JPH03219068A - 真空槽への基材導入方法 - Google Patents
真空槽への基材導入方法Info
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- JPH03219068A JPH03219068A JP1394590A JP1394590A JPH03219068A JP H03219068 A JPH03219068 A JP H03219068A JP 1394590 A JP1394590 A JP 1394590A JP 1394590 A JP1394590 A JP 1394590A JP H03219068 A JPH03219068 A JP H03219068A
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- Japan
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- vacuum chamber
- introducing
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- chamber
- thin film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空槽への基材導入方法に関する。詳しくは、
スパッタリング、真空蒸着等の真空槽（減圧槽）内で薄
膜を形成する装置において、真空槽内のダスト等によっ
て汚染されないように薄膜形成用の基材を槽内に導入す
る方法に関する。
スパッタリング、真空蒸着等の真空槽（減圧槽）内で薄
膜を形成する装置において、真空槽内のダスト等によっ
て汚染されないように薄膜形成用の基材を槽内に導入す
る方法に関する。
真空中にて薄膜を形成する技術は、例えばスパッタリン
グ、真空蒸着、イオンブレーティング、化学蒸着等種々
の方法が知られている。この種の技術は精密物品の製造
に適用されることが多く、極めて精度の高い薄膜が要求
される。従って真空槽内に微量のダスト等が残留してい
ても製品不良の大きな問題となる。このためこの種の真
空槽内のクリーニングを迅速かつ完全に行なう方法の開
発が望まれていた。クリーニング方法の一つとして例え
ば特開昭６２−１９６３６７号に開示されているような
りリーンエアーをブロアで供給し、排気系へ押し出す方
法も考えられている。しかしこの方法では、例えばクリ
ーニング中にダストの有無を検知装置を差し込んで確認
するため、確認窓を開けた時に、内圧が高いために槽内
の気体が外に吹き出し、同伴されたダストが周囲に散っ
て、槽の近くに予め準備された薄膜形成用の基板に付着
し汚染する等の問題があった。
グ、真空蒸着、イオンブレーティング、化学蒸着等種々
の方法が知られている。この種の技術は精密物品の製造
に適用されることが多く、極めて精度の高い薄膜が要求
される。従って真空槽内に微量のダスト等が残留してい
ても製品不良の大きな問題となる。このためこの種の真
空槽内のクリーニングを迅速かつ完全に行なう方法の開
発が望まれていた。クリーニング方法の一つとして例え
ば特開昭６２−１９６３６７号に開示されているような
りリーンエアーをブロアで供給し、排気系へ押し出す方
法も考えられている。しかしこの方法では、例えばクリ
ーニング中にダストの有無を検知装置を差し込んで確認
するため、確認窓を開けた時に、内圧が高いために槽内
の気体が外に吹き出し、同伴されたダストが周囲に散っ
て、槽の近くに予め準備された薄膜形成用の基板に付着
し汚染する等の問題があった。
本発明者等は、上述したような従来の技術の課題につき
種々検討した結果、槽内を減圧状態に保ちつつ清浄気体
を流通させることにより問題を解決し得ることを見出し
、本発明を完成するに至った。
種々検討した結果、槽内を減圧状態に保ちつつ清浄気体
を流通させることにより問題を解決し得ることを見出し
、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の要旨は、薄膜形成用の基材を真空槽
に導入するにあたり、真空槽内に清浄な気体を導入しつ
つ槽内の気体を強制的に吸引排気することによって、真
空槽の基材導入用入口部に真空槽の外から真空槽の内部
に向かう空気流を形成せしめ、この空気流を保った状態
で基材を真空槽内に導入することを特徴とする真空槽へ
の基材導入方法に存する。
に導入するにあたり、真空槽内に清浄な気体を導入しつ
つ槽内の気体を強制的に吸引排気することによって、真
空槽の基材導入用入口部に真空槽の外から真空槽の内部
に向かう空気流を形成せしめ、この空気流を保った状態
で基材を真空槽内に導入することを特徴とする真空槽へ
の基材導入方法に存する。
真空槽中でスパッタリング等により薄膜を形成するため
には、薄膜形成用基材を槽外（大気角・ら槽内（真空）
に導入する工程、成膜工程、薄膜形成後に槽内から取り
出す工程があり、真空槽は真空状態と常圧状態とが繰り
返される。
には、薄膜形成用基材を槽外（大気角・ら槽内（真空）
に導入する工程、成膜工程、薄膜形成後に槽内から取り
出す工程があり、真空槽は真空状態と常圧状態とが繰り
返される。
特に、薄膜形成用の基材を真空槽に導入する際には、真
空状態の槽を大気圧に戻すために槽内に気体を導入しな
ければならず、槽内の壁面等に付、着していたダストが
舞い上り、これが基材の表面に付着するようなこともあ
る。
空状態の槽を大気圧に戻すために槽内に気体を導入しな
ければならず、槽内の壁面等に付、着していたダストが
舞い上り、これが基材の表面に付着するようなこともあ
る。
本発明の方法は、このような際の大気圧に戻った真空槽
内のダストを含んだ気体をすみやかに強制排気しつつ槽
内に清浄な気体を導入し、次の薄膜形成用の基材を汚染
することなく真空槽に速かに導入する方法を提供する。
内のダストを含んだ気体をすみやかに強制排気しつつ槽
内に清浄な気体を導入し、次の薄膜形成用の基材を汚染
することなく真空槽に速かに導入する方法を提供する。
そのためには、薄膜形成用の基材を真空槽に導入するに
際し、真空槽内に清浄な気体を導入しつつ槽内の気体を
強制的に吸引排気することによって、真空槽の基材導入
用入口部に真空槽の外から真空槽の内部に向かう空気流
を形成せしめる。この空気流を保って、この空気流中に
基材を置いて空気流に従って槽内に基材を導入すれば、
基材は常時クリーンな空気流に包み込まれた状態となり
、ダストに汚染されるようなことがない。
際し、真空槽内に清浄な気体を導入しつつ槽内の気体を
強制的に吸引排気することによって、真空槽の基材導入
用入口部に真空槽の外から真空槽の内部に向かう空気流
を形成せしめる。この空気流を保って、この空気流中に
基材を置いて空気流に従って槽内に基材を導入すれば、
基材は常時クリーンな空気流に包み込まれた状態となり
、ダストに汚染されるようなことがない。
真空槽中に導入される清浄な気体は真空槽内に気体導入
用のパイプ等を設けておくのが良いが、基材導入用入口
部から導入される清浄気体のみであっても良い。
用のパイプ等を設けておくのが良いが、基材導入用入口
部から導入される清浄気体のみであっても良い。
また、基材導入用入口に発生させる真空槽の外から真空
槽の内部に向かう空気流はあまり早いと乱流となりダス
トを巻き上げてしまうので、層流を保つように緩い速度
の空気流を発生させるのが望ましい。
槽の内部に向かう空気流はあまり早いと乱流となりダス
トを巻き上げてしまうので、層流を保つように緩い速度
の空気流を発生させるのが望ましい。
空気流の速度は排気量や気体導入用パイプからの清浄気
体の導入量を調節することによって容易にコントロール
できる。
体の導入量を調節することによって容易にコントロール
できる。
以下に実施例を示し、本発明方法を一例をもって具体的
に説明する。
に説明する。
実施例１
スパッタリング装置の基材導入部に当る２００ｍｍＸ
５００ｍｍＸ ８００ｎｕｓの内部空間を有する真空槽
を一旦５ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒまで排気し、次いで
清浄空気を導入し５秒間で大気圧まで戻したところ、導
入された空気流によって層内のダストが舞い上りダスト
カウンターによる測定ではクリーン度はクラス１５００
０であった（クリーン度とは１ｆｔ３当りのダスト粒子
の個数を表わす。）。
５００ｍｍＸ ８００ｎｕｓの内部空間を有する真空槽
を一旦５ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒまで排気し、次いで
清浄空気を導入し５秒間で大気圧まで戻したところ、導
入された空気流によって層内のダストが舞い上りダスト
カウンターによる測定ではクリーン度はクラス１５００
０であった（クリーン度とは１ｆｔ３当りのダスト粒子
の個数を表わす。）。
次いで、排気装置を作動させ（３ｍ’ ／ｍｉｎ ）、
かつ０．０３μのフィルターを通した清浄空気を供給（
２ｍ３／ｍｉｎ ） シたところクリーン度は速かにク
ラス５まで低下した。
かつ０．０３μのフィルターを通した清浄空気を供給（
２ｍ３／ｍｉｎ ） シたところクリーン度は速かにク
ラス５まで低下した。
排気装置を働かしたことにより層内は若干の減圧状態と
なっており、真空槽の入口部（２００ｍｍＸ５００Ｍ）
を開いたところ槽内に向って緩やかな空気流が生じてい
た。
なっており、真空槽の入口部（２００ｍｍＸ５００Ｍ）
を開いたところ槽内に向って緩やかな空気流が生じてい
た。
この空気流に従って基材を導入し、スパッタリングによ
って薄膜を形成したところ、ダストが原因と見られる薄
膜の不良個所は認められなかった。
って薄膜を形成したところ、ダストが原因と見られる薄
膜の不良個所は認められなかった。
〔発明の効果］
本発明の方法によれば真空槽内のダストを速やかに排出
することができ、かつ基材の導入に当っても基材を汚染
することなく槽内に導入することが可能となった。従っ
て、スパッタリング装置等におけるダストが原因の製品
不良がなくなり、実用上大変効果的である。
することができ、かつ基材の導入に当っても基材を汚染
することなく槽内に導入することが可能となった。従っ
て、スパッタリング装置等におけるダストが原因の製品
不良がなくなり、実用上大変効果的である。
Claims (1)
- （１）薄膜形成用の基材を真空槽に導入するにあたり、
真空槽内に清浄な気体を導入しつつ槽内の気体を強制的
に吸引排気することによって、真空槽の基材導入用入口
部に真空槽の外から真空槽の内部に向かう空気流を形成
せしめ、この空気流を保った状態で基材を真空槽内に導
入することを特徴とする真空槽への基材導入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1394590A JPH03219068A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 真空槽への基材導入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1394590A JPH03219068A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 真空槽への基材導入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219068A true JPH03219068A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11847345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1394590A Pending JPH03219068A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 真空槽への基材導入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03219068A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116766A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPS62196669A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sharp Corp | 光導電体の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1394590A patent/JPH03219068A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116766A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPS62196669A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sharp Corp | 光導電体の製造方法 |
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