JPH03218647A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に
、Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）方式による半導体集積回路装置の製造方法
に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

テープキャリヤに繰り返し形成された導体リードの先端
と、半導体チップに形成されたバ・ンプとを重ね合わせ
、ギャングボンディングするＴＡＢ方式については、例
えば株式金社マーコム・イン９−ｔ’ｙｙａｔル発行、
ｒｓｅｍｉｃｏｎ　　ＮＥＷＳ　　１９８９．３、ＴＡ
Ｂの技術動向と今後の展望」Ｐ４３〜Ｐ４８に記載があ
る。

この方式において、半導体チップの接合されたテープキ
ャリヤは、半導体チップをポッティング樹脂により封止
した後、収納リールに巻取られる。

この際、テープキャリヤは、封止樹脂間を離すため、ス
ベーサテーブに挟まれて巻取られるようになっている。

スベーサテープの両面には、その幅方向の両端に凸部が
設けられており、テープキャリヤがスベーサテープに挟
まれた際、ポッティング樹脂とスベーサテーブとが接触
しないようになっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、スペーサテープの幅方向の両端に凸部を設け
る上記従来の技術にふいては、以下の問題があることを
本発明者は見い出した。

すなわち、例えば半導体チップの面積が増大し、テープ
キャリヤの幅が増すにつれ、ポッティング処理後のテー
プキャリヤの巻取りに際してスペーサテープの幅方向中
央が歪み易くなり、第９図に示すように、スベーサテー
ブ５０の幅方向の中央部分がポッティング樹脂５１に接
触し、外観不良や封止不良が顕著となる問題があった。

本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、ＴＡＢ方式による半導体集積回路装置の製造工
程におけるスペーサテープの歪に起因する封止樹脂の不
良を防止することのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ＴＡＢ方式による半導体集積回路
装置の歩留りを向上させることのできる技術を提供する
ことにある。

本発明のさらに他の目的は、ＴＡＢ方式による半導体集
積回路装置の製造工程において、テープキャリヤをスベ
ーサテープで挟むことなく巻取ることのできる技術を提
供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、請求項１配載の発明は、テープキャリヤに形
成された導体リードの先端にバンプを介して接合された
半導体チップを封止樹脂により封止した段階で、前記テ
ープキャリヤの両面において封止樹脂の外周近傍に、前
記テープキャリヤの面に直交する方向に突出する離間部
材を設け、前記テープキャリヤの巻取りに際して封止樹
脂とスペーサテープとを離間する半導体集積回路装置の
製造方法とするものである。

請求項３記載の発明は、テープキャリヤに形成された導
体リードの先端にバンプを介して接合された半導体チッ
プを封止樹脂により封止した段階で、前記テープキャリ
ヤの片面において封止樹脂の外周近傍に、前記テープキ
ャリヤの面に直交する方向に突出する離間部材を設け、
前記テープキャリヤの巻取りに際して重なり合うテープ
キャリヤにおける封止樹脂同士を離間する半導体集積回
路装置の製造方法とするものである。

Ｃ作用〕 上記した請求項１記載の発明によれば、封止処理後のテ
ープキャリヤの巻取りに際して、スベーサテーブの幅方
向中央の歪みが離間部材によって抑制されるため、スペ
ーサテープと封止樹脂との接触を防止することが可能と
なる。

上記した請求項３記載の発明によれば、封止処理後のテ
ープキャリヤの巻き取りに際して、重なり合ったテープ
キャリヤにおける封止樹脂同士が離間部材によって離さ
れるため、テープキャリヤをスペーサテープで挟むこと
なく巻取ることが可能となる。

〔実施例１〕 第１１！ｌは本発明の一実施例であるＴＡＢ方式による
半導体集積回路装置の製造工程中におけるテープキャリ
ヤおよびスベーサテーブの断面図、第２図はこのテープ
キャリヤの平面図、第３図はＴＡＢ方式による半導体集
積回路装置の製造工程を説明するテープキャリヤ、離間
部材および真空吸着ノズルの斜視図、第４図は第３図に
示した真空吸着ノズルを示す概略斜視図である。

本実施例１のＴＡＢ方式による半導体集積回路装置の製
造工程中におけるテープキャリヤを第１図および第２図
により説明する。

第１図および第２図には、ポッティング処理後のテープ
キャリヤ１が示されている。テープキャリヤ１は、例え
ばポリイミドによって構成されている。テープキャリヤ
１の側縁部の近傍には、スブロケット孔２が一定の間隔
をおいて複数穿孔されている。

テープキャリヤ１の中央部には、ボッティング樹脂（封
止樹脂）３によって封止された半導体チップ４が、その
主面に形成されたＣＣＢバンプ５を介してリード６の先
端に接合され配置されている。

リード６は、銅（Ｃｕ｝により構成されている。

ポッティング樹脂３から露出したリード６の先端には、
リード６と半導体チップ４との導通状態を検査するため
のプローブ（図示せず）が当接されるテストバッド６ａ
が形成されている。

テープキャリヤ１は、第１図に示すように、スペーサテ
ープ７．７により挟まれた状態で巻取られる。スペーサ
テープ７は、例えばポリエステルにカーボンが混合され
て構成されている。カーボンは、半導体チップ４に形成
された素子や配線等の静電破壊を防止するために混合さ
れている。スペーサテープ７の幅方向の両端には、凸部
７ａが形成されている。

本実施例１においては、ボッティング処理後、テープキ
ャリヤ１の両面においてポッティング樹脂３の外周近傍
に離間部材８が設けられる。離間部材８は、例えば３〜
５ｍｍＸ３〜５ｆｆｌＩＩ１程度の立方体状の部材であ
り、例えば接着剤によりテープキャリヤ１上に接着され
る。離間部材８は、例えばポリエステルにカーボンが混
合されて構成されている。カーボンは、半導体チップ４
に形成された素子や配線等の静電破壊を防止するために
混合されている。離間部材８は、ポッティング処理後の
テープキャリヤ１の巻取りに際して、テープキャリヤ１
を挟むスベーサテーブ７の中央部分の歪みを抑制し、ス
ベーサテープ７とポッティング樹脂３との接触を防止す
るように作用する。なお、第２図においては図面を見易
くするため離間部材８を斜線で示す。

次に、本実施例１のＴＡＢ方式による半導体集積回路装
置の製造方法を第３図および第４図により説明する。

第３図に示すように、テープキャリヤ１上のリード６の
先端に接合された半導体チップ４　《第１図参照》をポ
ッティング樹脂３により封止した段階で、治具９に整列
され収容された複数の離間部材８のうち、例えば四つの
離間部材８を真空吸着ノズル１０によって一度に吸引す
る。なお、真空吸着ノズル１０は、第４図の矢印で示す
方向の長さを変えることが可能な構造になっている。こ
れは、テープキャリヤ１の幅や半導体チップ４の大きさ
等に応じて離間部材８の設匿位萱を変えられるようにす
るためである。

次いで、真空吸着ノズル１０を図示しない駆動系により
、テープキャリヤ１側に移動する。この移動中に、図示
はしないが、離間部材８の底面に接着剤を塗布する。

続いて、真空吸着ノズル１０を、予め検出しておいたポ
ッティング樹脂３の形状や大きさ等の情報と、テープキ
ャリヤ１上のリード６等の位置情報とに基づいてテープ
キャリヤ１における離間部材８を接着する位置上に配置
する。

そして、離間部材８を吸引したまま真空吸着ノズル１０
を下方に移動し、離間部材８をテープキャリヤ１におけ
るポッテイング樹脂３の外周近傍に接着する。なお、図
示はしないがテープキャリヤ１の裏面側にも同様にして
離間部材８を接着する。

その後、テープキャリヤ１をスペーサテープ７（第１図
参照）によって挟んだ状態で収納リール（図示せず）に
巻取る。この際、スペーサテープ７０幅方向における中
央部の歪みが離間部材８により抑制され、スペーサテー
プ７とボッテイング樹脂３との接触が防止される。

このように本実施例１によれば、テープキャリヤ１の幅
が増しても、ポッティング処理後のテープキャリヤ１の
巻取りに際してスペーサテープ７の幅方向中央の歪みが
離間部材８によって抑制されるため、スベーサテープ７
とポッティング樹脂３との接触を防止することが可能と
なる。したがって、ＴＡＢ方式による半導体集積回路装
置の製造工程中におけるスペーサテープ７の歪みに起因
するポッティング樹脂３の不良を防止することができ、
ＴＡＢ方式による半導体集積回路装置の歩留りを向上さ
せることが可能となる。

〔実施例２〕 第５図は本発明の他の実施例であるＴＡＢ方式による半
導体集積回路装置の製造工程中におけるテープキャリヤ
の断面図である。

本実施例２においては、第５図に示すように、テープキ
ャリヤ１上の半導体チップ４をポッティング樹脂３によ
り封止した段階で、ポッティング樹脂３の外周近傍に、
テープキャリヤ１の巻取りに際して重なり合ったテープ
キャリヤ１におけるポッティング樹脂３．３同士を離間
する離間部材８を設ける。

離間部材８は、テープキャリヤ１の片面側に接着剤によ
って接着される。離間部材８の高さは、テープキャリヤ
１を巻取った際、重なり合ったテ一プキャリャ１．１上
のポッティング樹脂３．３が接触しないように設定され
ている。

本実施例２によれば、ポッティング処理後のテープキャ
リヤ１の巻取りに際して重なり合ったテープキャリヤ１
におけるポッティング樹脂３．３が離間部材８によって
離されるため、スペーサテープを設けないでもテープキ
ャリヤ１を巻取ることが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１．２に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施例１においては、離間部材を立方体と
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく種々変更可能であり、例えば第６図に示す離間部
材８のように、楕円球状でも良い。また、第７図に示す
離間部材８のように、円球状でも良い。また、第８図の
斜線で示す離間部材８のように、枠状でも良い。

また、前記実施例１、２においては、離間部材をポリエ
ステルにカーボンを混合して構成した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく種々変更可能で
ある。

また、前記実施例１．２においては、テープキャリヤを
ポリイミドにより構成した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく種々変更可能であり、例え
ばポリエチレン等でも良い。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

（１）．すなわち、テープキャリヤに形成された導体リ
ードの先端にバンプを介して接合された半導体チップを
封止樹脂により封止した段階で、前記テープキャリヤの
両面において封止樹脂の外周近傍に、前記テープキャリ
ヤの面に直交する方向に突出する離間部材を設け、前記
テープキャリヤの巻取りに際して封止樹脂とスペーサテ
ープとを離間する請求項１記載の発明によれば、封止処
理後のテープキャリヤの巻取りに際して、スベーサテー
プの幅方向中央の歪みが離間部材によって抑制されるた
め、スペーサテープと封止樹脂との接触を防止すること
が可能となる。したがって、ＴＡＢ方式による半導体集
積回路装置の製造工程におけるスペーサテープの歪みに
起因する封止樹脂の不良を防止することができ、ＴＡＢ
方式による半導体集積回路装置の歩留りを向上させるこ
とが可能となる。

Ｃ）．また、テープキャリヤに形成された導体リードの
先端にパンプを介して接合された半導体チップを封止樹
脂により封止した段階で、前記テープキャリヤの片面に
おいて封止樹脂の外側近傍に、前記テープキャリヤの面
に直交する方向に突出しする離間部材を設け、前記テー
プキャリヤの巻取りに際して重なり合うテープキャリヤ
における封止樹脂同士を離間する離間部材を設ける請求
項３記載の発明によれば、封止処理後のテープキャリヤ
の巻取りに際して、重なり合ったテープキャリヤの封止
樹脂同士が離間部材によって離されるため、テープキャ
リヤをスペーサテープによって挟むことなく巻取ること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例であるＴＡＢ方式による半導
体集積回路装置の製造工程中におけるテープキャリヤお
よびスペーサテープの断面図、第２図はこのテープキャ
リヤの平面図、第３図はＴＡＢ方式による半導体集積回
路装置の製造工程を説明するテープキャリヤ、離間部材
および真空吸着ノズルの斜視図、 第４図は第３図に示した真空吸着ノズルを示す概略斜視
図、 第５図は本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造工程中におけるテープキャリヤの断面図、 第６図および第７図は本発明の他の実施例である半導体
集積回路装置の製造工程中におけるテープキャリヤおよ
びスペーサテープの断面図、第８図は本発明の他の実施
例である半導体集積回路装置の製造工程中におけるテー
プキャリヤの平面図、 第９図は従来のテープキャリヤおよびスペーサテープの
断面図である。 １・・・テープキャリヤ、２・・・スブロケット孔、３
・・・ポッティング樹脂（封止樹脂）、４・・・半導体
チップ、５・・・ＣＣＢバンプ、６　・　・　・リード
、６ａ・　・　・テストパッド、７・・・スペーサテー
プ、７ａ・・・凸部、８・・・離間部材、９・・・治具
、１０・・・真空吸着ノズル、５０・・・スペーサテー
プ、５１・・・ポッティング樹脂。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、テープキャリヤに形成された導体リードの先端にバ
   ンプを介して接合された半導体チップを封止樹脂により
   封止した段階で、前記テープキャリヤの両面において封
   止樹脂の外周近傍に、前記テープキャリヤの面に直交す
   る方向に突出する離間部材を設け、前記テープキャリヤ
   の巻取りに際して封止樹脂とスペーサテープとを離間す
   ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ２、前記離間部材を枠状としたことを特徴とする請求項
   １記載の半導体集積回路装置の製造方法。 ３、テープキャリヤに形成された導体リードの先端にバ
   ンプを介して接合された半導体チップを封止樹脂により
   封止した段階で、前記テープキャリヤの片面において封
   止樹脂の外周近傍に、前記テープキャリヤの面に直交す
   る方向に突出する離間部材を設け、前記テープキャリヤ
   の巻取りに際して重なり合うテープキャリヤにおける封
   止樹脂同士を離間することを特徴とする半導体集積回路
   装置の製造方法。