JPH0321971B2 - - Google Patents
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- JPH0321971B2 JPH0321971B2 JP58183737A JP18373783A JPH0321971B2 JP H0321971 B2 JPH0321971 B2 JP H0321971B2 JP 58183737 A JP58183737 A JP 58183737A JP 18373783 A JP18373783 A JP 18373783A JP H0321971 B2 JPH0321971 B2 JP H0321971B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- soft magnetic
- recording medium
- magnetic layer
- layer
- Prior art date
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法に係
り、特に、スパツタリング法によつて基板上に軟
磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の記録媒
体を製造する方法に関する。
り、特に、スパツタリング法によつて基板上に軟
磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の記録媒
体を製造する方法に関する。
垂直磁気記録方式は、極めて密度の高い記録が
可能であることから、近年活発に研究開発が進め
られている記録方式である。
可能であることから、近年活発に研究開発が進め
られている記録方式である。
この垂直磁気記録に用いられる記録媒体として
基板上にニツケル−鉄（Ni−Fe）合金すなわち
パーマロイ等の軟磁性層とコバルト−クロム
（Co−Cr）等の垂直磁化層とを形成した２層構造
の記録媒体が、単層構造のものに比べて記録感度
がはるかに良好であることが報告されている。
基板上にニツケル−鉄（Ni−Fe）合金すなわち
パーマロイ等の軟磁性層とコバルト−クロム
（Co−Cr）等の垂直磁化層とを形成した２層構造
の記録媒体が、単層構造のものに比べて記録感度
がはるかに良好であることが報告されている。
一般にこれらの記録媒体は、スパツタリング法
によつて作製されるが、軟磁性層の形成にあたつ
ては、基板表面をアース電位にしておくか、ある
いは、フローテイング状態にし、スパツタリング
を行なうのが常であつた。
によつて作製されるが、軟磁性層の形成にあたつ
ては、基板表面をアース電位にしておくか、ある
いは、フローテイング状態にし、スパツタリング
を行なうのが常であつた。
このような方法によつて形成された２層構造の
垂直磁気記録媒体は、高密度域における記録感度
があまり良くないという問題をかかえていた。
垂直磁気記録媒体は、高密度域における記録感度
があまり良くないという問題をかかえていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
軟磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直
磁気記録媒体において高密度域における記録感度
の向上をはかることを目的とする。
軟磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直
磁気記録媒体において高密度域における記録感度
の向上をはかることを目的とする。
〔発明の構成〕
前記目的を達成するため、本発明は、基板上に
スパツタリング法によつて軟磁性層を形成するに
先立ち、基板表面を導電性領域にし、この導電性
領域をプラズマ電位に対して負電位に保つことを
特徴とするものである。
スパツタリング法によつて軟磁性層を形成するに
先立ち、基板表面を導電性領域にし、この導電性
領域をプラズマ電位に対して負電位に保つことを
特徴とするものである。
これにより、低抗磁力（低Hc）、高透磁率（高
μ）となり、軟磁性特性の良好な軟磁性層が形成
されるため、この軟磁性層上に垂直磁化層を形成
してなる２層構造の垂直磁気記録媒体は、高密度
域においても記録感度が低下することなく、高密
度記録再性特性にすぐれた垂直磁気記録を実現す
ることができる。
μ）となり、軟磁性特性の良好な軟磁性層が形成
されるため、この軟磁性層上に垂直磁化層を形成
してなる２層構造の垂直磁気記録媒体は、高密度
域においても記録感度が低下することなく、高密
度記録再性特性にすぐれた垂直磁気記録を実現す
ることができる。
これは、基板表面を負電位に保ちつつ、スパツ
タリングを行なうことにより、放電がスイオン
（例えばアルゴンイオンAr+等）によつて膜内不
純物がたたき出されること、あるいは、膜内応力
の穏和により膜内のひずみが少なくなること等に
よるものと考えられる。
タリングを行なうことにより、放電がスイオン
（例えばアルゴンイオンAr+等）によつて膜内不
純物がたたき出されること、あるいは、膜内応力
の穏和により膜内のひずみが少なくなること等に
よるものと考えられる。
なお、基板として、マイラーフイルム等の非導
電性基板を使用した場合、基板ホルダがプラズマ
電位に対し負電位となるように設定しても、スパ
ツタリング中に、基板上に飛来する放電イオン
（Ar+等）により、プラズマにさらされている基
板面の電位が上昇し、プラズマ電位と等しくなつ
てしまい、基板を負バイアスにすることによる効
果は得られなくなつてしまう。
電性基板を使用した場合、基板ホルダがプラズマ
電位に対し負電位となるように設定しても、スパ
ツタリング中に、基板上に飛来する放電イオン
（Ar+等）により、プラズマにさらされている基
板面の電位が上昇し、プラズマ電位と等しくなつ
てしまい、基板を負バイアスにすることによる効
果は得られなくなつてしまう。
しかしながら、非導電性基板上に、あらかじめ
0.05〜0.1μｍ程度の金属膜を着膜形成し、基板表
面に導電性を持たせたのちに、金属性ブラシ等を
用いて、負電位を与えることによつて基板面上の
電位上昇を抑制し、安定に負バイアスが印加され
るようにすることにより、軟磁気特性の優れた軟
磁性層を得ることができ、前述の問題は解決され
る。
0.05〜0.1μｍ程度の金属膜を着膜形成し、基板表
面に導電性を持たせたのちに、金属性ブラシ等を
用いて、負電位を与えることによつて基板面上の
電位上昇を抑制し、安定に負バイアスが印加され
るようにすることにより、軟磁気特性の優れた軟
磁性層を得ることができ、前述の問題は解決され
る。
以下、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法
を、図面を参照しつつ実施例に基づいて説明す
る。
を、図面を参照しつつ実施例に基づいて説明す
る。
この製造方法を実施するために用いるスパツタ
リング装置は、第１図に示すごとく、真空槽１内
に配設されたターゲツト２と、このターゲツト２
に相対向するように配設され、基板３を保持する
ための基板ホルダ４と、ダーゲツト２に給電する
ための高周波電源５と、基板ホルダ４を介して基
板にバイアスをかけるためのバイアス用直流電源
６とにより構成されている。なお、基板ホルダ
は、第２図にその要部拡大図を示す如く、真空槽
の外側からの操作で着脱可能な金属ブラシ７を有
しており、この金属ブラシ７を介して表板表面に
負バイアスが印加される。
リング装置は、第１図に示すごとく、真空槽１内
に配設されたターゲツト２と、このターゲツト２
に相対向するように配設され、基板３を保持する
ための基板ホルダ４と、ダーゲツト２に給電する
ための高周波電源５と、基板ホルダ４を介して基
板にバイアスをかけるためのバイアス用直流電源
６とにより構成されている。なお、基板ホルダ
は、第２図にその要部拡大図を示す如く、真空槽
の外側からの操作で着脱可能な金属ブラシ７を有
しており、この金属ブラシ７を介して表板表面に
負バイアスが印加される。
最初に、第１の実施例について説明する。
まず、金属ブラシ７をとり外した状態で、基板
３としてのマイラフイルム３ａを基板ホルダ４上
に保持せしめる。
３としてのマイラフイルム３ａを基板ホルダ４上
に保持せしめる。
このようにして、真空槽１内にアルゴンガスを
導入し、真空槽内の圧力すなわち導入アルゴン圧
力を適当な値（例えば１mmTorr程度）に設定し
たのち、高周波電源５の出力すなわちRFパワー
を適当な値に設定し、基板３を回転せしめつつス
パツタリングを行ない、0.05〜0.1μｍのパーマロ
イ膜３ｂを形成する。
導入し、真空槽内の圧力すなわち導入アルゴン圧
力を適当な値（例えば１mmTorr程度）に設定し
たのち、高周波電源５の出力すなわちRFパワー
を適当な値に設定し、基板３を回転せしめつつス
パツタリングを行ない、0.05〜0.1μｍのパーマロ
イ膜３ｂを形成する。
こののち、第２図に示す如く、真空槽の外側か
らの操作で形成されたパーマロイ膜上に金属ブラ
シ７が接するようにセツトしたのち、バイアス電
源をONにし、負電位を付与しつつ再び高周波電
源５を前記の工程と同様の値に設定し基板を回転
せしめつつ、更に軟磁性層として0.5μｍ程度のパ
ーマロイ薄膜８を得る。このときの軟磁性層の抗
磁力は１エルステツド（以下Oeと称す）であつ
た。
らの操作で形成されたパーマロイ膜上に金属ブラ
シ７が接するようにセツトしたのち、バイアス電
源をONにし、負電位を付与しつつ再び高周波電
源５を前記の工程と同様の値に設定し基板を回転
せしめつつ、更に軟磁性層として0.5μｍ程度のパ
ーマロイ薄膜８を得る。このときの軟磁性層の抗
磁力は１エルステツド（以下Oeと称す）であつ
た。
更に、ターゲツト２をコバルト−クロム合金に
換えたのち、同様の操作を繰り返し、コバルト−
クロム薄膜が0.2〜0.5μｍとなつた時、スパツタ
リングを打ち切り、第３図に示す如く垂直磁化層
としてのコバルト−クロム薄膜９を得る。この垂
直磁化層の抗磁力は350〜400Oeであつた。
換えたのち、同様の操作を繰り返し、コバルト−
クロム薄膜が0.2〜0.5μｍとなつた時、スパツタ
リングを打ち切り、第３図に示す如く垂直磁化層
としてのコバルト−クロム薄膜９を得る。この垂
直磁化層の抗磁力は350〜400Oeであつた。
このようにして形成された、二層構造の記録媒
体の入出力特性曲線を第４図に実線１１，１２，
１３で示す。縦軸は再生出力（相対値）、横軸は
起磁力（AT）とする。比較の為に、従来法に基
き、負バイアスを印加することなく、軟磁性層を
形成した二層構造の記録媒体の入出力特性を点線
１４，１５，１６で示す。実線１１，１２，１３
は、夫々2KBPI、20KBPI、50KBPIのときの入
出力特性曲線を示し、同様に点線１４，１５，１
６も夫々、2KBPI、20KBPI、50KBPIのときの
入出力特性曲線を示す。ちなみに、従来法によつ
て形成された軟磁性層の抗磁力は15Oeであつた。
第４図における比較から明らかなように、本発明
実施例の方法によつて形成された記録媒体は従来
のものに比べて記録感度が大幅に向上しており、
特に高密度域においてそれは顕著である。
体の入出力特性曲線を第４図に実線１１，１２，
１３で示す。縦軸は再生出力（相対値）、横軸は
起磁力（AT）とする。比較の為に、従来法に基
き、負バイアスを印加することなく、軟磁性層を
形成した二層構造の記録媒体の入出力特性を点線
１４，１５，１６で示す。実線１１，１２，１３
は、夫々2KBPI、20KBPI、50KBPIのときの入
出力特性曲線を示し、同様に点線１４，１５，１
６も夫々、2KBPI、20KBPI、50KBPIのときの
入出力特性曲線を示す。ちなみに、従来法によつ
て形成された軟磁性層の抗磁力は15Oeであつた。
第４図における比較から明らかなように、本発明
実施例の方法によつて形成された記録媒体は従来
のものに比べて記録感度が大幅に向上しており、
特に高密度域においてそれは顕著である。
すなわち、従来のものは、高密度域において
は、記録感度が低下し、飽和記録できないが、本
発明実施例の方法によつて形成された記録媒体は
高密度域においても飽和記録しており、再生出力
も増加していることがわかる。
は、記録感度が低下し、飽和記録できないが、本
発明実施例の方法によつて形成された記録媒体は
高密度域においても飽和記録しており、再生出力
も増加していることがわかる。
ところで、軟磁性層形成時において印加する負
バイアスの電位と、軟磁性層の抗磁力Hcとの関
係曲線を第５図に示す。縦軸は抗磁力Hc（Oe）
にとり、横軸は印加した負バイアス電位Vb（Ｖ）
にとつた。この曲線から明らかなように、負バイ
アス電位をプラズマ電位に対して−50V付近にと
つたとき、軟磁気特性が著しく改善されている。
バイアスの電位と、軟磁性層の抗磁力Hcとの関
係曲線を第５図に示す。縦軸は抗磁力Hc（Oe）
にとり、横軸は印加した負バイアス電位Vb（Ｖ）
にとつた。この曲線から明らかなように、負バイ
アス電位をプラズマ電位に対して−50V付近にと
つたとき、軟磁気特性が著しく改善されている。
次に、本発明の第２の実施例について説明す
る。前記実施例に使用したのと同一のスパツタリ
ング装置を使用する。まず、基板３として、マイ
ラフイルム３ａ上に、真空蒸着法等によつて500
〜1000Å程度のアルミニウム薄膜（Al薄膜）を
着膜したものを使用し、まず、第１図に示す如
く、真空槽内の基板ホルダ４上に該ターゲツト２
と対向するように保持せしめる。ここで基板ホル
ダ４は、金属ブラシ７を介して、基板表面に負電
位を与える。
る。前記実施例に使用したのと同一のスパツタリ
ング装置を使用する。まず、基板３として、マイ
ラフイルム３ａ上に、真空蒸着法等によつて500
〜1000Å程度のアルミニウム薄膜（Al薄膜）を
着膜したものを使用し、まず、第１図に示す如
く、真空槽内の基板ホルダ４上に該ターゲツト２
と対向するように保持せしめる。ここで基板ホル
ダ４は、金属ブラシ７を介して、基板表面に負電
位を与える。
このようにして、基板表面を負電位に保ちつ
つ、真空槽１内にアルゴンガスを導入し、真空槽
内の圧力すなわち導入アルゴン圧力を適当な値
（例えば２mmTorr程度）に設定する。
つ、真空槽１内にアルゴンガスを導入し、真空槽
内の圧力すなわち導入アルゴン圧力を適当な値
（例えば２mmTorr程度）に設定する。
しかるのち、高周波電源５の出力すなわちRF
パワーを適当な値に設定し、基板３を回転せしめ
つつスパツタリングを行ない、パーマロイ合金薄
膜の膜厚が0.5μｍ程度となつた時、スパツタリン
グを打切り、軟磁性層としてのパーマロイ合金薄
膜を得る。
パワーを適当な値に設定し、基板３を回転せしめ
つつスパツタリングを行ない、パーマロイ合金薄
膜の膜厚が0.5μｍ程度となつた時、スパツタリン
グを打切り、軟磁性層としてのパーマロイ合金薄
膜を得る。
次いで、ターゲツト２をコバルト−クロム合金
に換えたのち、同様の操作を繰り返し、コバルト
−クロム薄膜が0.2〜0.5μｍとなつた時、スパツ
タリングを打ち切り、垂直磁化層としてのコバル
ト−クロム薄膜を得る。
に換えたのち、同様の操作を繰り返し、コバルト
−クロム薄膜が0.2〜0.5μｍとなつた時、スパツ
タリングを打ち切り、垂直磁化層としてのコバル
ト−クロム薄膜を得る。
このようにして形成された二層構造の垂直磁気
記録媒体も、前記第１の実施例に示された記録媒
体と同様に、高密度領域における記録感度が著し
く向上せしめられ、良好な結果を得ることができ
た。
記録媒体も、前記第１の実施例に示された記録媒
体と同様に、高密度領域における記録感度が著し
く向上せしめられ、良好な結果を得ることができ
た。
なお、実施例においては、基板表面にパーマロ
イ薄膜あるいはアルミニウム薄膜等の導電体層を
形成した後、この導電体層表面に負バイアスを印
加したが、基板が導電性を有するものである場合
には、導電体層を形成する必要はない。
イ薄膜あるいはアルミニウム薄膜等の導電体層を
形成した後、この導電体層表面に負バイアスを印
加したが、基板が導電性を有するものである場合
には、導電体層を形成する必要はない。
また、第１の実施例においては軟磁性層の抗磁
力Hcが約1Oeとなるように形成し、実用上十分
な記録感度を得ることができたが、更に、軟磁性
層の軟磁気特性を改善することにより、記録感度
を更に向上することができることは言うまでもな
い。
力Hcが約1Oeとなるように形成し、実用上十分
な記録感度を得ることができたが、更に、軟磁性
層の軟磁気特性を改善することにより、記録感度
を更に向上することができることは言うまでもな
い。
以上、説明してきたように、本発明の方法によ
れば、軟磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造
の垂直磁気記録媒体を製造するにあたり、軟磁性
層形成のためのスパツタリング工程において、基
板表面を導電性領域とし、この導電性領域をプラ
ズマ電位に対して負電位となるように保つことに
より、軟磁性特性の良好な軟磁性層を得ることが
でき、高密度域においても記録感度が低下するこ
となく、高密度記録再生特性に優れた垂直磁気記
録の可能な２層構造の垂直磁気記録媒体を得るこ
とができる。
れば、軟磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造
の垂直磁気記録媒体を製造するにあたり、軟磁性
層形成のためのスパツタリング工程において、基
板表面を導電性領域とし、この導電性領域をプラ
ズマ電位に対して負電位となるように保つことに
より、軟磁性特性の良好な軟磁性層を得ることが
でき、高密度域においても記録感度が低下するこ
となく、高密度記録再生特性に優れた垂直磁気記
録の可能な２層構造の垂直磁気記録媒体を得るこ
とができる。
第１図は、本発明実施例の方法に使用されるス
パツタリング装置を示す図、第２図は、第１図の
装置の基板ホルダの金属ブラシを基板にセツトし
た状態を示す図、第３図は、本発明第１の実施例
の方法によつて形成された二層構造の磁気記録媒
体を示す図、第４図は、第３図に示されている磁
気記録媒体の入出力特性を示す図、第５図は、本
発明第１の実施例の方法によつて軟磁性層を形成
した場合の負バイアス電位と抗磁力との関係を示
す図である。 １……真空槽、２……ターゲツト、３……基
板、３ａ……マイラフイルム、３ｂ……パーマロ
イ膜（導電膜）、４……基板ホルダ、５……高周
波電源、６……バイアス用直流電源、７……金属
ブラシ、８……パーマロイ薄膜（軟磁性層）、９
……コバルト−クロム薄膜、１１，１２，１３…
…本発明第１の実施例の方法によつて形成された
磁気記録媒体の入出力特性曲線、１４，１５，１
６……従来の方法によつて形成された記録媒体の
入出力特性曲線。
パツタリング装置を示す図、第２図は、第１図の
装置の基板ホルダの金属ブラシを基板にセツトし
た状態を示す図、第３図は、本発明第１の実施例
の方法によつて形成された二層構造の磁気記録媒
体を示す図、第４図は、第３図に示されている磁
気記録媒体の入出力特性を示す図、第５図は、本
発明第１の実施例の方法によつて軟磁性層を形成
した場合の負バイアス電位と抗磁力との関係を示
す図である。 １……真空槽、２……ターゲツト、３……基
板、３ａ……マイラフイルム、３ｂ……パーマロ
イ膜（導電膜）、４……基板ホルダ、５……高周
波電源、６……バイアス用直流電源、７……金属
ブラシ、８……パーマロイ薄膜（軟磁性層）、９
……コバルト−クロム薄膜、１１，１２，１３…
…本発明第１の実施例の方法によつて形成された
磁気記録媒体の入出力特性曲線、１４，１５，１
６……従来の方法によつて形成された記録媒体の
入出力特性曲線。
Claims (1)
- １ 基板表面を導電性領域とし、この導電性領域
をプラズマ電位に対して負電位に保持しプラズマ
スパツタリング法により、軟磁性層および垂直磁
化層を順次形成する工程を具備したことを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373783A JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373783A JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076026A JPS6076026A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0321971B2 true JPH0321971B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16141087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18373783A Granted JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076026A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652569B2 (ja) * | 1985-03-12 | 1994-07-06 | 帝人株式会社 | 磁気記録媒体の製造法 |
| JP2808723B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1998-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US20070031705A1 (en) * | 2003-09-26 | 2007-02-08 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| CN103521350B (zh) * | 2013-10-28 | 2015-12-16 | 李泽 | 一种磁选式流体除铁装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724031A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of vertical magnetic recording medium |
| JPS5778628A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18373783A patent/JPS6076026A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6076026A (ja) | 1985-04-30 |
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