JPH04117643A - 両面記録型光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １肌辺韮薫１１ 本発明は、優れた耐酸化性および光磁気記録特性を有す
るとともに、機械的特性にも優れた両面記録型光磁気記
録媒体に関し、さらに詳しくは、優れた耐酸化性を有す
るとともに記録パワーマージンが広く、　しかも記録感
度の線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような優
れた光磁気記録特性を有し、その五　基板と記録層積層
体との密着性に優蜆　かつ反りなどがなく機械的特性に
優れた両面記録型光磁気記録媒体に関する。

ｉ団立狡玉上１１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。゛この反転磁区の有無を「１」、　「
０」に対応させることによって、」二重のような光磁気
記録膜にデジタル４８号を記録させることが可能となる
。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜も知
られている。

コノようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるためへ　第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してる光磁気記
録媒体では、基板と光磁気記録Ｉ偏積Ｊ体との密着性に
優れていることが望まれている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層でなる光磁
気記録媒体は、耐酸化性が充分ではンく、また記録感度
の向上も望まれていたさらにこのような光磁気記録媒体
に情報を書＾む際には、記録パワーマージンが広く、し
かも８１録パワーの線速依存性が小さいことが望まれて
しる。ここで情報を會込む際の記録パワーマージ；が広
いとは、光磁気記録媒体にレーザ光などにＪっでｆＨｉ
を書込む際に、會込み光としてのレーザ光のパワーが多
少変化しても正確に光磁気記録特性に情報を書込むこと
ができることを意味し、記録パワーの線速依存性が小さ
いとは、光磁気配５Ｊ媒体にレーザ光などによって情報
を書込む際に、記録媒体の内周部と外周部とで、書込み
光としてのレーザ光の最適の記録パワーの変化のしがた
がｌトさいことを意味している。

このように基板との密着性に優れるとともに耐酸化性に
便法　しかもＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージン
が広く、その上記録感度の線速依存性が小さく、　しか
も反りなどがない光磁気配≦漬媒体の出現が望まれてい
る。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上に、特定の第１保護校と、特定の光磁
気記録膜と、特定の第２保＆ｔＪｉと、特定の金属膜と
をこの順序で積層してなる光磁気記録媒体を、同様の光
磁気記録媒体と接着剤層を介して貼る合わせることによ
り優れた耐酸化性および光磁気記録特性を有するととも
に反りなどのない８！械的特性に優れた両面記録型光磁
気記録媒体が得られることを見いだして、本発明を完成
するに至り九 ｌ囲Ｌ１濃 本発明は、優れた耐酸化性を有するとともに記録パワー
マージンが広く、　しかも！ｌ！１２録感度の線速依存
性が小さく、がっＣ／Ｎ比が高いような優れた光磁気記
録特性を有し、その五　基板と記録層積層体との密着性
に優へ　しかも反りなどのない機械的特性に優れた両面
記録型光磁気記録媒体を提供することを目的としている
。

は、 基板（１ａ）上に第１保護！（２ａ）と光磁気記録膜（
３ａ）と第２保護膜（４ａ）と金属膜（５ａ）とをこの
順序で積層してなる第１光磁気記録媒体と、 基板（１ｂ）上に第１保１１ｔ！（２ｂ）と光磁気記録
膜（３ｂ）と＠２保護膜（４ｂ）と金属膜（５ｂ）とを
この順序で積層してなる第２光磁気記録媒体と力Ｃ１ 第１光磁気記録媒体の金属膜（５ａ）と第２光磁気記録
媒体の金属膜（５ｂ）とが接着剤層を介して向かい合う
ようにして積層してなり、第１保護Ｍ　（２ａ　）、　
（２ｂ）および第２保護Ｍ（４ａ）、　（４ｂ）力’、
ＳｉＮＸがらなり、光磁気記録膜（３ａ）および（３ｂ
）が、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくともｉ
ｉｉと、（ｉｉ）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前記耐
腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、金Ｊ
ｊＥＭ（５ａ）および（５ｂ）５ｆ、アルミニウム合金
からなることを特徴としている。

この゛ような本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体は
、記録膜積層体が」二重のような較構成および摸紹成を
有しているため、耐酸化性に優れており、長期間使用し
ても記録特性が低下することがなく、Ｃ／Ｎ比が高く、
かつ記録パワーマージンが広く、しかも記録感度の線速
依存性が小さく、その上反りなどがなく機械的特性に優
れている。

ｌ豆立見盗力五」 以下、本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体について
具体的に説明する。

本発明の両面記録型光磁気記録媒体１０は、たとえば第
１図に示すように、基板（１ａ）上に第１保護膜（２ａ
）と光磁気記録ｊｇ（３ａ）と第２保護Ｍ（４ａ）と金
ＪＥ膜（５ａ）とをこの順序で積層してなる第１光磁気
記録媒体と、同様に基板（１ｂ）上に第１保護膜（２ｂ
）と光磁気記録膜（３ｂ）と第２保護膜（４ｂ）と金属
膜（５ｂ）とをこの順序で積層してなる第２光磁気記録
媒体とが、第１光記録媒体の金属Ｊ５Ｅ（５ａ）と第２
光記録媒体の金属膜（５ｂ）とが接着剤層を介して向か
い合うようにして積層してなる構造を有している。

本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体１０では、基板
（１ａ）と（１ｂ）とは、同一の材質で構成されていて
もよく、また異なった相質で構成されていてもよい。ま
た保護膜（２ａ）、　（４ａ）、（２ｂ）および（４ｂ
）は下記に説明するような物質から形成されている限り
同一であっても異なっていてもよい。さらに光磁気記録
膜（３ａ）と（３ｂ）および、金属膜（５ａ）と（５ｂ
）も同様に同一であっても異なっていてもよい。

以下、この基板、保護ＩＬ　　光磁気記録１１Ｌ　　金
属膜および接着剤層について順次説明する。

羨−−１ 本発明において、基板（１ａ）および（ｌ　ｂ）を形成
するための材料は、特定のものに限定されないが、透明
な材料から形成されていることが好ましい。ガラス、ア
ルミニウムなどの無機材料に加えて、ポリ（メチルメタ
クリレート）、ポリカーボネート、ポリカーボネートと
ポリスチレンとのポリマーアロイ、たとえば下記のよう
な環状オレフィン系ランダム共重合体などの米国特許第
４、６１４．７７８号明細會に開示されているような環
状オレフィン系ランダム共重合本　ポリ−４−メチル−
１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン
、ポリスルフォン、ポリエーテルイミドなとの透明な有
機材料が挙げられる。これらの有機材料のうち、ポリ（
メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、米国特許
第４．６１４．７７８号明細會に開示された環状オレフ
ィン系ランダム共重合体および下記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が好ましい。

本発明に係る同面記録型光磁気記録媒体の基板（１ａ）
および（１ｂ）としては、 エチレンと、下記式［＋］または［Ｉ′］で表される環
状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度［１］が０．０５〜１ｏａｍ／
ｇの範囲にある環状オレフィン系ランダム共重合体が好
ましく用いられる。特に本発明では、上記のような環状
オレフィン系ランダム共重合体のうち軟化温度（ＴＭＡ
）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合
体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］とい
う）が好ましく用いられる。また所望により、環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ａ］に、エチレンと、下記
式［ｒ］または［Ｉ゛］で表される環状オレフィンとの
共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極
限粘度［η］が０．０５〜５ａ１１／　ｇの範囲にあり
、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィ
ン系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ｂ］という）を配合してｍいることが特に好
ましい。

・・・　［１］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数
であって、ｑは０またはＩであり、Ｒ１−Ｒ１１１およ
びＲ−、Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もし
くは基を表し、ＲＩｓ−Ｒ＋−は、互いに結合して単環
または多環を形成していてもよく、かつ該単環または多
環が二重結合を有していてもよく、 また、　ＲＩｓとＲ”とで、　またはＲ１７とＲ１・と
でアルキリデン基を形成していてもよい）。

・・・　［１′］ （式［Ｉ°］中、ｐはＯまたは１以上の整数であり、ｑ
およびｒは、０．　１または２であり、Ｒ１〜ＲＩ６は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水
素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる
群から選ばれる原子もしくは基を表り、Ｒ’（またはＲ
６）とＲｅ（またはＲ？）とは、炭素数１〜３のアルキ
レン基を介して結合していてもよく、また何の基も介さ
ずに直接結合していてもよい。） ただし、上記式［■］において、ｎは０またはｌであり
、好ましくはＯである。また、ｍはＯまたは正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

そして、ｑは０またはｌである。

また上記式［■゛］において、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そし゛て、Ｒ１−Ｒ１・ならびにＲ−およびＲｈ（式［
Ｉ］）、またはＲ１−Ｒ目（式［ｒ’コ）は、それぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素基より
なる群から選ばれる原子もしくは基を表す。ここで、ハ
ロゲン原子としては、たとえば、フッ素原子、塩素原子
、臭素原子およびヨウ素原子をあげることができる。ま
た、炭化水素基としては、それぞれ独立に、通常は炭素
原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシクロ
アルキル基をあげることができ、アルキル基の具体的な
例としては、メチル基　エチル幕　イソプロピル五　イ
ソブチル基　アミル基をあげることができ、シクロアル
キル基の具体的な例としては、シクロヘキシル基　シク
ロプロピル幕　シクロブチル基　シクロペンチル基をあ
げることができる。

また上記式［Ｉ°］において、Ｒ％（またはＲ６）とＲ
＠（またはＲ？）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

なお、上記式［＋］において、ｑがＯの場合は、ｑを用
いて表わされる環は五員環を形成する。

さらに、上記式［Ｉ］において、Ｒ１６〜Ｒ１１は互い
に結合して（共同して）単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。また、ＲＩ６とＲ１１１とで、またはＲ１マと
ＲＩ＊とでアルキリデン基を形成していてもよい。この
ようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜４のア
ルキリデン基をあげることができ、その具体的な例とし
ては、エチリデン基　プロピリデン基　イソプロピリデ
ン基およびインブチリデン基をあげることができる。

前記式［１］または【■゛］で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。

前記式［１］または［Ｉ゛］で表される環状オレフィン
としては、具体的には、たとえ１！、（以下余白） なとのようなビシクロ ［２，２，１］ヘブＩ・ エン誘導体： し■コ ナトノテトラシクＣｆｆ　［４，４，０，１”　、１７
”］　−３−ドデセン誘導体； などのヘキサシクロ［６，６，１，ｌ　＠、１”°１３
．Ｏｆ、７０””］−］４−ヘプタデセン誘導体 ；オクタンク ロどのオクタシクロ［８，８，Ｏ，Ｉ’゛”、１″７　
、　ｆ　＋＋、＋ｓ１１″、＋１　、　ＯＬ　ｌ　、　
ｇ　Ｉｌ＋？　］−］５−トコセン誘導体などのペンタ
シクロ［６，６，１，Ｉ”　、０”　’、０”’］４−
へキサデセン誘導体； などのヘプタンクロー５−エイコセン誘導体あるいはへ
ブタンクロー５−ヘンエイコセン誘導体：などのトリシ
クロ［４，３，０，１”　］−］３−デセン誘導体など
のトリシクロ［４，４，０，１”“］３−ウンデセン誘
導体； なとのペンタシクロ ［Ｇ、５．ｌｉ”　、０”　、０’ ５］ ４−ペンタデセン誘導体： などのジエン化合物。

なとのペンタシクロ ［７，４，０，１”、１” ２．０′ ３］ ３−ペンタデセン誘導体： Ｑｌ＋ ］ エイコセン誘導体 ０″１．Ｏｆ ６　ｇ＋！、Ｉｌ。

０＋′ ９］ ５−ベンタコセン誘導体 なとのペンタシクロ［８，４，０，Ｉ’　ｓ、　Ｉ”　
”、　Ｏ’　１′］　−３−へキサデセン誘導体へブタ
シクロ ｂ−ヘノエイ：Ｊτノ なとのへブタンクロ［８，８，０，１’−’、　１５−
ヘンエイコセン誘導体 １Ｂ、＋６．０１１．０盲！・１１］ なとのノナシクロ［１０，１０，１，ｌ”、Ｉ”　”、
ｌ”　”、０”′０４”、０１コ！ｔ、　Ｑ　Ｉｌ、Ｗ
６　］　−５−へキサデセン誘導体そしてさらには、 を挙げることができる。

（以下余白） この上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重
合体である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］お
よび［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデ
セン、１−へキサデセン、１−オクタデセン、１−エイ
コセンなどの炭素原子数が３〜２０のσ−オレフィンな
どを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０
〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０
モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り
返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は”
Ｃ−ＮＭＲによって測定し八　この環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を
有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン
中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｒ／］は、
０．０５〜１０ｄｉ！　／　ｇ、好ましくは０．０８〜
５ａｇ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以Ｌ　好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さｌ−の
シートの熱変形挙動により測定しμ　すなわちシ−ト上
に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、　５℃分で昇温
していき、剣が０．６３５．侵入した温度をＴＭＡとし
ち　また、該環状オレフィン系ラン６ム共重合体のガラ
ス転移温度（Ｔ　ｇ）は、通常５０２３０℃、好ましく
は７０〜２１０℃の範囲にあること力望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合付［ＡＪの
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は０〜１０％、好
ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲で
ある。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
Ｊに、 エチレンと、上記式ＥｒＪまたは［ｒ’ｌで表オされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜５ｄＱ／
ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満であ
る環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩを配合して
なる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基板
を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０ｔ：未満である環
状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩでは、エチレン
に由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、
好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、ま
た該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２
〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在
しており、エチレンに由来する栓り返し単位（ａ）およ
び該環状オレフィンに由来する政秒返し単位（ｂ）は、
ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン
組成および環状オレフィン組成は１３Ｃ−ＮＭＲによっ
て測定しμ　この環状オレフィン系ランダム共重合体［
ＢＩが実質上線状であり、ゲル状架橋措造を有していな
いことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に
溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩの
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｌコは、０
．０５〜５　ｆＩＱ／　ｇｌ　　好ｔ　ｔ、　＜　Ｉｉ
ｏ、０８〜３１１ＩＱ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩのサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃未満、好ましくは一１０〜６０℃、さ
らに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらに、該
環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＪのガラス転移
温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましくは一２
０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダｌ、共重合体［ＢＩ
のＸ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％
、好ましくは０〜７％、　とくに９丁ましくは０〜５％
の範囲である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体組成物を用いる場合には、該環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン系ランダム共
重合体［ＢＩの重量比は１００１０、１〜１００／１０
　、　　好ましくは１００１０．３〜１００／７、とく
に好ましくは１００１０．５〜１００１５の範囲である
ことが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で［Ａ］酸成
分配合することによって基板自体の優れた透明性と表面
平滑性を維持したままで本発明で用いる保護膜との苛酷
な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に比べさら
に向上するという効果があり、　［ＡＪと［ＢＩとのブ
レンドよりなるこの上記の環状オレフィンランダム共重
合体組成物を基板として用いれば、本発明で用いる保護
膜との優れた密着性は高温、高湿条件下放置後において
さえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する」−記の環状オレフィン
共重合体［ＡＪおよび［ＢＩは、特開昭６０−１６８７
０８号公報、特開昭６１−１２０８１６す公報、特開昭
６１−１１５９１２号公報　特開昭６１−１１５９１６
号公報、特開昭６２−２５２４０６号公報、特開昭６２
−２５２４０７号公報、特開昭６１−２７１３０８号公
報、特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本出
願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することによ
り、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［Ｉ′〕で表される環状オレフ
ィンがら導かれる構成が位（ｂ）は下記式［ｎ］または
［ｉ°］で表される構造の繰り返し単位を形成している
と考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合によ
って結合している場合もあり、また必要に応じて水素添
加することも可能である。

［ｎ］ （式［ｎ］中、ｍ、　　ｎ、　　ｑおよびＲＩ−Ｒｌ・
ならびにＲ＝、Ｒｈはり１１記式　［１１における定義
と同様である。

［■　°］ （式［■°］中、　ｐ、　　ｑ、　　ｒおよびＲＩ−Ｒ
ＩＳは前記式［Ｉ′〕における定義と同様である。）本
発明に係る両面記録型光磁気記録媒体の基板としては、
前述したとおり、上記のエヂレンと環状オレフィンとの
ランダム共重合体のほかに、同種または異種の環状オレ
フィン単員体を開環して得られる環状オレフィン開環重
合＜Ｌ　　開環共重合体またはそれらの水素添加物を用
いることもできる。このような環状オレフィン開環重合
＆　　開環共重合体およびこれらの水素添加物について
、ｎＩＩ記式［Ｔ］で表される環状オレフィンを例にし
て説明すると、以下に記載するように反応して開環共重
合体およびこれらの水素添加物を構成していると考えら
れる。

↓ 開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共電合本　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合木　開環
共重合ＱＥ、　　これらの水素添加物および環状オレフ
ィン系ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不
飽和カルボン酸等で変性されていてもよい。このような
変性物は、」１記のような環状オレフィン系樹脂と、不
飽和カルボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボ
ン酸のアルキルエステル等の誘導体とを反応させること
により製造することができる。なお、この場合の環状オ
レフィン系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる
構成単位の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下であ
る。このような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の
変性率になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配
合してグラフト重合させて製造することもできるし、予
め高変性率の変性物を調製し、次いでこの変性物と未変
性の環状オレフィン系樹脂とを混合することによっても
製造することができる。

本発明において、上記の開環重合未　開環共重合木　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに、本発明において１戯　上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる
重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］また
はしＩ°］で表される環状オレフィン以外の環状オレフ
ィンを重合させることもできる。このような環状オレフ
ィンとしては、たとえば、 シクロブチス ジクロベンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒトｏ　−４，７−メタ
ノ−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよ
うな他の環状オレフィンは単独で、あるし１は組み合わ
せて使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で
用いられる。

また本発明の両面記録型光磁気記録媒体の基板には、上
記［Ａ］および［Ｂ］酸成分他に、衝撃強度を向上させ
るためのゴム成分を配合したり、耐熱安定剤、耐候安定
剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、
防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然流　合成流　ワックス
などを配合することができ、その配合割合は適宜πであ
る。たとえば、任意成分として配合される安定剤として
具体的には、テトラキス［メチレン−３（３，５−ジー
七−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタン、β−（３，５−ジーし一ブチルー４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２．２
゛−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジーし一ブ
チルー４−ヒドロキシフェニル）コブロビオネートなど
のフェノール系酸化防止剤、ステアリン酸亜鉛、ステア
リン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カル
シウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレー
ト、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレ
ート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトール
トリステアレート等の多価アルコールの脂肪酸エステル
などを挙げることができる。

これらは単独で配合してもよいが、組み合わせて配合し
てもよく、たとえば、テトラキス［メチレン−３（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネートコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリン
モノステアレートとの組合せ等を例示することができる
。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましし）。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、　グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリ）・−ルモノラウレート、ペンタエリスリトールジ
ラウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリス
リトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重景重量対して０〜
１０重量部好ましくはＯ〜５重景部さらに好ましくは０
〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００重量部に対してＯ〜１０重景δ翫　好ましくはＯ〜
５盾雇部の量でｍいられる。

本発明の両面記録型光磁気記録媒体の基板には、本発明
の目的および透明性を損なわない範囲で、シリカ、ケイ
藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石
粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネ
シウム、塩基ｔ１＝、炭酸マグネシウム、　ドロマイト
、硫酸カルシウム、チタンｆｆｌ　カリウム、硫酸バリ
ウム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー　マイカ、ア
スベスト、ガラス繊ｉＬ　　ガラスフレーク、ガラスピ
ーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナ
イト、グラファイト、アルミニウド粉、硫化モリブデン
、ボロンＭ！糺　　炭化ケイ素繊維、ポリアミド繊維、
ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊
維等の充填剤を配合してもよい。

本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体では、基板とし
て」１記のような環状オレフィン系ランダム共重合体ま
たは環状オレフィン系ランダム共重合体組成物を用いる
と、基板と第１保１！ＪＪｉとは密着性に優れており、
したがって記録膜は長期安定性に優れるとともに記録膜
の酸化が効果的に防止される。したがってこの環状オレ
フィン系ランダム共重合体からなる基板上に記録膜を積
層してなる両面記録型光記録媒体は、耐久性および長期
安定性に優れている。また本発明に係る両面記録型光記
録媒体は反りがなく割れが生ずることがない。

このような基板２の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５工特に好ましくは１〜２−である。

采１月 本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体１で用いられる
第１保護膜（２ａ）、　（２ｂ）および第２保護！（４
ａ）、　（４ｂ）は、ＳｉＮＸで示される組成の膜から
形成されており、ＳｉＮＸｌｌｉとしては、たとえば窒
化ケイ素膜または窒化ケイ素含有膜が例示できる。

５ｉＮ、で示される保護膜では、原子比でＯ＜ｘ≦５／
３特に０〈χ≦４７３であることが好ましく、具体的に
は、５　ｉ　３　Ｎ４（四窒化三ケイ素）などの窒化ケ
イ１ｇ膜あるいはＯ＜　ｘ　＜　４／３となるようにＳ
ｉ３Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特に好ましく用い
られる。このようなＳｉＮＸで示される保護膜は、たと
えばターゲットとして、　Ｓｉ、Ｎ、または、　Ｓｉ、
Ｎ、とＳｉとを用いて、スパッタリング法により成膜す
ることができる。またＳｉをＡｒ／Ｎ２などの含窒素混
合ガス中でスパッタリングすることによって成膜するこ
ともできる。

このようなＳｉＮＸからなる第１保護膜（２ａ）、（２
ｂ）および第２保護膜（４ａ）、　（４ｂ）は、通常１
．８以上特に１，８〜２，２の屈折率を有していること
が好ましく、後述する光磁気記録膜（３ａ）、（３ｂ）
を酸化などから保護する働き、あるいは光磁気記録膜の
記録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるいは
その両方の働きをしている。

またＳｉＮＸ（０くｘ≦４７３）からなる第１保護膜お
よび第２保護膜は、特に耐クラツク性に優れている。

本発明において、＠１１保膜（２ａ）、　（２ｂ）の膜
厚は４００〜２０００人、好ましくは７００〜１５００
八であり、第２保護膜（４ａ）、　（４ｂ）の膜厚は、
５０〜１００〇八、好ましくは５０〜７００人、さらに
好ましくは１００〜４００人程度である。

本発明では、第１保護膜の膜厚を」１記のような範囲に
することによって、光磁気記録媒体の見かけのθｋを大
きくすることができ、また第２保Ｍ膜の１！！原を上記
の範囲にすることによって、光磁気記録媒体は優れたＣ
／Ｎ比を保ったまま広い記録パワーマージンが得られる
という利点がある。

笈藍久Ｅ舅月 光磁気記録膜（３ａ）および（３ｂ）は、　（ｉ）３ｄ
遷移金属から選ばれる少なくとも１秤と、（ｉｉ）耐腐
食性金属と、　（ｉｉｏ希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素とがらなっている。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、　　Ｃｏ、　　Ｔ
ｉ、Ｖ、ＣｒＳ　Ｍｎ、ＮｉＳ　Ｃｕ１　Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣＯあるいはこの両者
であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の員で存在している。

（ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ
、Ｔｉ、Ｚｒ１　Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるカー　こ
のうちＰｔＳ　ＰｄＳ　Ｔｉが好ましくとくにｐｔまた
はＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、　５〜３０原
子％、好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５
原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で存在
している。

この耐腐食性金属の含有量が５原子％未満であると、得
られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善されず、
経時的に保磁力Ｈｃが大きく変化したりあるいはカー回
転角θｋが減少したりする傾向がある。また、３０原子
％を超えて存在する場合には、得られる非晶質合金薄膜
のキュリー点が室温以下となる傾向もあるため好ましく
ない。光磁気記録膜１戴　上記（ｉ）および（ｉｉ）に
加えて、下記の群（ｉｉｉ）から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素を含んで構成されている。

Ｇｄ、ＴｂＳ　Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔａ　Ｙｂ。

Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、ＰｒＳ　Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ。

ｕ このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ１　Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素（戴　光磁気記録膜中に、好ましくは５〜５ＯＮ、千
％、さらに好ましくは８〜４５ｆｆｉ千％とくに好まし
くは１０〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜力＼　特に、下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中には、　（ｉ）３ｄ遷移元
素として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯは、４０原子
％以上８０原子％以下、好ましくは４０Ｗ、千％以上７
５Ｎ、千％未満、さらに好ましくは４０原子％以上５９
原子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣＯの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に便法かつ膜面に垂
直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られる
という利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上Ｈし、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら汰　その
結・果、ＣＯの添加量により、光磁気記録膜の記録感度
を調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生
信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明
に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点
からＣｏ／　（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比コは０以上０．
３以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましく
は０．０１以上０，２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および
消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはない
。たとえば本発明に係るＰ　ｔ　、、Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅ
ｓｓＣＪなる組成を有する光磁気記録膜は、　１０万回
の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下
は認められない。

（ｉｉ）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、　（ｉｉ）耐腐食
性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、ＰＬおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１ＯＮ、子％
を超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％
を超えて２０原子％未満、最も好ましくは１１原子％以
上１９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄの景が５原子
％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ　＋ｔＴ　ｂ２＊Ｆ　ｅ、Ｃｏｓ　（原
子比）あるいはＰ　ｄ１２Ｔ　ｂ２＠Ｆ　ｅ＠３ｃ　Ｏ
ｔ　（原子比）で示される組成を有する本発明で用いら
れる光磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下
に１０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない
。これに対してＰｔまたはＰｄを含まないＴ　ｂ２．Ｆ
　ｅ、。

Ｃｏ、で示される組成を有する光磁気記録膜は、相対湿
度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持すると、
Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中にＰｔおよび／またはＰｄを」１記
のような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜
に情報を記録したりあるいは情報を読出す際番ミ　　小
さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小
さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、
バイアス磁界発生用のマグネットを／ＩＮさくすること
ができ、しかもマグネットからの発熱も押えることがで
きるため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ
装置を簡素化することができる。しかも小さなバイアス
磁界で充分に大きなＣ／、Ｎ比が得られるため、オーバ
ーライド可能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容
易となる。

（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、　　Ｎｄ、
　　　Ｓｍ、　　　ＰｒＳ　　ＣｅＳ　　Ｅｕ、　　　
Ｇｄ、　　　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中では、ＮｄＳ　Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いら札　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［Ｗ、子比コをＸで表わした場合に、０．１５≦
Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４である
ような量で光磁気記録膜中に存在していることが望まし
い。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少１添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０ｗ、千％未満の割合で用いることが
できる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ１　Ｖ、ＣｒＳ　Ｍｎ。

Ｎｉ、ＣｕＳ　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ１　Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（■）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ５Ｔｃ
。

Ｒｕ１　Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒＳ　Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、ＨｆＳ　ＴａＳ　Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ。

ＩｒＳ　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｇ、Ｇａ、　Ｉｎ、ＴＲが用いられ
る。

このうちＢＳＡ９、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的には、　Ｃ，Ｓｉ、ＧｅＳ　Ｓｎ、　　Ｐｂが用
いられる。

このうち、ＳｉＳ　Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いら
れる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐｌ　Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる
。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＴＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能であ
り、また非晶質薄膜となることが、広角ｘ＃１回折など
により確かめられる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θｋｌ）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに、が０．８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００人、好ましく
は１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３５０人
程度である。

金属膜 本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体１ｏを構成する
第１光磁気記録媒体および第２光磁気記録媒体では、上
記のような光磁気記録膜上に前記第２保護膜が設けられ
ており、この第２保護膜上にさらに金属膜（５ａ）、　
（５ｂ）が設けられている。

本発明では、金属膜は、アルミニウム合金からなってい
る。このアルミニウム合金は、アルミニウムと、アルミ
ニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。

このような金属膜を構成するアルミニウム合金として：
戯　具体的には以下のようなものが例示できる。

ＡＵ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜ＩＯｗ、子％）、
ＡＱ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有Ｊｉｒ０．１〜１０原子％）
、ＡＱ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有景０．１〜１０原子％）、
Ａｙ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜工０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有ｔ０．１〜１０原子％）、ＡＱ
−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｔｉ
合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｇ−Ｔｉ−
Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０，１〜５原了％、Ｎｂ含有量０
．１〜５原了％）、 ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原了％、
）（ｆ含有Ｊｉｔ０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｃｒ−
Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原了％、Ｈｆ含有量ｏ
、ｉ〜１０原子％）、Ａ＋＋−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含
有量０．１−５７Ｗ子％、Ｔｊ含有ＭＯ１１〜１０原子
％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有景Ｏ９１，−５
ｙｙ、子％、Ｚｒ含有Ｍ　Ｏ，１−１０原子％）、Ａｇ
−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原了％、Ｎｂ
含有量ｏ、ｉ〜５原子％）、 Ａｇ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量ｏ、ｉ〜１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０ｉ子％、Ｔ
ｒ含有景０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１−１０原子％、Ｃｒ含有ｆｃｏ、１
−１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０
．１〜１０原子％、Ｈｆ含有ｉｏ、ｘ〜１０原子％）、
ＡＱ　−３ｅ合金（Ｓｅ含有量０．１−１０原子％）、
ＡＱ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１−１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量ｏ、ｉ　〜ｉｏｘ子％）、Ａ
Ｑ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有ｉｆ（０，１〜１０ｗ。

子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、／１−Ｓｉ合
金（Ｓｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｓ＋−Ａｇ合
金（Ａｇ含有量０．１〜１０ｖｙ、子％　）、ＡＱ−Ｐ
ｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｐ　
を合金（ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

これらの金属膜を構成するアルミニウム合金のうち、特
に以下のようなものが、耐腐食性に優れているので好ま
しい。

ハフニウム０．１〜１０ｆｆｌ子％を含むアルミニウム
合金、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０゜５〜５原了％とハフニウム０．５〜５原了−％
を含ベ　チタンとハフニウムの金側含有量が１〜５．５
原子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５Ｉ！
に子％とチタン０．１〜９．５原子％を含ベ　クロムと
チタンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１ｏ
原千％を含ベ　マグネシウムとクロムの置割含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム０．１〜
５ｙ！、千％とハフニウム０．１〜９．５原子％を含ベ
　クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下で
あるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％を含へ　マグネシウムとハフニウムの合計含
有量が１５７Ｉ！子％以下であるアルミニウム合金、ク
ロム０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原
子％を含へ　クロムとジルコニウムの合計含有量がＩＯ
Ｗ子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜
１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％とを含ペ　
　タンタルとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下
であるアルミニウム合金、チタン０．５〜５原子％とニ
オブ０．５〜５原子％を含ベ　チタンとニオブの合計含
有量が１〜５．５原子％であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０，１〜１０
原子％を含ベ　マグネシウムとチタンの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合へハフニウム０．１
〜９．５原子％、クロム０．１〜５原子％およびチタン
０．１〜９．５原子％を含永　ハフニウムとクロムとチ
タンとの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウ
ム合へ ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％およびチタン０．１〜１０ｗ、千％を含ベ　
ハフニウムとクロムとマグネシウムとの合計含有量が１
５１Ｊ！子％以下であるアルミニウム合金ヵハフニウム
０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜１０原子％
およびクロム１０Ｗ、子％以下とを含ベ　ハフニウムと
マグネシウムとクロムとの合計含有量が１５原子％以下
であるアルミニウム、合へハフニウム０．１〜１０原子
％、マグネシウム０．１〜１０ＪＪｆ、子％、チタン０
．１〜１０Ｗ、子％およびクロム１０原子％以下とを含
ペ　ハフニウムとマグネシウムとチタンとクロムとの合
計含有量が１５原子％未満であるアルミニウム合へ チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜１０
原子％およびクロム１ＯＮ、子％以下とを含み、チタン
とマグネシウムとクロムとの合計含有量が１５原子％以
下であるアルミニウム合へ このような金Ｊ７ＡＰＡは、たとえば第２保護膜上に、
上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲットを
用い、スパッタリング法等によって成膜することができ
る。

また上記のような金属膜は、それぞれの金属膜を構成す
る金属以外に下記のような金属（元素）を１種または２
種以上含ませることもできる。

このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ）、
クロム（Ｃｒ）、シリ：７７　（Ｓ　ｉ）、タンタル（
Ｔ　ａ　）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコ
ニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍ
　ｇ　Ｌ　　バナジウム（Ｖ）などが挙げら蜆　このよ
うな他の金属は通常５原子％以下好ましくは２原子％以
下の量で含まれる。　（ただし、金属膜には、上記に例
示するような金属（元素）のうち、既に金属膜に含まれ
ている金ａ＜元Ｘ）をさらに上記の量で重ねて含ませる
ことはないものとする。たとえば、金属膜を構成するア
ルミニウム合金が、上記したＡＱ−Ｔｉ合金、Ａｕ−Ｔ
ｉ−Ｈｆ合金等である場合には、上記の金属（元素）の
うちでチタン（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記ア
ルミニウム合金中に含まれることはない。） このような金属膜の膜厚１４　１００〜５０００人好ま
しくは５００〜３０００人さらに好ましくは７００〜２
０００人程度であることが望ましい。

本発明において金属膜は熱良伝導体層としての機能を果
しており、この金Ｊ／ｊ４膜が存在することによって記
録層に記録されたビットの中心部が記録レーザ光によっ
て過度に高温になることが防止さ瓢　その結果　記録パ
ワーの線速依存性が小さくなると考えられる。

１１週１ 本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体１０では、第１
光磁気記録媒体の金属膜５ａと、第２光磁気記録媒体の
金属膜５ｂと叫　接着剤層６を介して接合されている。

このような接着剤層６として１４　　ポリオレフィン、
　ＥＶＡ、　　合成ゴム、ポリエステル、ポリアミＦ′
系のホントメルト接着剤やレゾルシノール、シアノアク
リレート、エポキシ、ウレタン、ＵＶ硬化型アクリレー
ト系などの反応型接着剤が使用できるが、本発明ではホ
ットメルト接着剤を用いることが好ましい。

本発明では、これらのホットメルト接着剤の巾で特に軟
化点１３０℃以上、好ましくは１４０℃を超える軟化点
、特に好ましくは１４１℃以上の軟化点を有するポリオ
レフィン系のホットメルト接着剤を使用することが好ま
しい。

この高軟化点のホットメルト接着剤を使用することによ
り本発明の両面記録型光磁気記録媒体を高温、高湿の条
件下で長期間使用しても２枚の貼り合わせた光磁気記録
媒体の間にズレが発生せず、ソリ等の変形が小さいとい
う利点がある。

この１３０℃以上の軟化点を有するホットメルト接着剤
としては、ポリオレフィン（Ａ）とスチレン系樹脂（Ｂ
）およびタッキファイヤ−（Ｃ）を含有するポリオレフ
ィン系ホットメルト接着剤が好ましい。

ポリオレフィン（Ａ）としては、たとえばエチレン・プ
ロピレン・σ−オレフィンランダム共重合朱　エチレン
・プロピレンランダム共電合本　ポリイソブチレンなど
が用いられる。また上記エチレン・プロピレン・σ−オ
レフィンランダム共重合体を構成するσ−オレフィンと
しては、Ｃ４〜Ｃ３゜のａ−オレフィンが挙げられるが
、特に１−ブテン、４−メチル−１−ペンテンが好まし
い。スチレン系樹脂（Ｂ）としては、ポリスチレン、ス
チレン・ａ−メチルスチレン共電合本　スチレン・σ−
メチルスチレン・ビニルトルエン共重合体などのスチレ
ンまたはスチレン誘導体を構成成分として含む重合体ま
たは共重合体が挙げられるが特にポリスチレンが好まし
い。またタッキファイヤ−としては、芳香族系石油樹脂
（たとえばＣ０系石油樹脂）、脂肪族系石油樹脂（Ｃｓ
系石油樹脂）芳香族−脂肪族共重合石油樹脂（Ｃ９Ｃ＆
共重合樹脂）などの石油樹脂、あるいは重量平均分子量
５０００以下好ましくは５０〜３０００の脂肪族系環化
樹脂などが使用できるが、この中で数平均分子量３００
０以下、特に５００〜３０００、軟化点８０〜１５０℃
の石油樹脂が望ましい。

このポリオレフィン系ホットメルト接着剤を構成する各
成分の好ましい配合割合は、　（Ａ）成分が１〜６０重
量％、特に５〜４０重量％であり、　（Ｂ）成分が１〜
３０重量％、特に５〜２０重量％であり、（Ｃ）成分が
３０〜９５重量％、特に５０〜９０重量％である。

次へ　本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体の製造方
法について説明する。

まず基板温度を室温程度に保ち、第１保護罠光磁気記録
膜および第２保護膜をこの順で、複合ターゲット、所定
割合の組成を有する合金ターゲットまたはＳｉ３Ｎ、タ
ーゲットを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム
蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用して、この基板
（基板は固定していてもよく、また自転していてもよい
）上に被着させ、次いでこの上に金属膜を上記と同様に
して被着させることによって、第１光磁気記録媒体およ
び第２光磁気記録媒体を製造する。

次に上記のようにして得られた第１光磁気記録媒体の金
属膜（５ａ）と第２光磁気記録媒体の金属膜（５ｂ）と
を、接着剤層６を用いて接着して一体化する。接着剤層
としてホントメルト接着剤を用いる場合に代　たとえば
ロールコータ−装置等により第１および／または第２の
光磁気記録媒体の金属膜にホットメルト接着剤を塗布味
　次に常温プレス装置等によりホットメルト接着剤が塗
布された光磁気記録媒体を圧縮して貼り合わせる方法が
採用できる。

なお本発明において、第１および第２の光磁気記録媒体
を製造するにあたり、常温で基板上に光磁気記録膜を成
膜することが可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持
たせるために成膜後にアニール処理などの熱処理をする
必要がない。

なお必要に応じてｉｔ　　基板温度を５０−１００℃に
加熱しながら、または−５０℃まで冷却しながら、基板
上に非晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時へ　基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

灸更ｎ皇Ｊ 」１記のような本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体
では、記録層積層体は特定のｖＬ構成および膜組成（す
なわち基板／ＳｉＮｘからなる第１保ｆｌ膜／特定の光
磁気記録１１Ｅ／ＳｉＮｘからなる第２保護膜／アルミ
ニウム合金からなる金属膜）を有している第１光磁気記
録媒体と第２光磁気記録媒体とを、両者の金Ａ膜が向き
合うようにして接着剤層を介して接着してなり、耐酸化
性に便法長期間使用しても光磁気記録特性が低下するこ
とがなく、Ｃ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが
広く、　しかも記録感度の線速依存性が小さく、しかも
反りなどがなく機械的特性が優れている。

［実施例］ 以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

なお、本明細育において、最適記録パワーとはｆ　＝　
Ｉ　ＭＨｚ、　　ｄｕｔｙ　５０％の會込み信号に対し
て再生信号の２次高調波が最小となる記録パワーのこと
を表わし、線速による最適記録パワーの差が小さい程線
速依存性が小さい。

以下の実施例において、光磁気記録膜および金ｓ膜の組
成は、原子％である。

下ＤＭＯＮと略記する〕とを共重合させて得られる非品
性共重合体［１３Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含
量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカ
リン中で測定した極陳粘度［７］がｏ、　４２ａａ　／
ｇ　　軟化温度（ＴＭＡ）　１５４℃コからなる基板上
に、Ｓｊ、Ｎ、ターゲットを用いて、スパッタリング法
により第１保Ｗｉ膜としてのｓ＋、ＮＪＪを１０００人
の膜厚で被着させ八 このＳ　Ｉ　３　ＮａＭ’Ａ上に、ＦｅとＣｏとからな
るターゲットにｐｔおよびＴｂチフプを載置してなる複
合ターゲットを用いて、スパッタリング法によりＰ　ｊ
＊Ｔ　１）２ｏＦ　ｅｓｓＣ０４ＪｊＪを２７０Ａの膜
厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｔ、Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅｓｓＣｏｔ模膜上
、５ｉ３Ｎｔターゲツトを用いて、スパッタリング法に
より第２保護膜としてのＳｉ、Ｎａ膜を１６０人の膜厚
で被着させ八 次にこの５ｉ３Ｎａ膜上に、Ａ９−Ｃｒ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡ　１１　
ｓａｃ　ｒ　２Ｈｆ　ｔｍを１８００人の膜厚で被着さ
せて、光磁気ディスクを作成しへ 次にこのようにして得られた２枚の光磁気ディスクの金
属層の上にロールコータ−装置を用いて、軟化点１４５
℃のホットメルト接着剤（組成・エチレン・プロピレン
・１−ブテン三元共重合体２１重量％、ＴｇｌｌＯ℃、
ＭＦＲ２５ｇ／１０分のポリスヂレン１０重量％、数平
均分子ｉ　１５００の石油樹脂６９重重景）を塗布しｔ
ｍ 次にこのホットメルト接着剤が薄膜コーティングされた
２枚の光磁気記録媒体を金属層同士が向い合うようにし
て、常温プレス装置にて貼り合わせ両面記録型光磁気記
録媒体を得た。

さらにこのようにして得られた両面記録型光磁気記録媒
体の特性を、下記のようにして測定した最適記録パワー
：記録周波数Ｉ　Ｍ　Ｈｚ、デユーティ−比（ｄｕｔｙ
比）５０％で記録し、再生レーザーパワー１ｍＷで線速 ５．７ｍ／ｓ、　　１１．３ｍ／ｓについて計測した。

パワーマージン二下記の条件で測定したＣ／Ｎの最高値
から３ｄＢ低下するまでの記 録パワーの範囲をパワーマージンと した Ｃ／Ｎ　（ｄＢ）：記録周波数３．７Ｍ　Ｈｚ、　　ｄ
ｕｔｙ比３３．３％、再生レーザーパワーは１．０ｍＷ
とじｔ４ ΔＣ／Ｎ　（ｄＢ）：光磁気記録媒体を、８０℃、相対
湿度８５％の雰囲気下に１０００時間放置してライフテ
ストを行い、この光 磁気記録媒体について再度Ｃ／Ｎ比 を測定して、下記の式がら求めた ΔＣ／Ｎ＝　（ライフテスト後のＣ／Ｎ比）−（ライフ
テスト前のＣ／Ｎ比） また基板と第１保護膜（エンハンス膜）との密着性を、
以下のようにして評価した 密着性試験［基盤目試験（ＪＩＳ　Ｋ５４００）　］　
：試料の記録ＩＩλ　エンハンス膜上に、直交する縦横
１１本ずつの平行線をカッターナイフを用いて１ｍｍの
間隔でひく。　１　ｃｓ　２の中に１００個の升目がで
きるように基盤目状の切傷を付ける。

セロハンテープにチバン製）を用いて剥ｌ＠評価する。

またライフテスト後に、光磁気記録媒体の反りを観察し
ｔら 結果を表１に示す。

太夫■Ｌζ二Ｊ 実施例１において、第１保護膜の膜凰　光磁気記録膜の
組成およびｊ′！ＪＷ−、第２保ＩＩ！膜の膜凰　金ｘ
ｉの組成を表１に示すように変化させた以外は、実施例
Ｉと同様にしｔも 結果を表１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図で
ある。 ａ ２　　ａ。 ３　　ａ。 ４　　ａ。 ａ ｂ・・基板 ｂ・第１保護膜 ｂ・・光磁気記録膜 ｂ・・・第２保護膜 ｂ・金属膜 ６・・・接着剤層 ０・・・両面記録型光磁気記録媒体 Ａ・・第１光磁気記録媒体 Ｂ・・第２光磁気記録媒体

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板（１ａ）上に第１保護膜（２ａ）と光磁気記
   録膜（３ａ）と第２保護膜（４ａ）と金属膜（５ａ）と
   をこの順序で積層してなる第１光磁気記録媒体と、 基板（１ｂ）上に第１保護膜（２ｂ）と光磁気記録膜（
   ３ｂ）と第２保護膜（４ｂ）と金属膜（５ｂ）とをこの
   順序で積層してなる第２光磁気記録媒体とが、 第１光磁気記録媒体の金属膜（５ａ）と第２光磁気記録
   媒体の金属膜（５ｂ）とが接着剤層を介して向かい合う
   ようにして接合してなり、 第１保護膜（２ａ）、（２ｂ）および第２保護膜（４ａ
   ）、（４ｂ）が、ＳｉＮ＿Ｘからなり、光磁気記録膜（
   ３ａ）および（３ｂ）が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ば
   れる少なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉ
   ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とから
   なり、前記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％であ
   る、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜か
   らなり、 金属膜（５ａ）および（５ｂ）が、アルミニウム合金か
   らなることを特徴とする両面記録型光磁気記録媒体。
2. （２）基板（１ａ）および基板（１ｂ）が、エチレンと
   次式［ I ］または［ I ′］で表わされる環状オレフィ
   ンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定
   した極限粘度［η］が０．０５〜１０ｄｌ／ｇの範囲に
   あり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレ
   フイン系ランダム共重合体からなる請求項第１項に記載
   の両面記録型光磁気記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・［ I ］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数
   であって、ｑは０または１であり、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾８
   およびＲ＾ａ、Ｒ＾ｂは、それぞれ独立に、水素原子、
   ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
   原子もしくは基を表し、 Ｒ＾１＾５〜Ｒ＾１＾８は、互いに結合して単環または
   多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二
   重結合を有していてもよく、 また、Ｒ＾１＾５とＲ＾１＾６とで、またはＲ＾１＾７
   とＲ＾１＾８とでアルキリデン基を形成していてもよい
   ）。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・［ I ′］ （式［ I ′］中、ｐは０または１以上の整数であり、
   ｑおよびには、０、１または２であり、Ｒ＾１〜Ｒ＾１
   ＾５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族
   炭化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基よ
   りなる群から選ばれる原子もしくは基を表し、Ｒ＾５（
   またはＲ＾６）とＲ＾８（またはＲ＾７）とは、炭素数
   １〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
   た何の基も介さずに直接結合していてもよい。）
3. （３）基板（１ａ）上に第１保護膜（２ａ）と光磁気記
   録膜（３ａ）と第２保護膜（４ａ）と金属膜（５ａ）と
   をこの順序で積層してなる第１光磁気記録媒体と、 基板（１ｂ）上に第１保護膜（２ｂ）と光磁気記録膜（
   ３ｂ）と第２保護膜（４ｂ）と金属膜（５ｂ）とをこの
   順序で積層してなる第２光磁気記録媒体とが、 第１光磁気記録媒体の金属膜（５ａ）と第２光磁気記録
   媒体の金属膜（５ｂ）とが接着剤層を介して向かい合う
   ようにして積層してなり、 基板（１ａ）および基板（１ｂ）が、 エチレンと次式［ I ］または［ I ′］で表される環状
   オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン
   中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜１０ｄｌ／ｇ
   の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である
   環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］と、エチレン
   と次式［ I ］または［ I ′］で表される環状オレフィ
   ンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定
   した極限粘度［η］が０．０５〜５ｄｌ／ｇの範囲にあ
   り、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフ
   ィン系ランダム共重合体［Ｂ］とを配合してなる環状オ
   レフィン系ランダム共重合体組成物からなり、 第１保護膜（２ａ）、（２ｂ）および第２保護膜（４ａ
   ）、（４ｂ）が、ＳｉＮ＿Ｘからなり、光磁気記録膜（
   ３ａ）および（３ｂ）が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ば
   れる少なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉ
   ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とから
   なり、前記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％であ
   る、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜か
   らなり、 金属膜（５ａ）および（５ｂ）が、アルミニウム合金か
   らなることを特徴とする両面記録型光磁気記録媒体； ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・［ I ］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数
   であって、ｑは０または１であり、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾８
   およびＲ＾ａ、Ｒ＾ｂは、それぞれ独立に、水素原子、
   ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
   原子もしくは基を表し、 Ｒ＾１＾５〜Ｒ＾１＾８は、互いに結合して単環または
   多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二
   重結合を有していてもよく、 また、Ｒ＾１＾５とＲ＾１＾６とで、またはＲ＾１＾７
   とＲ＾１＾８とでアルキリデン基を形成していてもよい
   ）。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・［ I ′］ （式［ I ′］中、ｐは０または１以上の整数であり、
   ｑおよびｒは、０、１または２であり、Ｒ＾１〜Ｒ＾１
   ＾５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族
   炭化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基よ
   りなる群から選ばれる原子もしくは基を表し、Ｒ＾５（
   またはＲ＾６）とＲ＾９（またはＲ＾７）とは、炭素数
   １〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
   た何の基も介さずに直接結合していてもよい。）
4. （４）前記環状オレフィン系ランダム共重合体組成物が
   、 前記環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］と前記環
   状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］とを、［Ａ］／
   ［Ｂ］（重量比）で１００／０．１〜１００／１０の割
   合で配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組
   成物であることを特徴とする請求項第３項に記載の両面
   記録型光磁気記録媒体。