JPH03224132A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number
JPH03224132A
JPH03224132A JP2286197A JP28619790A JPH03224132A JP H03224132 A JPH03224132 A JP H03224132A JP 2286197 A JP2286197 A JP 2286197A JP 28619790 A JP28619790 A JP 28619790A JP H03224132 A JPH03224132 A JP H03224132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
film
magnetic recording
carbon
carbon film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2286197A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0721858B2 (ja
Inventor
Mikio Murai
幹夫 村居
Kiyoshi Takahashi
高橋　喜代司
Masaru Odagiri
優 小田桐
Yoshiaki Kai
義昭 貝
Takashi Suzuki
貴志 鈴木
Toshiaki Kunieda
国枝　敏明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of JPH03224132A publication Critical patent/JPH03224132A/ja
Publication of JPH0721858B2 publication Critical patent/JPH0721858B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
    • G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/726—Two or more protective coatings
    • G11B5/7262—Inorganic protective coating
    • G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
    • G11B5/7266—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising a lubricant over the inorganic carbon coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S427/00—Coating processes
    • Y10S427/103—Diamond-like carbon coating, i.e. DLC
    • Y10S427/106—Utilizing plasma, e.g. corona, glow discharge, cold plasma
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y10T428/24372—Particulate matter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体に関するものであり、特に０℃から５０℃の各種湿度
環境でのスチルライフ向上と耐久走行後のヘッド汚れの
ない磁気テープやフロッピーディス久　磁気ディスクに
適用することができも従来の技術 強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体におい
て１１　　様々な方法により磁気テープのスチル耐久性
や走行耐久性の向上　磁気ディスクのＣ８Ｓ特性の向上
が続けられてき九　たとえば第１に金属薄膜上にカルボ
ン酸やカルボン酸エステルの潤滑剤層を設けも　第２に
５ｉＯａ等の非磁性保護膜を設けも　第３にカーボンや
ダイヤモンド状炭素膜と潤滑剤を組み合わせて用いる等
であムこの第３の例としてダイヤモンド状炭素膜の製造
方法について４よ　米国特許第４６４５９７７号明細書
、特開昭６１−１３０４８７号公報　特開昭６１−１３
６６７８号公報　特開昭６３−２７９４２６号公報　特
開平１−１６６３２９号公報等に開示されている。これ
らの文献に記載された製造方法（よ　プラズマ放電管の
中にＤＣ電圧だけを加え　放電管の外に１３．　５６Ｍ
Ｈｚの高周波をかけたり、かけなかったりするものであ
る。
このダイヤモンド状炭素膜と潤滑剤を組み合わすことで
金属薄膜型磁気記録媒体のスチル耐久性は相当改善され
た力丈　さらなるスチル耐久性の向上にはダイヤモンド
状炭素膜の製造法の改良も含めて保護膜の耐久性を向上
しなければならな（℃さらく　上記の製造法ではメタン
を炭素源としたダイヤモンド状状炭素膜の堆積速度は２
０Ａ／Ｓとかなり低く、これが生産を考えた場合の第１
の問題点であった　この製造法で炭素数の多い炭化水素
　たとえばプロパン、オクタンを使用すると堆積速度は
６０Ａ／Ｓまでは向上する力丈　十分な硬度が得られず
スチル耐久性が低下し　生産性と耐久性のバランスが取
れなかった 上記製造法での生産を考えた場合の第２の問題点は　成
膜東　つまりプラズマ放電中へ　第６図に示すように、
　　定常よりも過大な電流が流れる異常放電現象が常に
伴うことである。この現象（よ金属薄膜上に稲妻状の放
電跡をのこし　その部分からは信号が得られないために
磁気記録媒体としては致命的な欠陥である。
このようへ　ダイヤモンド状炭素膜の製造方法について
は基礎的には確立されてはいる力交　工業的に用いるた
めには多くの改良が必要である。
金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜としてダイヤモンド状
炭素膜と潤滑剤を用いることに関してｉ′！、。
米国特許第４８３３０３１号明細書、特開昭６２−２１
９３１４号公報　特開平１−２４５４１６号公報　特開
平１−２４５４１７号公報等に開示されている。
これらの文献に記載の通り、潤滑剤とダイヤモンド状炭
素膜を組み合わせるとスチル耐久性が飛躍的に向上する
力（潤滑剤の選び方によっては配線　再生後のヘッドの
汚れが異常に多くなる場合があも　このヘッドの汚れと
Ｇｅｔ、、　　たとえばコンビヘッドの谷間やヘッド周
辺部に潤滑剤やバックコートの粉　および磁性粉が練り
固まって堆積したものである。これが多いと記録−再生
時に流れてヘッドの目詰まり、信号の欠落を引きおこす
。
ヘッド汚れの原因は潤滑剤とバックコート株磁性粉であ
る力交　ダイヤモンド状炭素膜が設けであると磁性粉が
ほとんど発生しないため潤滑剤がバックコート粉を固め
ることが主原因となっていも　そのた八　スチル耐久性
が十分であり、かつヘッド汚れの少なｔ、％　　つまり
バックコート粉を固めにくい潤滑剤の開発が急務となっ
てい本発明が解決しようとする課題 本発明は第１に金属薄膜型磁気記録媒体のさらなるスチ
ル耐久性向上を可能とする保護層のダイヤモンド状炭素
膜の耐久性を上げる製造方法を提供することを目的とす
も　さ、ら４Ｑ　　本発明はダイヤモンド状炭素膜成膜
時の異常放電をまったくなくし　ダイヤモンド状炭素膜
の堆積速度を大幅に改善した量産的製造方法をも提供す
ることを目的としていも 第２に金属薄膜型磁気記録媒体の各種環境でのスチル耐
久性と走行後のヘッド汚れがないことを両立させた潤滑
剤層の実現を目的とする。
課題を解決するための手段 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し　この磁性層上
にプラズマ重合膜、　ダイヤモンド状炭素膜さらに潤滑
剤層をこの順に設けた磁気記録媒体の製造方法において
、前記ダイヤモンド状炭素膜を、８０Ｈｚから２００ｋ
Ｈｚの周波数　プラス５００ボルト以上のピーク電圧式
　炭素数３以上の炭化水素を原料としたプラズマＣＶＤ
法により連続的に成膜すまた　非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を形成上この磁性層上にプラズマ重合膜、　ダイ
ヤモンド状炭素膜及び潤滑剤層をこの順序で設けた磁気
記録媒体において、前記潤滑剤層を融点５℃以下の含フ
ッソアルキルカルボン酸エステル（Ｒｆ−Ｒ−Ｃｏｏ−
ＲまたはＲｆ−Ｒ−Ｃｏｏ−Ｒｆ、　Ｒ−Ｃｏｏ−Ｒｆ
、　Ｒ−Ｒｆ−Ｃｏｏ−Ｒｆ、　Ｒ−Ｒｆ−Ｃ０Ｏ−Ｒ
）力＼　融点５０℃から９０℃の含フッソアルキルカル
ボン酸（Ｒｆ−Ｒ−ＣＯＯＨ，Ｒ−Ｒｆ−ＣＯＯＨ）ノ
トチラカトｔ　ル。
作用 上記製造方法によれ？ＣＤＣプラズマＣＶＤ法に比べて
、硬く耐久性の良いダイヤモンド状薄膜が成膜中の異常
放電もなく安定く　しがも１８０Ａ／Ｓという量産性に
適した堆積速度で得られる。
ところで、耐久走行後のヘッド汚れＣよ　走行によりは
がれ落ちた磁性粉やバックコート粉を潤滑剤が固めたも
のである。このヘッド汚れの多少ζよ測定環境より１５
℃程度高い温度での潤滑剤の溶融粘度に大きく影響され
　粘度が高いほどヘッド汚れは多くなる。そこで、ヘッ
ド汚れを少なくするにＣ戴　　低湿環境での凝着による
スチル走行耐久性低下を防ぐためのフッ素原子を含んだ
分子構造を前提とり、５℃から４０℃程度の実使用温度
において粘度が低い液体力＼　この温度範囲ではほとん
ど溶融しない固体である必要があも　上記の潤滑剤層は
これらの条件を満足し　スチル特性とヘッド汚れの両項
目を両立させることが可能であム実施例 本発明における磁気記録媒体の構成（よ　第２図に示さ
れも　突起層９を有する基板ｌＯ上に強磁性金属薄膜８
が形成されていも　その上には　プラズマ重合膜７、ダ
イヤモンド状炭素膜６、潤滑剤層５が順次形成され　裏
面に番え　　バックコート１１が設けられていも　従来
　ダイヤモンド状炭素膜６はメタンとアルゴンの混合ガ
スを原料として、放電管内圧０．３Ｔｏｒｒの条件でＤ
ＣプラズマＣＶＤ法により成膜していた　その際第１図
に示すようＥ磁性層１に電流を流して半導体的抵抗値の
出側近接ローラ３からアースにおとしていも　電位的に
は　放電管２の電極をプラスとして８００ボルトから４
０００ボルトの電圧を印加していも　しかし　この方法
では電圧を上昇していくと硬さが上昇→飽和→低下し　
飽和レベルも低いので、ダイヤモンド状炭素膜６の耐久
性をあるレベル以上には上げられなかった　さらく　成
膜中の異常放電がかならず発生し　成膜速度も２０　Ａ
／Ｓと遅かったそこで、放電管内圧は０．３Ｔｏｒｒと
し　イソオクタンとアルゴンまたは　プロパンとアルゴ
ン等の炭素数３以上の飽和あるいは不飽和炭化水素とア
ルゴンとの混合ガスを原料として周波数８０Ｈｚから２
００ＫＨｚピーク印加電圧をプラス５００ボルト以上で
プラズマ放電させるとＤＣプラズマＣＶＤ法よりも硬く
耐久性の良いダイヤモンド状炭素膜６が安定に量産的ス
ピードで得られることが判明し九　（室温で液体の材料
は減圧導入あるいは加熱減圧導入した　）この硬度の上
がったダイヤモンド状炭素膜６によりスチル耐久性を大
幅に向上させることができも　また　同じようにして８
０Ｈｚから２００ＫＨｚの周波数でプラス５００ボルト
以上の電圧　たとえばプラス４０００ボルトでプラズマ
放電させながらプラス１０００ボルトから２５００ボル
トのＤＣ電圧を重畳しても硬いダイヤモンド状炭素膜６
が安定に量産的スピードで得られることも判明し九　ち
なみに　シリコンウェハー上に３μｍ厚に形成したダイ
ヤモンド状炭素膜をマイクロビッカース法で測定したと
こ、ｋ　　ＤＣ法ではいくら電圧を上げても最高２７０
０Ｋｇ／ｍｍ”であった力（本発明の方法によれに（３
０００Ｋｇ／ｍｍ２から３５００Ｋｇ／ｍｍ”の膜が容
易に得られ九　以降は硬さという間接的指標でなく、ス
チル耐久性という直接向　実用的な評価指標での結果に
ついて示す。交流の周波数とスチルライフ（１７２イン
チＭＩＩＶＴＲ２３℃−１０％）をプロットすると第３
図のようにな４　鑞　第３図ではプラスのピーク電圧を
２５００ボルト、導入ガス圧を０．３Ｔｏｒｒでの結果
を示している力（原料材料の種類をかえても電圧を５０
０から４０００ボルト、　ガス圧を０．０５Ｔｏｒｒか
ら０．８Ｔｏｒｒまで変化させても周波数依存性は第３
図と全く同様であっ九 また　８０Ｈｚから２００ＫＨ２の交流だけを使う力＼
　あるいは８０Ｈｚから２００ＫＨｚの交流とこの交流
電圧の２０％から７０％の直流電圧を重畳した本発明の
製造方法において（よ　従来の技術で説明したＰＩ−Ｃ
ＶＤ法というＤＣ電圧だけをプラズマ放電管内に印加し
　この放電管の外部に１３．　５６ＭＨｚの高周波をか
けたり、かけなかったりする方法では必ず発生していた
図−６のような異常放電はまったく発生せず、磁気記録
媒体としての品質の劣化を伴わなｔ〜 さらく　本発明ではイソオクタンガスを用いた場合ダイ
ヤモンド状炭素膜の堆積速度がメタンの４ａ　　８０Ａ
／Ｓに達し　ベンゼン、　トルニス２、３−ジメチル−
１，３−ブタジェンを用いると１８ＯＡ／Ｓから２００
　Ａ／Ｓとメタンの１０倍にも達し量産上問題のないレ
ベルである。しか耘　膜の硬度も十分であった　この結
果を第１表にまとめも （２） −１ 耐久走行後のヘッド汚れは　走行によりはがれ落ちた磁
性粉やバックコート粉を潤滑剤が固めたものであも　こ
のヘッド汚れの多少（よ　測定環境より１５℃程度高い
温度での潤滑剤の溶融粘度に大きく影響され　粘度が高
いほどヘッド汚れは多くなも　そこで、金属薄膜型磁気
記録媒体のヘッド汚れを少なくするにζよ　第一に低湿
環境での凝着によるスチル走行耐久性低下を防ぐために
フッ素原子を含んだ潤滑剤の分子構造が必要になム　次
へ　５℃から４０℃程度の実使用温度において粘度が低
い液体力＼　この温度範囲ではほとんど溶融しない固体
である必要があ４　以上の結果より、我々は融点が５℃
以下の部分フツ素化アルキルカルボン酸エステル Ｒｆ−Ｒ−ＣＯＯ−ＲまたはＲｆ−Ｒ−Ｃｏｏ−Ｒｆか
融点が５０℃から９０℃の部分フツ素化アルキルカルボ
ン酸 Ｒｆ−Ｒ−ＣＯＯＨ のどちらかを潤滑剤層に用いればスチル特性とヘッド汚
れの両項目を両立させることが可能であることを発明し
た　ここで、Ｒｆはフロロアリール末端基または炭素数
３以上の直鎮あるいは分枝の飽祖　不飽和のフロロアル
キル末端基であ＆Ｒは合計炭素数１０以上のアルキレン
付フェニレン基またはその誘導未　あるいは炭素数１０
以上の置板　分枝の飽和あるいは不飽和の脂肪族アルキ
レン基からなる炭化水素であも　カルボン酸の融点が９
０℃以上になると実使用環境で十分な潤滑効果が得られ
な（ｌ　具体的に例を上げると、 ＲｆとしてＧ表　たとえば ＨＣｈ　（ＣＦ２　）−−（ｎ−３以上の整数）Ｃｎ　
Ｆ２　ｎ　−＋ Ｃｓ　Ｆｓ　− Ｒとしては　たとえば ”ＣＩ、Ｈ２ｎ −ＣｎＨ２ｎ−１− −ＣＪ２ｎ−４− （ｎ−１０以上の整数） −Ｃ＊Ｈａ−ＣｏＨａ−− を上げることができも　フロロアルキル末端基または　
フロロアリール末端基と脂肪属アルキレン基またはアル
キレン付フェニレン基とは直接あるいは下記の例のよう
な各種結合基を介して結合した形をとも −ｏ−，−ｓ−、−ｃｏｏ−。
以下本発明の磁気記録媒体を磁気テープを例に上げて添
付図面に基づいて説明す孔　な耘　高硬度ダイヤモンド
状炭素膜の製造方法はこの中で詳しく説明すも　異常に
大きな突起のな賎　表面粗さのコントロールされた９、
５μｍ厚のポリエチレンテレフタレート基板１０の上面
へ１００人の粒子径の微小粒子をその密度が１　ｍｍ”
当り１０４〜１０８個になるようにコーティング法によ
り突起層９を形成すもこの上へ　真空蒸着法により酸素
を導入しなからＣｏ（８０）−Ｎｉ（２０）の強磁性金
属薄膜８を１８００人の膜厚で形成した徽　バックコー
ト層１１を基板ｌＯの裏面側にコーティング法により０
．５μｍの厚みで形成すも　この金属薄膜８上へ真空度
０．ＩＴｏｒｒ、　　１５ＫＨｚの周波数、５００ボル
トの電圧でシクロヘキサン又はイソオクタン等の環状ま
たは直鎖状の炭化水素を原料としてプラズマ重合膜７を
５Ａ〜２ＯＡの膜厚で形成する。次にこのプラズマ重合
膜７上へ炭素数３以上の飽和あるいは不飽和の直鎖ある
いは分枝炭化水素または芳香族炭化水素だ１す、あるい
はこれら炭化水素とアルゴンを原料とｌ、、　　８０Ｈ
ｚから２００ＫＨｚの周波数でプラス５００ボルト以上
のピーク電圧たとえば３０００ボルトの条件でプラズマ
ＣＶＤ法によりダイヤモンド状炭素膜６を８０Ａから１
６ＯＡの厚さで連続的に成膜する。な耘　炭化水素ガス
の分子量が増えるほど高い電圧をかけないと十分な硬度
は得られな１．％　　液体のものは減圧又は加熱減圧し
て導入し九　放電管２内の圧力は０．３Ｔｏｒｒ程度で
十分であり、アルゴン：炭化水素の混合割合は１：６か
ら１：２が好ましｌ、％　　２００ＫＨｚ以上の周波数
での特性は第３図に示したように好ましくなＬ％　　原
因は理論的に解明されてはいないがイオンが基板に衝突
する際の運動エネルギーが高い周波数では低下するため
ではないかと考えられも　このようにして成膜したダイ
ヤモンド状炭素膜６はイソオクタンとアルゴンの混合系
やベンゼンとアルゴンの混合系から成膜した場合でも共
へ　メタンとアルゴンを原料としたＤＣプラズマＣＶＤ
法から成膜したものより耐久性の良いものが得られ丸　
な耘電位的に（よ　第５図に示すようへ　放電管２内の
電極に交流を印加し　金属薄膜磁気テープを半導体的抵
抗値の近接ローラ３を介してアースにおとしている。な
おチャンバー内はＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒであも　プ
ラスのＤＣ電圧を重畳する場合も同様である力交　交流
で放電させてからＤＣ電圧を加える。
このダイヤモンド状炭素膜６上へ含フッソアルキルカル
ボン酸Ｃｏ　Ｆ　＋　＋　ＱＣｓ　Ｈａ　（ＣＨ２）　
＋　＋　Ｃ０ＯＨを２ＯＡから５０Ａの厚みになるよう
に一般的なコーターで溶媒に溶かして塗布するかあるい
は有機蒸着法により潤滑剤層５を形成すも　その後スリ
ッターにより１／２インチに切断して作成した１７２イ
ンチ用金属薄膜型磁気テープをＭＩＩＶＴＲによりスチ
ル特性を測定し島　なおスチルライフは出力が−３，０
ｄＢ低下した時点を寿命とした　その結果を第１表に示
す。
な耘　サンプル１．２．３は比較のためにＤＣプラズマ
ＣＶＤ法でダイヤモンド状炭素膜を製造したものであり
、サンプル４，５．６．７、８は炭化水素とアルゴンに
よる製造方法　サンプル９、１０は炭化水素だけによる
製造方法である。
（以下余白） 第１表 串印は比較例 ま？、ＤＣプラズマＣＶＤ法と本発明との比較を第４図
に示す。このデータは１０ＫＨｚの周波数でゼロからの
プラスピーク電圧は２５００ボルド一定とじへ　用いた
ガスはイソオクタン：アルゴン＝４：１で、放電内圧は
０．３Ｔｏｒｒであ４ｉ　　この特性も材料の種類　ガ
ス玉　電圧によらず成膜ができる広範囲の条件で同様に
確認され九　周波数についても本願の８０Ｈｚから２０
０ＫＨｚの範囲では第４図と同様であった　さらに周波
数Ｉ　ＫＨｚピーク電圧３０００ボルトの条件で、イソ
オクタン：アルゴンを４：１とした原料ガスを０．３Ｔ
ｏｒｒの内圧により成膜したダイヤモンド状炭素膜６上
へ潤滑剤として含フッソアルキルカルボン酸エステル、
　たとえば ＣｅＦ＋＋０ＣｅＨ４（ＣＨａ）＋＋Ｃ００Ｃ＋ｓＨ２
＋　　　（１１）、Ｃｓ　Ｆｓ　ｔ　（ＣＨ２）＋　５
ｃＯＯｃｓ　Ｈ＋　？　　　　　　（１２）、またはを
４０人の厚みで投法１／２インチの磁気テープとした　
これらをそれぞれサンプル１１、１２、１３とし九 同様＋＝　　含フツソカルボン酸 たとえば、 ＨＣＦａ　Ｃ（ＣＦ２　）・（ＣＨ２戸Ｃ０ＯＨ（１４
）、ＣｓＦ＋＋（ＣＨ＋２）＋−ＣＯＯＨ（１５）、Ｃ
ａＦ６ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）Ｉ　４ＣＯＯＨ（１
６）、ＣｅＦ＋ｖＯ（ＣＨ２）２＠ｃＯＯＨ（１７）、
またはＣ１・Ｈａ　ｓ　ＣＨ−ＣＯＯＨ（１８）ＣｓＦ
＋ｙＯＣＯ を潤滑剤としたサンプルを１４．１５．１６．１７．１
８としたこれらサンプル１１から１８を２３℃−７０％
の環境で３０分長のテープをＭＩＩＶＴＲにより３００
バスくり返し走行させた後のヘッド汚れを調べた　ヘッ
ド汚れは数値化し　数値が大きいほど汚れがひどく、０
から１０までに分類し九　また　これら３００パス走行
後のサンプル１１から１８の５℃−８０％環境でのスチ
ルライフも測定し九　スチルライフは第１表と同じく出
力が−３，ＯｄＢ低下した時点を寿命とし九　これらの
結果を第２表に示す。以上の第１表と第４図第２表の結
果をまとめると、次のことが明かであも　すなわ’ｘ　
　８０Ｈｚから２００ＫＨｚの周波数を用（＼５００ボ
ルト以上のピーク電圧だけまたはピーク電圧の２０％〜
７０％のＤＣ電圧を重畳して炭素数３以上の種々の炭化
水素だけまたは種種の炭化水素とアルゴンの混合比率を
最適化してダイヤモンド状炭素膜を形成し　融点を規定
した含フッソアルキルカルボン酸または含フッソアルキ
ルカルボン酸エステルを潤滑剤として用いればスチル特
性を向上し　耐久走行後のヘッド汚れをほとんどなくす
ことができも （以下余白） 第２表 ３ανくス」者主趣のヘラ旨号ｉとスチノ図剤生以上の
ように本実施例ではポリエチレンテレフタレートを基板
とした金属薄膜型の蒸着テープを例に上げて説明した力
（他にもポリイミドを基板とした金属薄膜型の垂直テー
プやフロッピーディスクにもそのまま用いることができ
る。さらにはダイヤモンド状炭素膜の製法が連続式から
バッチ式へ変化はするが磁気ディスクにも展開可能であ
る。
発明の効果 本発明の製造方法によれは　ダイヤモンド状炭素膜成膜
中の異常放電もまったくなく、　１８０Ａ／Ｓから２０
０　Ａ／Ｓという量産的堆積速度で耐久性の高し＼　改
善されたダイヤモンド状炭素膜を備えた磁気記録媒体を
実現できる。また本発明によれば　耐久走行後のヘッド
汚れがほとんどない金属薄膜型磁気記録媒体が得られる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における磁気記録媒体の製造
方法に用いられるダイヤモンド状炭素膜製造装置の概要
を示す断面＠　第２図は本発明の実施例における金属薄
膜型磁気テープの概略的な断面医　第３図はプラズマ放
電における周波数とスチルライフの関係を示すグラフ、
第４図＆飄　プラズマ放電に重畳するＤＣ電圧とスチル
ライフの関係を示すグラフ、第５図は本発明による電気
配線の例を示す医　第６図は従来のＰＩ−ＣＶＤ法での
ダイヤモンド状炭素膜製造中に発生する異常放電の電流
波形を示す波形図であム ト・・・薄膜型磁気テープ磁性層値　２・・・・放電管
、　３・・・・近接ローラ４、真空［５・・・・潤滑剤
Ｊｌ、６・・・・ダイヤモンド状炭素［７・・・・プラ
ズマ重合［８・・・・強磁性金属薄１１１Ｌ９・・・・
突起凰１０・・基板、　１１・・バックコート。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、この磁
    性層上にプラズマ重合膜、ダイヤモンド状炭素膜さらに
    潤滑剤層をこの順に設けた磁気記録媒体の製造方法にお
    いて、前記ダイヤモンド状炭素膜を、８０Ｈｚから２０
    ０ｋＨｚの周波数、プラス５００ボルト以上のピーク電
    圧で、炭素数３以上の炭化水素を原料としたプラズマＣ
    ＶＤ法により連続的に成膜することを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。
  2. （２）炭化水素とともにヘリウム、ネオン、アルゴン、
    クリプトン、キセノン、ラドンより選ばれた１種類の不
    活性ガスを混合してダイヤモンド状炭素膜を形成する請
    求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
  3. （３）ダイヤモンド状炭素膜を、８０Ｈｚから２００Ｋ
    Ｈｚの周波数、プラス５００ボルト以上のピーク電圧と
    ピーク電圧の２０〜７０％のプラスのＤＣ電圧とを重畳
    した電圧条件下でのプラズマＣＶＤ法により成膜するこ
    とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法
    。
  4. （４）非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、この磁
    性層上にプラズマ重合膜、ダイヤモンド状炭素膜及び潤
    滑剤層をこの順序で設けた磁気記録媒体において、前記
    潤滑剤層が融点５℃以下の含フッソアルキルカルボン酸
    エステルまたは融点５０℃から９０℃の含フッソアルキ
    ルカルボン酸のどちらかであることを特徴とする磁気記
    録媒体。
JP28619790A 1989-12-11 1990-10-23 磁気記録媒体およびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0721858B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-321698 1989-12-11
JP32169889 1989-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03224132A true JPH03224132A (ja) 1991-10-03
JPH0721858B2 JPH0721858B2 (ja) 1995-03-08

Family

ID=18135426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28619790A Expired - Lifetime JPH0721858B2 (ja) 1989-12-11 1990-10-23 磁気記録媒体およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5182132A (ja)
EP (1) EP0432536B1 (ja)
JP (1) JPH0721858B2 (ja)
DE (1) DE69022826T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5549979A (en) * 1992-03-12 1996-08-27 Tdk Corporation Magnetic recording medium
US6835523B1 (en) 1993-05-09 2004-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating
WO2005007707A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Daikin Industries, Ltd. 含フッ素重合体の製造方法、含フッ素重合体水性分散液、２−アシルオキシカルボン酸誘導体及び界面活性剤
KR100521120B1 (ko) * 1998-02-13 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체소자의 표면처리방법 및 장치

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930011413B1 (ko) * 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
JPH04205814A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Nec Corp 磁気記憶体
EP0523607B1 (en) * 1991-07-15 1997-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic recording medium, sliding member and manufacturing method thereof
JPH0525648A (ja) * 1991-07-15 1993-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ成膜方法
JP3008666B2 (ja) * 1992-04-30 2000-02-14 松下電器産業株式会社 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法
JP2990681B2 (ja) * 1992-08-12 1999-12-13 富士写真フイルム株式会社 磁気記録媒体
EP0594082A1 (en) * 1992-10-20 1994-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic recording medium and its manufacturing method
US5637373A (en) 1992-11-19 1997-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Magnetic recording medium
US6805941B1 (en) 1992-11-19 2004-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Magnetic recording medium
US5932302A (en) 1993-07-20 1999-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating with ultrasonic vibration a carbon coating
JP2746073B2 (ja) * 1993-08-25 1998-04-28 日本電気株式会社 磁気記憶体の製造方法
US5677051A (en) * 1993-11-30 1997-10-14 Tdk Corporation Magnetic recording medium having a specified plasma polymerized hydrogen containing carbon film and lubricant
JP3491942B2 (ja) * 1994-01-31 2004-02-03 富士写真フイルム株式会社 磁気記録媒体
JPH0845017A (ja) * 1994-07-13 1996-02-16 Samsung Electron Co Ltd 磁気ヘッドの製造方法
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US5462784A (en) * 1994-11-02 1995-10-31 International Business Machines Corporation Fluorinated diamond-like carbon protective coating for magnetic recording media devices
EP0743375B1 (en) * 1995-03-31 2000-07-12 CeramOptec GmbH Method of producing diamond-like-carbon coatings
JPH08321029A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Sony Corp 磁気記録媒体及びその製造方法
US5781377A (en) * 1996-02-20 1998-07-14 Seagate Technology, Inc. Slider with protective DLC or nonhygroscopic coating on the trailing edge face
US5858477A (en) * 1996-12-10 1999-01-12 Akashic Memories Corporation Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon
US5888594A (en) * 1996-11-05 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US5948166A (en) * 1996-11-05 1999-09-07 3M Innovative Properties Company Process and apparatus for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US5852636A (en) * 1997-08-08 1998-12-22 Serge Mathieu Method of and apparatus for modulation of FSK carrier in a very narrow band
US5986851A (en) * 1997-08-15 1999-11-16 Seagate Technology, Inc. Selective carbon overcoat of the trailing edge of MR sliders
US6203898B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6338777B1 (en) 1998-10-23 2002-01-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for sputtering thin films
US6542334B2 (en) 1998-11-18 2003-04-01 Seagate Technology Llc Edge structure for slider-disc interface and method of manufacture therefor
US20030175485A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and resistance roller used for the method
US7327535B2 (en) * 2003-05-08 2008-02-05 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Hybrid coating for magnetic heads
JP2008171505A (ja) 2007-01-12 2008-07-24 Showa Denko Kk 炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置
JP2010003359A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi Ltd 熱アシスト磁気記録用磁気ディスク及びそれを用いた磁気ディスク装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50104602A (ja) * 1974-01-21 1975-08-18
JPS60119629A (ja) * 1983-11-30 1985-06-27 Sony Corp 磁気記録媒体
US4645977A (en) * 1984-08-31 1987-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma CVD apparatus and method for forming a diamond like carbon film
JPS61210518A (ja) * 1985-03-13 1986-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPS61253634A (ja) * 1985-05-01 1986-11-11 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体
JPH0736216B2 (ja) * 1985-10-15 1995-04-19 日立マクセル株式会社 磁気デイスク
CA1297738C (en) * 1986-01-09 1992-03-24 Hirofumi Kondo Magnetic recording medium
US4833031A (en) * 1986-03-20 1989-05-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic recording medium
US4880687A (en) * 1986-05-09 1989-11-14 Tdk Corporation Magnetic recording medium
US4833032A (en) * 1986-09-12 1989-05-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Texturing polyester yarns
EP0277783B1 (en) * 1987-02-02 1994-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
KR900008505B1 (ko) * 1987-02-24 1990-11-24 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법
US5275850A (en) * 1988-04-20 1994-01-04 Hitachi, Ltd. Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias
JPH03130919A (ja) * 1989-07-07 1991-06-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5549979A (en) * 1992-03-12 1996-08-27 Tdk Corporation Magnetic recording medium
US6835523B1 (en) 1993-05-09 2004-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating
KR100521120B1 (ko) * 1998-02-13 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체소자의 표면처리방법 및 장치
WO2005007707A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Daikin Industries, Ltd. 含フッ素重合体の製造方法、含フッ素重合体水性分散液、２−アシルオキシカルボン酸誘導体及び界面活性剤
US7569631B2 (en) 2003-07-16 2009-08-04 Daikin Industries, Ltd. Method for producing fluorine-containing polymer, aqueous dispersion of fluorine-containing polymer,2-acyloxycarboxylic acid derivative, and surface active agent
US7754796B2 (en) 2003-07-16 2010-07-13 Daikin Industries, Ltd. Method for producing fluorine-containing polymer, aqueous dispersion of fluorine-containing polymer, 2-acyloxycarboxylic acid derivative, and surface active agent.
US8067528B2 (en) 2003-07-16 2011-11-29 Daikin Industries, Ltd. Method for producing fluorine-containing polymer, aqueous dispersion of fluorine-containing polymer, 2-acyloxycarboxylic acid derivative, and surface active agent

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0721858B2 (ja) 1995-03-08
US5443888A (en) 1995-08-22
EP0432536A3 (en) 1991-11-06
DE69022826T2 (de) 1996-03-07
EP0432536A2 (en) 1991-06-19
DE69022826D1 (de) 1995-11-09
EP0432536B1 (en) 1995-10-04
US5182132A (en) 1993-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03224132A (ja) 磁気記録媒体およびその製造方法
US4599266A (en) Magnetic recording medium
US6855232B2 (en) Magnetic disk comprising a first carbon overcoat having a high SP3 content and a second carbon overcoat having a low SP3 content
JPH0546613B2 (ja)
JP2918816B2 (ja) ダイヤモンド状硬質カーボンフィルムが二重コーティングされたｖｔｒヘッドドラムとそのコーティング層の形成方法及び装置
US7638020B2 (en) Vertical magnetic recording medium and manufacturing method thereof
JPS61126627A (ja) 磁気記録媒体
JP3232948B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH0464920A (ja) 金属薄膜型磁気記録媒体の炭素質保護膜およびその成膜方法
JPH01245417A (ja) 磁気記録媒体
JP3108156B2 (ja) 磁気記録媒体およびその製造方法
JPS62229526A (ja) 磁気記録媒体
JPH0262888B2 (ja)
KR950015218A (ko) 자기 기록 매체 및 그의 제조 방법
JPH0770050B2 (ja) 磁気記録媒体
JPH07153071A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPS634418A (ja) 構成層亀裂に潤滑物質を保有させた磁気記録媒体
JPH08194942A (ja) プラズマｃｖｄ製膜法およびこれによって作製される磁気記録媒体
JPH07153064A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
JPH0772939B2 (ja) 磁気記録媒体
JPH06195694A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
JPH05342565A (ja) 磁気記録媒体とその製造方法
JPH06259754A (ja) 磁気記録媒体とその製造方法
JPH07225941A (ja) 磁気記録媒体
JPH08129739A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308

Year of fee payment: 16