JPH04328345A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、長期信頼性に優れるとと
もに、耐酸化性および光磁気記録特性に優れた光磁気記
録媒体に関し、さらに詳しくは、長期信頼性および耐酸
化性に優れるとともに記録パワーマージンが広く、しか
も記録感度の線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高い
ような優れた光磁気記録特性を有する光磁気記録媒体に
関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルトなどの遷移金属と、
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面
にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成
することができることが知られている。この反転磁区の
有無を「１」、「０」に対応させることによって、上記
のような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させること
が可能となる。

【０００３】このような遷移金属と希土類元素とからな
る光磁気記録膜としては、たとえば特公昭５７−２０６
９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ
系光磁気記録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第
３の金属を添加してなる光磁気記録膜も用いられている
。さらにＴｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁
気記録膜も知られている。

【０００４】このようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系な
どの光磁気記録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させ
るために、第３の金属を添加する方法が種々試みられて
いる。

【０００５】このような光磁気記録膜を基板上に積層し
てなる光磁気記録媒体では、長期間使用しても読み取り
エラーが発生しにくく長期信頼性に優れていることが望
まれている。

【０００６】またこのような光磁気記録膜を基板上に積
層してなる光磁気記録媒体は、記録感度の向上も望まれ
ていた。さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込
む際には、記録パワーマージンが広く、しかも記録感度
の線速依存性が小さいことが望まれている。ここで情報
を書込む際の記録パワーマージンが広いとは、光磁気記
録媒体にレーザ光などによって情報を書込む際に、書込
み光としてのレーザ光のパワーが多少変化しても正確に
光磁気記録媒体に情報を書込むことができることを意味
し、記録感度の線速依存性が小さいとは、光磁気記録媒
体にレーザ光などによって情報を書込む際に、記録する
位置で線速度が変化しても書込み光としてのレーザ光の
最適の記録パワーの変化のしかたが小さいことを意味し
ている。このように長期間使用しても読み取りエラーが
発生しにくく、長期信頼性に優れ、かつ耐酸化性に優れ
、しかもＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが広
く、その上記録感度の線速依存性が小さいような光磁気
記録媒体の出現が望まれている。

【０００７】本発明者らは、上記のような光磁気記録媒
体を得るべく鋭意検討したところ、基板上に、特定の第
１保護膜と、特定の光磁気記録膜と、特定の第２保護膜
と、特定の金属膜と、オーバーコート膜とをこの順序で
積層してなる光磁気記録媒体が優れた諸特性を有してい
ることを見出して、本発明を完成するに至った。

【０００８】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題点を解決しようとするものであって、長期間使用し
ても読み取りエラーが生じにくく、長期信頼性に優れ、
また耐酸化性にも優れ、長期間使用しても光磁気記録特
性が低下することがなく、しかもＣ／Ｎ比が高く、かつ
記録パワーマージンが広く、その上記録感度の線速依存
性が小さいような光磁気記録媒体を提供することを目的
としている。

【０００９】

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に、第１保護膜（第１エンハンス膜）、光磁気記録膜、
第２保護膜（第２エンハンス膜）、金属膜およびオーバ
ーコート膜がこの順序で積層されてなる光磁気記録媒体
であって、第１保護膜（第１エンハンス膜）および第２
保護膜（第２エンハンス膜）が、ＳｉＮｘからなり、光
磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なく
とも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ　）希
土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前
記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、
金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴として
いる。

【００１０】このような本発明に係る光磁気記録媒体は
、上記のような膜構成および膜組成を有しているため、
長期信頼性および耐酸化性に優れており、長期間使用し
ても記録特性が低下することがなく、しかもＣ／Ｎ比が
高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記録感度
の線速依存性が小さい。

【００１１】

【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
について具体的に説明する。図１は、本発明の一実施例
に係る光磁気記録媒体の概略断面図である。

【００１２】本発明に係る光磁気記録媒体１は、基板２
上に、第１保護膜３、光磁気記録膜４、第２保護膜５、
金属膜６およびオーバーコート膜７がこの順序で積層さ
れている。

【００１３】基　　　　板 基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の他に、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカー
ボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許４
６１４７７８　号明細書で示されるような非晶質ポリオ
レフィン、ポリ４−メチル−１−　ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重
合体等の有機材料が使用できる。特に上記米国特許第４
６１４７７８　号明細書に示されるような非晶質ポリオ
レフィンが好ましい。

【００１４】本発明では、保護膜との密着性に優れ、し
かも複屈折率が小さく、記録膜を酸化から保護しうると
いう観点から、下記に示すような基板が特に好ましく用
いられる。

【００１５】好ましい基板２は、（ａ）エチレンと、（
ｂ）下記式［Ｉ］または［ＩＩ］

【００１６】

【化１】

【００１７】…［Ｉ］（式中、ｎは０または１であり、
ｍは０または正の整数であり、ｑは０または１であり、
Ｒ１　〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子または炭化水素基であり、Ｒ１５〜Ｒ１８および
Ｒａ　、Ｒｂ　は、互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環は二重結合を
有していてもよく、また、Ｒ１５とＲ１６とで、または
Ｒ１７とＲ１８とでアキリデン基を形成していてもよい
。）

【００１８】

【化２】

【００１９】…［ＩＩ］［式中、ｐは０または１以上の
整数であり、ｑおよびｒは、０、１または２であり、Ｒ
１　〜Ｒ１５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子
、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基またはアルコキ
シ基であり、Ｒ５　（またはＲ６　）とＲ９　（または
Ｒ７　）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介して結
合していてもよく、また何の基も介さずに直接結合して
いてもよい。］で表わされる不飽和単量体からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の環状オレフィンとの共重合
体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］が０．０５〜１０ｄｌ／ｇの範囲にある環状オレ
フィン系ランダム共重合体からなっている。

【００２０】なお、上記式［Ｉ］において、ｑが０の場
合は、ｑを用いて表される環は五員環を形成し、この場
合環状オレフィンは、下記の式で表わされる。

【００２１】

【化３】

【００２２】（式中、ｎは０または１であり、ｍは０ま
たは正の整数であって、Ｒ１　〜Ｒ１８は、それぞれ独
立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりな
る群から選ばれる原子もしくは基を表し、Ｒ１５〜Ｒ１
８は、互いに結合した単環または多環を形成していても
よく、かつ該単環または多環が二重結合を有していても
よく、また、Ｒ１５とＲ１６とで、またはＲ１７とＲ１
８とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

【００２３】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体のうち、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環
状オレフィン系ランダム共重合体（以下環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］という）が好ましく用いられ
る。この環状オレフィン系ランダム系共重合体［Ａ］は
、一般式［Ｉ］または［ＩＩ］で示される環状オレフィ
ン類と、エチレンとを、炭化水素混合溶媒中あるいは上
記環状オレフィンからなる液相中で、該溶媒に可溶性の
バナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる
触媒の存在下に共重合させることより製造することがで
きる。

【００２４】

【化４】

【００２５】

【化５】

【００２６】

【化６】

【００２７】

【化７】

【００２８】

【化８】

【００２９】

【化９】

【００３０】

【化１０】

【００３１】

【化１１】

【００３２】

【化１２】

【００３３】

【化１３】

【００３４】

【化１４】

【００３５】

【化１５】

【００３６】

【化１６】

【００３７】

【化１７】

【００３８】

【化１８】

【００３９】

【化１９】

【００４０】

【化２０】

【００４１】

【化２１】

【００４２】

【化２２】

【００４３】

【化２３】

【００４４】

【化２４】

【００４５】

【化２５】

【００４６】上記式［Ｉ］で示される環状オレフィンは
、シクロペンタジエン類と対応するオレフィン類とをデ
ィールス・アルダー反応させることにより容易に製造す
ることができる。

【００４７】この環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］は、上記のようにエチレンおよび前記環状オレフィ
ンを必須成分とするものであるが、該必須の二成分の他
に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の
共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。 任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、
具体的には、たとえば生成するランダム共重合体中のエ
チレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−
ブテン、４−メチル−１−　ペンテン、１−ヘキセン、
１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラ
デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エ
イコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−　オレフィ
ンなどを例示することができる。

【００４８】上記のような環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ａ］では、エチレンに由来する繰り返し単位（
ａ）　は、４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モ
ル％の範囲で存在しており、また該環状オレフィンに由
来する繰り返し単位（ｂ）　は１５〜６０モル％、好ま
しくは２５〜５０モル％の範囲で存在しており、エチレ
ンに由来する繰り返し単位（ａ）　および該環状オレフ
ィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　は、ランダムに実
質上線状に配列している。なお、エチレン組成および環
状オレフィン組成は１３Ｃ−ＮＭＲによって測定した。 この環状オレフィン系ランダム共重合体が実質上線状で
あり、ゲル状架橋構造を有していないことは、該共重合
体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解することによっ
て確認できる。

【００４９】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ａ］の１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］は、０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．０
８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある。

【００５０】また環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定した
軟化温度（ＴＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜
２５０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲に
ある。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅ
ｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒ　を用
いて１ｍｍ厚さシートの熱変形挙動により測定した。す
なわちシート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、
５℃／分で昇温していき、針が０．６３５ｍｍ侵入した
温度をＴＭＡとした。また、該環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ａ］のガラス転移温度（Ｔｇ　）は、通常
５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあ
ることが望ましい。

【００５１】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ａ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は、
０〜１０％、好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０
〜５％の範囲である。

【００５２】本発明では、また上記のような軟化温度（
ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ａ］に、エチレンと、上記式［Ｉ］または［
ＩＩ］で表わされる環状オレフィンとの共重合体であっ
て、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が
０．０１〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ
）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダム共重合
体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］とい
う）を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体
組成物から基板を形成することが特に好ましい。

【００５３】上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未
満である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では
、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）　は、６０〜
９８モル％、好ましくは６０〜９５モル％の範囲で存在
しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単
位（ｂ）　は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル
％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し
単位（ａ）　および該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）　は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は１
３Ｃ−ＮＭＲによって測定した。この環状オレフィン系
ランダム共重合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架
橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃の
デカリン中に完全に溶解することによって確認できる。

【００５４】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］の１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］は、０．０１〜５ｄｌ／ｇ好ましくは０．０５〜
５ｄｌ／ｇ、さらに好ましくは０．０８〜３ｄｌ／ｇの
範囲にある。

【００５５】また環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ｂ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定した
軟化温度（ＴＭＡ）は、７０℃未満、好ましくは−１０
〜６０℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある
。さらに、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］
のガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好
ましくは−２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

【００５６】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は、
０〜１０％、好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０
〜５％の範囲である。

【００５７】本発明において、基板として環状オレフィ
ンランダム共重合体組成物を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００／０．１な
いし１００／１０、好ましくは１００／０．３ないし１
００／７、とくに好ましくは１００／０．５ないし１０
０／５の範囲であることが望ましい。［Ｂ］成分をこの
範囲で［Ａ］成分に配合することによって、基板自体の
優れた透明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用
いる光記録膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］成分
のみの場合に比べさらに向上するという効果があり、［
Ａ］と［Ｂ］のブレンドよりなるこの上記の環状オレフ
ィンランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で
用いる保護膜との優れた密着性は高温、高湿条件下放置
後においてさえも変化がないという特性を有している。

【００５８】本発明における基板を構成する上記の環状
オレフィン共重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０
−１６８７０８　号公報、特開昭６１−１２０８１６　
号公報、特開昭６１−１１５９１２号公報、特開昭６１
−１１５９１６　号公報、特願昭６１−９５９０５号公
報、特願昭６１−９５９０６号公報、特開昭６１−２７
１３０８　号公報、特開昭６１−２７２２１６　号公報
などにおいて本出願人が提案した方法に従い適宜条件を
選択することにより、製造することができる。

【００５９】また、基板を形成する樹脂として、上記の
ような環状オレフィンランダム共重合体と共に、上述の
式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンが開環重合するこ
とにより形成される次式［ＩＩＩ　］で表わされる繰り
返し単位を含む重合体もしくは共重合体を用いることも
でき、さらに上記式［ＩＩＩ　］で表わされる繰り返し
単位を水添することにより形成される次式［ＩＶ］で示
すような繰り返し単位を含む重合体あるいは共重合体を
用いることもできる。

【００６０】

【化２６】

【００６１】…［ＩＩＩ］

【００６２】

【化２７】

【００６３】…［ＩＶ］ただし、上記式［ＩＩＩ　］お
よび［ＩＶ］において、ｍ、ｎ、ｑおよびＲ１　〜Ｒ１
８ならびにＲａ　およびＲｂ　は、前記式［Ｉ］で示さ
れる環状オレフィンにおけるｍ、ｎ、ｑおよびＲ１　〜
Ｒ１８ならびにＲａ　およびＲｂ　と同じ意味である。

【００６４】また上記の環状オレフィン共重合体には、
必要に応じ、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、ス
リップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料
、顔料、天然油、合成油、ワックスなどを配合すること
ができ、その配合割合は適宜量である。たとえば、任意
成分として配合される安定剤として、具体的には、テト
ラキス［メチレン−３（３，５−　ジ−ｔ−　ブチル−
４−　ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、
β−（３，５−ジ−ｔ−　ブチル−４−　ヒドロキシフ
ェニル）プロピオン酸アルキルエステル（特に炭素数１
８以下のアルキルエステルが好ましい）、２，２´−オ
キザミドビス［エチル−３（３，５−　ジ−ｔ−　ブチ
ル−４−　ヒドロキシフェニル）プロピオネートなどの
フェノール系酸化防止剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリ
ン酸カルシウム、１２−　ヒドロキシステアリン酸カル
シウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレー
ト、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレ
ート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトール
トリステアレート等の多価アルコール脂肪酸エステルな
どを挙げることができる。これらは単独で配合してもよ
いが、組合わせて配合してもよく、たとえばテトラキス
［メチレン−３（３，５−　ジ−ｔ−　ブチル−４−　
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンとステア
リン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合
せ等を例示することができる。

【００６５】本発明では特に、フェノール系酸化防止剤
および多価アルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用
いることが好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステ
ルは３価以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の
一部がエステル化された多価アルコール脂肪酸エステル
であることが好ましい。

【００６６】このような多価アルコールの脂肪酸エステ
ルとしては、具体的には、グリセリンモノステアレート
、グリセリンモノラウレート、グリセリンモノミリステ
ート、グリセリンモノパルミテート、グリセリンジステ
アレート、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪
酸エステル、ペンタエリスリトールモノステアレート、
ペンタエリスリトールモノラウレート、ペンタエリスリ
トールジステアレート、ペンタエリスリトールジラウレ
ート、ペンタエリスリトールトリステアレート等のペン
タエリスリトールの脂肪酸エステルが用いられる。

【００６７】このようなフェノール系酸化防止剤は、環
状オレフィン系ランダム共重合体組成物１００重量部に
対して０〜１０重量部好ましくは０．０１〜１０重量部
さらに好ましくは０．０５〜３重量部特に好ましくは０
．１〜１重量部の量で用いられ、また多価アルコールの
脂肪酸エステルは該組成物１００重量部に対して０〜１
０重量部好ましくは０．０１〜１０重量部さらに好まし
くは０．０５〜３重量部の量で用いられる。

【００６８】また、本発明の光磁気記録媒体の基板には
、本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリ
カ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイト
、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、
亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アスベス
ト、ガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ
酸カルシウム、モンモリナイト、ベントナイト、グラフ
ァイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維
、炭化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン
繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維等の充填剤を
配合してもよい。

【００６９】本発明に係る光記録媒体では、基板として
、上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］または該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］を
含む組成物が用いられる場合には、基板と記録層積層体
特に保護膜とは密着性に優れており、したがって本発明
の記録層積層体は長期安定性に優れるとともに記録膜の
酸化が効果的に防止される。したがってこの環状オレフ
ィン系ランダム共重合体または該共重合体を含む組成物
からなる基板上に第１保護膜、記録膜、第２保護膜、ア
ルミニウム合金膜、オーバーコート膜を積層してなる光
記録媒体は、耐久性および長期安定性にも優れている。 また本発明に係る光記録媒体は割れが生ずることがない
。

【００７０】また上記のような基板は、高湿雰囲気下で
の反りが比較的小さいという利点もある。このような基
板２の厚みは特に限定されないが、好ましくは０．５〜
５ｍｍ特に好ましくは１〜２ｍｍである。

【００７１】保　　護　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１で用いられる第１保護膜
３および第２保護膜５は、ＳｉＮｘで示される組成の膜
から形成されており、ＳｉＮｘ膜としては、たとえば窒
化ケイ素膜または窒化ケイ素含有膜が例示できる。

【００７２】ＳｉＮｘで示される保護膜では、原子比で
表わした場合に０＜ｘ≦５／３特に０＜ｘ≦４／３であ
ることが好ましく、具体的には、Ｓｉ３　Ｎ４　（四窒
化三ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０＜ｘ＜４／
３となるようにＳｉ３　Ｎ４　とＳｉとを混合した混合
膜が特に好ましく用いられる。このようなＳｉＮｘで示
される保護膜は、たとえばターゲットとして、Ｓｉ３　
Ｎ４　またはＳｉ３　Ｎ４　とＳｉとを用いて、スパッ
タリング法により成膜することができる。またＳｉを含
窒素雰囲気中（たとえばＡｒ／Ｎ）などでスパッタリン
グすることによって成膜することもできる。このような
ＳｉＮｘからなる第１保護膜３および第２保護膜５は、
通常１．８以上好ましくは１．８〜２．２の屈折率を有
していることが望ましく、後述する光磁気記録膜４を酸
化などから保護する働きあるいは光磁気記録膜４の記録
特性を高めるエンハンス膜としての働きあるいはその両
方の働きをしている。またＳｉＮｘ（０＜ｘ≦４／３）
からなる第１保護膜３および第２保護膜５は、特に耐ク
ラック性に優れている。

【００７３】本発明の光磁気記録媒体では、基板上に第
１保護膜、特定の光磁気記録膜、第２保護膜、アルミニ
ウム合金からなる金属膜そしてオーバーコート膜を積層
した５層構成とし、かつ第１保護膜と第２保護膜として
ＳｉＮｘを用いているため、広い記録パワーマージンを
得ることができるとともに線速依存性も小さくなる。

【００７４】本発明において、第１保護膜３の膜厚は４
００〜２０００オングストローム好ましくは７００〜１
５００オングストロームであり、第２保護膜５の膜厚は
、５０〜１０００オングストローム好ましくは５０〜７
００オングストロームさらに好ましくは１００〜４００
オングストローム程度である。

【００７５】本発明においては、保護膜の膜厚を上記の
ような範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い
記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得ること
ができる。

【００７６】また第１保護膜の膜厚を上記のような範囲
にすることによって、光磁気記録媒体の見かけのθｋを
大きくすることができる。さらに第２保護膜の膜厚を上
記のような範囲にすることによって、光磁気記録媒体は
優れたＣ／Ｎ比を保ったまま広い記録パワーマージンを
有することができる。

【００７７】光磁気記録膜 光磁気記録膜４は、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少
なくとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ　
）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなっ
ている。 （ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられるが、こ
のうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好
ましい。

【００７８】この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜４中に
好ましくは２０〜９０原子％より好ましくは３０〜８５
原子％とくに好ましくは３５〜８０原子％の量で存在し
ている。 （ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録膜４に含ませるこ
とによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めること
ができる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、この
うちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましくとくにＰｔまたはＰｄ
あるいはこの両者であることが好ましい。

【００７９】この耐腐食性金属は、光磁気記録膜４中に
、該記録膜の全原子数を基準として、５〜３０原子％好
ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５原子％さ
らに好ましくは１０〜２０原子％の量で存在している。

【００８０】上記のような量で耐腐食性金属を光磁気記
録膜中に存在させると、得られる光磁気記録膜の耐酸化
性が充分には改善され、経時的に保磁力Ｈｃが大きく変
化したりあるいはカー回転角θｋが減少したりすること
がない。また、３０原子％を超えて存在する場合には、
得られる非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる
傾向が生ずる。

【００８１】光磁気記録膜４は、上記（ｉ）および（ｉ
ｉ）に加えて、（ｉｉｉ　）希土類元素から選ばれた少
なくとも１種の元素を含んで構成されている。 （ｉｉｉ　）希土類元素としては、たとえばＧｄ、Ｔｂ
、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが挙げられる。

【００８２】このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。上記のような群から
選ばれる少なくとも１種の希土類元素は、光磁気記録膜
４中に、好ましくは５〜５０原子％さらに好ましくは８
〜４５原子％とくに好ましくは１０〜４０原子％の量で
存在している。

【００８３】本発明では、光磁気記録膜４が、特に、下
記に記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 本発明において光磁気記録膜中には、（ｉ）３ｄ遷移元
素として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏは、４０原子
％以上８０原子％以下好ましくは４０原子％以上７５原
子％未満さらに好ましくは４０原子％以上５９原子％以
下の量で存在していることが望ましい。

【００８４】さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／
（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］が０以上０．３以下好まし
くは０以上０．２以下さらに好ましくは０．０１以上０
．２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在して
いることが望ましい。

【００８５】Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％
以上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ
、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記
録膜が得られるという利点を有する。

【００８６】ところで光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加す
ると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また
（ロ）カー回転角（θｋ）が大きくなるという現象が認
められ、その結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜
の記録感度を調整することができ、しかもＣｏの添加に
より、再生信号のキャリアレベルを増加することができ
る。本発明に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ
／Ｎ比の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］は０
以上０．３以下好ましくは０以上０．２以下さらに好ま
しくは０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

【００８７】このような本発明に用いる光磁気記録膜は
、記録および消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ず
ることはない。たとえば本発明においてＰｔ１３Ｔｂ２
８Ｆｅ５０Ｃｏ９　なる組成（原子％）を有する光磁気
記録膜を用いた場合、１０万回の記録および消去を繰り
返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は認められない。

【００８８】（ｉｉ）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、（ｉｉ）耐腐食性
金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの両
者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁気
記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を超
えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を超
えて２０原子％未満、最も好ましくは１１原子％以上１
９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

【００８９】光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄ
の量が５原子％以上特に１０原子％を超えて存在すると
、光磁気記録膜の耐酸化性に優れ、長期間使用しても孔
食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有す
る。

【００９０】たとえばＰｔ１３Ｔｂ２８Ｆｅ５０Ｃｏ９
　（原子％）あるいはＰｄ１２Ｔｂ２８Ｆｅ５７Ｃｏ３
　（原子％）で示される組成を有する光磁気記録膜を有
する本発明の光磁気記録媒体は、相対湿度８５％、８０
℃の環境下に１０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く
変化しない。

【００９１】また光磁気記録膜中にＰｔおよび／または
Ｐｄを上記のような範囲の量で添加することにより、光
磁気記録膜に情報を記録したりあるいは情報を読出す際
に、小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られ
る。小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られ
ると、バイアス磁界発生用のマグネットを小さくするこ
とができ、しかもマグネットからの発熱も押えることが
できるため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライ
ブ装置を簡素化することができる。しかも小さなバイア
ス磁界で充分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバ
ーライト可能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容
易となる。

【００９２】（ｉｉｉ　）希土類元素（ＲＥ）本発明に
係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）が含まれ
ており、この希土類元素としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、
Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏが用いられる
。

【００９３】これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｄｙが好ましく用いられ、特にＴｂが好ましい。また
希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合にＴｂ
を希土類元素のうち５０原子％以上含有していることが
好ましい。

【００９４】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ
Ｅ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場合に、
０．１５≦ｘ≦０．４５好ましくは０．２０≦ｘ≦０．
４であるような量で光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

【００９５】本発明においては、光磁気記録膜に種々の
元素を少量添加して、キュリー温度や補償温度あるいは
保磁力Ｈｃやカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化
を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成す
る全原子数に対してたとえば１０原子％未満の割合で用
いることができる。

【００９６】併用できる他の元素の例としては、以下の
ような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ
、Ｚｎが用いられる。

【００９７】これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎな
どが好ましく用いられる。 （ＩＩ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ
、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【００９８】このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる
。 （ＩＩＩ　）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ
、Ｈｇが用いられる。

【００９９】このうちＴａが好ましく用いられる。 （ＩＶ）ＩＩＩ　Ｂ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられる
。

【０１００】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （Ｖ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

【０１０１】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （ＶＩ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【０１０２】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （ＶＩＩ　）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【０１０３】このうちＴｅが好ましく用いられる。上記
のような組成を有する光磁気記録膜４は、膜面に垂直な
磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な
角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶
質薄膜となることが、広角Ｘ線回析などにより確かめら
れる。

【０１０４】なお本明細書において、カー・ヒステリシ
スが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけ
るカー回転角である飽和カー回転角（θｋ１）と外部磁
場ゼロにおけるカー回転角である残留カー回転角（θｋ
２　）との比θｋ２　／θｋ１　が０．８以上であるこ
とを意味している。

【０１０５】この光磁気記録膜４の膜厚は１００〜６０
０オングストローム好ましくは１００〜４００オングス
トロームより好ましくは１５０〜３５０オングストロー
ム程度である。

【０１０６】金　　属　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような第２
保護膜５上に、金属膜６が設けられている。

【０１０７】本発明では、金属膜６は、アルミニウム合
金からなっている。このアルミニウム合金は、アルミニ
ウムと、アルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含
んで構成されている。

【０１０８】このような金属膜６を構成するアルミニウ
ム合金としては、具体的には以下のようなものが例示で
きる。なお下記のアルミニウム合金において、各金属の
含有量は該アルミニウム合金を構成する全原子数に対す
る原子％である。

【０１０９】Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０
原子％）、Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原
子％）、Ａｌ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子
％）、Ａｌ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％
）、Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｌ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−
Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、Ｎｂ含
有量０．１〜５原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ
含有量０．１〜５原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子
％）、Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｃｒ−
Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、Ｔｉ含有量０
．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有
量０．１〜５原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％
、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（
Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１
０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１
〜１０原子％、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｈ
ｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含
有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有
量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ
含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原
子％）、Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ含有量０．１〜１０原子
％）、Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子％
）、Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

【０１１０】これらの金属膜を構成するアルミニウム合
金のうち、特に以下のようなものが、光磁気記録媒体の
線速依存性を小さくし、かつ耐腐食性に優れているので
好ましい。

【０１１１】ハフニウム０．１〜１０原子％を含むアル
ミニウム合金、ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミ
ニウム合金、チタン０．５〜５原子％とハフニウム０．
５〜５原子％を含み、チタンとハフニウムの合計含有量
が１〜５．５原子％であるアルミニウム合金、クロム０
．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％を含み、
クロムとチタンの合計含有量が１０原子％以下であるア
ルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０原子％とク
ロム０．１〜１０原子％を含み、マグネシウムとクロム
の合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金
、クロム０．１〜５原子％とハフニウム０．１〜９．５
原子％を含み、クロムとハフニウムの合計含有量が１０
原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．
１〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％を含み
、マグネシウムとハフニウムの合計含有量が１５原子％
以下であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子％
とジルコニウム０．１〜９．５原子％を含み、クロムと
ジルコニウムの合計含有量が１０原子％以下であるアル
ミニウム合金、タンタル０．１〜１０原子％とハフニウ
ム０．１〜１０原子％とを含み、タンタルとハフニウム
の合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金
、チタン０．５〜５原子％とニオブ０．５〜５原子％を
含み、チタンとニオブの合計含有量が１〜５．５原子％
であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０原
子％とチタン０．１〜１０原子％を含み、マグネシウム
とチタンの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニ
ウム合金。

【０１１２】ハウニウム０．１〜９．５原子％、クロム
０．１〜５原子％およびチタン０．１〜９．５原子％を
含み、ハフニウムとクロムとチタンとの合計含有量が１
０原子％以下であるアルミニウム合金。

【０１１３】ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシ
ウム０．１〜１０原子％およびチタン０．１〜１０原子
％を含み、ハフニウムとクロムとマグネシウムとの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金。ハフ
ニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜１０
原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、ハフニウ
ムとマグネシウムとクロムの合計含有量が１５原子％以
下であるアルミニウム合金。

【０１１４】ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシ
ウム０．１〜１０原子％、チタン０．１〜１０原子％お
よびクロム１０原子％以下とを含み、ハフニウムとマグ
ネシウムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％
未満であるアルミニウム合金。

【０１１５】チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含
み、チタンとマグネシウムとクロムとの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金。

【０１１６】ニッケルを０．１〜１０原子％含むアルミ
ニウム合金。ニッケルを０．１〜１０原子％、クロムを
２原子％以下で含むアルミニウム合金。

【０１１７】このような金属膜６はたとえば第２保護膜
上に上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲッ
トを用い、スパッタリング法等によって成膜することが
できる。

【０１１８】また上記のような金属膜６は、それぞれの
金属膜６を構成する金属以外に下記のような金属（元素
）を１種または２種以上含ませることもできる。このよ
うな金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ）、ハフニ
ウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、シリ
コン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、タング
ステン（Ｗ　）、ジコルニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍ
ｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）などが
挙げられ、このような他の金属は通常５原子％以下好ま
しくは２原子％以下の量で含まれる。（ただし、金属膜
６には、上記に例示するような金属（元素）のうち、既
に金属膜６に含まれている金属（元素）をさらに上記の
量で重ねて含ませることはないものとする。たとえば、
金属膜６を構成するアルミニウム合金が、上記したＡｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等である場合には、
上記の金属（元素）のうちでチタン（Ｔｉ）がさらに上
記のような量で上記アルミニウム合金中に含まれること
はない。）このような金属膜６の膜厚は、１００〜５０
００オングストローム好ましくは５００〜３０００オン
グストロームさらに好ましくは７００〜２０００オング
ストローム程度であることが望ましい。

【０１１９】本発明において、アルミニウム合金からな
る金属層は、熱良伝導体層としての機能を果しており、
この金属層が存在することによって記録層に記録された
ピットの中心部が記録レーザ光によって過度に高温にな
ることが防止され、その結果、記録パワーの線速依存性
が小さくなると考えられる。

【０１２０】また本発明における金属層は、耐腐食性に
優れているため、長期間使用した後においても、記録媒
体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、記録
層に対する保護作用にも優れている。

【０１２１】オーバーコート膜 本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような金属
膜上に、オーバーコート膜７が設けられている。

【０１２２】オーバーコート膜７としては、アクリル型
紫外線硬化樹脂などの紫外線硬化樹脂が用いられる。ア
クリル型紫外線硬化樹脂組成物としては、例えばアクリ
レートオリゴマーを主剤とし、これにネオペンチルグリ
コールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート硬化剤として、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−４−　アミノアセトフェノンを添加した組成物
やアクリル酸エステルモノマー（ＣＨ２　＝ＣＨＣＯＯ
Ｃ４　Ｈ９　、ＣＨ２　＝ＣＨＣＯＯＣ６　Ｈ１３、Ｃ
Ｈ２　＝ＣＨＣＯＯＣ１０Ｈ２１、ＣＨ２　＝ＣＨＣＯ
ＯＣ１６Ｈ３３）の混合物に硬化剤としてベンゾフェノ
ンを加えた組成物、あるいは下記表１のＡ１　あるいは
Ａ２が挙げられる。

【０１２３】

【表１】 　　上記表１中、Ｃｅｌｒａｄ　３７００　：末端アク
リルオリゴマー、ＴＭＰＴＡ：トリメチロールプロパン
トリアクリレート、２−ＨＥＡ：２−ヒドロキシエチル
アクリレートをそれぞれ示す。

【０１２４】このようなオーバーコート膜は、紫外線硬
化樹脂を塗布法たとえばロールコート法、スピンコート
法などによって金属膜上に塗布することによって形成す
ることができる。

【０１２５】このオーバーコート膜の膜厚は、１〜１０
０μｍ好ましくは１〜５０μｍである。このようなオー
バーコート膜を金属膜上に設けることによって、長期間
使用しても読み取りエラーが生じにくく、長期信頼性に
優れた両面記録媒体が得られる。

【０１２６】上記のような第１保護膜、光磁気記録膜、
第２保護膜および金属膜は、基板上に、スパッタリング
法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法などの従来公知の方法によって成膜することがで
きる。

【０１２７】

【発明の効果】上記のような本発明に係る光磁気記録媒
体は、特定の膜構成および膜組成を有しているため、長
期信頼性および耐酸化性に優れ、長期間使用しても光磁
気記録特性が低下することがなく、しかもＣ／Ｎ比が高
く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記録感度の
線速依存性が小さい。また本発明に係る光磁気記録媒体
は、特定の５層構造（すなわち基板上に特定の第１保護
膜／特定の記録膜／特定の第２保護膜／金属膜／オーバ
ーコート膜を積層した構造）をとり、第１保護膜、第２
保護膜としてＳｉＮｘを用い、さらに金属膜としてアル
ミニウム合金膜を用いているので、記録パワーマージン
が広い。さらに本発明に係る光磁気記録媒体では、アル
ミニウム合金からなる金属膜を有しているので、記録感
度の線速依存性が小さい。

【０１２８】なお、本明細書において、最適記録パワー
とはｆ＝１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ　　５０％の書込み信号に
対して再生信号の２次高調波が最小となる記録パワーの
ことを表わし、線速による最適記録パワーの差が小さい
程線速依存性が小さい。

【０１２９】以下本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下
の実施例において、光磁気記録膜および金属膜の組成は
、原子％である。

【０１３０】

【実施例１】エチレンと１，４，５，８−ジメタノ−１
，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−　オクタヒドロナ
フタレン（以下ＤＭＯＮと略記する）とを共重合させて
得られる非晶性の環状オレフィンランダム共重合体［１
３Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、
ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定し
た極限粘度［η］が０．４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭ
Ａ）１５４℃］からなる非晶質ポリオレフィン製基板（
厚さ１．２ｍｍ）上に、Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用
いて、スパッタリング法により第１保護膜としてのＳｉ
３　Ｎ４　膜を１１００オングストロームの膜厚で被着
させた。

【０１３１】このＳｉ３　Ｎ４　膜上に、ＦｅとＣｏと
からなるターゲットにＰｔおよびＴｂチップを載置して
なる複合ターゲットを用いて、スパッタリング法により
原子％でＰｔ１０Ｔｂ３０Ｆｅ５８Ｃｏ２　の組成を有
する記録膜を３００オングストロームの膜厚で被着させ
た。

【０１３２】さらにこのＰｔ１０Ｔｂ３０Ｆｅ５８Ｃｏ
２　膜上に、Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパ
ッタリング法により第２保護膜としてのＳｉ３　Ｎ４　
膜を２２０オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１３３】次にこのＳｉ３　Ｎ４　膜上に、Ａｌ−Ｔ
ｉ−Ｈｆ複合ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より原子％でＡｌ９６Ｔｉ２　Ｈｆ２　の組成を有する
アルミニウム合金膜を１５００オングストロームの膜厚
で被着させた。

【０１３４】次に金属膜上に、アクリル系紫外線硬化樹
脂用組成物（商品名ＳＤ１０１、大日本インキ化学工業
（株）製）をスピンコーターで塗布し、ＵＶを照射し、
厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形成して、光磁気記
録媒体を製造した。

【０１３５】このようにして得られた光磁気記録媒体の
特性を、下記のようにして測定した。　　最適記録パワ
ー：記録周波数１ＭＨｚ、デューティー比（Ｄｕｔｙ比
）５０％で記録し、再生レーザーパワー１ｍＷで線速５
．７ｍ／秒（ｓｅｃｏｎｄ）、１１．３ｍ／秒（ｓｅｃ
ｏｎｄ）について評価した。

【０１３６】パワーマージン：下記の条件で測定したＣ
／Ｎの最高値（Ｃ／Ｎｍａｘ）から３ｄＢ低下するまで
の記録パワーの範囲をパワーマージンとした。すなわち
本発明において、パワーマージンとはＣＮｍａｘ　−３
ｄＢ以上が得られる記録パワーの範囲のことである。

【０１３７】Ｃ／Ｎ（ｄＢ）：記録周波数３．７ＭＨｚ
、Ｄｕｔｙ比３３．３％、再生レーザーパワーは１．０
ｍＷとした。基板とエンハンス層との密着性を、以下の
ようにして評価した。

【０１３８】密着性試験［碁盤目試験（ＪＩＳ　Ｋ　５
４００）］：試料の記録膜、エンハンス膜上に、直交す
る縦横１１本ずつの平行線をカッターナイフを用いて１
ｍｍの間隔でひく。１ｃｍ２　の中に１００個の升目が
できるように碁盤目状の切傷を付ける。

【０１３９】セロハンテープ（ニチバン製）を用いて剥
離評価する。また得られた光磁気記録媒体を、８０℃で
相対湿度８５％の雰囲気下に１０００時間放置した後に
、再度Ｃ／Ｎ比を測定した。

【０１４０】結果を表２に示す。また得られた光磁気記
録媒体のバイトエラーレート（ＢＥＲ）は、該記録媒体
を６５℃から−４０℃に２４時間で変化させるヒートサ
イクルに２０回付した後に測定した。バイトエラーレー
トは初期には１×１０−５であり、２０回のヒートサイ
クル後には、１×１０−５であった。

【０１４１】

【実施例２】実施例１で用いたものと同様の基板上に、
Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパッタリング法
により第１保護膜としてのＳｉ３　Ｎ４　膜を１１００
オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１４２】このＳｉ３　Ｎ４　膜上に、ＦｅとＣｏと
からなるターゲットにＰｔおよびＴｂチップを載置して
なる複合ターゲットを用いて、スパッタリング法により
原子％でＰｔ５　Ｔｂ２６Ｆｅ６６Ｃｏ３　の組成を有
する記録膜を３００オングストロームの膜厚で被着させ
た。

【０１４３】さらにこのＰｔ５　Ｔｂ２６Ｆｅ６６Ｃｏ
３　膜上に、Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパ
ッタリング法により第２保護膜としてのＳｉ３　Ｎ４　
膜を２２０オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１４４】次にこのＳｉ３　Ｎ４　膜上に、Ａｌ−Ｔ
ｉ−Ｈｆ複合ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より原子％でＡｌ９６Ｔｉ２　Ｈｆ２　の組成を有する
アルミニウム合金膜を１０００オングストロームの膜厚
で被着させた。

【０１４５】次に金属膜上に、アクリル系紫外線硬化樹
脂用組成物（商品名ＳＤ１０１、大日本インキ化学工業
（株）製）をスピンコーターで塗布し、ＵＶを照射し、
厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形成して、光磁気記
録媒体を製造した。

【０１４６】このようにして得られた光磁気記録媒体の
特性を、実施例１と同様にして測定した。結果を表２に
示す。

【０１４７】また得られた光磁気記録媒体のバイトエラ
ーレート（ＢＥＲ）は、初期には１×１０−５であり、
２０回のヒートサイクル後には、１×１０−５であった
。

【０１４８】

【実施例３】実施例１で用いたものと同様の基板上に、
Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパッタリング法
により第１保護膜としてのＳｉ３　Ｎ４　膜を１１００
オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１４９】このＳｉ３　Ｎ４　膜上に、ＦｅとＣｏと
からなるターゲットにＴｂチップを載置してなる複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＴ
ｂ２５Ｆｅ６９Ｃｏ６　の組成を有する記録膜を３００
オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１５０】さらにこのＴｂ２５Ｆｅ６９Ｃｏ６　膜上
に、Ｓｉ３　Ｎ４　ターゲットを用いて、スパッタリン
グ法により第２保護膜としてのＳｉ３　Ｎ４　膜を２２
０オングストロームの膜厚で被着させた。

【０１５１】次にこのＳｉ３　Ｎ４　膜上に、Ａｌ−Ｔ
ｉ−Ｈｆ複合ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より原子％でＡｌ９６Ｔｉ２　Ｈｆ２　の組成を有する
アルミニウム合金膜を６００オングストロームの膜厚で
被着させた。

【０１５２】次に金属膜上に、アクリル系紫外線硬化樹
脂用組成物（商品名ＳＤ１０１、大日本インキ化学工業
（株）製）をスピンコーターで塗布し、ＵＶを照射し、
厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形成して、光磁気記
録媒体を製造した。

【０１５３】このようにして得られた光磁気記録媒体の
特性を、実施例１と同様にして測定した。結果を表２に
示す。

【０１５４】また得られた光磁気記録媒体のバイトエラ
ーレート（ＢＥＲ）は、初期には１×１０−５であり、
２０回のヒートサイクル後には、１×１０−５であった
。

【０１５５】

【表２】

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図
である。

【符号の説明】

１…光磁気記録媒体 ２…基板 ３…第１保護膜 ４…光磁気記録膜 ５…第２保護膜 ６…金属膜 ７…オーバーコート膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜
   、第２保護膜、金属膜およびオーバーコート膜がこの順
   序で積層されてなる光磁気記録媒体であって、第１保護
   膜および第２保護膜が、ＳｉＮｘからなり、光磁気記録
   膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種
   と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ　）希土類から
   選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前記耐腐食
   性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面に垂直な
   磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、金属膜が
   、アルミニウム合金からなることを特徴とする光磁気記
   録媒体。