JPH02270148A - 両面記録型光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ豆二弦遭遣１ 本発明１４　　基板とエンハンス膜との密着性に優担　
かつ耐酸化性および光磁気記録特性に優瓢かつ光磁気記
録特性の長期安定性に優れた両面記録型光磁気記録媒体
に関する。

日の　′　　　ならびにその　　く 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔ　ｂ）
、カドリニウム（Ｇ　ｄ）などの希土類元素との合金か
らなる光磁気記録膜１戴　膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化
方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができ
ることが知られている。

この反転磁区の有無を「１」、　ｒＯＪに対応させるこ
とによって、上記のような光磁気記録膜にデジタル信号
を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜として１戯　たとえば特公昭５　′７−２０６９１号
公報に１５〜３０原子％のＴｂ　　を含むＴｂ−Ｆｅ系
光磁気記録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３
の金属を添加してなる光磁気記録膜も用いられている。

さらにＴｂ−Ｃｏ　系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁
気記録膜も知られている。

これらの光磁気記録膜は、優れた記録再生特性を有して
いるが、　使用時にこの光磁気記録膜は酸化を受けてそ
の特性が経時的に変化してしまうという実用上の大きな
問題点があっ島 このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜
の酸化劣化のメカニズム番戴　　たとえば日本応用磁気
学会誌第９巻　Ｎｏ、２、第９３〜９６頁で検討されて
おり、以下のような３つのタイプがあることが報告され
ている。

イ）孔食 孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意
味するが、　この腐食ＩＬ　　主として高温雰囲気下で
進行上　たとえばＴｂ−ＦｅＡ　　Ｔｂ−Ｃ。

系などで著しく進行する。

口）表面酸化 光磁気記録膜に表面酸化層が形成さ汰　が、回転角しい
たθｋが経時的に変化し　ついにはが、回転角θｋが減
少してしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化さ枳　保磁
力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような光磁気記録膜の酸化劣化を防止するため、
従来　種々の方法が試みられている。たとえＩｆ、　　
光磁気記録膜を、酸化防止保護膜でサンドイッチしたよ
うな３層構造にする方法が検討されている。

また、Ｔｂ−ＦｅＡ　Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜
中く　この薄膜の耐酸化性を向上させるためく　第３の
金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔｂ−Ｆｅ
あるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃ０１Ｎｉ、　　Ｐｔ。

ＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄなどの第３金属を３．５原子％
までの量で添加することによって、Ｔｂ−’Ｆｅ系ある
いはＴｂ−Ｃｏ系の光磁気記録膜の耐酸化性を向上させ
る試みがなされている。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁に（戴　やはり光磁気記録膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ　Ｅ、　　Ｐｔ１Ａ　１゜ＣｒＳ　Ｔｉを
１０原子％までの量で添加してなる光磁気記録膜が教示
されている。

また特開昭６１−２５５５４６号公報に檄　希土類元素
と遷移元素とからなる光磁気記録膜１Ｐｔ　１Ａｕ　Ｓ
Ａｇ、Ｒｕ　ＳＲｈ　ＳＰｄ　、Ｏｓ　。

Ｉｒなどの貴金属元素を再生に必要なが、回転角が得ら
れる範囲内で添加してなる耐酸化性が向上された光磁気
記録膜が開示されている。

このように従来Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−ＣｏＥ。

Ｃ０１ＮｉＳ　ＰｔＳ　Ａｌ、ＣｒＳ　Ｔｉなどの第３
金属が添加されてなる光磁気記録膜は知られてぃるカζ
　従来知られている光磁気記録膜の組成および構成で鷹
　なお耐酸化性が充分でなく、大きなバイアス磁界をか
けなければ高いＣ／Ｎ比を得ることができない（バイア
ス磁界依存性に劣る）などのいずれかの問題点があった 本発明者らは、上記のような知見に基づきさらに検討し
たところ、基板とエンハンス膜との密着性および耐酸化
性に優へ　かつ光磁気特性の長期安定性に優れた光磁気
記録媒体を得るためには基板として特定の構造をするエ
チレンと環状オレフィンとのランダム共重合体組成物を
用い、しかも基板と光磁気記録膜との間に特定のエンハ
ンス膜（保護膜）を設け、かつ貼り合せて両面記録型と
すればよいことを見出して、本発明を完成するに至った
　さらに上記のようなエンハンス膜上く光磁気記録膜と
して（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と
、（１１）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ）希土類から選ば
れる少なくとも１種の元素とからなり、前記耐腐食性金
属の含有量が５〜３ｏ原子％である光磁気記録膜を積層
すれＧｆ、　　耐酸化性および光磁気記録特性に優れた
光磁気記録媒体が得られることを見出して、本発明を完
成するに至った 入団ｐ且力 本発明（戴　上記のような従来技術に伴う問題点を解決
しようとするものであって、基板とエンハンス膜との密
着性に優へ　しかも耐酸化性および光磁気記録特性およ
びその長期安定性に優れた両面記録型光磁気記録媒体を
提供することを目的としている。

旦ｎ葺 番戴 基板上にエンハンス膜（保護膜）と光磁気記録膜と反射
膜とがこの順序で積層されてなる第１光磁気記録媒体と
、 基板上にエンハンス膜（保護膜）と光磁気記録膜と反射
膜とがこの順序で積層されてなる第２光磁気記録媒体と
を、 第１光磁気記録媒体の反射膜と第２光磁気記録媒体の反
射膜とが向い合うようにして接着剤層を介して積層して
なり、 基板力で、 エチレンと、下記一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフ
ィンとの共重合体とからなる環状オレフィン系ランダム
共重合体から形成さ枳 エンハンス膜力’、Ｓｉ３Ｎ４、　５ｉＮｘ（０＜ｘ　
＜　４７３　）、ＡＩＮ、Ｚｎ　Ｓｅ、Ｚｎ５Ｓ　Ｓｉ
またはＣｄＳであることを特徴としている。

・・・　［＋］ （式［Ｉ］において、ｎはＯもしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示し、Ｒ９〜Ｒｌ　２１戴互いに結合
して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該
単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲｌｅとで、またはＲ１１とＲ１２とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい。）本発明に係る第
２の両面記録量光磁気記録媒体（礼 基板上にエンハンス膜（保護膜）と光磁気記録膜と反射
膜とがこの順序で積層されてなる第１光磁気記録媒体と
、 基板上にエンハンス膜（保護膜）と光磁気記録膜と反射
膜とがこの順序で積層されてなる第２光磁気記録媒体と
を、 第１光磁気記録媒体の反射膜と第２光磁気記録媒体の反
射膜とが向い合うようにして接着剤層を介して積層して
なり、 基板が、 （Ａ）エチレンと、上記一般式［Ｉ］おりムー→で表わ
される環状オレフィンとの共重合体とからなり、　１３
５℃の′デカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．　
０５〜１０　ｄｉ／ｇ（７）範囲にあり、軟化温度（Ｔ
ＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共
重合体と、 （Ｂ）エチレンと、上記一般式［工］で表わされる環状
オレフィンとの共重合体とからなり、　１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０゜０５〜５ｄｌ／
ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満であ
る環状オレフィンランダム共重合体とからなり、 上記（Ａ）成分／（Ｂ）成分の重量比が１００７０．１
〜１００／１０の範囲である環状オレフィンランダム共
重合体組成物から形成さ汰エンハンス膜が、　Ｓｉ３Ｎ
４、　５ｉＮｘ（０＜ｘ　＜　４　／　３　）、ＡＩＮ
、Ｚｎ　Ｓｅ１　Ｚｎ　Ｓ、ＳｉまたはＣｄＳであるこ
とを特徴としている。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
ては、該環状オレフィン成分は一般式［■］で表わされ
る構造を形成している。

・・　［■コ （式［ｎ］において、ｎは０もしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示り、Ｒ９〜ＲＩ　２　Ｊ戴互いに結
合して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ
該単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲＱとＲｌｅとで、またはＲ目とＲＱ２とで、アル
キリデン基を形成していてもよい）。

また本発明で鷹　上記のような基板をミ　　光磁気記録
膜として、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくと
も１種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希
土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前
記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を用いるこ
とが好ましいが、　本発明では（ｉ）３ｄ遷移金属から
選ばれる少なくとも１種と、　（１ｉｉ）希土類から選
ばれる少なくとも１種の元素とを少なくとも含む膜面に
垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜ならばこれを
用いることもできる。

Ｈの　　−日 以下本発明に係る両面記録を光磁気記録媒体について、
具体的に説明する。

また本発明に係る光磁気記録媒体１１戴　　第１図に示
すよう番−基板２−ａ　ｌにエンハンス膜３ａと光磁気
記録膜４ａと反射膜５ａがこの順序で積層されてなる第
１光磁気記録媒体Ａと、同様に基板２ｂ上にエンハンス
膜３ｂと光磁気記録膜４ｂと反射膜５ｂとがこの順序で
積層されてなる第２光磁気記録媒体Ｂとを、第１光磁気
記録媒体Ａの反射膜５ａと、第２光磁気記録媒体Ｂの反
射膜５ｂとが向い合うようにして接着剤層６を介して積
層した構造を有している。

本発明に係る両面記録型光磁気記録媒体ｌでは、基板２
ａと２ｂとは、下記に説明するような環状オレフィンラ
ンダム共重合体組成物から形成されている限り同一であ
っても異なっていてもよく、またエンハンス膜３ａと３
ｂとは、下記の説明するような物質から形成されている
限り同一であっても異なっていてもよく、さらに光磁気
記録膜４ａと４ｂさらに反射膜５ａと５ｂも同様に同一
であっても異なっていてもよい。

本発明に係る第１の両面記録型光磁気記録媒体で鷹　上
記のような基板！２１礼　　エチレンと、下記一般式［
１１で表わされる環状オレフィンとの共重合体とからな
る環状オレフィン系ランダム共重合体から形成されてい
る。

・・・［Ｉ］ （式［ｘｌにおいて、ｎは０もしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲＩ２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示り、ＲＱ〜ＲＩ　２　叫互いに結合
して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該
単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲＩ＠とで、またはＲ１１とＲＩ２とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい）。

上記一般式［Ｉ］で表される環状オレフィンについてさ
らに詳しく説明すると、上記一般式［１］で表される環
状オレフィン（戯　上記式［２］で表される４Ｌ　　以
下に記載する式［ｘ−ａｌで表すこともできる。

・・・［Ｉ　−ａｌ ただし　上記［Ｉ−ａｌにおいて、ｎは０または１であ
り、ｍは０または正の整数であり、Ｒ１〜ＲＩ　８　＋
Ｌ　　それぞれ独立へ　水素原子、ハロゲン原子および
炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表
す。

そして、ＲＩ　Ｉｓ　４、　Ｒｌ　８１４　　互いに結
合して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ
該単環または多環の基が二重結合を有していてもよい。

また、Ｒ”とＲ１’とで、またはＲ１丁とＲ１１１とで
アルキリデン基を形成していてもよい。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体は、そ
の軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上であり、１３５℃の
デカリン中で測定した極限粘度［１］が０．５〜１０ｄ
ｌ／ｇの範囲にあることが好ましい。以下、軟化温度（
ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム
共重合体を、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
として説明する。

本発明に係る第２の両面記録型光磁°気記録媒体では、
上記のような基板２（戴 エチレンと、上記一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフ
ィンとの共重合体とからなり、　１３５℃のデカリン中
で測定した極限粘度［Ｖ］が０、０５〜１０ｄｌ／ｇの
範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環
状オレフィン系ランダム共重合体（Ａ）と、 エチレンと、上記一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフ
ィンとの共重合体とからなり、　１３５℃のデカリン中
で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜５　　ｄｌ／ｇ
の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィンランダム共重合体（Ｂ）とからなり、 上記（Ａ）成分／（Ｂ）成分の重量比が１００７０．１
〜１００／１０の範囲である環状オレフィンランダム共
重合体組成物から形成されている。

上記（Ａ）成分に（Ｂ）成分を上記のような範囲で配合
することによって、基板とエンハンス膜との密着性、特
に苛酷な条件における密着性がさらに向上する。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て檄　該環状オレフィン成分は一般式［［［］で表わさ
れる構造を形成している。

・・・［ｎ］ （式［ｎ］において、ｎはＯもしくは正の整数であり、
Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示り、Ｒｅ〜ＲＩ　２１４互いに結合
して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該
単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またＲ９とＲｌｅとで、またはＲ１１とＲＩ２とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい）。

なお、環状オレフィンを、上記のように［Ｉ−ａｌで表
すと、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］中において鷹　該環状オレフィン成分法　以下に
示す式［ｍ−ａｌで表される構造を形成している。

・・・　［ｎ−ａｌ ただし　上記［ｎ−ａｌにおいて、ｎはＯまたはｌであ
り、ｍはＯまたは正の整数であり、Ｒ１〜Ｒ１柑戯　そ
れぞれ独立く　水素原子、ハロゲン原子および炭化水素
基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表す。

そして、Ｒ”とＲＩＢとは、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かつ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。

また、ＲＩＳとＲＩＢとで、またはＲＩＴとＲ１１＋と
でアルキリデン基を形成していてもよい。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の構成
成分である環状オレフィンは、一般式［工］で表わされ
る不飽和単量体からなる群から選ばれた少なくとも１種
の環状オレフィンである。

一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィン鷹　シクロペ
ンタジェン類と相応するオレフィン類とをディールス・
アルダ−反応で縮合させることにより容易に製造するこ
とができる。

一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンとして、具体
的に１　表１に記載した化合執　あるいは１．４．５．
８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ
−オクタヒドロナフタレンのほかへ　２−メチル−１，
４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチル−１，
４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４゜４ａ、　５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−プロピル−１
，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５
．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−へキシル−
１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　
５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２．３−ジメ
チル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４
ａ、　５゜８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−メ
チル−３−エチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２
，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタ
レン、２−クロロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２
，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタ
レン、２−ブロモ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２
，３，４，４ａ、　５゜８．８ａ−オクタヒドロナフタ
レン、２−フルオロ−１゜４、５．８−ジメタノ−１，
２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフ
タレン、２．３−ジクロロ−１，４，５，８−ジメタノ
−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−シクロヘキシル−１，４，５，８−
ジメタノ−１，２，３，４゜４ａ、　５．８．８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−ｎ−ブチル−１，４，５，
８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ
−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−１，４，
５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．
８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒドロナフ
タレン漿　などを例示することができる。

すなわち、本発明において使用される上記式［Ｉ］で表
わされる環状オレフィンとして鷹　具体的に告 ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン誘導本ｙ　）
　ラシクｏ　［４，４，０，１”、　１’−Ｉａ］−３
−トチセン誘導倣 ヘキサシクロ［５，６，ｌ、　１３．６．１１１１３．
Ｑ２．７．Ｑ９．＋４］−４−へプタデンセン誘導本 オクタシクロ［８，８，０，１２・９，１４・ｖ、ｌ＋
＋・Ｉ８，１＋１１１１Ｑ８Ｓ、Ｑ１２・１リー５−ト
コセン誘導本ペンタシクロ［６，６，１，１３・６．０
２・７．０９・＋４］−４−ヘキサデセン誘導本 ヘプタシクロ−５−イコセン誘導本 ヘプタシクロー５−ヘンエイコセン誘導体、トリシクロ
［４，３，０，１２・５］−３−デセン誘導本トリシク
ロ［４，３，０，１２・５コー３−ウンデセン誘導本ペ
ンタシクロ［６，５，１，１３・６，０２・７，０９・
＋２］−４−ペンタデセン誘導本 ペンタシクロペンタデカジエン誘導本 ペンタシクロ［４，７，０，１２、Ｓ　、　０８　、　
＋　３　、１９　、　＋　２　］−］３−ペンタデセン
誘導 本ンタシクロ［７１８＋　Ｏ＋　１”　’　＋　０２”
　＋　１’　＠”　”　、　Ｏ”　”　’、１１２・＋
５コー４−エイコセン誘導本および ノナシクロ［９，１０，１，１，４，７，，０３１，０
２−１＠、０１２．２１゜１１３．２＠、Ｑ１０．１９
．　ｌＩｓ、Ｉｌｌ］−５−ベンタコセン誘導体を挙げ
ることができる。

以下にこのような化合物の具体的な例を示す。

などのようなビシクロ［２，２，１１ヘプト−２−エン
誘導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

２、７．９−　）リメチルテ ＣＨｍ ／ ９−イソブチル−２，７− ９、１１，１２−トリメチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−イソブチル−１１，１２ ５、８，９，１０−テトラメチ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ ＋＠］−３−ドデセン ８−へキシルテトラシ Ｃ＋ａＨｉｙ　　　　　、　Ｉｒ１−３−ドデセン＋　
ｅ　］　−］３−ドデセ ン−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン ８−プロモチトラシフ −３−ドデセン ８−フルオロテトラシ １＠コー３−ドデセン ・１＠コー３−ドデセン ６．１ｖ、＋＠］−３−ドデセン ７．１＋１コー３−ドデセン −３−ドデセン １　＠　］−］３−ドデセ ン１２．ｓ、ｌＴ、＋日］−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ 一ドデセン １２．６．ｌＴ、Ｉｌａ］−３−トチセン ５．１丁・Ｉ＠］−３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２・５．１７・ＩＩ＋］−３−ドデセ
ン クロ［４，４，０，１２・５，１７゜ １＠］−３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２・６．１７．１＠コー３−ドデセン 山　　　　　２・６．１７・Ｉｅ］−３−トチセン８−
イソプロピリデン 一ドデセン ・Ｉ　９　］−］３−ドデセ ＣＨａ　　　　　　［４，４，０，１”、１丁＝”１−
３−ドデセン などノテトラシクｏ　［４，４，０，１２−％、　１７
−１’！’］−３−ドア’−ｔ＝ン誘導体； （以下余白） １２−メチルへキサシフ デセン デセン ヘプタデセン ＋　３　、　Ｑ２　、７　、　Ｑ９　、　ｌ　４　］−
］４−ヘプタデセ ンどのへキサシクロ［６，６，１，１３・ｅ、１＋１・
＋　３　、　Ｑ２・７，０９・Ｉａ　］−４−へブタデ
セン誘導体；トコセン ２・＋７］−５−トコセン １５−エチルオクタシフ ２・ＩＴ］−５−トコセン などのオクタシクロ［３，３，Ｑ、１２．９．ｌ＝、７
，１１１．１１１．１１３、＋６．Ｑ３．８．Ｑ１０．
＋？］−５−トコセン誘導体；などのペンタシクロ［６
，６，１，１３・６，０２・７，０９・＋　４　］　−
］４−ヘキサデセン誘導体 ；プタシクロ［８，７，０ コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；５−メチル−ト
リシクロ ＣＨ。

などのトリシクロ［４，３，０，１２・５］−３−デセ
ン誘導体；１０−メチル−トリシフ などのトリシクロ［４，４，０，１２・５コー３−ウン
デセン誘導体； １．３−ジメチル−ペンタ １．６−シメチルペンタ １４、１５−ジメチルペン などのペンタシクロ［６，５，１，１３・６　、　Ｑ２
　、　Ｔ　、　Ｑ９・＋　３　］　−］４−ペンタデセ
ン誘導体 ；どのジエン化合物； セン などのペンタシクロ［４，７，０，１２・５．０８・＋
３．ｐ、Ｉ２］−３−ペンタデセン誘導体： コセン ２・Ｉｓ］−４−エイコセン などのへブタシクロ［７，８，０，１３・８．Ｑ２．７
．１ｌ１１．＋７．Ｑｌｌ、１６．ｌＩ２．Ｉｓ］　−
４−エイコセン誘導体；２１．１１３．２１１．ＱＩｉ
１９．１１ｓ、＋ｓ］　−５−ベンタコセン −５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０，１，１’　、）Ｑ３　、
　＋１　、　Ｑ２　、　ｌ　９　、　Ｑｌ　２．２１．
１１３．２９．Ｑ１４．ＩＱ、１１．１１１］　−５−
ヘアタコセン誘導体； （以下余白） この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および［
ＢＩは、上記のようにエチレンおよび前記環状オレフィ
ンを必須成分とするものである力（、該必須の二成分め
他に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他
の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい
。任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として
、具体的には、たとえば生成するランダム共重合体中の
エチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１
−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、
１−オクテン、１−デセン、　１−ドデセン、１−テト
ラデセン、１−へキサデセン、１−オクタデセン、１−
エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィ
ンなどを例示することができる。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］において、エチレ
ンに由来する繰り返し単位（ａ）　ｉｔ。

４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲
で存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜
５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する
繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する
繰り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列し
ている。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成
は１３Ｃ−ＮＭＲによって測定した。この環状オレフィ
ン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋
構造を有していないこと；戴　該共重合体が１３５℃の
デカリン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］（戴　
０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５
ｄｌ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）＋３　７０℃以上が好ましく特Ｇ−好ましくは９
０〜２５０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範
囲にある。なお軟化温度（ＴＭＡ）ｉＬ　　デュポン社
製ＴｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌＡｎａ　１ｙｓｅ
ｒを用いて１１．厚さシートの熱変形挙動により測定し
九　すなわちシート上に石英製針をのせ、荷重４９＝を
かけ、５℃／分で昇温していき、針が０．６３５−ｍ侵
入した温度をＴＭＡとしｔラ　　また、該環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ａ］のガラス転移温度（Ｔｇ）
は、通常５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の
範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度（戴０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

また上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩにおいて、エ
チレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モ
ル％、好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在してお
り、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ
）は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲
で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ
）および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ
）は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エ
チレン組成および環状オレフィン組成は ＋３Ｃ−ＮＭＲによって測定し九　この環状オレフィン
系ランダム共重合体［ＢＩが実質上線状であり、ゲル状
架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃
のデカリン中に完全に溶解することによって確認できる
。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩの
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］は、０
．０５〜５ｄｌ／ｇ、　　好ましくは０、０８〜３ｄｌ
／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［ＢＩのサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）ｉＬ　　７０℃未苑　好ましくは一１０〜６０℃
、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら１
　該環状オレフィン系ランダム共重合体Ｕ：ＢＩのガラ
ス転移温度（Ｔ　ｇ月り通常−３０〜６０℃、好ましく
は一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明の第２の画面記録を磁気記録媒体において、基板
として用いる環状オレフィンランダム共重合体組成物に
おける該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１
００１０．　１ないし１００／１０、好ましくは１００
７０．３ないし１００／７、とくに好ましくは１００１
０．　５ないし１００１５の範囲である。　［Ｂ］酸成
分この範囲で［Ａ］酸成分配合することによって基板自
体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで本発明
で用いるエンハンス膜との苛酷な条件下での密着性が［
Ａ］酸成分みの場合に比べさらに向上するという効果が
あり、　［Ａ］と［Ｂ］のブレンドよりなるこの上記の
環状オレフィンランダム共重合体組成物を基板に用いれ
ば本発明で用いるエンハンス膜との優れた密着性は高温
、高温条件下放置後においてさえも変化がないという特
長を有している。

本発明で基板として用いる環状オレフィン系ランダム共
重合体または組成物を構成する環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ａ］または［Ａ］および［Ｂ］は、いずれ
も４１Ｍ昭６０−１６８７０８号公私　特開昭６１−１
２０８１６号公社　特開昭６１−１１５９１２号公私　
特開昭６１−１１５９１６号公転　特願昭６１−９５９
０５号公私　特願昭６１−９５９０６号公私　特開昭６
１−２７１３０８号公私　特開昭６１−２７２２１６号
公報などにおいて本出願人が提案した方法に従い適宜条
件を選択することにより、製造することができる。

この環状オレフィン系ランダム共重合体組成物の製法と
しては公知の方法が適用でき、環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ａ］および［Ｂ］を別個に製造り、　　［
Ａ］と［Ｂ］を押出機でブレンドして製造する方法、　
［Ａ］および［Ｂ］を適当な潜弧　たとえばヘプタン、
ヘキサン、デカン、シクロヘキサンのような飽和炭化水
魚　トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭化
水素に充分溶解して行なう溶液ブレンド法、さらには［
Ａ］、　［Ｂ］を別個の重合器で合成し得られるポリマ
ーを別の容器でブレンドしてポリマーを製造する方法を
あげることができる。

また環状オレフィン系ランダム共重合体組成物の１３５
℃デカリン中で測定した極限粘度［η］ハ０　、０５　
ｆｔ　イｔ、　１０　　ｄ　１　／　ｇ　、好マシくハ
０、０８ないし５ｄｌ／ｇの範囲であり、サーマル・メ
カニカル・アナライザーによって測定した軟化Ａ度（Ｔ
ＭＡ）　は７０ないＬ２５０’Ｃ１好ましくは８０〜２
５０℃特に好ましくは１００ないし２００’Ｃの範囲に
あり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は７０ないし２３０℃、
好ましくは９０ないし２１０℃の範囲にある。

また、基板を形成する樹脂として、上記のような環状オ
レフィンランダム共重合体と共く　上述の式［工］で表
される環状オレフィンが開環重合することにより形成さ
れる次式［ｍ］で表される繰り返し単位を含む重合体も
しくは共重合体が含まれていてもよく、さらに上記式［
ｍ］で表される繰り返し単位を水添することにより形成
される次式［Ｉｖ］で示すような繰り返し単位を含む重
合体あるいは共重合体が含まれていてもよい。

・・・Ｃｍ］ ・・・［Ｉｖ］ ただし　上記式［［ｌＩ］および［■］において、ｎお
よびＲ１〜Ｒｌ　２　ｊｌ　　前記式［Ｉ］で示される
環状オレフィンにおけるｎおよびＲ１〜ＲＩ２と同じ意
味である。

本発明の環状オレフィン系ランダム共重合体または組成
物は前記環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］また
は［Ａ］および前記環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］を必須成分とするものであるが、　その他に耐熱
安定舷　耐候安定舷帯電防止斉Ｌ　スリップ４１．　　
アンチブロッキング斉り防曇剤、滑剤、染料、顔料、天
然油、合成油、ワックスなどを配合することができ、そ
の配合割合は適宜量である。たとえ戦　任意成分として
配合される安定剤して具体的に（戴　テトラキス［メチ
レン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネートコメタン、β−（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ア
ルキルエステル（特に炭素数１８以下のアルキルエステ
ルが好ましい）。２，２°−オキザミドビス［エチル−
３（３，５−ジーｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル
）プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤）ステ
アリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒドロ
キシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリ
セリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、
グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノ
ステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、
ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコ
ール脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これら
は単独で配合してもよいが、　組合わせて配合してもよ
く、たとえばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステ
アレートとの組合わせ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いることが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価以上
の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエステ
ル化された多価アルコール脂肪酸エステルであることが
好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして屯　
具体的に６戴　　グリセリンモノステアレート、グリセ
リンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グ
リセリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート
、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステ
ル、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエ
リスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジ
ステアレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリス
リトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物１００重量部に対して０．０
１〜１０重量部好ましくは０．０５〜３重量部さらに好
ましくは０．　１〜１重量部の量で用いら瓢　また多価
アルコールの脂肪酸エステルは該組成物１００重量部に
対して０．０１〜１０重量部好ましくは０．０５〜３重
量部の量で用いられる。

本発明では、基板２として、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または組成物を用いており、この
環状オレフィン系ランダム共重合体または組成物は、従
来基板２として用いられているポリが、ボネート、ポリ
（メタ）アクリレートなどと比較して吸水率が小さいた
め、基板上にエンハンス膜（保護膜）３を介して積層さ
れる光磁気記録膜４が水分によって酸化されることが少
ない。またこの環状オレフィン系ランダム共重合体また
は組成物からなる基板２とエンハンス膜３とは密着性に
優れており、この点からも基板上にエンハンス膜３を介
して積層される光磁気記録膜４の酸化が効果的に防止さ
れる。したがってこの環状オレフィン系ランダム共重合
体組成物からなる基板上にエンハンス膜３を介して光磁
気記録膜４を積層してなる光磁気記録媒体１ｋ　　耐久
性に優瓢　しかも長期安定性にも優れている。そして、
貼り合せて両面記録型としていることにより、長期安定
性はさらに向上される。また本発明に係る光磁気記録媒
体１は反りがなく割れが生ずることがない。

さらに上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
または組成物からなる基板は、複屈折が小さく、したが
って光磁気記録膜の読取り時の感度が大きく、読取り時
に非差動型のドライブ装置を用いることもできる。

本発明では、上記のような基板Ｚ上にエンハンス膜（ま
たは保護膜）３が積層されるが、　エンハンス膜（また
は保護膜）３としては、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ　Ｎｘ　（０
＜ｘ＜４／３）、ＡｌＮ５　Ｚｎ５ｅ。

ＺｎＳ、ＳｉまたはＣｄＳから形成される。このような
エンハンス膜の膜厚は、　１００−１０００好ましくは
３００〜８５０　　程度である。この中で耐クラツク性
の点から、特にＳｉ３　Ｎ４、Ｓｉ　Ｎｘ　　（０＜ｘ
＜４／３）をエンハンス膜（または保護膜）として用い
ることが好ましい。

本発明に係る光磁気記録媒体１では、エンハンス膜は、
光磁気記録媒体１の感度を高める働きをするとともく　
後述する光磁気記録膜の保護膜としても作用している。

このようなエンハンス膜は、基板の屈折率よりも大きな
屈折率を有している。

本発明では、上記のようなエンハンス膜３上に光磁気記
録膜４が積層されるが、本発明ではこのような光磁気記
録膜として、たとえば（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少
なくとも１種の元素とを少なくとも含む、膜面に垂直な
磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を用いることができ
る力（、このような光磁気記録膜の中では、　（ｉ）３
ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）
耐腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少な
くとも１種の元素とからなっていることが好ましい。

以下まずこの好ましい光磁気記録膜４について説明する
。

（ｉ）３ｄ遷移金属として＋ｌ　　Ｆｅ、　　Ｃｏ、Ｔ
ｉ１ＶＳ　Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いら
れるが、　このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者で
あることが好ましい。

この３ｄ遷移金属鷹　光磁気記録膜４中に好ましくは２
０〜９０ｒＪＫ子％より好ましくは３０〜８５原千％と
くに好ましくは３５〜８０原千％の量で存在している。

（１１）耐腐食性金属ｉＬ　　光磁気記録膜４に含ませ
ることによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高める
ことができる。このような耐腐食性金属としては、　Ｐ
ｔ、　　Ｐｄ、　　Ｔｉ、　　Ｚｒ、　　Ｔａ、　　Ｎ
ｂ。

Ｍｏなどが用いられるが、このうちＰＬ、Ｐｄ。

Ｔ１が好ましくとくにｐｔまたはＰｄあるいはこの両者
であることが好ましい。また、これらの金属の添加によ
り低バイアス磁界での記録消去が可能となる。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜４中に、５〜３０原
子％好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５原
子％さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で存在して
いる。

この耐腐食性金属の含有量が５原子％未満であると、得
られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善さ九ず、
経時的に保磁力Ｈｃが大きく変化したりあるいはが、回
転角＝ｋが減少したりする。

また、３０原子％を超えて存在する場合に（戴　得られ
る非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾向も
あるため好ましくない。　（ｉ）光磁気記録膜４は、上
記（ｉｉ）および（１ｉｉ）に加えて、下記の群から選
ばれる少なくとも１種の希土類元素を含んで構成されて
いる。

Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、Ｅｒ、　　Ｔｍ
、　　Ｙｂ。

Ｌｕ　、Ｌａ　、Ｃｅ　ＳＰｒ　、Ｎｄ　ＳＰｍ　、Ｓ
ｍ　。

ｕ このうちＧｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、Ｎｄ、
　　Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素鷹　光磁気記録膜４中に、好ましくは５〜５０原子％
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４ｏ原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜４力ｆ、特に、下記の記載す
るような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中に＋４（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯは、４ｏ原子％
以上８０原子％以下好ましくは４ｏ原子％以上７５原子
％未満さらに好ましくは４ｏ原子％以上５９原子％以下
の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅ　　および／またはＣＯは、Ｃｏ　　／（Ｆ
ｅ　＋　Ｃｏ　）　比［原子比］　カＯ以上０．　３　
Ｕ下杆ましくは０以上０．２以下さらに好ましくは０、
０１以上０．２以下であるような量で、光磁気記録膜中
に存在していることが望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０３子％以上で８ｏ原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優瓢　かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中Ｅ、Ｃｏを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）が、回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めらへ　その
結＆Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を調
整することができ、しかもＣｏの添加により、再生信号
のキャリアレベルを増加することができる。本発明にお
いて用いる光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比
の点からＣｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］は
０以上０．　３以下好ましくは０以上０．　２以下さら
に好ましくは０．０１以上０２以下であることが望まし
い。

第２図に本発明においてＰｔ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁
気記録膜を用いた場合におけるＣｏ／（Ｃｏ十Ｆｅ）比
［原子比コとノイズレベル（ｄＢｍ）との関係を示し、
また第３図にＰｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜を
用いた場合におけるＣｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ）比［原子比コ
とノイズレベル（ｄＢｍ）との関係を示す。

具体的には、Ｐｔ１３Ｔｂ　　２ａＦｅ５ａｃｏｓで示
される組成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［原子比］：０．１５）を用いた場合１戴ノイズレ
ベルが一５６ｄＢｍ　　であるのに対し、Ｐｔ　４、Ｔ
ｂ　２．Ｆｅ　４、Ｃｏ　２．で示される組成を有する
光磁気記録膜（Ｃｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子
比］：０．３９）を用いた場合Ｃ戯　　ノイズレベルが
一５０ｄＢｍであり、ノイズレベルが大きくなる傾向が
ある。またＰ　ｄ　＋４Ｔｂ　２７Ｆｅ　５２Ｃｏ　７
で示される組成を有する光磁気記録膜（ＣＯ／、（Ｆｅ
、＋Ｃｏ）比［原子比］：　　０．　１２）　１４　　
／イズレベルが一５６ｄＢｍ　　であるのに対して、Ｐ
ｄ　１４Ｔｂ　２ｔＦｅ　、Ｃｏ　Ｉｌ＋で示される組
成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　
）比［原子比コ　：０．３１）は、ノイズレベルが一５
１ｄＢｍであり、ノイズレベルが大きくなる傾向がある
。

第４図にＰｔ　　Ｔｂ　　Ｆｅ　　Ｃｏ　あるいはＰｄ
　　ＴｂＦｅ　Ｃｏで示される組成を有する光磁気記録
膜を用いた場合におけるＣｏ　／（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比
［原子比］と消去劣化（ΔＣ／Ｎ比（ｄＢ））との関係
を示す。

具体的に番Ｌ　　Ｐｔ１３Ｔｂ２ｓＦｅｓｓＣＯｓ　な
る組成を有する光磁気記録膜（Ｃｏ　／　（Ｆｅ　＋Ｃ
ｏ　）比［ｉ子比コニ０．１５５）を用いた場合く　−
たん記録された情報を消去する際、膜に照射するエネル
ギーを大きくしても膜変質は全く起こらず、新たな情報
も、Ｃ／Ｎ比の値として（戴　消去前のと同じ値の記録
ができる。

さらに本発明に用いる好ましい光磁気記録膜（表記録お
よび消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることは
ない。たとえばＰｔ　１３Ｔｂ　４、ｓＦｅ　５８ＣＯ
８なる組成を有する光磁気記録膜は、　１０万回の記録
および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は認め
られない。

１１　　耐腐食性金属 本発明に用いる好ましい光磁気記録膜中には、（ｉｉ）
耐腐食性金属として、Ｐｔ、　　Ｐｄ、　　Ｔｉ、Ｚｒ
、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏのうちの少なくとも１棟好ましくは
ＰｔまたはＰｄあるいはこの再考が含まれており、ｐｔ
および／またはＰｄは、光磁気記録膜中に５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくはＩＯ原子％を超えて２０原子％未源　最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５ｇ、
子％以上特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸イヒ性に優へ　長期間使用しても孔食が発生
せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。また
Ｔｉ、　　Ｍｏ、　　Ｚｒ、　　Ｔａ。

Ｎｂなどにおいても同様の効果が認められる。

第５図に本発明で基板として環状オレフィンランダム共
重合体組成物を用いた場合において光磁気記録膜中にお
けるｐｔおよび／またはＰｄ含有量と、光磁気記録膜を
相対湿度８５％、８０℃の環境下に２０００時間保持し
た場合のΔＣ／Ｎ比との関係を示す。

この第５図から、光磁気記録膜中のｐｔおよび／または
Ｐｄの量が５原子％以上特に１０原子％を超えている場
合に（戴　光磁気記録膜の耐酸化性が向上上　長期間使
用しても孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比が劣化することがな
いことがわかる。

たとえばＰｔ１３Ｔｂ　２．Ｆｅ　６．Ｃｏ　、あるイ
＋’ｔＰｄ　１２Ｔｂ　２＠Ｆｅ　５ｓｃｏ　ｔ　で示
される組成を有する光磁気記録膜は、相対湿度８５％、
８０℃の環境下に２０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は
全く変化しない。これに対してＰｔまたはＰｄを含まな
いＴｂ　２ＳＦ’ｅ　ａｓｃｏ　ｔ　で示される組成を
有する光磁気記録膜を用いた場合＋４　　相対湿度８５
％、８０℃の環境下に１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ
比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中にＰｔ、　　Ｐｄ、　　Ｔｉ、Ｚｒ
。

Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏの少なくとも１種を上記のような範囲
の量で添加することにより、光磁気記録膜に情報を記録
したりあるいは情報を読出す際に、小さなバイアス磁界
で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバイアス磁界
で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイアス磁界発生
用のマグネットを小さくすることができ、　しかもマグ
ネットからの発熱も押えることができるため、光磁気記
録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素化するこ
とができる。しかも小さなバイアス磁界で充分に大きな
Ｃ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能な磁界変
調記録用のマグネットの設計も容易となる。

第６図にＰｔ　、３Ｔｂ　２８Ｆｅ６．、Ｃｏｅ　で示
される組成を有する光磁気記録膜および　Ｔｂ２６Ｆｅ
ｓｓＣｏｙで示される組成を有する光磁気記録膜を用い
た場合のバイアス磁界依存性と、Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）との
関係を示す。

この第６図より、Ｔｂ　２５Ｆｅｓ（ＩＣＯ７で示され
る光磁気記録膜を用いた場合では、２５００ｅ以上のバ
イアス磁界を印加しないとＣ／Ｎ比は飽和し、なイノニ
対し、　Ｐ　ｔ　＋３ＴＩ）　２８Ｆｅ　ｓ＠ｃｏ　＊
　で示される光磁気記録膜では、小さなバイアス磁界で
も充分に記録可能であり、　１２００ｅ以上でＣ／Ｎ比
は飽和していることがわかる。実施例で哄表中に各光磁
気記録膜について、Ｃ／Ｎ比が飽和するのに必要な最小
バイアス磁界Ｈｓａｔの値を示す。この値Ｈｓａｔが小
さいほど、小さなバイアス磁界でＣ／Ｎ比が飽和するこ
とになる。

また第７図Ｅ、Ｐｔ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜
およびＰｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜における
Ｐｔおよび／またはＰｄの含有量と、最小バイアス磁界
（Ｈｓａ七、（Ｏ８））との関係を示す。

この第７図より、Ｐｔおよび／またはＰｄの含有量が１
０ｉ子％を超えると、最小バイアス磁界Ｈｓａｔが充分
に小さくなることがわかる。

ｉｉｉ　　　　土　　−ＲＥ 本発明に係る光磁気記録膜中に凰　希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、　　Ｎｄ、
　　　Ｓｍ、　　　Ｐｒ、　　　ＣｅＳ　　Ｅｕ１　、
ＧｄＳ　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中では、Ｎｄ、ＰｒＳ　Ｇｄ、Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いら八　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５ｏ原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点がらＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ　＋
Ｃｏ　）比［原子比コをＸで表わした場合に、０．１５
≦Ｘ≦０．４５好ましくは　０゜２０≦Ｘ≦０．４であ
るような量で光磁気記録膜中に存在していることが望ま
しい。

本発咀においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃや
が、回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素速　記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未溝の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的にｉｌｌ　　５ｃＳＴｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　
　Ｍｎ。

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが好ましく
用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的に１４　　Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ、
　　Ｔｃ。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ１　Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的に＋Ｌ　　Ｈｆ、　　Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｒｅ、
　　Ｏｓ、Ｉｒ１　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的にｋｌ　　ＢＳＡ、　　Ｇａ、　　Ｉｎ５Ｔが用
いられる。

このうちＢ、　　Ａ、　　Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｙＢ族元素 具体的にｉ戴Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

このうち、Ｓｌ、ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いら
れ石。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ１　ＰＳ　Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられ
る。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的にＩｆ、　　Ｓ、　　Ｓｅ、　　Ｔｅ１Ｐｏが用
いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

また本発明で叫　光磁気記録膜４として、上記のような
（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくと・も１種と、
　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
とからなる光磁気記録膜を用いることができる。このよ
うな光磁気記録膜として＋Ｌ　　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ系の
光磁気記録膜が好ましく、Ｔｂは１０〜４０原子％の量
で、Ｆｅは３０〜９０原子％の量で、ＣＯは０〜３０ｙ
１．子％の量で存在していることが好ましい。また本発
明では（ｉ）３ｄ遷移金属と（１ｉｉ）希土類元素を含
んでいればこれにさらに他の元素（たとえば上記ＣＩ）
〜（■）の元素）を含む光磁気記録膜を用いることもで
きる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜４は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し　多くはが、・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、が、・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと鷹　最大外部磁場におけるが、回転角
である飽和が、回転角（θに＋　）と外部磁場ゼロにお
けるが、回転角である残留が、回転角（θに２　）との
比θに２／θに１　が０．８以上であることを意味して
いる。

このような光磁気記録膜４の膜厚ｊＬ１００〜５０００
オングストローム好ましくは１００〜３０００オングス
トロームより好ましくは１５０〜２０００オングストロ
一ム程度である。

反射膜 本発明に係る光磁気記録媒体１で（戴　上記のような光
磁気記録膜４上に、反射膜５が設けられている。

この反射膜５は、熱伝導率が２Ｊ／（至）・ｓｅｃ・Ｋ
以下好薫しくはＩ　Ｊ　／　＝ｎ・ＳｅＣ’　Ｋ以下で
あるような金属または合金から構成されていることが望
ましい。

さらに好ましくは、反射膜５Ｉ戴　　反射率が５０　　
′％以上好ましくは７０％以上であり、かつ熱伝導率が
２Ｊ／ｃｍ−ｓｅｃ−に以下好ましくはＩＪ／、。

・５ｅＣ−に以下であるような金属または合金から構成
されている。

具体的に（戴　反射膜５代　熱伝導率が０．７１Ｊ／ａ
ｓ・５ｅｃ−にであるＰｔ、　　熱伝導率が０．７６Ｊ
／ｃｘ、・５ｅＣ−にであるＰｄ、　　熱伝導率が０．
　２２　Ｊ／ｃｍ　−８ｅｃ　−ＫであるＴｉ、　　ま
たは熱伝導率が０．　９９Ｊ／ａ＋＋　・５ｅｃ−にで
あるＣｏ。

熱伝導率が０．　２３Ｊ／ａＩｌ−ｓｅｃ、にであるＺ
ｒあるいはこれらの合金が挙げられる。しかし本発明で
（戯　このような反射膜５の中で特へ　反射率が５０％
以上好ましくは７０％以上であり、熱伝導率が２　Ｊ／
ａ＋＋　−５ｅｅ　−Ｋ以下好ましくはＩＪ／口・５ｅ
ｃ−に以下であるニッケル系合金を用いることが好まし
い。

このような反射膜５を構成するニッケル系合金は、特に
ニッケルを主成分と獣　かつシリコン、モリブデン、鉄
、クロムおよび銅からなる群から選択される少なくとも
１種を含有していることが好ましい。このようなニッケ
ル系合金では、ニッケルは３０〜９９原子％好ましくは
５０〜９０ｉ子％の量で存在している。

上記のような反射膜５を構成するニッケル合金として鷹
　具体的には下記のような合金を用いることができる。

Ｎｉ−Ｃｒ素金合金たとえば３０〜９９原子％Ｎｉ１１
〜７０原子％Ｃｒ、　　特に好ましくは７０〜９５原子
％Ｎ１．５〜３０原子％Ｃｒ）Ｎｉ−５ｉ系合金（たと
えば８５原子％Ｎ１．１０原子％Ｓ１．３原子％Ｃｕ、
２原子％Ａ）Ｎｉ−Ｃｕ　系合金（たとえば６３ｉ子％
Ｎ１．２９〜３０原子％Ｃｕ、０．９〜２原子％Ｆｅ。

０．１〜４原子％Ｓｉ、Ｏ〜２．７５原子％Ａ）Ｎ　ｉ
−Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ系合金（たとえば６０〜６５原子％Ｎ
ｉ、２５〜３５３５原子ｏ、５原子％Ｆｅ）Ｎ　ｉ　−
Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ−Ｃｒ系合金（たとえば５５〜６０原子
％Ｎｉ、１５〜２０原子％Ｍｏ、６原子％Ｆｅ、１２〜
１６原子％Ｃｒ、５原子％Ｗ）Ｎ　ｉ　−Ｍ　ｏ−Ｆ　
ｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば６ｏ原子％Ｎｉ、５原
子％ＭＯ１８原子％Ｆｅ、２１原子％Ｃｒ、３原子％Ｃ
ｕ、１原子％Ｓｉ、１原子％Ｍｎ、１原子％Ｗ１　　あ
るいは４４〜４７原子％Ｎ１．５．　５〜７．　５Ｊ）
Ｋ子％Ｍｏ、２１〜２３２３原子ｒ、０．　１５原子％
Ｃｕ、　　ＩＪＪＫ子％Ｓｉ。

１〜２原子％Ｍｎ、　　２．　５原子％Ｃｏ、１原子％
Ｗ、１．７〜２．５原子％Ｎｂ　　、残部Ｆｅ　　）Ｎ
　ｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍ　ｏ系合金（たとえば５６〜５７
原子％Ｎ１．２３〜２４原子％Ｃｒ、８原子％Ｃｕ、４
原子％Ｍｏ、２原子％Ｗ、　　１原子％ＳｉまたはＭｎ
） Ｎ　ｉ−Ｃｒ−Ｆ　ｅ系合金（たとえば７９，５原子％
Ｎ１．１３原子％Ｃｕ、　　６．　５原子％Ｆｅ。

ｏ、ｚｍ子％Ｃｕ、　　あるいは３０〜３４原子％Ｎ１
．１９〜２２ｙＫ子％Ｃｒ１０．５原子％Ｃｕ１１原子
％Ｓｉ、　　１．　５原子％Ｍｎ、　　残部Ｆｅ）この
ような反射膜５を有する光磁気記録媒体１礼アルミニウ
ム、銖　金などからなる反射膜を有する光磁気記録媒体
と比較して、優れたＣ／Ｎ比を有している。

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜
を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜に
ピットを形成する場合く　レーザービームから光磁気記
録膜に与えられた熱エネルギーがこの反射膜を伝わって
拡散するため、大きな記録レーザーパワーを必要とする
。さらく光磁気記録膜に形成されるビットの形状は大き
くなったり、形状が乱れたりしてしまう。その仏反射膜
の膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりすぎてし
まう。

また上記のような反射膜５１戴　　光磁気記録膜の耐酸
化性を向上させる効果を有しており、したがって長期信
頼性に優れた光磁気記録媒体が得られる。

本発明においては反射膜５として、熱伝導率が２　Ｊ／
ａｓ　−５ｅｃ−に以下、好ましくはＩ　Ｊ　／　ａｍ
・ＳｅＣ’に以下のニッケル系合金からなる反射膜が好
ましく、特にＮｉ−Ｃｒ　合金（たとえば３０〜９９原
子％Ｎｉ、１〜７０原千％Ｃｒ）が好ましく、さらにＮ
ｉ７０〜９５［子％、Ｃｒ５〜３０原子％のＮ　ｉ−Ｃ
ｒ合金からなる反射膜が、　高いＣ／Ｎ比が得られるた
め好ましい。

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有する金属特にニ
ッケル系合金からなる反射膜５を設けることによって、
光磁気記録膜の膜厚を薄くしても、高いが、回転角、反
射率を得ることができる。

このような反射膜５の膜厚は、１００〜４０００オング
ストローム好ましくは２００〜２０００オングストロ一
ム程度である。

また光磁気記録膜４と反射膜５との合計膜厚は３００〜
４６００オングストローム好ましくは３５０〜２４００
オングストロ一ム程度である。

撓１１ｊ 本発明に係る光磁気記録媒体１で鷹　第１光磁気記録媒
体Ａの反射膜５ａと、第２光磁気記録媒体Ｂの反射膜５
ｂと哄　接着剤層６を介して接着されている。

このような接着剤層６として（戴　ポリオレフィン、Ｅ
ＶＡ、　　合成ゴム、ポリエステル、ポリアミド系のホ
ットメルト接着剤やレゾルシノール、シアノアクリレー
ト、エポキシ、ウレタン、Ｕｖ硬化型アクリレート系な
どの反応型接着剤が使用できるカζ　本発明ではホット
メルト接着剤を用いることが好ましい。

本発明で屯　これらのホットメルト接着剤の中で特に軟
化点１３０℃以ム　好ましくは１４０℃を越える軟化点
、特に好ましくは１４１ｔ：以上の軟化点を有するポリ
オレフィン系のホットメルト接着剤を使用することが好
ましい。

この高軟化点のホットメルト接着剤を使用することによ
り本発明の光磁気記録媒体を高亀　高湿の条件下で長期
間使用しても２枚の貼り合せた光磁気記録媒体の間にズ
レが発生せず、ソリ等の変形が小さいという利点がある
。

この１３０℃以上の軟化点を有するホットメルト接着剤
としてはエチレン・プロピレン・ａ−オレフィン三元ラ
ンダム共重合体（Ａ）とスチレン系樹脂（Ｂ）および石
油樹脂（Ｃ）を含有するポリオレフィン系ホットメルト
接着剤が好ましい。

上記三元ランダム共重合体を構成するーオレフィンとし
てはＣ，−Ｃ２，のａ−オレフィンが挙げられるカζ　
特に１−ブテン、４−メチル−１−ペンテンが好ましい
。スチレン系樹脂（Ｂ）としてはポリスチレン、スチレ
ン・α−メチルスチレン共重重合本スチレン・α−メチ
ルスチレン・ビニルトルエン共重合体などのスチレンま
たはスチレン誘導体を構成成分として含む（共）重合化
　共重合体が挙げられるが特にポリスチレンが好ましい
。

また石油樹脂としては芳香族系石油樹脂（たとえばＣ３
系石油樹脂）、脂肪族系石油樹脂（Ｃｓ系石油樹脂）芳
香族−脂肪族共重合石油樹脂（Ｃｏ　　Ｃｓ共重合樹脂
）いづれも使用できる力＼この中で数平均分子量３００
０以下、特に５００〜３０００、軟化点８０〜１５０℃
の石油樹脂が菫ましい。

このポリオレフィン系ホットメルト接着剤を構成する各
成分の好ましい配合割り合い３戴、（Ａ）成分が１〜６
０重量％、特に５〜４０重量％であり、　（Ｂ）成分が
１〜３０重量％、特に５〜２０重量％であり、　（Ｃ）
成分が３０〜９５重量％、特に５０〜９０重量％である
。

次＆−本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

まず基板温度を室温程度に保ち、エンハンス膜および光
磁気記録膜を、複合ターゲット、または所定割合の組成
を有する合金ターゲットを用い、スパッタリング法ある
いは電子ビーム蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用
して、この基板（基板は固定していてもよく、また自転
していてもよい）上に被着させ、次いでこの上に反射膜
を上記と同様にして被着させることによって、第１光磁
気記録媒体Ａおよび第２光磁気記録媒体Ｂを製造する。

次に上記のようにして得られた第１光磁気記録媒体Ａの
反射膜と第２光磁気記録媒体Ｂの反射膜とを、接着剤層
６を用いて接着して一体化する。

接着剤層としてホットメルト接着剤を用いる場合に鷹　
たとえばロールコータ−装置等により第１および／また
は第２の光磁気記録媒体の反射膜にホットメルト接着剤
を塗布し　次に常温プレス装　　置等によりホットメル
ト接着剤が塗布された光磁気記録媒体を圧縮して貼り合
せる方法が採用できる。

なお本発明において、第１および第２の光磁気記録媒体
を製造するにあたり、常温で基板上に光磁気記録膜を成
膜することが可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持
たせるために成膜後にアニール処理などの熱処理をする
必要がない。

なお必要に応じて１　基板温度を５０〜１００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時へ　基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

ｉユニ皇遇 本発明に係る光磁気記録媒体でＩＬ　　エチレンと環状
オレフィンとからなる環状オレフィンランダム共重合体
または組成物よりなる基板上へ　エンハンス膜と非晶質
合金薄膜からなる光磁気記録膜と反射膜とが積層された
第１光磁気記録媒体と第２光磁気記録媒体とを、両者の
反射膜が向き合うようにして接着剤層を介して接着して
なり、基板とエンハンス膜との密着性に便法　したがっ
て耐酸化性にも優へ　しかも基板に反りが生じない。

また本発明の光磁気記録媒体は優れた光磁気記録特性と
優れた光磁気記録特性の長期安定性を有している。

以下本発明を実施例によって説明するが、　本発明家　
これら実施例に限定されるものではない。

豊３ｊ１゜ （環状オレフィンランダム共重合体組成物基板の製造） （ｉ）重合例１ （軟化温度が７０℃以上の共重合体（Ａ）の合成）攪拌
翼を備えた２ガラス製重合器を用いて、連続的シミ　エ
チレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４゜
４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン（構造
式：反応を行なりた　すなわち、重合器上部から、ＤＭ
ＯＮのシクロヘキサン溶液を、重合器内でのＤＭＯＮ濃
度が６０７触媒トシテｖ。

（ＱＣ，Ｈ，）Ｃ１２のシクロヘキサン溶液を、重・合
器内でのバナジウム濃度が０．　９　ｍｍｏｌ／　ｌ、
　　エチルアルミニウムセスキクロリド（ＡＩ（Ｃ２Ｈ
ｓ　）　＋、ｓ　Ｃｌ　＋、ｓ　）のシクロヘキサン溶
液を、重合器内でのアルミニウム濃度が７．　２　ｍｍ
ｏｌ／　１となるようにそれぞれ重合器中に連続的に供
給し一方、重合器下部から、重合器内の重合液が１１に
なるように連続的に抜き出す。また、重合器上部から、
エチレンを毎時８５１、水素を毎時６１゜窒素を毎時４
５１の速度で供給する。共重合反応１３　　重合外部に
とりつけられたジャラケットに冷媒を循環させることに
より１０ｔで行なった上記反応条件で共重合を行なうと
、エチレン・ＤＭＯＮランダム共重合体を含む重合反応
混合物が得られる。重合器下部から抜き出した重合液へ
イソプロピルアルコールを少量添加して重合反応を停止
させた　この後、重合液に対して約３倍量のアセトンが
入れである家庭用ミキサー中く　ミキサーを回転させな
がら重合液を投入し　生成共重合体を析出させへ　析出
させた共重合体は濾過により採取上　ポリマー濃度が約
５０ｇ／ｌになるようにアセトン中に分散させ、アセト
ンの沸点で約２時間共重合体を処理した　上記記載の処
理後、濾過により共重合体を採取り、　　１２０℃で一
昼夜減圧乾燥した 以上のようにして得られたエチレン・ＤＭＯＮランダム
共重合体（Ａ）の１３ｃｍＮＭＲ分析で測定した共重合
体中のエチレン組成は５９ｍｏ１％。

１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［１］は０、　
４２　ｄｉ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）は１５４℃であっ
た Ｕ色佐ｌ （軟化温度が７０℃未満の共重合体（Ｂ）の合成）重合
例１においてＤＭＯＮＳ　ｖＯ（ｏＣ２Ｈ６）Ｃ２およ
びエチルアルミニウムセスキクロリドの重合器内濃度が
それぞれ２３ｇ／Ｌ　　０．　７　　ｍｍｏｌ／ｌおよ
び５．　６　ｍｍｏｌ／になるように連続的に供給し、
また重合器上部かからエチレンを毎時１４０１、水素を
毎時１３１、窒素を毎時２５１供給し重合温度を１０℃
とした以外は同様にして連続的に重合を行なりへ　重合
終了後、重合例１と同様に生成共重合を析出させ、析出
した共重合体を採取り、Ｓ　１８０℃で減圧下１２時間
乾燥した以上のようにして得られたエチレン・ＤＭＯＮ
共重合体（Ｂ）の１３Ｃ−ＮＭＲ分析で測定した共重合
体中のエチレン組成は３９ｍｏ１％、１３５℃デカリン
中で測定した極限粘度［η］は０６４４ｄｉ／ｇ、　　
軟化温度（ＴＭＡ）は３９℃でありへ重合例１および２
で合成した共重合体（Ａ）おョＵ　（Ｂ）　ヲ＋しく’
ｔＬ４００．　４　（重量比：　　（Ａ）／　（Ｂ）＝
１００／１）をシクロヘクサン８に投入し　充分攪拌し
ながら約５０℃で溶解させｔう得られた均一溶液をアセ
トン２４に投入り、５（Ａ）／（Ｂ）ブレンド物を析出
させｔラ　　得られたブレンド物を１２０℃で減圧下で
一昼夜乾燥させへ得られた（Ａ）／　（Ｂ）ブレンド物
に家宝剤としてテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
トコメタン、ステアリン酸亜鉛、グリセリンモノステア
レートを樹脂［Ａ］、　［Ｂ］の総量に対してそれぞれ
０．　５覧　０．０５％、０．５％配合し２０論押出機
（Ｌ／Ｄ＝２０）を用いて２３℃でペレタイズ後、東芝
機械■社製の射出成形機ｌ５−５０を用い、厚さ１□、
　１３０目≠のディスク板を（両面とも鏡面）を成形し
た 失ＪＬＬＬ 参考例１で得られた環状オレフィンランダム共重合体組
成物からなるディスク基板上く　スパッタ法によってエ
ンハンス層として７００オングストロームのＳｉ　　Ｎ
ｘ　　（０＜ｘ＜４／３、屈折率ｎ＝２．３、ｋ（消衰
係数）＝０．０１４）、光磁気記録層として３００オン
グストロームのＰｔ　＋＠Ｔｂ　５ａＦｅ　５ｅｃｏ　
１１１％　　反射層として７００オングストロームのＮ
１５ｅＣｒ２ｓを逐次積層形成し　光磁気ディスクを作
成し７＝ 次のこの２枚の光磁気ディスクの反射層の上にロールコ
ータ−装置を用いて、軟化点１４５℃のホットメルト接
着剤（組成：　エチレン・プロピレン・１−ブテン三元
共重合体２１重量％、Ｔｇ１１０℃、ＭＦＲ２５ｇ／１
０分のポリスチレン１０重量％、数平均分子量１５００
の石油樹脂６９重量％）を塗布しｔら 次にこのホットメルト接着剤が薄膜コーティングされた
２枚の光磁気記録媒体を反射層同士が向い合うようにし
て、常温プレス装置にて貼り合せ両面記録型光磁気記録
媒体を得た この両面記録型光磁気記録媒体の記録再生特性を記録周
波数Ｉ　Ｍ　Ｈｚ　（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速５、　
４ｍ／ｓにて評価し九 その結果、最適記録レーザパワーは３．５Ｗであり、Ｃ
／Ｎは５０ｄＢ（再生レーザパワーは１゜０　ｍ　Ｗ　
）であった また温度８０℃、相対湿度８５％の高温　高湿条件下に
２０００時間放置後のＣ／Ｎ変化量△Ｃ／Ｎも０であっ
ｔら また温度８０℃、相対湿度８５％の条件で環境テストを
行ない３００時間後の外観およびソリを評価したところ
外観は変化なく、またソリは３．６であった 去ＪｕＬＬ二二 実施例１と同様にして光磁気記録膜および反射膜を表１
のように変えた以外は実施例１と同様にして両面記録型
光磁気記録媒体を得た　実施例１と同様にして評価した
結果を表１に示す。

スｍ 実施例１において参考例１で得られた環状オレフィンラ
ンダム共重合体組成物の変わりに参考例１の重合例（ｉ
）で得られた環状オレフィンランダム共重合体（Ａ）を
用いた以外は実施例１と同様にして画面光磁気記録媒体
を作製した 実施例１と同様にしてこの媒体の特性を評価した（但し
△Ｃ／Ｎについては８０℃、湿度８５％の条件下に１０
００時間放置後のΔＣ／Ｎを測定したところ最適パワー
は３．５ｍＷ、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ、１０００時間経過後
のΔＣ／ＮはＯｄＢであった

【図面の簡単な説明】

第１図１３　　本発明に係る光磁気記録媒体の断面図で
ある。 第２図は、Ｐｔ　を含有する光磁気記録膜中のＣｏ　／
　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比コとノイズレベル（ｄ
Ｂｍ）との関係を示す図である。第３図は、Ｐｄ　　を
含有する光磁気記録膜中のＣｏ　　／（Ｆｅ　　＋Ｃｏ
　　）比［原子比］とノイズレベル（ｄＢｍ）との関係
を示す図である。第４回置　光磁気記録膜中のＣｏ　／
　（Ｆｅ　＋Ｃｏ　）比［原子比］と消去劣化（ΔＣ／
Ｎ比（ｄＢ））との関係を示す図である。　　第５図代
　光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの含有量（
原子％）と耐酸化性（ΔＣ／Ｎ比）との関係を示す図で
ある。第６図は、光磁気記録膜のバイアス磁界（Ｏｅ　
）とＣ／Ｎ比との関係を示す図である。第７図１転　光
磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの含有量（原子
％）と最小バイアス磁界（Ｈｓａｔ、　（Ｏｅ））との
関係を示す図である。 なお、第２図〜第７図の光磁気ディスクはすべて第１図
の構成のもので、参考例１で得られた環状オレフィンラ
ンダム共重合体組成物であり、この基板上に７００オン
グストロームの５ｆＮｘ（０＜　ｘ　＜　４　／　３、
屈折率ｎ＝２．３、ｋ＝０゜０１４）３００　　の記録
膜および１０００オングストロームのニッケルークロム
合金膜（反射膜）を順次積層したものである。 代理人　　弁理士　　鈴　木　俊一部 第１１１］ 第２図 Ｑ、　Ｉ　　　　　　　Ｑ、２　　　　　　０．３　　
　　　　０．４Ｃｏ／（Ｆｅ＊　Ｃｏ　）比〔原子比〕
第　　５　　図 ＰｔまたはＰｄ含有量（原子％） （註）Ｑ印は、Ｑ印と・印とが一致していることを示す
。 消去劣化△Ｃ／Ｎ比（ｄＢ） ノイズレベル（ｄａｍ） Ｈ５ｏｔ、（Ｏｅ） Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上にエンハンス膜と光磁気記録膜と反射膜とが
   この順序で積層されてなる第１光磁気記録媒体と、 基板上にエンハンス膜と光磁気記録膜と反射膜とがこの
   順序で積層されてなる第２光磁気記録媒体とを、 第１光磁気記録媒体の反射膜と第２光磁気記録媒体の反
   射膜とが向い合うようにして接着剤層を介して積層して
   なり、 基板が、 エチレンと、下記一般式［ I ］で表わされる環状オレ
   フィンとの共重合体とからなる環状オレフィン系ランダ
   ム共重合体から形成され、 エンハンス膜が、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＮｘ（０＜ｘ＜
   ４／３）、ＡＩＮ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＳｉまたはＣｄ
   　Ｓであることを特徴とする両面記録型光磁気記録媒体
   ； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ （式［ I ］において、ｎは０もしくは正の整数であり
   、Ｒ＾１ないしＲ＾１＾２はそれぞれ水素原子、ハロゲ
   ン原子または炭化水素基を示し、Ｒ＾９〜Ｒ＾１＾２は
   互いに結合して単環または多環の基を形成していてもよ
   く、かつ該単環または多環の基が二重結合を有していて
   もよく、 またＲ＾９とＲ＾１＾０とで、またはＲ＾１＾１とＲ＾
   １＾２とで、アルキリデン基を形成していてもよい）。 ２）基板上にエンハンス膜と光磁気記録膜と反射膜とが
   この順序で積層されてなる第１光磁気記録媒体と、 基板上にエンハンス膜と光磁気記録膜と反射膜とがこの
   順序で積層されてなる第２光磁気記録媒体とを、 第１光磁気記録媒体の反射膜と第２光磁気記録媒体の反
   射膜とが向い合うようにして接着剤層を介して積層して
   なり、 基板が、 （Ａ）エチレンと、下記一般式［ I ］ で表わされる環状オレフィンとの共重合体 とからなり、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
   ［η］が０．０５〜１０ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温
   度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ラン
   ダム共重合体と、 （Ｂ）エチレンと、下記一般式［ I ］で表わされる環
   状オレフィンとの共重合体とからなり、１３５℃のデカ
   リン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜５ｄｌ／
   ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満であ
   る環状オレフィンランダム共重合体とからなり、 上記（Ａ）成分／（Ｂ）成分の重量比が１００／０．１
   〜１００／１０の範囲である環状オレフィンランダム共
   重合体組成物から形成され、エンハンス膜力（Ｓｉ＿３
   Ｎ＿４、ＳｉＮｘ（０＜ｘ＜４／３）、ＡＩＮ、ＺｎＳ
   ｅ、ＺｎＳ、ＳｉまたはＣｄ　Ｓであることを特徴とす
   る両面記録型光磁気記録媒体； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ （式［ I ］において、ｎは０もしくは正の整数であり
   、Ｒ＾１ないしＲ＾２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原
   子または炭化水素基を示し、Ｒ＾９〜Ｒ＾１＾２は、互
   いに結合して単環または多環の基を形成していてもよく
   、かつ該単環または多環の基が二重結合を有していても
   よく、 またＲ＾９とＲ＾１＾０とで、またはＲ＾１＾１とＲ＾
   １＾２とで、アルキリデン基を形成していてもよい）。 ３）光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
   少なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ
   ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり
   、前記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、
   膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜である
   請求項第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。 ４）光磁気記録膜に含まれる（ｉ）３ｄ遷移金属が、Ｆ
   ｅまたはＣｏあるいはこの両者であることを特徴とする
   請求項第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。 ５）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉ）耐腐食性金属が、
   Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｏから選ばれ
   る少なくとも１種の元素であることを特徴とする請求項
   第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体 ６）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉ）耐腐食性金属が、
   ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることを特徴とす
   る請求項第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。 ７）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉｉ）希土類がＮｄ、
   Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏ
   であることを特徴とする請求項第１項または第２項に記
   載の光磁気記録媒体。 ８）光磁気記録膜に含まれる（ｉ）３ｄ遷移金属の量が
   ４０原子％以上８０原子％以下であり、（ｉｉ）耐腐食
   性金属の量が１０原子％を超えて３０原子％以下である
   ことを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の光
   磁気記録媒体 ９）光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
   少なくとも１種と、（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少な
   くとも１種の元素とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸
   を有する非晶質合金薄膜である請求項第１項または第２
   項に記載の光磁気記録媒体１０）光磁気記録膜に含まれ
   る（１）３ｄ遷移金属が、ＦｅまたはＣｏあるいはこの
   両者であることを特徴とする請求項第８項記載の光磁気
   記録媒体１１）光磁気記録膜に含まれる（ｉｉｉ）希土
   類がＮｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
   またはＨｏであることを特徴とする請求項第８項に記載
   の光磁気記録媒体。 １２）反射膜がニッケル合金である請求項第１項または
   第２項に記載の光磁気記録媒。 １３）接着剤層がホットメルト接着剤層である請求項第
   １項または第２項に記載の光磁気記録媒体。