第１のエッチング特性が飽和特性を呈して得られる
とともに、（　ｉｉ）上記プラズマイオンを上記第２の
金属材料でなる保護層にその上面に対して垂直に照射さ
せることによる第２のプラズマエッチング処理を行わせ
ることができ且つそのような第２のプラズマエッチング
処理を行えば上記第２の金属材料でなる保護層のオーバ
ーエッチング率に対する上記保護層の上記第２のプラズ
マエッチング処理を行う前の側縁からとったサイドエッ
チング量の関係でみた第２のエッチング特性が飽和特性
をテして得られる電子サイクロトロン共鳴プラズマエッ
チング装置を用い、■上記金属層に対するエッチング処
理を、上記第１のプラズマエッチング処理とし、（３）
その第１のプラズマエッチング処理を、上記第１のエッ
チング特性の第１の飽和点におけるオーバーエッチング
率以上の第１のオーバエッチング率で行わせ、また、（
オ）上記保護層を除去する工程において、■上記電子サ
イクロトロン共鳴プラズマエッチング装置を用い、■上
記保護層の除去を、上記第２のプラズマエッチング処理
によって行い、（３）その第２のプラズマエッチング処
理を、上記第２のエッチング特性の第２の飽和点におけ
るオーバーエッチング率以上の第２のオーバーエッチン
グ率で行わせる。

【作用・効果】

本願第１番目の発明によるショットキ接合型電界効果ト
ランジスタの製法は、第８図で前述した従来のショット
キ接合型電界効果トランジスタの製法において、ゲート
電極層を形成する工程において、ＳＦ６またはＣＦ４を
主成分とするガスのプラズマイオンを金属材料でなり且
つ上面にマスク層を形成している金属層の上面に対して
垂直に照射させることによるプラズマエッチング処理を
行わせることができる高周波プラズマエッチング装胃を
用い、そして、金属材料でなる金属層に対するエッチン
グ処理を、いま述べたプラズマエッチング処理としてい
るのに代え、（１）ＳＦ　　またはＣＦ４を主成分とす
６ るガスのプラズマイオンを上記金属材料でなり且つ上面
に上記マスク層を形成している上記金属層にその上面に
対して垂直に照射させることによるプラズマエッチング
処理を行わせることができ且つそのようなプラズマエッ
チング処理を行えば上記金属材料でなり且つ上面に上記
マスク層を形成している上記金属層のオーバーエッチン
グ率に対する上記マスク層下の領域の上記マスク層の側
縁からとったサイドエッチング量の関係でみたエッチン
グ特性が飽和特性を呈して得られる電子サイクロトロン
共鳴プラズマエッチング装置を用い、■上記金属層に対
するエッチング処理を、上記プラズマエッチング処理と
し、（３）そのプラズマエッチング処理を、上記エッチ
ング特性の飽和点におけるオーバーエッチング率以上の
オーバーエッチング率で行わせでいることを除いて、第
８図で前述した従来のショットキ接合型電界効果トラン
ジスタの製法の場合と同様である。 このため、第８図で前述した従来のショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の場合と同様に、第７図で前
述した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタと
同様の電界効果トランジスタとしての機能を呈するショ
ットキ接合型電界効果トランジスタを、容易に製造する
ことができる。 また、本願第１番目の発明によるショットキ接合型電界
効果トランジスタの製法によれば、第８図で前述した従
来のショットキ接合型電界効果トランジスタの製法の場
合と同様に、金属層を形成する工程において、その金属
層を、ＷＳ＋Ｎ，ＷＳｉ，ＷＮ，ＷＡＩ、ＴｉＷ．ＴＮ
　，Ｍ　ｏ　Ｓ　＋　ｘ及びＴａＳ　ｉ中から選ばれた
金属材料で形成し、従って、ゲート電極層を形成する工
程において形成されるゲート電極層が、ＷＳｉＮ，ＷＳ
ｉ，ＷＮ，ＷＡＩ、ＴｉＷ，ＴＮ，ＭｏＳ　ｉ　ｘ及び
ＴａＳ　ｉ中から選ばれた金属材料でなる。そして、そ
のような金属材料は、耐熱性に優れている。 従って、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程の
後、半導体基板体上にゲート電極層を覆って延長してい
る保護層を形成する工程と、その工程後、熱アニーリン
グ処理によって、ソース領域及びトレイン領域を活性化
させる工程をとるとき、第８図で前述した従来のショッ
トキ接合型電界効果トランジスタの製法の場合で述べた
理由で、ソース領域及びトレイン領域を活性化させる工
程において、ソース領域及びドレイン領域を十分活性化
させることができ、また、ゲート電極層を形成する工程
におけるプラズマエッチング処理が、第８図で前述した
従来のショットキ接合型電界効果トランジスタの製法の
場合と同様に、プラズマイオンをマスク層の上面に対し
垂直に照射させることによるプラズマエッチング処理で
あることから、ゲート電極層を、その側面が半導体基板
体の上面と垂直に延長しているものとして形成している
ので、ショットキ接合型電界効果トランジスタを比較的
良好な特性を有するものとして、比較的容易に製造する
ことができる。 しかしながら、本願第１番目の発明によるシ３ットキ接
合型電界効果トランジスタの製法の場合、ゲート電極層
を形成する工程において、（１）ＳＦ６またはＣＦ４を
主成分とするガスのプラズマイオンを上記金属材料でな
り且つ上面に上記マスク層を形成している上記金属層に
その上面に対して垂直に照射させることによるプラズマ
エッチング処理を行わせることができ且つそのようなプ
ラズマエッチング処理を行えば金属材料でなり且つ上面
に上記マスク層を形成している金属層のオーバーエッチ
ング率に対するマスク層下の領域のマスク層の側縁から
とったサイドエッチングｉの関係でみたエッチング特性
が飽和特性を呈して得られる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマエッチング装置を用い、■上記金属層に対するエ
ッチング処理を、上記プラズマエッチング処理とし、（
３）そのプラズマエッチング処理を、上記エッチング特
性の飽和点におけるオーバーエッチング率以上のオーバ
ーエッチング率で行わせる。 このため、本願第１番目の発明によるショットキ接合型
電界効果トランジスタの製法によれば、ゲート電極層が
、マスク層の側縁からみてサイドエッチされて得られる
のとしても、そのサイドエッチング量が、プラズマエッ
チング処理を上述したオーバーエッチング率で行う限り
、その値に無関係に予定のほぼ一定値で得られる。 従って、本願第１番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法によれば、ゲート電極層を予
定の長さを有するものとじて容易に形成ケることができ
、よって、ショットキ接合型電界効果トランジスタを、
所期の特性を有するしのとして容易に製造することかで
ざる。 また、本願第２番目の発明によるショットキ接合型電界
効果トランジスタのにほによれば、保護層を形成する工
程において、その保護層をウエットエッチング処理によ
って除去することができる材料で形成している第８図で
前述した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタ
の製法の場合に代え、ＷＳ　ｉＮ，ＷＳ　ｉ、ＷＮ、Ｗ
ＡＩ　　ＴｉＷ，ＴｉＮ、ＭｏＳｉｘ　　及びＴａＸ Ｓ１中から選ばれた金属材料で形成し、また、保護層を
除去する工程において、保護層をウェットエッチング処
理によって除去する第８図で前述した従来のショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の場合に代え、（１
）ＳＦ６またはＣＦ４を主成分とするガスのプラズマイ
オンを上記金属材料でなる保護層にその上面に対して垂
直に照射させることによるプラズマエツチング処理を行
わ往ることかでき且つそのようなプラズマエッチング処
理を行えばｔ記金属材料でなる保護層のオーバーエッチ
ング率に対する上記保護層の上記プラズマエッチング処
理を行う前の側縁からとったサイドエッチングけの関係
でみたエッチング特性が飽和特性を呈して得られる電子
サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置を用い、■
上記保護層の除去を、上記プラズマエッチング処理によ
って行い、（３）そのプラズマエッチング処理を、上記
エッチング特性の飽和点におけるオーバーエッチング率
以上のオーバーエッチング率で行わせることを除いて、
第８図で前述した従来のショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法の場合と同様であるので、第８図で前述
した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタの製
法の場合と同様に、且つ本願第１番目の発明によるショ
ットキ接合型電界効果トランジスタの製法の場合と同様
に、電界効果トランジスタとしての機能を呈するショッ
トキ接合型電界効果トランジスタを、容易に製造するこ
とができる。 また、本願第２番目の発明によるショットキ接合型電界
効果トランジスタの製法によれば、その保護層が、ＷＳ
ｉＮ，ＷＳ＋、ＷＮ．ＷＡ、Ｔ　’　Ｗ，Ｔ　’　Ｎ　
，Ｍ　ＯＳ　ｉ　Ｘ及びＴａＳ中から選ばれた金属材料
でなる。 そして、そのような金属材料は、耐熱性に優れている。 従って、熱アニーリング処理によって、ソース領域及び
ドレイン領域を活性化させる工程において、第８図で前
述した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタの
製法の場合で述べた理由で、ソース領域及びドレイン領
域を十分活性化させることができ、また、ゲート電極層
を形成する工程におけるプラズマエッチング処理が、第
８図で前述した従来のショットキ接合型電界効果トラン
ジスタの製法の場合と同様に、プラズマイオンをマスク
層の上面に対し垂直に照射させることによるプラズマエ
ッチング処理であることから、ゲート電極層を、その側
面が半導体基板体の上面と垂直に延長しているものとし
て形成しているので、ショットキ接合型電界効果トラン
ジスタを比較的良好な特性を有するものとして、比較的
容易に製造することができる。 しかしながら、本願第２番目の発明によるショットキ接
合型電界効果トランジスタの製法の場合、保護層を形成
する工程及びその保護層を除去する工程が、上述したよ
うに工程であるので、詳細説明は省略するが、保護層を
容易に除去することができる。 従って、本願第２番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の場合も、ショットキ接合型
電界効果トランジスタを所期の特性を有するものとして
、容易に、製造することができる。 さらに、本願第３番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の場合、上述した工程を有す
るので、詳細説明は省略するが、上述した本願第１番目
の発明及び本願第２番目の発明によるショットキ接合型
電界効果トランジスタの場合に組合された作用効果を得
ることができることは明らかである。 （実施例１１ 次に、第１図を伴って、本願第１番目の発明によるショ
ットキ接合型電界効果トランジスタの製法の実施例を、
第７図で前述したショットキ接合型電界効果トランジス
タと同様のショットキ接合型電界効果トランジスタの製
法で述べよう。 第１図において、第８図との対応部分には同一符号を付
し詳１説明を省略する。 第１図に示す本願第１番目の発明によるショットキ接合
型電界効果トランジスタの製法の実施例は、次に述べる
順次の工程をとって、第７図で前述したショットキ接合
型電界効果トランジスタと同様のショットキ接合型電界
効果トランジスタを製造する。 すなわち、第８図Ａの場合と同様の半絶縁性半導体基板
２を予め用意する（第１図Ａ）。 そして、その半絶縁性半導体基板２内に、第８図Ｂの場
合と同様の半導体能動層３を形成し、よって、第８図Ｂ
の場合と同様の半導体基板体１を得る（第１図Ｂ）。 次に、半導体基板体１上に、第８図Ｃの場合と同様の、
同様の金属材料でなる金属層４′を形成する（第１図Ｃ
》。 次に、金属層４′上に、第８図Ｃの場合と同様のマスク
層１１を形成する（第１図Ｄ）。 次に、第８図Ｄの場合と同様に、金Ｒ層４′に対するマ
スク層１１をマスクとするエッチング処理によって、金
属＠４′のマスク層１１下の領域によるゲート電極層４
を形成する（第１図い）。 ただし、この場合、電子サイクロトロン共鳴プラズマエ
ッチング装置を用いる。 この電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置は
、第２図において４０で示され、見掛上、公知であるの
で、詳細説明は省略するがプラズマイオン生成用￥４２
を形成し、且つそのプラズマイオン生成用室内にＳＦ６
またはＣＦ４を主成分とするガスを導入させるためのガ
２内に窓４４を介してマイクロ波を導入させるためのマ
イクロ波導入用管４５とを導出している容器４２を有す
る。 また、電子サイクロトロン共鳴プラズマエツチング装＠
４０は、容器４２の周りに配された電磁コイル４６を有
する。 さらに、電子サイクロトロン共鳴プラズマエツチング装
置４０は、窓５１を介してプラズマイオン生成用室４２
に連通している且つ平らな試料載置用面５３ａを有する
試料載置用台５３を配しているエッチング用窓５２を形
成し、且つエッチング用窓５２内をプラズマイオン生成
用室４２とともに排気するための排気用管５４を導出し
ている容器５０を有する。 ただし、電子サイクロトロン共鳴プラズマエツチング装
置は、（１）ＳＦ　　またはＣＦ４を主成６ 分とするガスのプラズマイオンを上記金属材料でなり且
つ上面にマスク層１１を形成している金属Ｍ４’　にそ
の上面に対して垂直に照射させることができ且つそのよ
うなプラズマエッチング処理を行えば上記金属材料でな
り且つＬ面に十記マスク層を形成している金属層４′の
オーバーエッチング率に対するマスク層１１下の領域の
上記マスク層の側縁からとったサイドエッチング量の関
係でみたエッチング特性が、第３図及び第４図に示すよ
うにガス圧をパラメータとして、飽和特性を呈して得ら
れる電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置を
用い、■金属層４′に対するエッチング処理を、上記プ
ラズマエッチング処理とし、（３）そのプラズマエッチ
ング処理を、上記エッチング特性の飽和点におけるオー
バーエッチング率以上のオーバーエッチング率で行わせ
る。 次に、マスク層１１を、第８図Ｆの場合と同様に、ゲー
ト電極層４上から除去する（第１図Ｆ）。 次に、半導体基板体１に対する第８図Ｇの場合と同様の
不純物イオンの打込処理によって、半導体基板体１内に
、第８図Ｇの場合と同様のソース領域６′及びドレイン
領域７′を、同様に形成する（第１図Ｇ）。 次に、半導体基板体１上に、第８図Ｈの場合と同様の保
護層１２を同様に形成する（第１図Ｈ）。 次に、第８図Ｉの場合と同様に、ソース領域６′及びド
レイン領域を活性化させ、同様に活性化されたソース領
域６及びドレイン領域７を得る（第１図１）。 次に、半導体基板体１上から、保護層１２を、第８図Ｊ
の場合と同様のウエットエッチング処理によって、同様
に除去する（第８図Ｊ》。 次に、ソース領域６及びドレイン領［７上に、第８図Ｋ
の場合と同様のソース電極層８及びドレイン電極層９を
付し、第７図で前述したショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタと同様のショットキ接合型電界効果トランジス
タを同様に得る（第１図Ｋ）。 以上が、本願第１番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の実施例てある。 このような本願第１番目の発明によるショットキ接合型
電界効果トランジスタの製法によれば、ゲート電極＠４
を形成する工程において、高周波プラズマエッチング装
置２０を用いて、金属層４′に対するエッチング処理を
単なるプラズマエッチング処理している第８図で前述し
た従来のショットキ接合型電界効果トランジスタの製法
の場合に代え、電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチ
ング装置４０を用いて、プラズマエッチング処理を、上
述したオーバーエッチング率で行わせていることを除い
て、第８図で前述した従来のショットキ接合型電界効果
トランジスタの製法の場合と同様でありので、詳Ｉｌｌ
説明は省略するが、第８図で前述した従来のショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の場合と同様に、電
界効果トランジスタとしての機能を呈するショットキ接
合型電界効果トランジスタを、容易に製造することがで
きる。 台型電界効果トランジスタの製法の場合と同様に、半導
体基板体１内に、ゲート電極層４を挟んだ良位置にソー
ス領域６′及びドレイン領域７′を形成する工程（第１
図Ｇ）の後の、それらソース領域６′及びトレイン領域
７′を活性化させる工程く第１図Ｉ）において、ぞの熱
アニーリング処理を、半導体基板体１上が保護層１２に
よって覆われている状態で行っているので、ソース領域
６′及びドレイン領域７′を活性化させる工程（第１図
Ｉ）において、半導体基板体１を構成している半導体材
料の元素が不必要に外部に飛散することがない。また、
金属層４′を形成する■程（第１図Ｃ）において、その
金属層４′を、ＷＳｉＮ，ＷＳ＋、ＷＮ，ＷＡＩ、Ｔｉ
Ｗ，ＴｉＮ、ＭｏＳｉｘｘ及びＨａＳｉ中から選ばれた
金属材料で形成し、従って、ゲート電極層４を形成する
工程（第１図Ｅ）において形成されるゲート電極層４が
、ＷＳ　ｉ　Ｎ、ＷＳｉ，ＷＮＳＷＡＩ、ＴｉＷ，Ｔｉ
Ｎ，Ｍ○なる。ぞして、そのような金属材料は、耐熱性
に優れている。 従って、ソース領域６′及びドレイン領域７を活性化す
る工程（第１図■）において、その熱アニーリング処理
を高い温度で行うことができ、よって、ソース領域６′
及びドレイン領域７′を十分活性化させることができる
。 さらに、ゲート電極層４を形成する工程（第１図Ｅ）に
おいて、第９図で上述した高周波プラズマエッチング装
１２２０を用い、そして、金属層４′に対するエッチン
グ処理を、ＳＦ６またはＣＦ４を主成分とするガスのプ
ラズマイオンを金属層４′の上面に対して垂直に照射さ
せることによるプラズマエッチング処理としているので
、ゲート電極層４を、その側面が半導体基板体１の上面
と垂直な面上に延長しているものとして形成している。 このため、半導体基板体１上にゲート電極層４を覆って
延長している保護層１２を形成する工程（第１図Ｈ）に
おいて、保護層１２を、半導体基板休１及びゲート電極
層４との間に、ソース領域６′及びドレイン領域７′を
活性化させる工程（第１図Ｉ）における熱アニール処理
時、半導体基板体１からそれを構成している半導体材料
の元素が放散されるのを許容するような間隔を生ぜしめ
ることなしに形成することができる。 また、ゲート電極層４を形成する工程（第１図Ｅ）にお
けるプラズマエッチング処理に用いるプラズマイオンが
、ＳＦ６またはＣＦ４ガスのプラズマ化によって得れる
プラズマイオンであり、そして、ＳＦ６またはＣＦ４の
ガスは、容易に入手し得且つ半導体基板体１にほとんど
悪影響を与えない。 以上のことから、本願第１番目の発明によるショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の場合も、第８図で
前述した従来のショットキ接合型電界効果トランジスタ
の製法の場合と同様に、ショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタを、比較的良好な特性を有するものとして、比
較的容易に製造することができる。 しかしながら、第１図に示す本願第１番目の発明による
ショットキ接合型電界効果トランジスタの場合、ゲート
電極層を形成する工程において、（１）ＳＦ　　または
ＣＦ４を主成分とするガ６ スのプラズマイオンを上記金属材料でなり且つ上面に上
記マスク層を形成している上記金属層にその上面に対し
て垂直に照射させることによるプラズマエッチング処理
を行わせることができ且つそのようなプラズマエッチン
グ処理を行えば上記金属材料でなり且つ上面に上記マス
ク層を形成している上記金属層のオーバーエッチング率
に対する上記マスク層下の領域の上記マスク層の側縁か
らとったサイドエッチング量の関係でみたエッチング特
性が飽和特性を呈して得られる電子サイクロトロン共鳴
プラズマエツチング装置を用い、■上記金属層に対する
エツチング処理を、上記プラズマエッチング処理とし、
（３）そのプラズマエッチング処理を、上記エツチング
特性の飽和点におけるオーバーエッチング率以上のオー
バーエッチング率で行わせる。 このため、第１図に示す本願第１番目の発明によるショ
ットキ接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ゲ
ート電極層が、マスク層の側縁からみてサイドエッチさ
れて得られるのとしても、そのサイドエッチング場が、
プラズマエッチング処理を上述したオーバーエッチング
率で行う限り、その値に無関係に予定のほぼ一定値で得
られる。 従って、第１図に示す本願第１番目の発明によるショッ
トキ接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ゲー
ト電極層を予定の長さを有するものとして容易に形成す
ることができ、よって、ショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタを、所期の特性を有するものとして容易に製造
することができる。 ［実施例２］ 次に、第５図を伴って、本願第２番目の発明によるショ
ットキ接合型電界効果トランジスタの実施例を述べよう
。 第５図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し、詳細説明を省略する。 第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。 第２図に示す本願第２番目の発明によるショットキ接合
型電界効果トランジスタの製法の実施例は、次に述べる
順次の工程をとって、第７図で前述したショットキ接合
型電界効果トランジスタと同様のショットキ接合型電界
効果トランジスタを製造する。 すなわち、第１図Ａの場合と同様の半絶縁性半導体基Ｆ
ｉ２を予め用意する（第２図Ａ）。 そして、その半絶縁性半導体基板２内に、第１図Ｂの場
合と同様の半導体能動層３を形成し、よって、第１図Ｂ
の場合と同様の半導体基板体１を得る（第２図Ｂ）。 次に、半導体基板体１上に、第１図Ｃの場合と同様の、
同様の金属材料でなる金属層４′を形成する（第２図Ｃ
〉。 次に、金属層４′上に、第１図Ｃの場合と同様のマスク
層１１を形成する（第２図Ｄ）。 次に、第８図Ｄの場合と同様に、金属層４′に対するマ
スク層１１をマスクとするエッチング処理によって、金
属層４′のマスク層１１下の領域によるゲート電極層４
を形成する（第１図い）。 次に、マスク層１１を、第１図Ｆの場合と同様に、ゲー
ト電極層４上から除去する（第２図Ｆ）。 次に、半導体基板体１に対する第１図Ｇの場合と同様の
不純物イオンの打込処理によって、半導体基板体１内に
、第１図Ｇの場合と同様のソース領域６′及びドレイン
領域７′を、同様に形成する（第２図Ｇ）。 次に、半導体基板体１上に、金属層４′と同様の金属材
料でなる保護層１２を形成する（第２図Ｈ）。 次に、第１図Ｉの場合と同様に、ソース領域６′及びド
レイン領域を活性化させ、同様に活性化されたソース領
域６及びドレイン領域７を得る（第２図１）。 次に、半導体呈板体１上から、保護層１２を、（実施例
１］１．：おけるゲート電極層４を形成する場合に準じ
て行う（第２図Ｊ）。 次に、ソース領域６及びドレイン領域γ上に、第８図Ｋ
の場合と同様のソース電極層８及びトレイン電極層９を
付し、第７図で前述したショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタと同様のショットキ接合型電界効果トランジス
タを同様に得る（第２図Ｋ）。 以上が、本願第２番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製法の実施例である。 このような本願第２番目の発明によるショットキ接合型
電界効果トランジスタの製法によれば、詳細説明は省略
するが、

【作用・効果】の欄で述べた特徴を有する。

【実施例３】 次に、第６図を伴って、本願第３番目の発明Ｌ−　１−
スＳ／っ、・／　ｋ　’ｃ　ｒｅ岳型霊天砿甲トランジ
又々の実施例を述べよう。 第６図において、第１図及び第５図との対応部分には同
一符号を付し、詳細説明を省略する。 第６図に示す本願第３番目の発明によるショットキ接合
型電界効果トランジスタの製法の実施例は、詳細説明は
省略するが、

【実施例１】及び［実施例２１の組合せ工
程をとって、第７図で前述したショットキ接合型電界効
果トランジスタと同様のショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタを製造する。 上述した本願第３番目の発明によるショットキ接合型電
界効果トランジスタの製沫によれば、詳細説明は省略す
るが、

【実施例１１及び【実施例２】の組合せの作用効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ〜Ｋは、本願第１番目の発明によるショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の実施例を示す順次
の工程における略線的断面図である。 第２図は、本発明によるショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法に用い得る電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマエッチング装置の実施例を示す略線的断面図である
。 第３図は、本発明によるショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法の説明に供する、電子サイクロトロン共
鳴プラズマエッチング装置内におけるガス圧に対する金
属層のエッチング率の関係を示す図である。 第４図は、本発明によるショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法の説明に供する、エッチング装置内のガ
ス圧をパラメータとする、オーバーエッチング率に対す
るサイドエッチング量の関係を示す図である。 第５図Ａ〜Ｋは、本願第２番目の発明によるショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の実施例を示す順次
の工程における略線的断面図である。 第６図Ａ−Ｋは、本願第３番目の発明によるショットキ
接合型電界効果トランジスタの製法の実施例を示す順次
の工程における略線的断面図である。 第７図は、本発明によるショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法及び従来のショットキ接合型電界効果ト
ランジスタの製法によって製造されると同様のショット
キ接合型電界効果トランジスタを示す略線的断面図であ
る。 第８図Ａ−Ｋは、従来のショットキ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法を示す順次の工程における略線的断面図
である。 １・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板体２・・
・・・・・・・・・・・・・半絶縁性半導体基板３・・
・・・・・・・・・・・・・半導体能動層４・・・・・
・・・・・・・・・・ゲート電極層４′・−・・・・・
・・・・・金属層 ５・・・・・・・・・・・・・・・ショットキ接合６、
６′・・・・・・ソース領域 ７、７′・・・・・・ドレイン領域 ８・・・・・・・・・・・・・・・ソース電極層９・・
・・・・・・・・・・・・・ドレイン電極層１１・・・
・・・・・・・・・・・・マスク層１２・・・・・・・
・・・・・・・・保護層２０・・・・・・・・・・・・
・・・高周波プラズマエッチング装置 ２２・・・・・・・・・・・・・・・エッチング用至２
３・−・・・・・・・・・・・・・ガス導入用管２４・
・・・・・・・・・・・・・・排気用管２５・・・・・
・・・・・・・・・・試料載置用台４０・・・・・・・
・・・・・・・・電子サイクロトロン共鳴プラズマエッ
チング装置

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半絶縁性半導体基板内の上面側または上記半絶縁性半導
   体基板上に所望の導電型を有する半導体能動層を形成し
   ている半導体基板体を用意する工程と、 上記半導体基板体上に、上記半導体能動層との間でショ
   ットキ接合を形成している金属層を形成する工程と、 上記金属層上に、マスク層を形成する工程と、上記金属
   層に対する、上記マスク層をマスクとするエッチング処
   理によつて、上記金属層から、その上記マスク層下の領
   域によるゲート電極層を形成する工程と、 上記半導体基板体内の上記半導体能動層側または上記半
   導体基板体上に、上記ゲート電極層を挟んだ両位置にお
   いて、上記半導体能動層と同じ導電型を有する半導体ソ
   ース領域及び半導体ドレイン領域を形成する工程とを有
   し、 上記金属層を形成する工程において、上記金属層を、Ｗ
   ＳｉＮ、ＷＳｉ、ＷＮ、ＷＡｌ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ
   Ｓｉ及びＴａＳｉ中から選ばれた金属材料で形成し、 上記ゲート電極層を形成する工程において、（１）ＳＦ
   ＿６またはＣＦ＿４を主成分とするガスのプラズマイオ
   ンを上記金属材料でなり且つ上面に上記マスク層を形成
   している上記金属層にその上面に対して垂直に照射させ
   ることによるプラズマエッチング処理を行わせることが
   でき且つそのようなプラズマエッチング処理を行えば上
   記金属材料でなり且つ上面に上記マスク層を形成してい
   る上記金属層のオーバーエッチング率に対する上記マス
   ク層下の領域の上記マスク層の側縁からとったサイドエ
   ッチング量の関係でみたエッチング特性が飽和特性を呈
   して得られる電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチン
   グ装置を用い、（２）上記金属層に対するエッチング処
   理を、上記プラズマエッチング処理とし、（３）そのプ
   ラズマエッチング処理を、上記エッチング特性の飽和点
   におけるオーバーエッチング率以上のオーバーエッチン
   グ率で行わせることを特徴とするショットキ接合型電界
   効果トランジスタの製法。
2. 【請求項２】 半絶縁性半導体基板内の上面側または上記半絶縁性半導
   体基板上に所望の導電型を有する半導体能動層を形成し
   ている半導体基板体を用意する工程と、 上記半導体基板体上に、上記半導体能動層との間でショ
   ットキ接合している金属層を形成する工程と、 上記金属層上に、マスク層を形成する工程と、上記金属
   層に対する、上記マスク層をマスクとするエッチング処
   理によって、上記金属層から、その上記マスク層下の領
   域によるゲート電極層を形成する工程と、 上記マスク層を上記ゲート電極層上から除去して後、上
   記半導体基板体に対する、上記ゲート電極層をマスクと
   する上記半導体能動層と同じ導電型を与える不純物イオ
   ンの打込処理によって、上記半導体基板体内に、上記半
   導体能動層側から、上記ゲート電極層を挟んだ両位置に
   おいて、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と
   、 上記半導体基板体上に、上記ゲート電極層を覆つて延長
   している保護層を形成する工程と、上記保護層を形成す
   る工程後、熱アニーリング処理によつて、上記ソース領
   域及びドレイン領域を活性化させる工程と、 上記ソース領域及びドレイン領域を活性化させる工程後
   、上記保護層を除去する工程とを有し、 上記保護層を形成する工程において、その保護層を、Ｗ
   ＳｉＮ、ＷＳｉ、ＷＮ、ＷＡｌ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ
   Ｓｉ及びＴａＳｉ中から選ばれた金属材料で形成し、 上記保護層を除去する工程において、（１）ＳＦ＿６ま
   たはＣＦ＿４を主成分とするガスのプラズマイオンを上
   記金属材料でなる保護層にその上面に対して垂直に照射
   させることによるプラズマエッチング処理を行わせるこ
   とができ且つそのようなプラズマエッチング処理を行え
   ば上記金属材料でなる保護層のオーバーエッチング率に
   対する上記保護層の上記プラズマエッチング処理を行う
   前の側縁からとつたサイドエッチング量の関係でみたエ
   ッチング特性が飽和特性を呈して得られる電子サイクロ
   トロン共鳴プラズマエッチング装置を用い、（２）上記
   保護層の除去を、上記プラズマエッチング処理によって
   行い、（３）そのプラズマエッチング処理を、上記エッ
   チング特性の飽和点におけるオーバーエッチング率以上
   のオーバーエッチング率で行わせることを特徴とするシ
   ョットキ接合型電界効果トランジスタの製法。
3. 【請求項３】 半絶縁性半導体基板内の上面側または上記半絶縁性半導
   体基板上に所望の導電型を有する半導体能動層を形成し
   ている半導体基板体を用意する工程と、 上記半導体基板体上に、上記半導体能動層との間でショ
   ットキ接合している金属層を形成する工程と、 上記金属層上に、第１のマスク層と第２のマスク層とが
   それらの順に積層されているマスク体を形成する工程と
   、 上記金属層に対する、上記マスク体をマスクとするエッ
   チング処理によって、上記金属層から、その上記マスク
   体下の領域によるゲート電極層を形成する工程と、 上記マスク体の上記第２のマスク層を上記第１のマスク
   体上から除去して後、上記半導体基板体に対する、上記
   第１のマスク層及び上記ゲート電極層をマスクとする上
   記半導体能動層と同じ導電型を与える不純物イオンの打
   込処理によつて、上記半導体基板体内に、上記半導体能
   動層側から、上記ゲート電極層を挟んだ両位置において
   、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、 上記半導体基板体上に、上記第１のマスク層及び上記ゲ
   ート電極層を覆つて延長している保護層を形成する工程
   と、 上記保護層を形成する工程後、熱アニーリング処理によ
   つて、上記ソース領域及びドレイン領域を活性化させる
   工程と、 上記ソース領域及びドレイン領域を活性化させる工程後
   、上記保護層を除去する工程とを有し、 上記金属層を形成する工程において、上記金属層を、Ｗ
   ＳｉＮ、ＷＳｉ、ＷＮ、ＷＡｌ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ
   Ｓｉ＿ｘ及びＴａＳｉ中から選ばれた第１の金属材料で
   形成し、 上記保護層を形成する工程において、その保護層を、Ｗ
   ＳｉＮ、ＷＳｉ、ＷＮ、ＷＡｌ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ
   Ｓｉ＿ｘ及びＴａＳｉ中から選ばれた第２の金属材料で
   形成し、 上記ゲート電極層を形成する工程において、（１）（ｉ
   ）ＳＦ６またはＣＦ４を主成分とするガスのプラズマイ
   オンを上記第１の金属材料でなり且つ上面に上記マスク
   体を形成している上記金属層にその上面に対して垂直に
   照射させることによる第１のプラズマエッチング処理を
   行わせることができ且つそのような第１のプラズマエッ
   チング処理を行えば上記第１の金属材料でなり且つ上面
   に上記マスク体を形成している上記金属層のオーバーエ
   ッチング率に対する上記マスク体の第２のマスク層下の
   領域の上記第２のマスク層の側縁からとったサイドエッ
   チング量の関係でみた第１のエッチング特性が飽和特性
   を呈して得られるとともに、（ｉｉ）上記プラズマイオ
   ンを上記第２の金属材料でなる保護層にその上面に対し
   て垂直に照射させることによる第２のプラズマエッチン
   グ処理を行わせることができ且つそのような第２のプラ
   ズマエッチング処理を行えば上記第２の金属材料でなる
   保護層のオーバーエッチング率に対する上記保護層の上
   記第２のプラズマエッチング処理を行う前の側縁からと
   つたサイドエッチング量の関係でみた第２のエッチング
   特性が飽和特性を呈して得られる電子サイクロトロン共
   鳴プラズマエッチング装置を用い、（２）上記金属層に
   対するエッチング処理を、上記第１のプラズマエッチン
   グ処理とし、（３）その第１のプラズマエッチング処理
   を、上記第１のエッチング特性の第１の飽和点における
   オーバーエッチング率以上の第１のオーバーエッチング
   率で行わせ、 上記保護層を除去する工程において、（１）上記電子サ
   イクロトロン共鳴プラズマエッチング装置を用い、（２
   ）上記保護層の除去を、上記第２のプラズマエッチング
   処理によつて行い、（３）その第２のプラズマエッチン
   グ処理を、上記第２のエッチング特性の第２の飽和点に
   おけるオーバーエッチング率以上の第２のオーバーエッ
   チング率で行わせることを特徴とするショットキ接合型
   電界効果トランジスタの製法。