JPH03218675A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPH03218675A JPH03218675A JP2009028A JP902890A JPH03218675A JP H03218675 A JPH03218675 A JP H03218675A JP 2009028 A JP2009028 A JP 2009028A JP 902890 A JP902890 A JP 902890A JP H03218675 A JPH03218675 A JP H03218675A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体装置に係り、特にｎ型Ａｌ ｘ
Ｇａ１− ｘ Ａｓへのコンタクトの形成に関する。
Ｇａ１− ｘ Ａｓへのコンタクトの形成に関する。
（従来の技術）
砒化ガリウム（ＧａＡｓ）は、シリコン（Ｓｔ）に比べ
て、移動度が約６倍もあり、また半絶縁性基板を容易に
得ることができる等の利点を有していることから、高速
デバイス用材料として有望視されている。
て、移動度が約６倍もあり、また半絶縁性基板を容易に
得ることができる等の利点を有していることから、高速
デバイス用材料として有望視されている。
そしてこのＧａＡｓにアルミニウム（＾ｌ）を添加した
砒化アルミニウムガリウム（ Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ）は格子定数がＧａＡｓに極めて近（ 、ＧａＡ
ｓとの間で良好なエビタキシャル成長を行うことが可能
であることから、これらの間のへテロ接合を利用した＾
１ｘＧａ＋− Ｘ Ａｓ／ ＧａＡｓ系のへテロ接合デ
バイスの開発が盛んに行われている。
砒化アルミニウムガリウム（ Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ）は格子定数がＧａＡｓに極めて近（ 、ＧａＡ
ｓとの間で良好なエビタキシャル成長を行うことが可能
であることから、これらの間のへテロ接合を利用した＾
１ｘＧａ＋− Ｘ Ａｓ／ ＧａＡｓ系のへテロ接合デ
バイスの開発が盛んに行われている。
例えばＡｔ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓをワイドギャップ
エミッタとして用いたＡｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／
ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ（Ｈ Ｂ
Ｔ）や、Ａｌ ｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓを電子供給層
として用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）な
ど、多くのデハイスの開発が行われている。
エミッタとして用いたＡｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／
ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ（Ｈ Ｂ
Ｔ）や、Ａｌ ｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓを電子供給層
として用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）な
ど、多くのデハイスの開発が行われている。
これらのデバイスの高性能化にはオーミックコンタクト
の低減か極めて重要な役割を果たす。
の低減か極めて重要な役割を果たす。
一般に、＾ｌ Ｘ Ｇａ＋− ｘＡｓ層（０くＸ≦１）
上には低抵抗のオーミックコンタクトは形成しにくいた
め、表面にＡｔ Ｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓかくるような
デバイスであっても、この上にオーミックコンタクト用
のキャップ層としてｎ ＋ ＧａＡｓ層を形成したもの
が用いられる。
上には低抵抗のオーミックコンタクトは形成しにくいた
め、表面にＡｔ Ｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓかくるような
デバイスであっても、この上にオーミックコンタクト用
のキャップ層としてｎ ＋ ＧａＡｓ層を形成したもの
が用いられる。
そして、電極金属材料の組成や、合金化のための熱処理
温度等について様々な工夫がなされている。
温度等について様々な工夫がなされている。
しかしながら、ＧａＡｓやＡｌ ｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａ
ｓは、Ｓｉに比べてバンドギャップが大きく、かつ得ら
れる電子濃度の上限も低いため、コンタクト抵抗の低減
には限界かある。
ｓは、Ｓｉに比べてバンドギャップが大きく、かつ得ら
れる電子濃度の上限も低いため、コンタクト抵抗の低減
には限界かある。
そこで最近、よりバンドギャップの小さいＩｎ＞（Ｇａ
＋− ｘ Ａｓをコンタクト層として用いる方法が提案
されている（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ ｔ．Ｔｅｃｈｎｏ１．
，１９ （３）１９８１ＰＰ６２６〜６２７）。
＋− ｘ Ａｓをコンタクト層として用いる方法が提案
されている（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ ｔ．Ｔｅｃｈｎｏ１．
，１９ （３）１９８１ＰＰ６２６〜６２７）。
その一例として、ｎ型ＧａＡｓ層へのコンタクトを形成
する際に、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ層とｎ＋
ＩｎＡｓ層を介在させた場合の、ｎ型ＧａＡｓ層から、
ｎ十型Ｉｎｘ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ層、ｎ＋ｌｎＡｓ層
を経て、金属電極に至る理想的エネルギーバンド図を、
第５図に示す。
する際に、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ層とｎ＋
ＩｎＡｓ層を介在させた場合の、ｎ型ＧａＡｓ層から、
ｎ十型Ｉｎｘ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ層、ｎ＋ｌｎＡｓ層
を経て、金属電極に至る理想的エネルギーバンド図を、
第５図に示す。
ここでは、ＧａＡｓ層とｌｎＡｓ層とのバンドを滑らか
につなぐために、これらの間にＩｎＸ Ｇａｌ− Ｘ
Ａｓ （ Ｘ −０−１）の組成傾斜層が挿入されてい
る。ＩｎＡｓ層と電極との間にはショットキバリアがな
いため、低抵抗のコンタクトを得ることができる。
につなぐために、これらの間にＩｎＸ Ｇａｌ− Ｘ
Ａｓ （ Ｘ −０−１）の組成傾斜層が挿入されてい
る。ＩｎＡｓ層と電極との間にはショットキバリアがな
いため、低抵抗のコンタクトを得ることができる。
ところで、ｌｎＡｓ層とＧａＡｓ層との間にには、約７
９６という大きな格子不整がある。
９６という大きな格子不整がある。
このため、ｌｎＧａＡｓ層にはミスフィット転位が発生
する。このｌ ｎＧａＡｓ層の膜厚が臨界厚以下の場合
には転位は発生しない。しかし、低抵抗のオーミックコ
ンタクトを得るためには１ｎの混晶比Ｘは１に近いほど
よく、臨界厚はＸが１に近い程小さい。
する。このｌ ｎＧａＡｓ層の膜厚が臨界厚以下の場合
には転位は発生しない。しかし、低抵抗のオーミックコ
ンタクトを得るためには１ｎの混晶比Ｘは１に近いほど
よく、臨界厚はＸが１に近い程小さい。
この臨界厚はＸか０．５である場合、数十Ａ以下である
。さらに、Ｘが１に近い程、バンドを滑らかにつなぐた
めに必要なＩｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層の厚
さは厚くなる。一方、素子性能、プロセス等を考えると
コンタクト層の厚さは薄いほうが好ましい。このような
理由から、結局のところ、実用的な構造て低抵抗オーミ
ックコンタクトを得るためにはミスフィット転位の発生
は避けられない。
。さらに、Ｘが１に近い程、バンドを滑らかにつなぐた
めに必要なＩｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層の厚
さは厚くなる。一方、素子性能、プロセス等を考えると
コンタクト層の厚さは薄いほうが好ましい。このような
理由から、結局のところ、実用的な構造て低抵抗オーミ
ックコンタクトを得るためにはミスフィット転位の発生
は避けられない。
そして、このような転位は、特に中間層であるＩｎｘ
Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層に集中し、この領域のキ
ャリアを補償してしまうため、キャリア濃度の低下を招
くという問題があった。
Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層に集中し、この領域のキ
ャリアを補償してしまうため、キャリア濃度の低下を招
くという問題があった。
ところで、通常得られるキャリア濃度の上限はエピタキ
シャル成長の条件等に依存するものの、ｌｎＡｓＳＧａ
Ａｓそれそれについて約２×１０１９ＣＩＩ１−３１×
１０ｌ９Ｃ＃ｌ−３程度であることが知られているが、
ＩｎＡｓ／ ［ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＧａＡｓ
構造においては、特に、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘＡｓ中間
層で、キャリア濃度の大きなディップが生じてしま゛う
。Ｉｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ層を充分に厚くすれば転
位密度（ｃｍ−３）も低下し、デイツブも減少する。
シャル成長の条件等に依存するものの、ｌｎＡｓＳＧａ
Ａｓそれそれについて約２×１０１９ＣＩＩ１−３１×
１０ｌ９Ｃ＃ｌ−３程度であることが知られているが、
ＩｎＡｓ／ ［ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＧａＡｓ
構造においては、特に、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘＡｓ中間
層で、キャリア濃度の大きなディップが生じてしま゛う
。Ｉｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ層を充分に厚くすれば転
位密度（ｃｍ−３）も低下し、デイツブも減少する。
しかしなから、この構造をｎ型オーミックコンタクトを
有する半導体装置に適用することを考えると、膜厚を増
加させることは実用的でない。
有する半導体装置に適用することを考えると、膜厚を増
加させることは実用的でない。
第６図に、シリコンドープのＩｎＡｓ／ ｌｎｘ Ｇａ
１− ｘＡｓ／ＧａＡｓ構造中のキャリア濃度分布を測
定した結果を示す。ここて、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａ
ｓの膜厚は５００人とし、ＩｎＡｓ， ｌｎｘ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓについてはシリコンを１． ５ Ｘ １
０１９ｃｍ−３ドーピングした。この図からも明らか
なように、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層中では、キャ
リア濃度は大きく落ち込み、特にＧａＡｓ層との界面近
傍ではキャリアの存在しない領域も形成されている。こ
のような状態では、半導体層に垂直な方向に電流を流し
た場合のコンタクト抵抗は５×１０−６ΩｃＩＩｔと高
いものであった。
１− ｘＡｓ／ＧａＡｓ構造中のキャリア濃度分布を測
定した結果を示す。ここて、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａ
ｓの膜厚は５００人とし、ＩｎＡｓ， ｌｎｘ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓについてはシリコンを１． ５ Ｘ １
０１９ｃｍ−３ドーピングした。この図からも明らか
なように、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層中では、キャ
リア濃度は大きく落ち込み、特にＧａＡｓ層との界面近
傍ではキャリアの存在しない領域も形成されている。こ
のような状態では、半導体層に垂直な方向に電流を流し
た場合のコンタクト抵抗は５×１０−６ΩｃＩＩｔと高
いものであった。
このように、ＩｎＡｓ／電極界面で低抵抗のコンタクト
を得ることかできても、コンタクト部全体としては十分
な低抵抗化をはかることができないという問題かあった
。
を得ることかできても、コンタクト部全体としては十分
な低抵抗化をはかることができないという問題かあった
。
（発明が解決しようとする課題）
このように、ｌｎｘ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ層を用いてｎ
型ＧａＡｓ層へのオーミックコンタクトを形成するに際
し、ｌｎｘ Ｇａ１− Ｘ ＡＳ組成傾斜層中で、ミス
フィット転位によるキャリアの補償により、キャリア濃
度が低下し、高抵抗となる領域か形成され、コンタクト
抵抗が大きくなってしまうという問題があった。
型ＧａＡｓ層へのオーミックコンタクトを形成するに際
し、ｌｎｘ Ｇａ１− Ｘ ＡＳ組成傾斜層中で、ミス
フィット転位によるキャリアの補償により、キャリア濃
度が低下し、高抵抗となる領域か形成され、コンタクト
抵抗が大きくなってしまうという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、ＩｎｘＧａ
＋− ｘ Ａｓ層を用いてｎ型ＧａＡｓ層へのオーミッ
クコンタクトを形成するに際し、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ組成傾斜層中でのキャリア濃度の低下により高抵
抗層が形成されるという問題を回避し、極低抵抗のオー
ミックコンタクトを実現することを目的とする。
＋− ｘ Ａｓ層を用いてｎ型ＧａＡｓ層へのオーミッ
クコンタクトを形成するに際し、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ組成傾斜層中でのキャリア濃度の低下により高抵
抗層が形成されるという問題を回避し、極低抵抗のオー
ミックコンタクトを実現することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明では、ｎ型Ａｌｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層
に、１ｎＸ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層および組成
が一様なＩｎｘＧａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層を介し
て電極金属層を形成するに際し、ｌｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ組成傾斜層をｎ型として活性化される不純物１度
よりも多いｎ型不純物をドーブしたもので構成するよう
にしている。
に、１ｎＸ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層および組成
が一様なＩｎｘＧａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層を介し
て電極金属層を形成するに際し、ｌｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ組成傾斜層をｎ型として活性化される不純物１度
よりも多いｎ型不純物をドーブしたもので構成するよう
にしている。
そして望ましくは、［ｎｘ Ｇａ＋− ｘ＾Ｓ組成傾斜
層中の、該１ｎｘＧａ＋− Ｘ Ａｓコンタクト層に接
する領域のキャリア濃度が、該Ａｔ ｘ Ｇａ＋− Ｘ
Ａｓ層に接する領域のキャリア濃度よりも高くなるよ
うに構成している。
層中の、該１ｎｘＧａ＋− Ｘ Ａｓコンタクト層に接
する領域のキャリア濃度が、該Ａｔ ｘ Ｇａ＋− Ｘ
Ａｓ層に接する領域のキャリア濃度よりも高くなるよ
うに構成している。
また、望ましくは、該１ｎｘ’Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成
傾斜層中の、該Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層に接す
る領域のｎ型不純物濃度が、該１ｒＨ Ｇａ＋− Ｘ
Ａｓコンタクト層に接する領域のｎ型不純物濃度よりも
高くなるように構成している。
傾斜層中の、該Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層に接す
る領域のｎ型不純物濃度が、該１ｒＨ Ｇａ＋− Ｘ
Ａｓコンタクト層に接する領域のｎ型不純物濃度よりも
高くなるように構成している。
（作用）
本発明者らは、第６図に示したような、シリコンドープ
のｌｎＡｓ／ Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＧａＡ
ｓｔＪｉ造中のキャリア濃度分布の測定結果に基ついて
様々な考察を重ね、種々の実験を行った結果、ｌｎｘ
Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層へのｎ型不純物ドープ量
を大幅に大きくすることにより、この層中のキャリア濃
度の極端な落ち込みかなくなることを発見した。
のｌｎＡｓ／ Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＧａＡ
ｓｔＪｉ造中のキャリア濃度分布の測定結果に基ついて
様々な考察を重ね、種々の実験を行った結果、ｌｎｘ
Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層へのｎ型不純物ドープ量
を大幅に大きくすることにより、この層中のキャリア濃
度の極端な落ち込みかなくなることを発見した。
本発明は、これに着目してなされたものである。
すなわち、本発明によれば、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａ
ｓ組成傾斜層へのｎ型不純物ドープ量をｎ型として活性
化される不純物濃度よりも多く設定することにより、縦
方向に電流を流す場合においても、極めて低抵抗のコン
タクトを得ることができる。
ｓ組成傾斜層へのｎ型不純物ドープ量をｎ型として活性
化される不純物濃度よりも多く設定することにより、縦
方向に電流を流す場合においても、極めて低抵抗のコン
タクトを得ることができる。
また、このとき、ｌｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜
層中の、該１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層に
接する領域のキャリア濃度が、該＾Ｉ Ｘ Ｇａ１−
Ｘ Ａｓ層に接する領域のキャリア濃度よりも高くなる
ように構成することによって、さらにコンタクト抵抗を
低くすることができる。
層中の、該１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層に
接する領域のキャリア濃度が、該＾Ｉ Ｘ Ｇａ１−
Ｘ Ａｓ層に接する領域のキャリア濃度よりも高くなる
ように構成することによって、さらにコンタクト抵抗を
低くすることができる。
さらにまた、該＋＋１Ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜
層中の、該Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層に接する領
域のｎ型不純物濃度が、該１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ
コンタクト層に接する領域のｎ型不純物濃度よりも高く
することによって、この層中のキャリア濃度を高め、さ
らにより低抵抗のコンタクトを得ることが可能となる。
層中の、該Ａｌ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層に接する領
域のｎ型不純物濃度が、該１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ
コンタクト層に接する領域のｎ型不純物濃度よりも高く
することによって、この層中のキャリア濃度を高め、さ
らにより低抵抗のコンタクトを得ることが可能となる。
実験結果から、この不純物濃度は、３Ｘ１０１９ｃａｍ
−３以上であるのが望ましい。
−３以上であるのが望ましい。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
第１図は、ＡＩＧａＡｓ／ ＧａＡｓヘテロ接合を用い
た本発明の第１の実施例のへテロ接合バイポーラトラン
ジスタを示す断面図である。
た本発明の第１の実施例のへテロ接合バイポーラトラン
ジスタを示す断面図である。
このヘテロ接合バイポーラトランジスタは、膜厚２００
０人のｎ型Ａｌｏ．ａ Ｇａｏ．７＾Ｓ層５および膜厚
３００人のｎ型＾Ｉ Ｘ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜
層（ｘ −０．３→０）６とからなるエミツタ層へのコ
ンタクトが、膜厚５００人のｎ十型ＧａＡｓ層７と、膜
厚４００Ａのｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾
斜層（ｘ一〇一１）８と、膜厚４００人のｎ十型１ ｎ
Ａｓ層９とから構成され、このｎ十型１ｎＡｓ層９およ
びｎ十型１ｎＸ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層８の不純物濃度
を３． ５．ｘ １ ０ １９ｃｎ＋−３と高濃度に
し、この上にＣｒ／Ａｕ層からなるエミッタ電極１３を
形成したことを特徴とするものである。このどきｌｎｘ
Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層８の不純物濃度は第２
図（ａ）に示すように３．５Ｘ１０１９ＣＩｌｌ−３と
なっている。ここで、ｎ型不純物としてはＳｔ， ｐ型
不純物としてはＢｅを用いた。
０人のｎ型Ａｌｏ．ａ Ｇａｏ．７＾Ｓ層５および膜厚
３００人のｎ型＾Ｉ Ｘ Ｇａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜
層（ｘ −０．３→０）６とからなるエミツタ層へのコ
ンタクトが、膜厚５００人のｎ十型ＧａＡｓ層７と、膜
厚４００Ａのｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾
斜層（ｘ一〇一１）８と、膜厚４００人のｎ十型１ ｎ
Ａｓ層９とから構成され、このｎ十型１ｎＡｓ層９およ
びｎ十型１ｎＸ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ層８の不純物濃度
を３． ５．ｘ １ ０ １９ｃｎ＋−３と高濃度に
し、この上にＣｒ／Ａｕ層からなるエミッタ電極１３を
形成したことを特徴とするものである。このどきｌｎｘ
Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜層８の不純物濃度は第２
図（ａ）に示すように３．５Ｘ１０１９ＣＩｌｌ−３と
なっている。ここで、ｎ型不純物としてはＳｔ， ｐ型
不純物としてはＢｅを用いた。
すなわち、このヘテロ接合バイボーラトランジスタは、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に積層されコレクタコンタク
ト層を構成する膜厚５０００Ａのｎ＋型ＧａＡｓ層２と
、この上層に順次積層され低濃度コレクタ層を構成する
膜厚５０００人のｎ一型ＧａＡｓ層３と、ベース層を構
成する膜厚１００〇八のｐ＋ ＧａＡｓ層４と、エミッ
タ層を構成する膜厚２０００人のｎ型Ａｔｏ．３Ｇａｏ
．７Ａｓ層５および膜厚３００人のｎ型Ａｌｘ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓ組成傾斜層（Ｘ −０．３ →０ ）６と
から素子領域か構成されており、エミッタ層へのコンタ
クトが、ｎ十型ＧａＡｓ層７と、ｎ十型ＩｎＸ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ−０→１）８と、ｎ＋型Ｉ
ｎＡｓ層９とから構成されている。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に積層されコレクタコンタク
ト層を構成する膜厚５０００Ａのｎ＋型ＧａＡｓ層２と
、この上層に順次積層され低濃度コレクタ層を構成する
膜厚５０００人のｎ一型ＧａＡｓ層３と、ベース層を構
成する膜厚１００〇八のｐ＋ ＧａＡｓ層４と、エミッ
タ層を構成する膜厚２０００人のｎ型Ａｔｏ．３Ｇａｏ
．７Ａｓ層５および膜厚３００人のｎ型Ａｌｘ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓ組成傾斜層（Ｘ −０．３ →０ ）６と
から素子領域か構成されており、エミッタ層へのコンタ
クトが、ｎ十型ＧａＡｓ層７と、ｎ十型ＩｎＸ Ｇａ＋
− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ−０→１）８と、ｎ＋型Ｉ
ｎＡｓ層９とから構成されている。
そして、各層にコンタクトするようにエミッタ電極１０
、ベース電１ｆｉｌｌ、コレクタ電極１２が彰成されて
いる。
、ベース電１ｆｉｌｌ、コレクタ電極１２が彰成されて
いる。
このヘテロ接合バイポーラトランジスタの各半導体層は
、基板上にエビタキシャル成長させる必要があり、この
エビタキシャル成長法としては、分子線エビタキシー法
（ＭＢＥ法）、ガスソース分子線エビタキシー法（ＧＳ
ＭＢＥ法）、または、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）等が用いられる。ここでは、ＭＢＥ法を用いた。
、基板上にエビタキシャル成長させる必要があり、この
エビタキシャル成長法としては、分子線エビタキシー法
（ＭＢＥ法）、ガスソース分子線エビタキシー法（ＧＳ
ＭＢＥ法）、または、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）等が用いられる。ここでは、ＭＢＥ法を用いた。
ここで、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層
（ｘ −０→１）８において、Ｘは０，１の間を下から
上に向かって大きくなるように設定されており、こうす
ることにより、ｎ＋型ＧａＡｓ層７とｎ十型ｌｎＡｓ層
９との間における伝導帯をなめらかにつなぐことができ
る。
（ｘ −０→１）８において、Ｘは０，１の間を下から
上に向かって大きくなるように設定されており、こうす
ることにより、ｎ＋型ＧａＡｓ層７とｎ十型ｌｎＡｓ層
９との間における伝導帯をなめらかにつなぐことができ
る。
このＨＢＴのｎ＋型ＧａＡｓ層７と、ｎ十型１ｎｘＧａ
１− Ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（Ｘ−０→１
）８と、ｎ十型１ｎＡｓ層９とにおけるキャリア濃度を
測定した結果を第２図（ｂ）に示す。この図からも明ら
かなように、ｎ十型ｌｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間層
でのキャリア濃度の落ち込みはほとんどなくなっている
ことがわかる。
１− Ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（Ｘ−０→１
）８と、ｎ十型１ｎＡｓ層９とにおけるキャリア濃度を
測定した結果を第２図（ｂ）に示す。この図からも明ら
かなように、ｎ十型ｌｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間層
でのキャリア濃度の落ち込みはほとんどなくなっている
ことがわかる。
このようにして得られたＨＢＴのエミッタコンタクト抵
抗は、７Ｘ１０−８Ωｃｄとなっており、従来例のＨＢ
Ｔの５×１０ ６ΩＣ一に比べて極めて小さいものであ
った。
抗は、７Ｘ１０−８Ωｃｄとなっており、従来例のＨＢ
Ｔの５×１０ ６ΩＣ一に比べて極めて小さいものであ
った。
このように、本発明のＨＢＴてはエミッタ抵抗を極めて
低くすることができるため、従来例のＨＢＴに比べてト
ランスコンダクタンスＧＩＩ１が向上し、より電流密度
の高い領域での動作が可能となった。
低くすることができるため、従来例のＨＢＴに比べてト
ランスコンダクタンスＧＩＩ１が向上し、より電流密度
の高い領域での動作が可能となった。
また、トランジスタの性能指数の１っであるカットオフ
周波数ｆＴは９０ＧＨｚとなり、従来の７０のＧＨｚに
比べて大幅に向上している。
周波数ｆＴは９０ＧＨｚとなり、従来の７０のＧＨｚに
比べて大幅に向上している。
なお、同様の構造において、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋−
ｘＡｓ中間層８の不純物濃度のみを変化させたＨＢＴの
、不純物濃度とコンタクト抵抗率との関係を測定した結
果を第１表に示す。
ｘＡｓ中間層８の不純物濃度のみを変化させたＨＢＴの
、不純物濃度とコンタクト抵抗率との関係を測定した結
果を第１表に示す。
第１表
この場合、得られるｎ型キャリア濃度の上限はオヨソ２
×１０ｌ９ｃＩＩ１−３程度であるが、この表からも明
らかなように、ｎ十型１口Ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間
層８の不純物濃度を３ Ｘ １ ０ １９ｃｍ−３以上
としたとき極めて低いコンタクト抵抗を得ることができ
る。
×１０ｌ９ｃＩＩ１−３程度であるが、この表からも明
らかなように、ｎ十型１口Ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間
層８の不純物濃度を３ Ｘ １ ０ １９ｃｍ−３以上
としたとき極めて低いコンタクト抵抗を得ることができ
る。
実施例２
次に本発明の第２の実施例として、第１図に示した実施
例１のＨＢＴと同一構造でＩｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ
組成傾斜層８の不純物濃度を層中で変化させた例につい
て説明する。
例１のＨＢＴと同一構造でＩｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ
組成傾斜層８の不純物濃度を層中で変化させた例につい
て説明する。
すなわち、この実施例２のＨＢＴは、ｌｎｘＧａ１−ｘ
Ａｓ組成傾斜層８の不純物濃度を第３図（ａ）に示すよ
うに、ＩｎｘＧａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層８中でのｎ
型不純物濃度が、該ＧａＡｓ層７側から、該１ｎＡｓコ
ンタクト層９側にかけて徐々に低くなるようにしている
。すなわち、該ＧａＡｓ層７に接する領域のｎ型不純物
濃度ｄ１は、該１ ｎＡｓコンタクト層９に接する領域
のｎ型不純物濃度ｄ２よりも高くなっている。
Ａｓ組成傾斜層８の不純物濃度を第３図（ａ）に示すよ
うに、ＩｎｘＧａ１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層８中でのｎ
型不純物濃度が、該ＧａＡｓ層７側から、該１ｎＡｓコ
ンタクト層９側にかけて徐々に低くなるようにしている
。すなわち、該ＧａＡｓ層７に接する領域のｎ型不純物
濃度ｄ１は、該１ ｎＡｓコンタクト層９に接する領域
のｎ型不純物濃度ｄ２よりも高くなっている。
このとき、ｌｎＡｓコンタクト層９に接する領域のｎ型
不純物濃度ｄ２を３．５×１０１９ＣＩｌｌ−３とし、
ＧａＡｓ層７に接する領域のｎ型不純物濃度ｄｉを５．
０×１０１９０ＩＩ＋−３とした。
不純物濃度ｄ２を３．５×１０１９ＣＩｌｌ−３とし、
ＧａＡｓ層７に接する領域のｎ型不純物濃度ｄｉを５．
０×１０１９０ＩＩ＋−３とした。
このＨＢＴのｎ十型ＧａＡｓ層７と、ｎ十型Ｉｎ＞（Ｇ
ａ＋− ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（ｘ−０−
１）８と、ｎ十型１ ｎＡｓ層９とにおけるキャリア濃
度を？定した結果を第３図（ｂ）に示す。この図からも
明らかなように、ｎ十型Ｉｎ）（ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ
中間層でのキャリア濃度の落ち込みはほとんどなくなっ
すおり、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層中の、
ＩｎＡｓコンタクト層に接する領域のキャリア濃度Ｄ２
が、該ＧａＡｓ層に接する領域のキャリア濃度Ｄ１より
も高くなっている。
ａ＋− ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（ｘ−０−
１）８と、ｎ十型１ ｎＡｓ層９とにおけるキャリア濃
度を？定した結果を第３図（ｂ）に示す。この図からも
明らかなように、ｎ十型Ｉｎ）（ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ
中間層でのキャリア濃度の落ち込みはほとんどなくなっ
すおり、Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層中の、
ＩｎＡｓコンタクト層に接する領域のキャリア濃度Ｄ２
が、該ＧａＡｓ層に接する領域のキャリア濃度Ｄ１より
も高くなっている。
このようにして得られたＨＢＴのエミッタコンタクト抵
抗は、５×１０−８ΩＣ−となっており、実施例ｌのＨ
ＢＴよりも小さくなっており、さらには従来例のＨＢＴ
の５Ｘ１０−６ΩＣ一に比べると極めて小さいものであ
った。
抗は、５×１０−８ΩＣ−となっており、実施例ｌのＨ
ＢＴよりも小さくなっており、さらには従来例のＨＢＴ
の５Ｘ１０−６ΩＣ一に比べると極めて小さいものであ
った。
このように、実施例２のＨＢＴではエミッタ抵抗を極め
て低くすることができるため、さらにトランスコンダク
タンスＧｉが向上し、より電流密度の高い領域での動作
が可能となった。
て低くすることができるため、さらにトランスコンダク
タンスＧｉが向上し、より電流密度の高い領域での動作
が可能となった。
また、トランジスタの性能指数の１ってあるカットオフ
周波数ｆｒは１００ＧＨｚとなり、実施例１のＨＢＴの
カットオフ周波数ｆ■よりもさらに向上している。
周波数ｆｒは１００ＧＨｚとなり、実施例１のＨＢＴの
カットオフ周波数ｆ■よりもさらに向上している。
なお、同様の構造において、ｎ十型１ｎｘＧａ＋− ｘ
Ａｓ中間層８の不純物濃度変化の勾配は同一とし不純物
濃度レベルのみを変化させたＨＢＴの、不純物濃度とコ
ンタクト抵抗率との関係を測定した結果を第２表に示す
。
Ａｓ中間層８の不純物濃度変化の勾配は同一とし不純物
濃度レベルのみを変化させたＨＢＴの、不純物濃度とコ
ンタクト抵抗率との関係を測定した結果を第２表に示す
。
第２表
この場合、得られるｎ型キャリア濃度の上限はおよそ２
Ｘ１０１９Ｃ『３程度てあるが、この表からも明らかな
ように、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ中間層８の
不純物濃度を３×１０１９Ｃ『３以上としたとき極めて
低いコンタクト抵抗を得ることができる。
Ｘ１０１９Ｃ『３程度てあるが、この表からも明らかな
ように、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ中間層８の
不純物濃度を３×１０１９Ｃ『３以上としたとき極めて
低いコンタクト抵抗を得ることができる。
実施例３
なお、前記実施例２のＨＢＴては、Ｉｎｘ Ｇａ＋−
ｘＡｓ組成傾斜層８の不純物濃度は、ＧａＡｓ層７側か
ら、該１ ｎＡｓコンタクト層９側にかけて徐々に低く
なるようにしたが、第３の実施例として、第４図（ａ）
に示すように、ＩｎｘＧａｌ− Ｘ Ａｓ組成傾斜層８
のｎ型不純物濃度が、該ＧａＡｓ層７に接する領域から
ややＩｎＡｓコンタクト層９側に入った領域で高くなっ
たのち、さらに徐々に低くなるようにしてもよい。
ｘＡｓ組成傾斜層８の不純物濃度は、ＧａＡｓ層７側か
ら、該１ ｎＡｓコンタクト層９側にかけて徐々に低く
なるようにしたが、第３の実施例として、第４図（ａ）
に示すように、ＩｎｘＧａｌ− Ｘ Ａｓ組成傾斜層８
のｎ型不純物濃度が、該ＧａＡｓ層７に接する領域から
ややＩｎＡｓコンタクト層９側に入った領域で高くなっ
たのち、さらに徐々に低くなるようにしてもよい。
この場合の｝ＩＢＴのｎ十型ＧａＡｓ層７と、ｎ十型Ｉ
ｎＸ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（
ｘ−０−＋１）８と、ｎ十型ＩｎＡｓ層９とにおけるキ
ャリア濃度を測定した結果を第４図（ｂ）に示す。この
図からも明らかなように、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ中間層てのキャリア濃度の落ち込みはまったくな
くなっており、ｌｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ組成傾斜層
中の、ＩｎＡｓ−７ンタクト層に接する領域のキャリア
濃度Ｄ２が、該ＧａＡｓ層に接する領域のキャリア濃度
Ｄ１よりも高くなっている。そして、コンタクト抵抗は
４×１０−８ΩＣ一とさらに低くなっている。
ｎＸ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ中間層すなわち組成傾斜層（
ｘ−０−＋１）８と、ｎ十型ＩｎＡｓ層９とにおけるキ
ャリア濃度を測定した結果を第４図（ｂ）に示す。この
図からも明らかなように、ｎ十型１ｎｘ Ｇａ＋− ｘ
Ａｓ中間層てのキャリア濃度の落ち込みはまったくな
くなっており、ｌｎｘ Ｇａ＋− Ｘ Ａｓ組成傾斜層
中の、ＩｎＡｓ−７ンタクト層に接する領域のキャリア
濃度Ｄ２が、該ＧａＡｓ層に接する領域のキャリア濃度
Ｄ１よりも高くなっている。そして、コンタクト抵抗は
４×１０−８ΩＣ一とさらに低くなっている。
なお、各半導体層の不純物濃度や厚さについては、実施
例に限定されることなく必要に応じて適宜変更可能であ
る。
例に限定されることなく必要に応じて適宜変更可能であ
る。
加えて、その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することが可能である。
種々変形して実施することが可能である。
以上説明してきたように、本発明によれば、ｎ型Ａｌ
ｘ Ｇａｌ− Ｘ Ａｓ層へのコンタクトを、ｌｎｘ
Ｇａ＋− ｘＡｓ組成傾斜層と組成が一様なｌｎｘ Ｇ
ａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層と電極金属層とによって
形成するに際し、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜
層をｎ型として活性化される不純物濃度よりも多いｎ型
不純物をドープするようにしているため、Ｉｎｘ Ｇａ
１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層の厚さを十分薄くしたままで
もこの部分におけるキ八ヤリア濃度の低下による高抵抗
化もなく、低抵抗のコンタクトを形成することか可能と
なる。
ｘ Ｇａｌ− Ｘ Ａｓ層へのコンタクトを、ｌｎｘ
Ｇａ＋− ｘＡｓ組成傾斜層と組成が一様なｌｎｘ Ｇ
ａ＋− ｘ Ａｓコンタクト層と電極金属層とによって
形成するに際し、ｌｎｘ Ｇａ１− ｘ Ａｓ組成傾斜
層をｎ型として活性化される不純物濃度よりも多いｎ型
不純物をドープするようにしているため、Ｉｎｘ Ｇａ
１− Ｘ Ａｓ組成傾斜層の厚さを十分薄くしたままで
もこの部分におけるキ八ヤリア濃度の低下による高抵抗
化もなく、低抵抗のコンタクトを形成することか可能と
なる。
第１図は本発明の第１の実施例のへテロ接合バイポーラ
トランジスタを示す断面図、第２図（ａ）は同トランジ
スタのエミッタコンタクト部の各層のｎ型不純物濃度と
深さとの関係を示す断面図、第２図（ｂ）はキャリア濃
度と深さとの関係を示す断面図、第３図（ａ）は本発明
の第２の実施例の同トランジスタのエミッタコンタクト
部の各層のｎ型不純物濃度と深さとの関係を示す断面図
、第３図（ｂ）は同トランジスタのキャリア濃度と深さ
との関係を示す断面図、第４図（ａ）は本発明の第３の
実施例の同トランジスタのエミッタコンタクト部の各層
のｎ型不純物濃度と深さとの関係を示す断面図、第４図
（ｂ）は同トランジスタのキャリア濃度と深さとの関係
を示す断面図、第５図はｎ型ＧａＡｓ／ｎ十型１ｎｘ
Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＩｎＡｓ電極構造の理想的エネ
ルギーバンド図、第６図は従来のシリコンドープｎ型Ｇ
ａＡｓ／ｎ十型！ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ｌｎＡ
ｓ電極構造における各層のキャリア濃度と深さとの関係
を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２−ｎ十型ＧａＡｓ層
、３−−・ｎ一型ＧａＡｓ層、４ − ｐ ＋ＧａＡｓ
層、５−ｎ型＾ｌｏ、ａ Ｇａｏ．ｙ Ａｓ層、６・＝
ｎ型＾１ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ−０
．３ −＋０ ） 、７＝・ｎ＋型ＧａＡｓ層、８−
ｎ＋型Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ
−０ −”１） 、’Ｌ・・ｎ十型Ｉ ｎＡｓ層、１０
・・・エミツタ電極、１１・・・ベース電極、１２・・
・コレクタ電極。 完 １ 図 （０） （ｂ） 第２ 図 第５図 ５００ ０ ５Ｃ０１０００１５の 距１！ （Ａ） 第６図 ＩｎＡｓコンタ７ト，胃 ５００ ０５００１αｙ：＞＋５ｏｏ 距稚（八） （０） 第３ Ｉｎたコン９７ト眉 距離（人） （０．） 第４ ［ｎＡｓコンフフト５ｉ 距雅（Ａ） （ｂ） 図 距Ｗ ｆＡ） （ｂ） 図
トランジスタを示す断面図、第２図（ａ）は同トランジ
スタのエミッタコンタクト部の各層のｎ型不純物濃度と
深さとの関係を示す断面図、第２図（ｂ）はキャリア濃
度と深さとの関係を示す断面図、第３図（ａ）は本発明
の第２の実施例の同トランジスタのエミッタコンタクト
部の各層のｎ型不純物濃度と深さとの関係を示す断面図
、第３図（ｂ）は同トランジスタのキャリア濃度と深さ
との関係を示す断面図、第４図（ａ）は本発明の第３の
実施例の同トランジスタのエミッタコンタクト部の各層
のｎ型不純物濃度と深さとの関係を示す断面図、第４図
（ｂ）は同トランジスタのキャリア濃度と深さとの関係
を示す断面図、第５図はｎ型ＧａＡｓ／ｎ十型１ｎｘ
Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ＩｎＡｓ電極構造の理想的エネ
ルギーバンド図、第６図は従来のシリコンドープｎ型Ｇ
ａＡｓ／ｎ十型！ｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ／ ｌｎＡ
ｓ電極構造における各層のキャリア濃度と深さとの関係
を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２−ｎ十型ＧａＡｓ層
、３−−・ｎ一型ＧａＡｓ層、４ − ｐ ＋ＧａＡｓ
層、５−ｎ型＾ｌｏ、ａ Ｇａｏ．ｙ Ａｓ層、６・＝
ｎ型＾１ ｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ−０
．３ −＋０ ） 、７＝・ｎ＋型ＧａＡｓ層、８−
ｎ＋型Ｉｎｘ Ｇａ＋− ｘ Ａｓ組成傾斜層（ｘ
−０ −”１） 、’Ｌ・・ｎ十型Ｉ ｎＡｓ層、１０
・・・エミツタ電極、１１・・・ベース電極、１２・・
・コレクタ電極。 完 １ 図 （０） （ｂ） 第２ 図 第５図 ５００ ０ ５Ｃ０１０００１５の 距１！ （Ａ） 第６図 ＩｎＡｓコンタ７ト，胃 ５００ ０５００１αｙ：＞＋５ｏｏ 距稚（八） （０） 第３ Ｉｎたコン９７ト眉 距離（人） （０．） 第４ ［ｎＡｓコンフフト５ｉ 距雅（Ａ） （ｂ） 図 距Ｗ ｆＡ） （ｂ） 図
Claims (3)
- （１）ｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層（０≦ｘ≦
１）と、組成が徐々に変化するＩｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）組成傾斜層と、 組成の一様なＩｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ（０＜ｘ≦
１）コンタクト層と 金属電極層とからなるコンタクト構造を含 む化合物半導体装置において、 前記Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ組成傾斜層がｎ型と
して活性化される不純物濃度よりも多いｎ型不純物をド
ープしたもので構成されていることを特徴とする化合物
半導体装置 - （２）前記Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ組成傾斜層中
の、前記Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓコンタクト層に
接する領域のキャリア濃度が、前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘＡｓ層に接する領域のキャリア濃度よりも高くな
るように構成したことを特徴とする請求項（１）に記載
の化合物半導体装置。 - （３）前記Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ組成傾斜層中
の、前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に接する領域
のｎ型不純物濃度が、前記Ｉｎ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡ
ｓコンタクト層に接する領域のｎ型不純物濃度よりも高
くなるように構成したことを特徴とする請求項（１）ま
たは（２）に記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90312756A EP0430595B1 (en) | 1989-11-27 | 1990-11-23 | Compound semiconductor device |
| DE69030355T DE69030355T2 (de) | 1989-11-27 | 1990-11-23 | Verbindungshalbleiteranordnung |
| US07/852,334 US5266818A (en) | 1989-11-27 | 1992-03-17 | Compound semiconductor device having an emitter contact structure including an Inx Ga1 -x As graded-composition layer |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-306791 | 1989-11-27 | ||
| JP30679189 | 1989-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218675A true JPH03218675A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2980630B2 JP2980630B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=17961290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009028A Expired - Lifetime JP2980630B2 (ja) | 1989-11-27 | 1990-01-18 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980630B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355947B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-03-12 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor with band gap graded emitter |
| JP2005260255A (ja) * | 1996-02-19 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2009028A patent/JP2980630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260255A (ja) * | 1996-02-19 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US6355947B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-03-12 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor with band gap graded emitter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2980630B2 (ja) | 1999-11-22 |
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