JPH0463451A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0463451A JPH0463451A JP17587990A JP17587990A JPH0463451A JP H0463451 A JPH0463451 A JP H0463451A JP 17587990 A JP17587990 A JP 17587990A JP 17587990 A JP17587990 A JP 17587990A JP H0463451 A JPH0463451 A JP H0463451A
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- Japan
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- support tape
- thin wire
- chip
- tape
- support
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
半導体のチップのボンディングされた細線リドをサポー
トテープて支持するＴＡＢ方式（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ 以下ＴＡＢ方式と呼ぶ）を
用いた半導体装置に関する。
トテープて支持するＴＡＢ方式（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ 以下ＴＡＢ方式と呼ぶ）を
用いた半導体装置に関する。
ＩＣチップはチップ本体のみては機能しないため、ＩＣ
チップのパッケージングを行い、プリント基板等との接
続を行う。その際、ＩＣチップとリードフレームを細線
リードでボンディングすると細線リードとベースの間に
空隙かでき、この空隙のために封圧樹脂注入の際、細線
リードか振動することがある。この空隙を埋め、細線リ
ードを支持するためにサポートテープが必要になる。さ
らに、細線リードや、サポートテープ、ベース等は各材
質の違いかある。従って、材質が異なっても耐性に優れ
たパッケージングか求められている。
チップのパッケージングを行い、プリント基板等との接
続を行う。その際、ＩＣチップとリードフレームを細線
リードでボンディングすると細線リードとベースの間に
空隙かでき、この空隙のために封圧樹脂注入の際、細線
リードか振動することがある。この空隙を埋め、細線リ
ードを支持するためにサポートテープが必要になる。さ
らに、細線リードや、サポートテープ、ベース等は各材
質の違いかある。従って、材質が異なっても耐性に優れ
たパッケージングか求められている。
プラスチック封止型ＩＣ素子でＴＡＢ方式を使用した半
導体装置ではＩＣチップとリードフレーム間の細線リー
ドの振動や歪みから保護するために細線リードを支持す
るサポートテープが必要である。
導体装置ではＩＣチップとリードフレーム間の細線リー
ドの振動や歪みから保護するために細線リードを支持す
るサポートテープが必要である。
第３図は従来のプラスチック封止型ＩＣの一例を示す。
３０は細線リードであり、３１は細線リド３０を支持す
るためのサポートテープてあり、３２はＩＣチップ、３
３はリードフレームである。
るためのサポートテープてあり、３２はＩＣチップ、３
３はリードフレームである。
封止はＩＣチップ３２に悪影響を及ぼす塵埃、薬品、湿
気や、機械的な破壊から保護するためになされる。
気や、機械的な破壊から保護するためになされる。
ＩＣチップ３２は細線リード３０てリードフレーム３３
にボンディングされており、サポートテープ３１は細線
リード３０とリードフレーム３３の間にてきる空隙で細
線リード３０を支持するために設けられている。
にボンディングされており、サポートテープ３１は細線
リード３０とリードフレーム３３の間にてきる空隙で細
線リード３０を支持するために設けられている。
また、第４図は従来のＴＡＢ方式プラスチック封止型Ｉ
Ｃの一例の断面図を示す。第３図と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。４０は封止樹脂て
細線リード３０やサポートテープ３１を封止する。樹脂
封止は樹脂をトランスファーモールドにより注入し、Ｉ
Ｃチップ３２表面に密着し、完全に被覆する。
Ｃの一例の断面図を示す。第３図と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。４０は封止樹脂て
細線リード３０やサポートテープ３１を封止する。樹脂
封止は樹脂をトランスファーモールドにより注入し、Ｉ
Ｃチップ３２表面に密着し、完全に被覆する。
細線リード３０を支持するサポートテープ３１の材質は
吸湿性のあるカプトン（ポリイミド膜）であるので、封
止すると封止用の樹脂との接着性か悪く、細線リード
３０が振動して位置ずれや切断を生じることがある。ま
た、サポートテープ３１と細線リード３０とは膨張率が
異なるために細線リード３０がテープの膨張や収縮のた
めに切断されることもあるという問題かある。
吸湿性のあるカプトン（ポリイミド膜）であるので、封
止すると封止用の樹脂との接着性か悪く、細線リード
３０が振動して位置ずれや切断を生じることがある。ま
た、サポートテープ３１と細線リード３０とは膨張率が
異なるために細線リード３０がテープの膨張や収縮のた
めに切断されることもあるという問題かある。
さらに封止する樹脂はＩＣチップ３２や細線リド３０と
の接着性が弱いために、プリント基板等に装着する段階
でパッケージに実装ストレスを与えると、ひび割れを起
こす。
の接着性が弱いために、プリント基板等に装着する段階
でパッケージに実装ストレスを与えると、ひび割れを起
こす。
また、第４図中、ａはサポートテープ３１のエツジ部分
と封止樹脂４０との間にてきるひび割れを示す。これは
サポートテープ３１に外力が集中するためや温度変化に
よるもので、その場合ａのようなエツジ部分にひびが入
りやすい等の問題かあった。
と封止樹脂４０との間にてきるひび割れを示す。これは
サポートテープ３１に外力が集中するためや温度変化に
よるもので、その場合ａのようなエツジ部分にひびが入
りやすい等の問題かあった。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので封止用樹脂との
接着性を良くし、リードフレーム３３での耐実装ストレ
スを向上させ、細線リード３０の振動による切断等、及
びゃパッケージのひび割れを防ぎ、信頼性のある半導体
装置を提供することを目的とする。
接着性を良くし、リードフレーム３３での耐実装ストレ
スを向上させ、細線リード３０の振動による切断等、及
びゃパッケージのひび割れを防ぎ、信頼性のある半導体
装置を提供することを目的とする。
上記課題は細線リードを支持するサポートテープに複数
個のスルーホールを設け、また、サポートテープの所定
箇所に面取りを施すように構成することにより解決され
る。
個のスルーホールを設け、また、サポートテープの所定
箇所に面取りを施すように構成することにより解決され
る。
サポートテープにスルーホールを設けることにより樹脂
がスルーホールに注入され、スルーホールが樹脂で固め
られ、接着性が強くなる。また、応力が集中し易いサポ
ートテープのエツジ部分の面取りを施すことによりエツ
ジ部分に集中する応力を分散する。
がスルーホールに注入され、スルーホールが樹脂で固め
られ、接着性が強くなる。また、応力が集中し易いサポ
ートテープのエツジ部分の面取りを施すことによりエツ
ジ部分に集中する応力を分散する。
第１図は本発明の第１実施例の平面図を示す。
同図中、第３図と同一部分には同一符号を付し、その説
明を省略する。１０はサポートテープ、１１はスルーホ
ールである。
明を省略する。１０はサポートテープ、１１はスルーホ
ールである。
サポートテープ１０は細線リード３０を支持し、細線リ
ード３０はＩＣチップ３２とリードフレム３３をポンデ
ィングしている。
ード３０はＩＣチップ３２とリードフレム３３をポンデ
ィングしている。
テープ状のリードフレーム３３にはＩＯチ・ｙプ３２、
サポートテープ１０か設けられている。細線リード３０
はＩＣチップの電極とボンディングされ、ＩＣチップの
電極はパッド上に形成されている。
サポートテープ１０か設けられている。細線リード３０
はＩＣチップの電極とボンディングされ、ＩＣチップの
電極はパッド上に形成されている。
サポートテープ１０のスルーホール１１はサポートテー
プ１０の全面に任意の配列で複数個設ける。また、これ
によりプラススチック樹脂かサポトテーブＩＯの上下の
どちらからでも注入することかでき、サポートテープｌ
Ｏを挟んて上下に封止樹脂かあるので、封止樹脂に周囲
を固められて細線リード３０と共に固定される。
プ１０の全面に任意の配列で複数個設ける。また、これ
によりプラススチック樹脂かサポトテーブＩＯの上下の
どちらからでも注入することかでき、サポートテープｌ
Ｏを挟んて上下に封止樹脂かあるので、封止樹脂に周囲
を固められて細線リード３０と共に固定される。
スルーホール１１の大きさは例えば５０〜６０ミクロン
の大きさであっても封止樹脂か注入されるには十分であ
り、また、スルーホール１１の数は細線リード３０を支
持することかできる強度の範囲で全体的に多く設けた方
が封止樹脂との接着力か強くなる。
の大きさであっても封止樹脂か注入されるには十分であ
り、また、スルーホール１１の数は細線リード３０を支
持することかできる強度の範囲で全体的に多く設けた方
が封止樹脂との接着力か強くなる。
第２図は本発明の第２実施例の断面図を示す。
第１図、第３図と同一部分には同一符号を付し、その説
明を省略する。２０はサポートテープ１０のエツジであ
る。サポートテープ１０を断面から見ると上下４カ所の
エツジかあり、そのうち細線リード３０を支持していな
いほうの下部の２つのエツジ２０の部分に対し、ケミカ
ルエツチングまたはプレスにより面取りを施す。
明を省略する。２０はサポートテープ１０のエツジであ
る。サポートテープ１０を断面から見ると上下４カ所の
エツジかあり、そのうち細線リード３０を支持していな
いほうの下部の２つのエツジ２０の部分に対し、ケミカ
ルエツチングまたはプレスにより面取りを施す。
これにより封止樹脂２１を注入したときサポートテープ
のエツジ２０との接着面か円弧状であるので、いままで
サポートテープ１０のエツジ２０に集中していた応力が
分散される。
のエツジ２０との接着面か円弧状であるので、いままで
サポートテープ１０のエツジ２０に集中していた応力が
分散される。
従って、本発明の実施例でのリードフレーム３３におい
て、耐実装ストレスのパッケージクラック性では許容吸
湿時間が２倍以上となる。
て、耐実装ストレスのパッケージクラック性では許容吸
湿時間が２倍以上となる。
以上のように本発明によればサポートテープにスルーホ
ールを設けることにより封止樹脂かサポートテープのス
ルーホールに注入される。これによりアンカー効果が生
じ、サポートテープの周囲か固められ、接着性か向上し
、細線リートの振動や、膨張、収縮による細線リードの
断線が防止できる。
ールを設けることにより封止樹脂かサポートテープのス
ルーホールに注入される。これによりアンカー効果が生
じ、サポートテープの周囲か固められ、接着性か向上し
、細線リートの振動や、膨張、収縮による細線リードの
断線が防止できる。
また、サポートテープのエツジの面取りを行うことによ
りエツジに集中する力か拡散し、ＩＣチップの中部に応
力か集中してもその衝撃か和らげられる。また、実装の
時に膨張・収縮によるひび割れ等が起こり難くなり信頼
性の向上か図れるという特長がある。
りエツジに集中する力か拡散し、ＩＣチップの中部に応
力か集中してもその衝撃か和らげられる。また、実装の
時に膨張・収縮によるひび割れ等が起こり難くなり信頼
性の向上か図れるという特長がある。
第４図は従来のプラスチック封止型ＩＣの断面図である
。
。
図において、
ＩＯはサポートテープ、
１１はスルーホール、
３０は細線リード、
３２はＩＣチップ、
３３はリードフレーム、
２０はエツジ、
４０は封止樹脂、
４１はパッド
を示す。
第１図は本発明の第１実施例の平面図、第２図は本発明
の第２実施例の断面図、第３図は従来のプラスチック封
止型ＩＣの平面図、 本発明の第１実施例の平面図 第 図 本発明の第２実施例の断面図 第 図 従来のプラスチック封止型ＩＣの平面同第 図 従来のプラスチック封止型ＩＣの断面同第 図
の第２実施例の断面図、第３図は従来のプラスチック封
止型ＩＣの平面図、 本発明の第１実施例の平面図 第 図 本発明の第２実施例の断面図 第 図 従来のプラスチック封止型ＩＣの平面同第 図 従来のプラスチック封止型ＩＣの断面同第 図
Claims (2)
- （１）ＩＣをプラスチックにより封止したパッケージで
テープキャリア方式を使用し、サポートテープ（１０）
で前記ＩＣに設けられた電極と外部とを接続する複数本
の細線リード（１２）を支持する半導体装置において、 前記サポートテープ（１０）に複数個のスルーホール（
１１）を設けることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記サポートテープ（１０）の所定箇所に面取り
を施すことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463451A true JPH0463451A (ja) | 1992-02-28 |
| JP2815984B2 JP2815984B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16003810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17587990A Expired - Fee Related JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815984B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5970320A (en) * | 1993-06-04 | 1999-10-19 | Seiko Epson Corporation | Process of resin sealing a semiconductor device and lead frame |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17587990A patent/JP2815984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5554885A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-10 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device including means for dispersing and absorbing tensile forces acting on film tape |
| US5970320A (en) * | 1993-06-04 | 1999-10-19 | Seiko Epson Corporation | Process of resin sealing a semiconductor device and lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815984B2 (ja) | 1998-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814 Year of fee payment: 10 |
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