JPH03220738A

JPH03220738A - 樹脂封止型半導体装置の製造装置

Info

Publication number: JPH03220738A
Application number: JP1487390A
Authority: JP
Inventors: Tatsuhiko Akiyama; 龍彦秋山
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1990-01-26
Filing date: 1990-01-26
Publication date: 1991-09-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の技術］この発明は、樹脂封止型半導体装置の製造装置に関する
ものである。

［従来の技術］第３図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。図において（１）は半導体素子、（２）はこの半導
体素子（１）が載置されるダイパッド、（３）は半導体
素子（１）とリード（図示しない）を接続する金線、（
４）はダイパッド（２）が載置される下金型、（５）は
半導体素子（１）とリードを金線（３）を介してワイヤ
ポンディングにより電気的に接続して得られたリードフ
レーム、（６）は下金型（４）に対応して設けられた上
金型、（７）はこの上金型（６）に設けられて後述のモ
ールド樹脂を注入する通路となるゲート、（８）はこの
モールド樹脂、（９）は上金型（６）と下金型（４）を
一定圧力でクランプした後それらの間に形成されるモー
ルド樹脂（８）の鋳型としてのキャビティである。

従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置は上述したよう
に構成され、半導体素子（１）が載置されたダイパッド
（２）、および半導体素子（１）とリードを金線（３）
で電気的に接続した、ワイヤボンディング完了済のリー
ドフレーム（５）を下金型（４）上に載置する。次に、
この下金型（４）と上金型（６）とを一定圧力でクラン
プする。これにより、モールド樹脂（８）の鋳型となる
キャビティ（９）、およびこのキャビティ（９）へモー
ルド樹脂（８）を注入する通路となるゲート（７）が成
形される。ここで、組立完了後の樹脂封止型半導体装置
の全体の厚みが１．２７ｍｍ以下になるようにキャビテ
ィ（９）の厚みも、１．２７ｍｍ以下に設計されている
。次に、溶融されて低粘度になったモールド樹脂（８）
をゲト（７）を通してキャビティ（９）に注入する。こ
のモールド樹脂（８）は半導体素子（１）、ダイパッド
（２）を中心として上下に分れて注入され、最終的にキ
ャビティ（９）がモールド樹脂（８）により完全に充填
された段階で注入は完了する。

［発明が解決しようとする課題］上記のような従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置で
は、モールド樹脂（８）の、キャビティ（９）内での流
動挙動は流路の厚みに依存して変化し、この厚みが小さ
い程モールド樹脂（８）は流れ難くなる。今、ダイパッ
ド（２）の変位がモールド樹脂（８）注入前に０．１ｍ
ｍあった場合、キャビティ厚を１．０ｍｍ、半導体素子
厚を０．４ｍｎ＋、ダイパッド厚を０．１０ｍｍとする
と、上下キャビティ（９）の流路厚比は、２となり、またキャビティ厚を２．６ｍｍ、半導体素子厚
を０．４ｍｍ、タイパノド厚を０．２ｍｍとすると、流
路厚比は、２となる。従って、キャビティ厚か小さい程モールド前の
ダイパッド変動の影響を受は易く、モールド樹脂（８）
の注入バランスが崩れ易い。このように注入バランスが
崩れると、ボイドが発生したり、或いはダイパッド（２
）そのものがモールド樹脂（８）の流動圧力により大き
く変位するなとの問題点があった。

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、ダイパッド位置を制御できると共に、全体の
厚みが１．２７ｍｍ以下の樹脂封止型半導体装置を安定
して製造てきる装置を得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］この発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置は、ダ
イパッドの下方で下金型内に設けられ、前記ダイパッド
の位置を検出するダイパッド位置検出手段を設け、また
このダイパッド位置検出手段に加えて、前記ダイパッド
の位置を検出してその検出信号をダイパッド位置制御手
段へ供給するダイパッド位置検出手段を設けたものであ
る。

［作　用］この発明においては、上下金型内のダイパッド位置は、
ダイパッドの下方に設けられたダイパッド位置制御手段
により、モールド樹脂注入前および注入中に任意に変位
制御され得る。また同様に下金型内に設けられたダイパ
ッド位置検出手段によりモールド樹脂注入前または注入
中のダイパッド位置の変化を実時間で検出でき、その情
報をダイパッド位置制御手段に供給することによりダイ
パッド位置を常時最適に設定できる。

［実施例］第１図および第２図はこの発明の各実施例を示す断面図
であり、（１）〜（９）は上記従来装置におけるものと
全く同じものである。（１０）はダイパッド（２）の下
方で下金型（４）内に設けられ、ダイパッド（２）の位
置を制御する可動ピン、（１１）はこの可動ピン（１０
）を制御する。可動ピン制御部であり、これら可動ピン
（１０）および可動ピン制御部（１１）はダイパッド位
置制御手段になる。（１２）は下金型（４）内に設けら
れ、タイパノド（２）の位置を検出する位置検出センサ
、（１３）はこの位置検出センサ（１２）と可動ピン制
御部（１１）に接続され、位置検出センサ（１２）から
のダイパッド位置検出信号を受け、これを可動ピン制御
部（１１）にフィードバックして可動ピン００）の制御
に供するフィードバック制御部てあり、これら位置検出
センサ（１２）およびフィトバック制御部（１３）はダ
イパッド位置検出手段になる。

上記のように構成された樹脂封止型半導体装置の製造装
置においては、ダイパッド（２）およびリドフレーム（
５）を下金型（４）に載置した後、この下金型（４）を
」二金型（６）と合わせてクランプする。この時点でダ
イパッド（２）がキャビティ（９）の中点よりも少し上
になるように予めダイパソドク２）の戊め量を制御して
おく。上金型（６）と下金型（４）をクランプした後、
可動ピン（１０）を突き上げてダイパッド（２）に接触
させ、ダイパッド（２）が中点になるように制御し、そ
の後モールド樹脂（８）を注入する。モールド樹脂（８
）の注入が完了し、モールド樹脂（８）か硬化する前で
且つ粘度が上昇した時点て可動ピン（１０）を後退させ
る。一方、下金型（４）内に設けられたダイパッド位置
検出センサ（１２）により、モールド樹脂（８）の注入
前、注入中のダイパッド（２）の位置が常時モニタされ
、検出される。位置検出センサ（１２）とダイパッド（
２）の距離が設定値になるように検出信号をフィトバッ
ク制御部（１３）、可動ピン制御部（１１）を介して可
動ピン（１０）にフィードバックし、タイパ、。

ド（２）の位置が最適になるように制御する。

［発明の効果］この発明は、以上説明したとおり、ダイパッド位置を制
御するダイパッド位置制御手段をダイパッドの下方で下
金型内に設けに、またこのダイパッド位置制御手段に加
えて、タイパットの位置を検出するダイパッド位置検出
手段を下金型内に設けることにより、タイパットの変位
を小さくできると共に、タイパット位置を実時間で検出
してダイパッドの位置を更にフィードバック制御できる
ので、１．２７ｍｍ厚以下の樹脂封止型半導体装置を高
歩留りで安定に且つ高精度で製造できる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の各実施例の断面図、第
３図は従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置を示す断
面図である。図において、（１）は半導体素子、（２）はダイパッド
、（３）は金線、（４）は下金型、（５）はり−ドフレ
〜ム、（６）は上金型、（８）はモールド樹脂、（ｌＯ
）は可動ピン、（１１）は可動ピン制御部、（１２）は
位置検出センサ、（１３）はフィートバンク制御部であ
る。一なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。代理人曾我道照３−金線６−上金型１ｏ−・可動ビン

Claims

【特許請求の範囲】

（１）樹脂封止すべき半導体素子が載置されるダイパッ
ドと、前記半導体素子とリードを金線を介してワイヤボ
ンディングにより電気的に接続して得られたリードフレ
ームと、上金型と、この上金型に対応して設けられかつ
前記ダイパッドおよび前記リードフレームが載置される
下金型と、前記ダイパッドの下方で前記下金型内に設け
られ、前記ダイパッドの位置を制御するダイパッド位置
制御手段とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造装置。