JPH03224249A - 接合ウエーハの製造方法 - Google Patents
接合ウエーハの製造方法Info
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- JPH03224249A JPH03224249A JP1786290A JP1786290A JPH03224249A JP H03224249 A JPH03224249 A JP H03224249A JP 1786290 A JP1786290 A JP 1786290A JP 1786290 A JP1786290 A JP 1786290A JP H03224249 A JPH03224249 A JP H03224249A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、２枚の半導体ウェーハを接合一体化して成る
接合ウェーハの製造方法に関する。
接合ウェーハの製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置の製造に当っては、単結晶の半導体ウェーハ
上に気相成長法て特定の導電型を有する半導体層を形成
し、この半導体層に機能素子を形成する技術か広く利用
されている。
上に気相成長法て特定の導電型を有する半導体層を形成
し、この半導体層に機能素子を形成する技術か広く利用
されている。
ところか、上記技術においては、気相成長に長時間を要
するとともに、素子設計の自由度に制約を受けるため、
近年ＳＯＩ （Ｓｉ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｉｏｎ）ウ
ェーハの如き接合ウェーハか製造されるようになった。
するとともに、素子設計の自由度に制約を受けるため、
近年ＳＯＩ （Ｓｉ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｉｏｎ）ウ
ェーハの如き接合ウェーハか製造されるようになった。
この接合ウェーハは４２枚の半導体ウェーハの少なくと
も一方を酸化処理してそのウェーハの少なくとも一方の
表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体ウェーハを
前記酸化膜が中間層になるようにして重ね合わせた後、
所定温度に加熱して両者を接着し、その上層のウェーハ
（以下、ボンドウェーハと称す）を研磨加工してこれを
薄膜化することによって得られる。
も一方を酸化処理してそのウェーハの少なくとも一方の
表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体ウェーハを
前記酸化膜が中間層になるようにして重ね合わせた後、
所定温度に加熱して両者を接着し、その上層のウェーハ
（以下、ボンドウェーハと称す）を研磨加工してこれを
薄膜化することによって得られる。
ところで、前記研磨加工は、ボンドウェーハを所定の研
磨代（例えば、３＃Ｌｍ）を残して所定の厚さ（例えば
、６ｇｍ）になるまて研磨するプレ研磨（１次研磨）と
、プレ研磨されたボンドウェーハを最終の厚さ（例えば
、３ｇｍ）まて研磨する２次研磨と２次研磨されたボン
ドウェーハを鏡面研磨する仕上げ研磨とから成るか、２
次研磨か施されたボンドウェーハの厚さ（例えば、３ｐ
ｍ）はダイヤルゲージによって空気中で測定されていた
。
磨代（例えば、３＃Ｌｍ）を残して所定の厚さ（例えば
、６ｇｍ）になるまて研磨するプレ研磨（１次研磨）と
、プレ研磨されたボンドウェーハを最終の厚さ（例えば
、３ｇｍ）まて研磨する２次研磨と２次研磨されたボン
ドウェーハを鏡面研磨する仕上げ研磨とから成るか、２
次研磨か施されたボンドウェーハの厚さ（例えば、３ｐ
ｍ）はダイヤルゲージによって空気中で測定されていた
。
（発明か解決しようとする課題）
しかしながら、ボンドウェーハの厚さ（例えば、３ｇｍ
）に対してダイヤルゲージの測定精度は±０．５μｍと
悪く、仕上げ研磨か終了したボンドウェーハの厚さを最
終工程の膜厚検査で測定すると、その値か許容値を逸脱
している場合があり、斯かる場合には、製品を２次研磨
工程に差し戻してこの製品に対して２次研磨以降の工程
を繰り返さねばならず、このために生産効率か低下する
という問題を生ずる。尚、膜厚検査ては、可視光を用い
た非接触式の膜厚測定器によってボンドウェーハの厚さ
か±０．０１ ａ ｍの精度て測定される。
）に対してダイヤルゲージの測定精度は±０．５μｍと
悪く、仕上げ研磨か終了したボンドウェーハの厚さを最
終工程の膜厚検査で測定すると、その値か許容値を逸脱
している場合があり、斯かる場合には、製品を２次研磨
工程に差し戻してこの製品に対して２次研磨以降の工程
を繰り返さねばならず、このために生産効率か低下する
という問題を生ずる。尚、膜厚検査ては、可視光を用い
た非接触式の膜厚測定器によってボンドウェーハの厚さ
か±０．０１ ａ ｍの精度て測定される。
又、２次研磨後のボンドウェーハの厚さか前述のように
空気中て測定される場合には、ボンドウェーハの空気と
の接触時間にもよるか、測定後に該ボンドウェーハの研
磨面に高さか５０〜１００人、直径か５０〜２００ ｐ
、ｍの略円形の台地状突起か多数形成され、この突起は
ボンドウェーハを仕上げ研磨（通常、１μｍ以下の研磨
量）しても消滅しないという問題かあった。勿論、斯か
る面異常は仕上げ研磨か終了した後、研磨物を空気中に
放置したときにも起こる。
空気中て測定される場合には、ボンドウェーハの空気と
の接触時間にもよるか、測定後に該ボンドウェーハの研
磨面に高さか５０〜１００人、直径か５０〜２００ ｐ
、ｍの略円形の台地状突起か多数形成され、この突起は
ボンドウェーハを仕上げ研磨（通常、１μｍ以下の研磨
量）しても消滅しないという問題かあった。勿論、斯か
る面異常は仕上げ研磨か終了した後、研磨物を空気中に
放置したときにも起こる。
ところで、前記突起は微分干渉顕微鏡て容易にその存在
を確認することかてきるか、面異常を生したボンドウェ
ーハの鏡面は、特に高集積度の集積回路素子形成のため
の基板表面としては不適当である。
を確認することかてきるか、面異常を生したボンドウェ
ーハの鏡面は、特に高集積度の集積回路素子形成のため
の基板表面としては不適当である。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、研磨加工中における上層のウェーハの厚さを
高精度に測定することによって生産効率を高めることか
てきるとともに、ウェーハに面異常か発生するのを抑え
て製品の品質向上を図ることかてきる接合ウェーハの製
造方法を提供することにある。
する処は、研磨加工中における上層のウェーハの厚さを
高精度に測定することによって生産効率を高めることか
てきるとともに、ウェーハに面異常か発生するのを抑え
て製品の品質向上を図ることかてきる接合ウェーハの製
造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成すべく本発明は、２枚の半導体ウェーハ
の少なくとも一方を酸化処理してそのウェーハの少なく
とも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体
ウェーハを前記酸化膜か中間層になるようにして重ね合
わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し、その上層
のウェーハを研磨加工してこれを薄膜化することによっ
て接合ウェーハを得る接合ウェーハの製造方法においで
、前記研磨加工の途中で、前記接着ウェーハを水中に浸
漬せしめた状態でその上層のウェーハの厚さを、可視光
を用いた非接触式の膜厚測定器によって測定するように
したことをその特徴とする。
の少なくとも一方を酸化処理してそのウェーハの少なく
とも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体
ウェーハを前記酸化膜か中間層になるようにして重ね合
わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し、その上層
のウェーハを研磨加工してこれを薄膜化することによっ
て接合ウェーハを得る接合ウェーハの製造方法においで
、前記研磨加工の途中で、前記接着ウェーハを水中に浸
漬せしめた状態でその上層のウェーハの厚さを、可視光
を用いた非接触式の膜厚測定器によって測定するように
したことをその特徴とする。
（作用）
本発明方法によれば、研磨工程（特に、２次研磨終了後
）において接合ウェーハの上層のウェーハ（ボンドウェ
ーハ）の厚さは、最終工程である膜厚検査において用い
られていると同様の膜厚測定器によって高精度に測定さ
れるため、従来のように製品を研磨工程に差し戻して該
製品に対してそれ以降の工程を繰り返す作業を省くこと
かでき、これによって生産効率か高められる。
）において接合ウェーハの上層のウェーハ（ボンドウェ
ーハ）の厚さは、最終工程である膜厚検査において用い
られていると同様の膜厚測定器によって高精度に測定さ
れるため、従来のように製品を研磨工程に差し戻して該
製品に対してそれ以降の工程を繰り返す作業を省くこと
かでき、これによって生産効率か高められる。
又、接合ウェーハは水中においてその上層のウェーハの
厚さ測定か行なわれるため、そのウェーハ表面か部分的
に乾燥することによる面異常の発生か防がれ、当該接合
ウェーハの品質か高く保たれる。
厚さ測定か行なわれるため、そのウェーハ表面か部分的
に乾燥することによる面異常の発生か防がれ、当該接合
ウェーハの品質か高く保たれる。
ところで、前記面異常は、既述のように表面に多数の微
少突起か形成されることによって起こるか、これの発生
理由は、研磨面か研磨中に発生した摩擦熱によって加温
されており、且つこの研磨面には残存研磨液か接触して
いるために、不均一なエツチングか進んだためと考えら
れる。即ち、研磨面上の研磨液は研磨面に部分的に存在
する疎水性領域から弾かれるため、その弾かれた部分の
エツチングか進まず、その他の部分のエッチングか進む
ためと考えることかてきる。
少突起か形成されることによって起こるか、これの発生
理由は、研磨面か研磨中に発生した摩擦熱によって加温
されており、且つこの研磨面には残存研磨液か接触して
いるために、不均一なエツチングか進んだためと考えら
れる。即ち、研磨面上の研磨液は研磨面に部分的に存在
する疎水性領域から弾かれるため、その弾かれた部分の
エツチングか進まず、その他の部分のエッチングか進む
ためと考えることかてきる。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る接合ウェーハの製
造方法をその工程順示す説明図、第２図は同フローチャ
ートである。
造方法をその工程順示す説明図、第２図は同フローチャ
ートである。
第１図及び第２図に基づいて本発明に係る接合ウェーハ
の製造方法を概説するに、第１図（ａ）に示すように素
子形成面となるべき単結晶のシリコンウェーハ（以下、
ボンドウェーハと称す）ｌとベース材となるべき同しく
単結晶のシリコンウェーハ（以下、ベースウェーハと称
す）２とを用意しく第２図のステップｌ）、一方のボン
ドウェーハｌを酸化処理してその一方の表面にＳｉＯ□
の薄い酸化膜３を形成する（第２図のステップ２）。
の製造方法を概説するに、第１図（ａ）に示すように素
子形成面となるべき単結晶のシリコンウェーハ（以下、
ボンドウェーハと称す）ｌとベース材となるべき同しく
単結晶のシリコンウェーハ（以下、ベースウェーハと称
す）２とを用意しく第２図のステップｌ）、一方のボン
ドウェーハｌを酸化処理してその一方の表面にＳｉＯ□
の薄い酸化膜３を形成する（第２図のステップ２）。
次に、第１図（ｂ）に示すように、上記２枚のウェーハ
１，２を前記酸化膜３か中間層になるようにして重ね合
わせ、これらウェーハ１，２を所定温度に加熱して両者
を接着する（第２図のステップ３）。その後、第１図（
ｃ）に示すようにプレ研磨（１次研磨）によってボンド
ウェーハ１を所定の研磨式（３μｍ）を残して所定の厚
さｔ ＋（＝ ６４ ｍ ）になるまで研磨する（第２
図のステップ４）。尚、第１図（ｃ）の斜線部分はプレ
研磨によって切除される部分を示す。
１，２を前記酸化膜３か中間層になるようにして重ね合
わせ、これらウェーハ１，２を所定温度に加熱して両者
を接着する（第２図のステップ３）。その後、第１図（
ｃ）に示すようにプレ研磨（１次研磨）によってボンド
ウェーハ１を所定の研磨式（３μｍ）を残して所定の厚
さｔ ＋（＝ ６４ ｍ ）になるまで研磨する（第２
図のステップ４）。尚、第１図（ｃ）の斜線部分はプレ
研磨によって切除される部分を示す。
ところで、実際には、上記プレ研磨前に、接着されたウ
ェーハ１，２の表面を平面研削した後、その表面にマス
キンクテープを貼着し、これらウェーハ１．２をエツチ
ング液中に浸漬してその周辺をエツチングするか、ここ
てはその詳細な説明は省略する。
ェーハ１，２の表面を平面研削した後、その表面にマス
キンクテープを貼着し、これらウェーハ１．２をエツチ
ング液中に浸漬してその周辺をエツチングするか、ここ
てはその詳細な説明は省略する。
而しで、前述のようにプレ研磨された厚さｔ。
のボンドウェーハｌは、第１図（ｄ）に示すように２次
研磨によって厚さｔ２ （＝３ｇｍ、）まで研磨されて
薄膜化され（第２図のステップ５）、これによりて第１
図（ｅ）に示すような接合ウェーハ４が得られる。尚、
第１図（ｄ）の斜線部分は２次研磨によって切除される
部分を示す。
研磨によって厚さｔ２ （＝３ｇｍ、）まで研磨されて
薄膜化され（第２図のステップ５）、これによりて第１
図（ｅ）に示すような接合ウェーハ４が得られる。尚、
第１図（ｄ）の斜線部分は２次研磨によって切除される
部分を示す。
上記２次研磨か終了した後、接合ウェーハ４は第３図及
び第４図に示す膜厚測定装置１０によって水中に浸漬さ
れた状態でそのボンドウェーハｌの厚さｔ２ （＝３ｇ
ｍ）か測定される（第２図のステップ６）。
び第４図に示す膜厚測定装置１０によって水中に浸漬さ
れた状態でそのボンドウェーハｌの厚さｔ２ （＝３ｇ
ｍ）か測定される（第２図のステップ６）。
ここで、上記膜厚測定器ＷＩＯの概略構成を第３図及び
第４図に基づいて説明する。尚、第３図は膜厚測定装置
１０の正面図、１４図は同平面図である。
第４図に基づいて説明する。尚、第３図は膜厚測定装置
１０の正面図、１４図は同平面図である。
図においては、１１は枠構造を成す基台であり、該基台
１１上には可視光を用いた非接触式の膜厚測定器（商品
名工ナノスペック／ＡＦＴ （ナノメトリクス社製））
１２かＸ軸ステージ１３及びＹ軸ステージ１４に沿って
移動自在に設置されている。尚、膜厚側定器１２は±０
．０１μｍの測定精度を有し、これはモータＭ１．Ｍ２
によって駆動されるボールネジ機構によって前記Ｘ軸ス
テージ１３及びＹ軸ステージ１４に沿って移動せしめら
れる。
１１上には可視光を用いた非接触式の膜厚測定器（商品
名工ナノスペック／ＡＦＴ （ナノメトリクス社製））
１２かＸ軸ステージ１３及びＹ軸ステージ１４に沿って
移動自在に設置されている。尚、膜厚側定器１２は±０
．０１μｍの測定精度を有し、これはモータＭ１．Ｍ２
によって駆動されるボールネジ機構によって前記Ｘ軸ス
テージ１３及びＹ軸ステージ１４に沿って移動せしめら
れる。
又、前記基台１１上の膜厚測定器１２の手前側（第４図
の下側）には矩形の水槽１５か設置されており、該水槽
１５内には四方に延びるウェーハセット用のベース１６
・・・か収容されており、同水槽１５の底部には注水口
１７と排水口１８か設けられている。尚、水槽１５内に
は注水口１７から供給された純水か収容されている。
の下側）には矩形の水槽１５か設置されており、該水槽
１５内には四方に延びるウェーハセット用のベース１６
・・・か収容されており、同水槽１５の底部には注水口
１７と排水口１８か設けられている。尚、水槽１５内に
は注水口１７から供給された純水か収容されている。
更に、基台１１の水槽１５の側方には、膜厚測定器１２
の作動を制御し、且つ測定データを処理するためのパー
ソナルコンピュータ１９か設置されており、該パーソナ
ルコンピュータ１９上には測定データ等を表示すべきＣ
Ｒ７表示装置２０か設けられている。そして又、基台１
１上の膜厚測定器１２の側方には、膜厚測定器１２のレ
ンズの焦点を自動調整するためのオートフォーカスコン
トローラ２１か設置されている。尚４膜厚測定器１２の
レンズ部分は防水処理されており、この部分への水の浸
入が防がれる。
の作動を制御し、且つ測定データを処理するためのパー
ソナルコンピュータ１９か設置されており、該パーソナ
ルコンピュータ１９上には測定データ等を表示すべきＣ
Ｒ７表示装置２０か設けられている。そして又、基台１
１上の膜厚測定器１２の側方には、膜厚測定器１２のレ
ンズの焦点を自動調整するためのオートフォーカスコン
トローラ２１か設置されている。尚４膜厚測定器１２の
レンズ部分は防水処理されており、この部分への水の浸
入が防がれる。
而しで、前記２次研磨か終了した接合ウェーハ４は、第
４図に示すように円板状のガラス５上にワックスによっ
て貼着され、ガラス５と共に水槽ｌ５内の純水中に浸漬
せしめられ、膜厚測定器１２によってそのボンドウェー
ハｌの厚さｔ２（＝３ｇｍ）か測定される。具体的には
、ボンドウェーハｌは、第５図に示すようにその中心位
置■と、該中心位置■を通る互いに直交する２本の直線
上の点であっで、該ボンドウェーハ１の周縁からｌＯ■
謹内側内側■、■、■、■及びボンドウェーハｌの半径
γの半分子 ／ ２の点■、■、■。
４図に示すように円板状のガラス５上にワックスによっ
て貼着され、ガラス５と共に水槽ｌ５内の純水中に浸漬
せしめられ、膜厚測定器１２によってそのボンドウェー
ハｌの厚さｔ２（＝３ｇｍ）か測定される。具体的には
、ボンドウェーハｌは、第５図に示すようにその中心位
置■と、該中心位置■を通る互いに直交する２本の直線
上の点であっで、該ボンドウェーハ１の周縁からｌＯ■
謹内側内側■、■、■、■及びボンドウェーハｌの半径
γの半分子 ／ ２の点■、■、■。
■の９点においてその厚さｔ２か測定され、膜厚測定器
１２の各測定点■〜■への移動はパーソナルコンピュー
タ１９に予め入力されたプログラムに従ってなされる。
１２の各測定点■〜■への移動はパーソナルコンピュー
タ１９に予め入力されたプログラムに従ってなされる。
ところで、本膜厚測定装置ｌＯによるボンドウェーハｌ
の厚さｔ２の水中での測定の信頼性を確認するために直
径１５０曹■のボンドウェーハに対して水中と空気中で
厚さ測定した結果の一例を下表に示す（表中の数字の単
位は４ｍである）。
の厚さｔ２の水中での測定の信頼性を確認するために直
径１５０曹■のボンドウェーハに対して水中と空気中で
厚さ測定した結果の一例を下表に示す（表中の数字の単
位は４ｍである）。
尚、測定器として可視光を用いた膜厚測定器１２を採用
したのは、可視光は水中での吸収か少ない理由による。
したのは、可視光は水中での吸収か少ない理由による。
上表より、水中と空気中における膜厚測定データは高い
精度（相関係数＝０．９９８ ）で一致しており、水中
での膜厚測定の高い信頼性が確認された。
精度（相関係数＝０．９９８ ）で一致しており、水中
での膜厚測定の高い信頼性が確認された。
尚１本実施例にて使用された膜厚測定器（商品名：ナノ
スペック／ＡＦＴ （ナノメトリクス社製））１２は、
光源としてタングステンランプ。
スペック／ＡＦＴ （ナノメトリクス社製））１２は、
光源としてタングステンランプ。
回折格子としてホログラフィック凹格子を用いており、
その測定範囲は１００人〜５０ｐｍであり、シリコン基
板上或いはガラス基板上での各種の膜厚測定か可能てあ
っで、本実施例に係るボンドウェーハｌの厚さ測定につ
いては、厚さ３ｇｍに対して少なくとも±２％の精度で
測定し得る。
その測定範囲は１００人〜５０ｐｍであり、シリコン基
板上或いはガラス基板上での各種の膜厚測定か可能てあ
っで、本実施例に係るボンドウェーハｌの厚さ測定につ
いては、厚さ３ｇｍに対して少なくとも±２％の精度で
測定し得る。
而しで、膜厚測定器ＷＩＯによるボンドウェーハｌの厚
さｔ２の測定が終了すると、その厚さｔ２が許容値内に
あるか否かか判定され（！ｓ２図のステップ７）、厚さ
ｔ２か許容値から外れている場合にはその接合ウェーハ
４は２次研磨工程（第２図のステップ５）に戻され、再
び２次研磨され、前記と同様にボンドウェーハｌの厚さ
ｔ２か測定される（第２図のステップ６）、そして。
さｔ２の測定が終了すると、その厚さｔ２が許容値内に
あるか否かか判定され（！ｓ２図のステップ７）、厚さ
ｔ２か許容値から外れている場合にはその接合ウェーハ
４は２次研磨工程（第２図のステップ５）に戻され、再
び２次研磨され、前記と同様にボンドウェーハｌの厚さ
ｔ２か測定される（第２図のステップ６）、そして。
ボンドウェーハｌの厚さｔ２が許容値内に入るまて以上
の作業（ステップ５からステップ７までの作業）か繰り
返される。
の作業（ステップ５からステップ７までの作業）か繰り
返される。
一方、ボンドウェーハｌの厚さｔ２が許容値内に入って
いる場合には、次工程の仕上げ研磨によってボンドウェ
ーハｌの表面か鏡面化され（ｗ４２図のステップ８）、
その後、当該接合ウェーハ４はガラス５から剥され（第
２図のステップ９）、処理液て洗浄されてこれに付着し
たワツク不か除去される（第２図のステップｌＯ）、そ
して最後に、接合ウェーハ４は前記膜厚測定器１２と同
型式の膜厚測定器によってそのボンドウェーハｌの厚さ
ｔ２か空気中て測定される（第２図のステップ１１）。
いる場合には、次工程の仕上げ研磨によってボンドウェ
ーハｌの表面か鏡面化され（ｗ４２図のステップ８）、
その後、当該接合ウェーハ４はガラス５から剥され（第
２図のステップ９）、処理液て洗浄されてこれに付着し
たワツク不か除去される（第２図のステップｌＯ）、そ
して最後に、接合ウェーハ４は前記膜厚測定器１２と同
型式の膜厚測定器によってそのボンドウェーハｌの厚さ
ｔ２か空気中て測定される（第２図のステップ１１）。
以上説明した一連の製造工程においで、２次研磨が終了
した接合ウェーハ４のボンドウェーハ１の厚さｔ２は、
最終工程である膜厚検査において用いられると同型式の
可視光を用いた非接触式の膜厚測定器１２によって高精
度に測定されるため、従来要していた膜厚検査か終了し
た製品を研磨工程に差し戻してそれ以降の工程を繰り返
す作業を省くことができ、これによって生産効率を高め
ることができる。
した接合ウェーハ４のボンドウェーハ１の厚さｔ２は、
最終工程である膜厚検査において用いられると同型式の
可視光を用いた非接触式の膜厚測定器１２によって高精
度に測定されるため、従来要していた膜厚検査か終了し
た製品を研磨工程に差し戻してそれ以降の工程を繰り返
す作業を省くことができ、これによって生産効率を高め
ることができる。
又、接合ウェーハ４は膜厚測定装置１０によって水中で
そのボンドウェーハ１の厚さｔ２か測定されるため、そ
の表面が部分的に乾燥することによる面異常の発生か防
がれ、当該接合ウェーＡ４の品質が高く保たれる。
そのボンドウェーハ１の厚さｔ２か測定されるため、そ
の表面が部分的に乾燥することによる面異常の発生か防
がれ、当該接合ウェーＡ４の品質が高く保たれる。
（発明の効果）
以上の説明て明らかな如く本発明によれば、２枚の半導
体ウェーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウェー
ハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２
枚の半導体ウェーハを前記酸化膜か中間層になるように
して重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し
、その上層のウェーハを研磨加工してこれを薄膜化する
ことによって接合ウェーハを得る接合ウェーハの製造方
法においで、前記研磨加工の途中で、前記接合ウェーハ
を水中に浸漬せしめた状態でその上層のウェーハの厚さ
を、可視光を用いた非接触式の膜厚測定器によって測定
するようにしたため、研磨加工中における上層のウェー
ハの厚さを高精度に測定することによって生産効率を高
めることができるとともに、ウェーハに面異常か発生す
るのを抑えて製品の品質向上を図ることかできるという
効果か得られる。
体ウェーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウェー
ハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２
枚の半導体ウェーハを前記酸化膜か中間層になるように
して重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し
、その上層のウェーハを研磨加工してこれを薄膜化する
ことによって接合ウェーハを得る接合ウェーハの製造方
法においで、前記研磨加工の途中で、前記接合ウェーハ
を水中に浸漬せしめた状態でその上層のウェーハの厚さ
を、可視光を用いた非接触式の膜厚測定器によって測定
するようにしたため、研磨加工中における上層のウェー
ハの厚さを高精度に測定することによって生産効率を高
めることができるとともに、ウェーハに面異常か発生す
るのを抑えて製品の品質向上を図ることかできるという
効果か得られる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る接合ウェーハの製
造方法をその工程順示す説明図、第２図は同フローチャ
ート、第３図は膜厚測定装置の正面図、第４図は同平面
図、第５図は測定点を示すウェーハの平面図である。 ｌ・・・ボンドウェーハ（上層のウェーハ）、２・・・
ベースウェーハ、３・・・酸化膜、４・・・接合ウェー
ハ、１２・・・膜厚測定器。
造方法をその工程順示す説明図、第２図は同フローチャ
ート、第３図は膜厚測定装置の正面図、第４図は同平面
図、第５図は測定点を示すウェーハの平面図である。 ｌ・・・ボンドウェーハ（上層のウェーハ）、２・・・
ベースウェーハ、３・・・酸化膜、４・・・接合ウェー
ハ、１２・・・膜厚測定器。
Claims (1)
- ２枚の半導体ウェーハの少なくとも一方を酸化処理して
そのウェーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し
、これら２枚の半導体ウェーハを前記酸化膜が中間層に
なるようにして重ね合わせた後、所定温度に加熱して両
者を接着し、その上層のウェーハを研磨加工してこれを
薄膜化することによって接合ウェーハを得る接合ウェー
ハの製造方法において、前記研磨加工の途中で、前記接
合ウェーハを水中に浸漬せしめた状態でその上層のウェ
ーハの厚さを、可視光を用いた非接触式の膜厚測定器に
よって測定するようにしたことを特徴とする接合ウェー
ハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1786290A JP2838273B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 接合ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1786290A JP2838273B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 接合ウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224249A true JPH03224249A (ja) | 1991-10-03 |
| JP2838273B2 JP2838273B2 (ja) | 1998-12-16 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7169015B2 (en) | 1995-05-23 | 2007-01-30 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Apparatus for optical inspection of wafers during processing |
| JP2007331106A (ja) * | 1995-05-23 | 2007-12-27 | Nova Measuring Instruments Ltd | 測定ステーション、研磨機械、ウェハを研磨するための方法、および、ウェハの光学的測定方法 |
| JP2010188489A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Covalent Materials Corp | 接合ウェーハの製造方法 |
| JP2011101059A (ja) * | 2011-02-21 | 2011-05-19 | Covalent Materials Corp | 接合ウェーハの製造方法 |
| JP2015070013A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| CN109952173A (zh) * | 2016-11-10 | 2019-06-28 | 硅电子股份公司 | 用于在两侧抛光半导体晶圆的方法 |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP1786290A patent/JP2838273B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2015070013A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| CN109952173A (zh) * | 2016-11-10 | 2019-06-28 | 硅电子股份公司 | 用于在两侧抛光半导体晶圆的方法 |
| CN109952173B (zh) * | 2016-11-10 | 2021-07-13 | 硅电子股份公司 | 用于在两侧抛光半导体晶圆的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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