JPH03222430A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03222430A JPH03222430A JP2018356A JP1835690A JPH03222430A JP H03222430 A JPH03222430 A JP H03222430A JP 2018356 A JP2018356 A JP 2018356A JP 1835690 A JP1835690 A JP 1835690A JP H03222430 A JPH03222430 A JP H03222430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- diffusion depth
- emitter
- aso
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バイポーラトランジスタ、とくに大電流用パ
ワートランジスタ等の半導体装置番こ関する。
ワートランジスタ等の半導体装置番こ関する。
従来の技術
近年、電子機器の高機能化に伴いそれに用（為られるパ
ワートランジスタの高機能化、とく１こ安全動作領域（
Ａｒｅａ ｏｆ ５ａｆｅｔｙ ０ｐｅｒａｔｉｏｎ、
以下ＡＳＯと書く）の拡大が要望されている。
ワートランジスタの高機能化、とく１こ安全動作領域（
Ａｒｅａ ｏｆ ５ａｆｅｔｙ ０ｐｅｒａｔｉｏｎ、
以下ＡＳＯと書く）の拡大が要望されている。
以下に従来のパワートランジスタについて図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第３図に従来のパワートランジスタの要部断面図を示す
。図において、１は一導電型の半導体基板、２はその半
導体基板１に形成されたコレクタ領域内に形成された反
対導電型のベース領域、３はそのベース領域２内に形成
された一導電型のエミッタ領域、４はエミッタ領域３と
同導電型であるがエミッタ領域３に接続されない領域（
いわゆるフローティング・エミッタ領域、以下ＦＥ領領
域書く）、５は絶縁膜、６はベース電極、７はエミッタ
電極、８はコレクタ電極である。
。図において、１は一導電型の半導体基板、２はその半
導体基板１に形成されたコレクタ領域内に形成された反
対導電型のベース領域、３はそのベース領域２内に形成
された一導電型のエミッタ領域、４はエミッタ領域３と
同導電型であるがエミッタ領域３に接続されない領域（
いわゆるフローティング・エミッタ領域、以下ＦＥ領領
域書く）、５は絶縁膜、６はベース電極、７はエミッタ
電極、８はコレクタ電極である。
以上のように構成された従来のパワートランジスタにつ
いて以下その動作を説明する。
いて以下その動作を説明する。
一般にトランジスタのＡＳＯを拡大するためには、ベー
スまたはエミッタに直列に抵抗を形成する方法がよく知
られている。ＡＳＯ破壊はコレクタ電流の電流集中によ
る熱破壊であり、トランジスタのある部分に電流集中が
起こった時、ベースまたはエミッタに直列に抵抗が形成
されていると、その抵抗での電圧降下が増加し、実際の
ベース・エミッタ接合またはコレクタ・エミッタ接合に
印加される電圧が低下する。このため電流集中が緩和さ
れ、ＡＳＯを拡大することができる。
スまたはエミッタに直列に抵抗を形成する方法がよく知
られている。ＡＳＯ破壊はコレクタ電流の電流集中によ
る熱破壊であり、トランジスタのある部分に電流集中が
起こった時、ベースまたはエミッタに直列に抵抗が形成
されていると、その抵抗での電圧降下が増加し、実際の
ベース・エミッタ接合またはコレクタ・エミッタ接合に
印加される電圧が低下する。このため電流集中が緩和さ
れ、ＡＳＯを拡大することができる。
そこで、ベースに直列に抵抗を形成する方法として、第
３図のようなエミッタ領域３と同じ拡散深さであるＦＥ
領域４を形成する方法が良く知られている。これは、Ｆ
Ｅ領域４を形成することにより、ベース電流がＦＥ領域
４の下部を流れるようにし、等節約にＦＥ領域４の下部
のベース濃度で決まる抵抗値を持つベース抵抗ｒ［Ｉを
ベースに直列に形成するものである。このベース抵抗ｒ
ｅによりＡＳＯを拡大することが可能となる。
３図のようなエミッタ領域３と同じ拡散深さであるＦＥ
領域４を形成する方法が良く知られている。これは、Ｆ
Ｅ領域４を形成することにより、ベース電流がＦＥ領域
４の下部を流れるようにし、等節約にＦＥ領域４の下部
のベース濃度で決まる抵抗値を持つベース抵抗ｒ［Ｉを
ベースに直列に形成するものである。このベース抵抗ｒ
ｅによりＡＳＯを拡大することが可能となる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の構成では、ＦＥ領域４がエ
ミッタ領域３と同じ拡散深さであるため、ＦＥ領域４の
下部のベース濃度がかなり低いものとなり、等節約に形
成されるベース抵抗ｒａは大きなものとなり、そのため
ＦＥ領域４を形成しないパワートランジスタよりＡＳＯ
は拡大するが、ｈＦＥのコレクタ電流１ｃに対する直線
性が悪化するという問題点を有していた。
ミッタ領域３と同じ拡散深さであるため、ＦＥ領域４の
下部のベース濃度がかなり低いものとなり、等節約に形
成されるベース抵抗ｒａは大きなものとなり、そのため
ＦＥ領域４を形成しないパワートランジスタよりＡＳＯ
は拡大するが、ｈＦＥのコレクタ電流１ｃに対する直線
性が悪化するという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、他の電気
特性値を劣下させることなく、ＡＳＯを拡大したパワー
トランジスタ等の半導体装置を提供することを目的とし
たものである。
特性値を劣下させることなく、ＡＳＯを拡大したパワー
トランジスタ等の半導体装置を提供することを目的とし
たものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、ＦＥ
領領域拡散深さをエミッタ領域の拡散深さよりも浅くし
たものである。
領領域拡散深さをエミッタ領域の拡散深さよりも浅くし
たものである。
作用
この構成によって、ＦＥ領領域拡散深さを制御してＦＥ
領域下部のベース領域の不純物濃度を最適化することに
より、最適化されたベース抵抗ｒＢを実現し、他の電気
特性値を劣化させることな（ＡＳＯを拡大することがで
きる。
領域下部のベース領域の不純物濃度を最適化することに
より、最適化されたベース抵抗ｒＢを実現し、他の電気
特性値を劣化させることな（ＡＳＯを拡大することがで
きる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例におけるパワートランジスタ
の要部断面図である。第３図に示す従来のパワートラン
ジスタと同一箇所には同一符号を付し、詳細説明を省略
する。図において、４Ａが本発明によるＦＥ領領域、そ
の拡散深さはエミッタ領域３より浅くしている。
の要部断面図である。第３図に示す従来のパワートラン
ジスタと同一箇所には同一符号を付し、詳細説明を省略
する。図において、４Ａが本発明によるＦＥ領領域、そ
の拡散深さはエミッタ領域３より浅くしている。
以上のように構成されたパワートランジスタについて、
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
ＦＥ領域４Ａの拡散深さをエミッタ領域３の拡散深さよ
りも浅くすることにより、ＦＥ領域４Ａの下部のベース
濃度を最適化し、最適なベース抵抗ｒ’Ｂをベースに直
列に形成する。この最適化されたベース抵抗ｒ’Ｈによ
りＡＳＯを拡大し、かつｈＰＥのコレクタ電流ＩＣに対
する直線性の悪化を抑えるものである。
りも浅くすることにより、ＦＥ領域４Ａの下部のベース
濃度を最適化し、最適なベース抵抗ｒ’Ｂをベースに直
列に形成する。この最適化されたベース抵抗ｒ’Ｈによ
りＡＳＯを拡大し、かつｈＰＥのコレクタ電流ＩＣに対
する直線性の悪化を抑えるものである。
第２図は本発明の一実施例におけるパワートランジスタ
の特性図で、従来またはＦＥ領領域有しないパワートラ
ンジスタと比較した。
の特性図で、従来またはＦＥ領領域有しないパワートラ
ンジスタと比較した。
第２図（ａ）はパワートランジスタのΔＶＢＥを示す特
性図、同図（ｂ）は同ｈＰＥのコレクタ電流依存性を示
す特性図である。
性図、同図（ｂ）は同ｈＰＥのコレクタ電流依存性を示
す特性図である。
従来のパワートランジスタはＦＥ領領域有しないパワー
トランジスタよりもΔＶＢＥ値は小さく、すなわちＡＳ
Ｏは拡大しているが、ｈＰＥのコレクタ電流１ｃに対す
る直線性は著しく悪化している。
トランジスタよりもΔＶＢＥ値は小さく、すなわちＡＳ
Ｏは拡大しているが、ｈＰＥのコレクタ電流１ｃに対す
る直線性は著しく悪化している。
しかしながら本発明の実施例によるパワートランジスタ
は、従来例と同等のΔＶＢ［！値を示し、かつＦＥ領領
域有しないパワートランジスタと同等のｈＦＥのコレク
タ電流ＸＣに対する直線性を示している 発明の効果 以上のように本発明はＦＥ領領域拡散深さをエミッタ領
域の拡散深さよりも浅（することにより、他の電気特性
値を劣化させることなくＡＳＯを拡大することができ、
その実用的効果は大である。
は、従来例と同等のΔＶＢ［！値を示し、かつＦＥ領領
域有しないパワートランジスタと同等のｈＦＥのコレク
タ電流ＸＣに対する直線性を示している 発明の効果 以上のように本発明はＦＥ領領域拡散深さをエミッタ領
域の拡散深さよりも浅（することにより、他の電気特性
値を劣化させることなくＡＳＯを拡大することができ、
その実用的効果は大である。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の要部断
面図、第２図（ａ）は同ΔＶＢ！！を示す特性図、ｂ 同（−）はｈＦＥのコレクタ電流依存性を示す特性図、
第３図は従来の半導体装置の要部断面図である。 ■・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ベース領域
、３・・・・・・エミッタ領域、４Ａ・・・・・・ＦＥ
領領域エミッタ領域に接続されない一導電型の半導体領
域）。
面図、第２図（ａ）は同ΔＶＢ！！を示す特性図、ｂ 同（−）はｈＦＥのコレクタ電流依存性を示す特性図、
第３図は従来の半導体装置の要部断面図である。 ■・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ベース領域
、３・・・・・・エミッタ領域、４Ａ・・・・・・ＦＥ
領領域エミッタ領域に接続されない一導電型の半導体領
域）。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板に形成されたコレクタ領域と、その
コレクタ領域内に形成された反対導電型のベース領域と
、そのベース領域内に形成された一導電型のエミッタ領
域と、前記ベース領域内に形成され、かつ前記エミッタ
領域に接続されない一導電型の半導体領域とを有し、前
記半導体領域の拡散深さが前記エミッタ領域の拡散深さ
よりも浅い半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018356A JPH03222430A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018356A JPH03222430A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222430A true JPH03222430A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=11969412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018356A Pending JPH03222430A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03222430A (ja) |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2018356A patent/JPH03222430A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3243669A (en) | Surface-potential controlled semiconductor device | |
| KR20020052954A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
| US3740621A (en) | Transistor employing variable resistance ballasting means dependent on the magnitude of the emitter current | |
| KR940002773B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPS6094772A (ja) | 主電流部とエミユレ−シヨン電流部を有する電力用半導体素子 | |
| US4807009A (en) | Lateral transistor | |
| JPH049378B2 (ja) | ||
| JPH03222430A (ja) | 半導体装置 | |
| US4441116A (en) | Controlling secondary breakdown in bipolar power transistors | |
| JPS62229967A (ja) | Ｎｐｎトランジスタ−の固有降伏電圧より大きい降伏電圧を有するｎｐｎ等価構造 | |
| JP4838421B2 (ja) | アナログ・スイッチ | |
| JPS6211787B2 (ja) | ||
| JPH04225238A (ja) | ラテラルトランジスタ及びそれを用いたカレントミラー回路 | |
| JPH01171281A (ja) | 電圧降下制御ダイオード | |
| JP2526960B2 (ja) | 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPS6258678A (ja) | トランジスタ | |
| JPH02177476A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02189927A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0582828A (ja) | フオトトランジスタ | |
| JPH05121672A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02144924A (ja) | 縦型バイポーラトランジスタ | |
| JPS57148369A (en) | Composite semiconductor device | |
| JPH06120745A (ja) | バイポーラ集積回路 | |
| JPS6030106B2 (ja) | 相補型集積回路 | |
| JPS6110275A (ja) | 半導体装置 |