JPH0322467B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0322467B2 JPH0322467B2 JP62312933A JP31293387A JPH0322467B2 JP H0322467 B2 JPH0322467 B2 JP H0322467B2 JP 62312933 A JP62312933 A JP 62312933A JP 31293387 A JP31293387 A JP 31293387A JP H0322467 B2 JPH0322467 B2 JP H0322467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- catalytic ink
- silane coupling
- coupling agent
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 11
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 62
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 34
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 6
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 4
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 description 3
- 229920000856 Amylose Polymers 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L methyl blue Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C1NC1=CC=C(C(=C2C=CC(C=C2)=[NH+]C=2C=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)C=2C=CC(NC=3C=CC(=CC=3)S([O-])(=O)=O)=CC=2)C=C1 MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 2
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 methyl blue Chemical class 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N taurine Chemical compound NCCS(O)(=O)=O XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBHRGAHUHVVXQI-UHFFFAOYSA-N 1-triethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(N)CC JBHRGAHUHVVXQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLPBRTBBFUOESW-UHFFFAOYSA-N 1-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)OC(=O)C(C)=C NLPBRTBBFUOESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFENDNXGAFYKQO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybutyric acid Chemical class CCC(O)C(O)=O AFENDNXGAFYKQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical compound S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STZCRXQWRGQSJD-GEEYTBSJSA-M methyl orange Chemical compound [Na+].C1=CC(N(C)C)=CC=C1\N=N\C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 STZCRXQWRGQSJD-GEEYTBSJSA-M 0.000 description 1
- 229940012189 methyl orange Drugs 0.000 description 1
- YYGBVRCTHASBKD-UHFFFAOYSA-M methylene green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=C([N+]([O-])=O)C2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 YYGBVRCTHASBKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KCFBMYSSGZGILB-UHFFFAOYSA-N n'-(1-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CC)NCCN KCFBMYSSGZGILB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVVNVWMBOHQMEV-UHFFFAOYSA-N n'-(1-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)NCCN GVVNVWMBOHQMEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229960003080 taurine Drugs 0.000 description 1
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKLYMYLJOXIVFB-UHFFFAOYSA-N triethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])(OCC)OCC NKLYMYLJOXIVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQLLQQWSNWKCF-UHFFFAOYSA-N trimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])(OC)OC TUQLLQQWSNWKCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
<産業上の利用分野>
この発明は、無電解メツキ用の触媒性インクに
関する。特に、基板部の導体部形成面において、
非めつき領域をシランカツプリング剤の誘導体で
被覆処理した後、無電解めつきによりめつき領域
に導体部を形成してプリント基板を形成する方法
において、前記めつき領域に銀触媒を付与するの
に好適な触媒性インクに関する。 <従来の技術> 従来のプリント基板1は、第5図の如く、基板
部3と導体部5とから成る。一般的なエツチング
法では、銅張り積層板から不用部分を薬品で溶解
除去して、導体部5は形成される。またアデイテ
イブ法では、第6図の如く、基板部13において
導体部17を形成しない領域(以下、「非めつき
領域」という)を樹脂層15で被覆した構成とな
る。 <発明が解決しようとする問題点> かかる従来のプリント基板1,11であつて
も、今までのニーズには対応することができた。 しかしながら、昨今における装置の小型化、高
密度化にともなう、プリント基板の微細化の傾向
に十分な対応ができなくなつてきた。 特に、エツチング法によつて製造する場合、薬
品で不用部分の銅箔を溶解除去するときに、第5
図のように、導体部5の基底部まで逆テーパ状に
浸食する(いわゆるアンダーカツト現象)傾向が
ある。このため、回路の微細化で導体部5,5ど
うしの間隔をせばめていつた場合、上記薬品を細
部まで循環流動させる必要があるため、一段とこ
の傾向が強くなり、導体部5の基底部が著しく痩
せてしまい、導体部5と基板部3との密着強度は
極端に低下する。 また、一般に施されるハンダコーテイングのと
きに、ハンダが基板部3の空白部4に付着して、
短絡してしまうなどの欠点がある。 更に、第6図のプリント基板11では、樹脂層
15の存在のため、導体部17,17どうしの間
隔をせまくしていくと、めつき反応で発生する水
素ガスの放散が悪くなり、導体部17の肉厚に不
同ができたり、樹脂層15が霧状にめつきされた
りして、導体部17,17間の絶縁抵抗を阻害す
るおそれがある。 そこでこの発明は、(ア)樹脂層などの障害物を設
けないことで、水素ガスの放散を促進しながらメ
ツキすることができること、(イ)アンダーカツトの
ない均一な厚みの微細回路を形成できること、(ウ)
導体部以外の部分にハンダが付着しないこと、を
達成するプリント基板を無電解めつきの手法で製
造するに際し、高価な銀触媒を最も効率良く基板
部のめつき領域へ付与できるのに好適な触媒性イ
ンクを提供することを目的とする。 <問題点を解決するための手段> 本発明者は、上記目的を達成すべく、鋭意検討
を重ねてきた結果、下記構成の触媒性インクに想
到した。 下記組成を有効成分とすることを特徴とする触
媒性インク。 銀 塩: 0.2〜0.8重量%、 澱粉系粘結剤: 40〜60重量%、 シランカツプリング剤: 0.2〜1.3重量%、 水: 残部 ことを特徴とする。 <手段の詳細な説明> 以下、上記手段について詳細に説明をする。 触媒性インクについて この触媒性インクは、銀塩、澱粉系粘結
剤、シランカツプリング剤、必要に応じて添
加される硫黄化合物及び水を有効成分とする。 銀塩は特に限定されないが、硝酸銀、硫酸
銀、酢酸銀、安息香酸や2−ヒドロキシブタン
酸の銀塩等を挙ることができる。 配合量は、触媒性インクに対する重量%で
0.2〜0.8%、好ましくは0.4〜0.6%である。 0.2重量%未満では、めつきを析出させるの
に不十分であり、また0.8重量%を越えて配合
すると、印刷したときに非めつき領域まで銀塩
がにじみ出したり、はみ出したりして、該領域
にめつきが析出されるおそれがあり、それぞれ
好ましくない。 澱粉系粘結剤には、澱粉、デキストリン又は
これらの混合物を用いることができる。 配合量は、触媒性インクの粘度をスクリーン
印刷ができる程度にまで調整できる量とする。
当該触媒性インクに対する重量%で、40〜60
%、好ましくは45〜55%である。 かかる澱粉系粘結剤において、そのアミロー
ス成分は、既述の銀塩と後述のシランカツプリ
ング剤とで錯体化合物を形成している。そし
て、アミロペクチン成分が骨格となる。銀塩−
アミロース−シランカツプリング剤の錯体化合
物がアミロペクチン骨格の構造空間に包蔵され
る。尚、この澱粉系粘結剤は、印刷時に加える
せん断力によつて、一時的にその粘度が低下す
る。 シランカツプリング剤は、既述のような銀塩
及びアミロースとの錯体化合物を作るために加
えられる。尚、シランカツプリング剤は加水分
解され、シラノールのかたちで錯体を形成して
いると考えられる。尚、触媒性インクの配合を
決定する場合、シランカツプリング剤の代りに
シラノールをベースとすることも可能である
が、シランカツプリング剤を加水分解させて生
成したシラノールの量と、加水分解に要した水
の量との現実的な関係の測定に正確性を欠くた
め、この明細書では、シランカツプリング剤ベ
ースとした。つまり、本触媒性インクを調製す
るにあたり、シラノールを配合成分とすること
もできる。 尚、シランカツプリング剤とは、有機重合体
と無機材料とを化学的に結合する能力をもつて
いるシラン及びその他のけい素化合物をいう。
例えば、トリエトキシメチルシラン、トリメト
キシメチルシラン、トリエトキシフエニルシラ
ン、トリメトキシフエニルシラン、トリエトキ
シビニルシラン、α−アミノプロピルトリエト
キシシラン、N−(β−アミノエチル)−α−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、α−メタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、α−
メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン等を挙ること
ができる。そして、この明細書でいうシランカ
ツプリング剤の誘導体とは、上記シランカツプ
リング剤が水との接触によつて加水分解し、主
として、シラノールなどに変性したものをい
う。 シランカツプリング剤の配合量は、触媒性イ
ンクに対する重量%で0.2〜1.3%、好ましく
は、6.5〜8.5%である。1.3%を越えると目づま
りを起こすおそれもある。また、0.2%未満の
少ない量や、錯体過剰が生じるような1.3%を
越える多い量では、めつき領域47にめつきが
析出しなくなるので好ましくない。これは、当
該めつき領域47に触媒(Ag)の絶対量が吸
着されていないため(0.2%未満の場合)と、
錯化過剰がもたらす銀塩のイオン化されすぎ
(1.3%を越える)によると考えられる。つま
り、シランカツプリング剤の存在により、これ
の持つ官能基がめつき領域47の表面(粗化さ
れている)へ強制的に吸着し、もつて該表面へ
触媒の前駆物質である銀塩(触媒として機能す
るに足り得る量)が固定されると推定される。 尚、このとき、基板部25の材質が無機質、
有機質又は両者の混合したものであるかに応じ
て、被膜29中のシランカツプリング剤の配合
量を混入させなければならないが、これは、実
験的に決定される。 また、銀塩を上記錯体化合物の状態とするこ
とにより、有機物の存在下で露光するとAgに
還元されてしまうため、触媒性インクとしての
機能がなくなるおそれがある。よつて、保存性
を向上させるためには、遮光性と触媒に対する
毒性で分解防止機能をもつた、メチルブルー等
の有色な硫黄化合物を添加すると効果がある。
尚、かかる硫黄化合物は配合しなくてもよい。
また、触媒性インクに遮光性を付与する物質
(染料等)と、触媒毒性を付与する物質(ホル
マリン等)をそれぞれ別体として、添加するこ
ともできる。 硫黄化合物には、2−メルカプトベンゾチア
ゾール、チオ尿素、メチルブルー、メチレング
リーン、2−イミダゾリジンチオン、メチルオ
レンジ、タウリン等を挙ることができる。配合
量は、触媒性インクに対する配合量は、0.5〜
3.5重量%である。0.5重量%未満では、十分な
遮光性を得難く、また、3.5重量%を超えると、
触媒毒としての作用が強くなりすぎるので好ま
しくない。 このような触媒性インクの溶剤には水、好ま
しくはイオン交換水が使用される。 また、水の蒸発防止と粘度コントロールのた
めに、ポリビニルアルコール、エチレングリコ
ール、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、2−(2−エトキシエトキシ)エタノール
等を添加して、エマルジヨン化すると効果があ
る。 次に、上記触媒性インクを用いたプリント基板
の製造方法について説明する。 (ア) 基板部45の導体部形成面を全体的に粗化す
る工程 基板部45は、導体部43を支持可能な板状
部材であり、その形成材料は特に限定されな
い。例えば、プラスチツク、セラミツクス、ガ
ラス、半導体及びこれらの積層体を挙ることが
できる。また、基板部45における導体部43
の形成面が曲面であつてもよい。 粗化液としては、基板部45の樹脂製のと
き、クロム酸+硫酸、クロム酸+硫酸+リン
酸、硫酸+リン酸などの混合水溶液を用い、基
板部45がセラミツクス、ガラス又は半導体製
のときには、ふつ化水素酸溶液などを用いる。
そして、これらの粗化液へ基板部45を浸漬す
ると、基板部45の全域(導体部形成面も含め
て)が粗化される。 (イ) 上記触媒性インクで、基板部45のめつき領
域47へ陽画印刷をする工程 この陽画印刷は一般的なスクリーン印刷によ
り行なうことができる。印刷の幅は70μm以上
とする。また印刷の厚さは、スクリーン印刷1
回分の厚さ(例えば4〜7μm)でよい。 (ウ) 触媒性インクを現像して、剥離するととも
に、非めつき領域をシランラツプリング剤の誘
導体で被覆する工程 この工程は、上記触媒性インクを印刷した基
板部45を現像液へ浸漬することにより行な
う。 現像液は、塩酸水溶液へシランカツプリング
剤、還元剤を添加したものである。 還元剤には、亜硫酸ナトリウムなどの、銀塩
を還元できる薬剤を用いることができる。現像
液に対する配合量は、亜硫酸ナトリウムを例と
した場合では、現像液1当り10〜75g、好ま
しくは30〜50gである。 このシランカツプリング剤には、既述のもの
が使用でき、水溶液中でシラノール化してい
る。そして、既に粗化されている基板部45の
非めつき領域へ吸着(物理吸着+化学吸着)さ
れる。これにより、当該非めつき領域がシラン
カツプリング剤の誘導体で被覆されることにな
る。 かかるシランカツプリング剤の誘導体により
被覆された第4図のようなめつき制御相44
は、導体部43を無電解めつきで形成すると
き、当該非めつき領域46がめつきされること
を防止する機能を有する。つまり、水素原子や
水素ガス、金属イオン、水分子などを非めつき
領域46から跳ね返す機能がある。 そしてこの機能は、立体的に即ち3次元方向
にも効力を及ぼしていることも判明した。その
状態を推測すると、非めつき領域46上に、自
然界で見られるはずの葉上の水滴の如く、半楕
円の断面形状にめつき制御相44を形成してい
ると考えられる。このような非めつき領域46
にはさまれためつき領域47上に成長する導体
部43は、めつき制御相44で横方向の成長が
規制されるため、結果としてシヤープな方形断
面を有する導体部43が形成されるものと考え
られる(第1表参照)。 またこのめつき制御相44は、ハンダコーテ
イングのために溶融ハンダ槽に浸漬したとき
に、非めつき領域46にハンダが全く付着させ
ない性質を併せ持つていることが判明した。こ
れは、非めつき領域46が、シランカツプリン
グ剤の誘導体、又はこれが溶融ハンダ(260℃)
により加熱されて変性した酸化けい素で、被覆
されていることによると考えられる。 一方めつき領域47に陽画印刷された触媒性
インクは、銀塩(シランカツプリング剤、アミ
ロースと錯体を形成している)が、シランカツ
プリング剤の官能基の働きによりめつき領域4
7の界面に効率よく移行して結合するため、非
めつき領域へにじみ出すことなく安定して固定
される。次に、基板部45を現像液へ浸漬した
ときに、触媒性インクは膨潤とゲル化する性質
をもつている。これは、触媒性インクのアミロ
ペクチン骨格中に包蔵されて溶液化している銀
塩が、塩酸と反応して塩化銀に変化して膨潤
し、これにより、インク皮膜の構造がゲル化
(脆化)する原因になつていると推定される。
かかるゲル化した触媒性インクの構造体は崩壊
又は崩壊し易い状態となつており、水洗によつ
て完全に基板部45上から除去することができ
る。このときの粗化面をもつめつき領域47に
安定して吸着固定されている触媒基質(銀塩)
は、現像液中の還元剤によつて、触媒核に変化
するものと推定される。 (エ) 無電解めつきにより、基板部45のめつき領
域47へ導体部43を形成する工程 この工程は、基板部45を無電解めつき液へ
浸漬して行なう。 基板部45をめつき液へ浸漬すると、触媒が
付与されているめつき領域から水素或いは水素
ガスが発生してめつきが開始されるが、このと
き、非めつき領域46には、既述のめつき制御
相44が形成されている。従つて、該非めつき
領域46にはめつきが析出することを防止する
とともに、めつき領域47との境界線におい
て、そのめつき制御機能が3次元にわたつて影
響を及ぼすため、めつきが非めつき領域46へ
はみ出して成長することが制御される。よつ
て、めつき(導体部43)を所定の方形断面に
形成することができる。またこのとき、めつき
制御相44が水素ガス反発機能を有するので、
めつき領域47から発生する過剰の水素ガスの
放散を促進する。このため、微細間隔で密接し
ているめつき領域47へのめつきを効率よく施
すことができる。 尚、めつき金属はCuに限定される。このこ
とは、触媒性インクの触媒が銀塩であることに
起因している。尚、Niめつき等を行なうとき
には、予め、Cuめつき層をプライマー層とし
て形成し、その上へNiめつき層等を析出させ
ることとなる。 <発明の効果> 以上説明したように、所定の配合の銀塩、澱粉
系粘結剤、シランカツプリング剤、必要に応じて
添加される硫黄化合物及び水を有効成分とするこ
の発明の触媒性インクにより、基板部と無電解め
つきにより形成された導体部とを備えて成るプリ
ント基板を製造するに際し、基板部のめつき領域
へ最も効率良く銀触媒を付与することができる。 一方、一般的に用いられるデツピング等の方法
で銀触媒を付与しようとすると、デツピング槽中
へ大量の触媒液を溜めておかなければならず、銀
の使用量が、本発明の触媒性インクを用いる場合
よりも多くなることは明らかである。更には、歩
溜りや保存性の点においても、本発明の触媒性イ
ンクは優れている。 つまり、本発明の触媒性インクによれば、導体
部が無電解めつきにより製造されたプリント基板
を、低コストで製造できることとなる。 <実施例> 以下、この発明の実施例について説明をする。 (ア) 基板部45の表面を全体的に粗化する工程
(第1図参照) 基板部45として、厚さ3mmのABS板(有
機質)と、厚さ0.8mmのアルミナセラミツクス
(アルミナ純度;96%)板(無機質)を準備す
る。尚、板の縦横の長さは特に限定されない。 下記配合の粗化液1を調製し、45〜60℃に保
つた状態で、これへ有機質の基板部45を10〜
20分浸漬する。 粗化液1 三酸化クロム酸 30g 硫酸(比重;1.84) 500ml りん酸(比重;1.7) 100ml 全量を1とする水 〜 合計 1 一方、基板部45が無機質の場合には、46%
ふつ化水素酸溶液を室温状態に保つて、これへ
10〜20分間浸漬した。 尚、本発明者の検討によれば、下記配合の粗
化液2,3も、有機質基板部用として用いるこ
とができた。 粗化液2 三酸化クロム酸 100g 硫酸(比重;1.84) 452ml りん酸(比重;1.7) 200ml 全量を1とする水 〜 合計 1 粗化液3 三酸化クロム酸 500g 硫酸(比重;1.84) 250ml 全量を1とする水 〜 合計 1 (イ) 特定の触媒性インク53で、基板部45のめ
つき領域47へ陽画印刷をする工程(第2図参
照) 以下のようにして、触媒性インクを調製す
る。 脱イオン水の500mlへ、澱粉を500g及び、メ
チルブルー(硫黄化合物成分)2.5gを溶解させ
る。そして、50℃から80℃まで略2時間かけて
順次昇温し、全体の量が750mlとなるまで濃縮
する。すると、濃紺透明な粘性溶液が得られ
る。これを30〜40℃にまで冷却した後、これ
へ、N−(β−アミノエチル)−α−アミノプロ
ピルトリメトキシシランの7.5g、硝酸銀5.0g及
びエチレングリコール40〜65gを加える。この
ようにして得られたものを、触媒性インクIと
する。 上記において、澱粉500gの代りに、澱粉
250gとデキストリン250gを用いたものを、触
媒性インクとする。 かかる触媒性インクにより、既に粗化されて
いる基板部45へパターンを陽画状にスクリー
ン印刷する(第2図参照)。基板部45におい
て、この触媒性インク53をのせた部分がめつ
き領域47となる。そして、室温〜50℃の雰囲
気へ放置して、触媒性インク53を乾燥させ
る。 (ウ) 触媒性インク53を現像して、剥離するとと
もに、非めつき領域46をシランカツプリング
剤の誘導体で被覆する工程(第3図参照) 下記配合の現像液を調製し、その現像液へ有
機質製の基板部45(触媒性インク53も含め
て)を5〜15秒間浸漬する。 現像液1 HCl(35%溶液) 100ml 触媒性インクに配合されているシランカツプリ
ング剤 25g HCHO(37%溶液) 50ml 亜硫酸ナトリウム 20g 全量を1にする脱イオン水 〜 合計 1 基板部が無機質製の場合は、上記配合におい
て、シランカツプリング剤の量を32gとする
(これを現像液2とする)。 かかる現像液へ浸漬することにより、触媒性
インク53中の硝酸銀が塩酸と反応して塩化銀
(水不溶性)に変り、他のインク成分とともに
ゲル化する。また、非めつき領域47へシラン
カツプリング剤の誘導体が吸着し、該領域へめ
つき制御相44を形成することとなる。その
後、水洗すると、ゲル化した触媒性インク53
のみが剥離される。そして、剥離後の基板部3
5の導体部形成面におけるめつき領域には、触
媒基質(銀塩)が、現像液中の亜硫酸ナトリウ
ムにより還元されて触媒核(銀)として、付着
しているものと推定される。尚、本発明者の検
討によれば、当該現像液に配合するシランカツ
プリング剤を、触媒性インクに配合したものと
別種とすることができた。 (エ) 無電解めつきにより、基板部45のめつき領
域47へ導体部43を形成する工程(第4図参
照) 下記配合のめつき液1,2,3を用いて、下
記条件で無電解めつきを行なつた。 めつき液1(Cuめつき) CuSO4・5H2O 10g EDTA−4Na 35g HCHO(37%水溶液) 10ml 2,2′−Bipy 10ml K4Fe(CN)6・3H2O 50ml 界面活性剤 小量 NaOH PH12.4に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 70℃×50時間 めつき液2(アルカリ性Niめつき) NiCl2・6H2O 30g NaH2PO2・H2O 10g Na3C6H5O7・2H2O 75g NH4Cl 50g NH4OH PH8.5〜9.5に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 90℃×10時間 めつき液3(酸性Niめつき) NiCl2・6H2O 30g NaH2PO2・H2O 10g Na3C6H5O7・2H2O 25g NH4Cl PH5.0〜6.0に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 90℃×10時間 これにより、第4図の如く、めつき領域47
へ導体部43が形成される。そして、非めつき
領域46には、めつきが析出しなかつた。 本発明者の検討によれば、導体部43形成後
の基板部45を溶融ハンダ槽に10秒浸漬したと
き、非めつき領域46にはハンダが全く付着し
なかつた。 このようにして形成された実施例のプリント基
板41の導体部43の断面形状は、めつき領域4
7から真直に立ち上つた。一定幅の帯状めつき領
域へめつき液2を用いて形成された導体部の横断
面の寸法を、第1表に示した。導体部の各寸法
は、導体部の横断面の顕微鏡写真を撮り、これを
ノギスで測定して得られたものである。 このように、導体部の断面形状がめつき領域か
ら真直に立ち上つたものとなるのは、めつき制御
相44の作用によると考えられる。
関する。特に、基板部の導体部形成面において、
非めつき領域をシランカツプリング剤の誘導体で
被覆処理した後、無電解めつきによりめつき領域
に導体部を形成してプリント基板を形成する方法
において、前記めつき領域に銀触媒を付与するの
に好適な触媒性インクに関する。 <従来の技術> 従来のプリント基板1は、第5図の如く、基板
部3と導体部5とから成る。一般的なエツチング
法では、銅張り積層板から不用部分を薬品で溶解
除去して、導体部5は形成される。またアデイテ
イブ法では、第6図の如く、基板部13において
導体部17を形成しない領域(以下、「非めつき
領域」という)を樹脂層15で被覆した構成とな
る。 <発明が解決しようとする問題点> かかる従来のプリント基板1,11であつて
も、今までのニーズには対応することができた。 しかしながら、昨今における装置の小型化、高
密度化にともなう、プリント基板の微細化の傾向
に十分な対応ができなくなつてきた。 特に、エツチング法によつて製造する場合、薬
品で不用部分の銅箔を溶解除去するときに、第5
図のように、導体部5の基底部まで逆テーパ状に
浸食する(いわゆるアンダーカツト現象)傾向が
ある。このため、回路の微細化で導体部5,5ど
うしの間隔をせばめていつた場合、上記薬品を細
部まで循環流動させる必要があるため、一段とこ
の傾向が強くなり、導体部5の基底部が著しく痩
せてしまい、導体部5と基板部3との密着強度は
極端に低下する。 また、一般に施されるハンダコーテイングのと
きに、ハンダが基板部3の空白部4に付着して、
短絡してしまうなどの欠点がある。 更に、第6図のプリント基板11では、樹脂層
15の存在のため、導体部17,17どうしの間
隔をせまくしていくと、めつき反応で発生する水
素ガスの放散が悪くなり、導体部17の肉厚に不
同ができたり、樹脂層15が霧状にめつきされた
りして、導体部17,17間の絶縁抵抗を阻害す
るおそれがある。 そこでこの発明は、(ア)樹脂層などの障害物を設
けないことで、水素ガスの放散を促進しながらメ
ツキすることができること、(イ)アンダーカツトの
ない均一な厚みの微細回路を形成できること、(ウ)
導体部以外の部分にハンダが付着しないこと、を
達成するプリント基板を無電解めつきの手法で製
造するに際し、高価な銀触媒を最も効率良く基板
部のめつき領域へ付与できるのに好適な触媒性イ
ンクを提供することを目的とする。 <問題点を解決するための手段> 本発明者は、上記目的を達成すべく、鋭意検討
を重ねてきた結果、下記構成の触媒性インクに想
到した。 下記組成を有効成分とすることを特徴とする触
媒性インク。 銀 塩: 0.2〜0.8重量%、 澱粉系粘結剤: 40〜60重量%、 シランカツプリング剤: 0.2〜1.3重量%、 水: 残部 ことを特徴とする。 <手段の詳細な説明> 以下、上記手段について詳細に説明をする。 触媒性インクについて この触媒性インクは、銀塩、澱粉系粘結
剤、シランカツプリング剤、必要に応じて添
加される硫黄化合物及び水を有効成分とする。 銀塩は特に限定されないが、硝酸銀、硫酸
銀、酢酸銀、安息香酸や2−ヒドロキシブタン
酸の銀塩等を挙ることができる。 配合量は、触媒性インクに対する重量%で
0.2〜0.8%、好ましくは0.4〜0.6%である。 0.2重量%未満では、めつきを析出させるの
に不十分であり、また0.8重量%を越えて配合
すると、印刷したときに非めつき領域まで銀塩
がにじみ出したり、はみ出したりして、該領域
にめつきが析出されるおそれがあり、それぞれ
好ましくない。 澱粉系粘結剤には、澱粉、デキストリン又は
これらの混合物を用いることができる。 配合量は、触媒性インクの粘度をスクリーン
印刷ができる程度にまで調整できる量とする。
当該触媒性インクに対する重量%で、40〜60
%、好ましくは45〜55%である。 かかる澱粉系粘結剤において、そのアミロー
ス成分は、既述の銀塩と後述のシランカツプリ
ング剤とで錯体化合物を形成している。そし
て、アミロペクチン成分が骨格となる。銀塩−
アミロース−シランカツプリング剤の錯体化合
物がアミロペクチン骨格の構造空間に包蔵され
る。尚、この澱粉系粘結剤は、印刷時に加える
せん断力によつて、一時的にその粘度が低下す
る。 シランカツプリング剤は、既述のような銀塩
及びアミロースとの錯体化合物を作るために加
えられる。尚、シランカツプリング剤は加水分
解され、シラノールのかたちで錯体を形成して
いると考えられる。尚、触媒性インクの配合を
決定する場合、シランカツプリング剤の代りに
シラノールをベースとすることも可能である
が、シランカツプリング剤を加水分解させて生
成したシラノールの量と、加水分解に要した水
の量との現実的な関係の測定に正確性を欠くた
め、この明細書では、シランカツプリング剤ベ
ースとした。つまり、本触媒性インクを調製す
るにあたり、シラノールを配合成分とすること
もできる。 尚、シランカツプリング剤とは、有機重合体
と無機材料とを化学的に結合する能力をもつて
いるシラン及びその他のけい素化合物をいう。
例えば、トリエトキシメチルシラン、トリメト
キシメチルシラン、トリエトキシフエニルシラ
ン、トリメトキシフエニルシラン、トリエトキ
シビニルシラン、α−アミノプロピルトリエト
キシシラン、N−(β−アミノエチル)−α−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、α−メタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、α−
メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン等を挙ること
ができる。そして、この明細書でいうシランカ
ツプリング剤の誘導体とは、上記シランカツプ
リング剤が水との接触によつて加水分解し、主
として、シラノールなどに変性したものをい
う。 シランカツプリング剤の配合量は、触媒性イ
ンクに対する重量%で0.2〜1.3%、好ましく
は、6.5〜8.5%である。1.3%を越えると目づま
りを起こすおそれもある。また、0.2%未満の
少ない量や、錯体過剰が生じるような1.3%を
越える多い量では、めつき領域47にめつきが
析出しなくなるので好ましくない。これは、当
該めつき領域47に触媒(Ag)の絶対量が吸
着されていないため(0.2%未満の場合)と、
錯化過剰がもたらす銀塩のイオン化されすぎ
(1.3%を越える)によると考えられる。つま
り、シランカツプリング剤の存在により、これ
の持つ官能基がめつき領域47の表面(粗化さ
れている)へ強制的に吸着し、もつて該表面へ
触媒の前駆物質である銀塩(触媒として機能す
るに足り得る量)が固定されると推定される。 尚、このとき、基板部25の材質が無機質、
有機質又は両者の混合したものであるかに応じ
て、被膜29中のシランカツプリング剤の配合
量を混入させなければならないが、これは、実
験的に決定される。 また、銀塩を上記錯体化合物の状態とするこ
とにより、有機物の存在下で露光するとAgに
還元されてしまうため、触媒性インクとしての
機能がなくなるおそれがある。よつて、保存性
を向上させるためには、遮光性と触媒に対する
毒性で分解防止機能をもつた、メチルブルー等
の有色な硫黄化合物を添加すると効果がある。
尚、かかる硫黄化合物は配合しなくてもよい。
また、触媒性インクに遮光性を付与する物質
(染料等)と、触媒毒性を付与する物質(ホル
マリン等)をそれぞれ別体として、添加するこ
ともできる。 硫黄化合物には、2−メルカプトベンゾチア
ゾール、チオ尿素、メチルブルー、メチレング
リーン、2−イミダゾリジンチオン、メチルオ
レンジ、タウリン等を挙ることができる。配合
量は、触媒性インクに対する配合量は、0.5〜
3.5重量%である。0.5重量%未満では、十分な
遮光性を得難く、また、3.5重量%を超えると、
触媒毒としての作用が強くなりすぎるので好ま
しくない。 このような触媒性インクの溶剤には水、好ま
しくはイオン交換水が使用される。 また、水の蒸発防止と粘度コントロールのた
めに、ポリビニルアルコール、エチレングリコ
ール、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、2−(2−エトキシエトキシ)エタノール
等を添加して、エマルジヨン化すると効果があ
る。 次に、上記触媒性インクを用いたプリント基板
の製造方法について説明する。 (ア) 基板部45の導体部形成面を全体的に粗化す
る工程 基板部45は、導体部43を支持可能な板状
部材であり、その形成材料は特に限定されな
い。例えば、プラスチツク、セラミツクス、ガ
ラス、半導体及びこれらの積層体を挙ることが
できる。また、基板部45における導体部43
の形成面が曲面であつてもよい。 粗化液としては、基板部45の樹脂製のと
き、クロム酸+硫酸、クロム酸+硫酸+リン
酸、硫酸+リン酸などの混合水溶液を用い、基
板部45がセラミツクス、ガラス又は半導体製
のときには、ふつ化水素酸溶液などを用いる。
そして、これらの粗化液へ基板部45を浸漬す
ると、基板部45の全域(導体部形成面も含め
て)が粗化される。 (イ) 上記触媒性インクで、基板部45のめつき領
域47へ陽画印刷をする工程 この陽画印刷は一般的なスクリーン印刷によ
り行なうことができる。印刷の幅は70μm以上
とする。また印刷の厚さは、スクリーン印刷1
回分の厚さ(例えば4〜7μm)でよい。 (ウ) 触媒性インクを現像して、剥離するととも
に、非めつき領域をシランラツプリング剤の誘
導体で被覆する工程 この工程は、上記触媒性インクを印刷した基
板部45を現像液へ浸漬することにより行な
う。 現像液は、塩酸水溶液へシランカツプリング
剤、還元剤を添加したものである。 還元剤には、亜硫酸ナトリウムなどの、銀塩
を還元できる薬剤を用いることができる。現像
液に対する配合量は、亜硫酸ナトリウムを例と
した場合では、現像液1当り10〜75g、好ま
しくは30〜50gである。 このシランカツプリング剤には、既述のもの
が使用でき、水溶液中でシラノール化してい
る。そして、既に粗化されている基板部45の
非めつき領域へ吸着(物理吸着+化学吸着)さ
れる。これにより、当該非めつき領域がシラン
カツプリング剤の誘導体で被覆されることにな
る。 かかるシランカツプリング剤の誘導体により
被覆された第4図のようなめつき制御相44
は、導体部43を無電解めつきで形成すると
き、当該非めつき領域46がめつきされること
を防止する機能を有する。つまり、水素原子や
水素ガス、金属イオン、水分子などを非めつき
領域46から跳ね返す機能がある。 そしてこの機能は、立体的に即ち3次元方向
にも効力を及ぼしていることも判明した。その
状態を推測すると、非めつき領域46上に、自
然界で見られるはずの葉上の水滴の如く、半楕
円の断面形状にめつき制御相44を形成してい
ると考えられる。このような非めつき領域46
にはさまれためつき領域47上に成長する導体
部43は、めつき制御相44で横方向の成長が
規制されるため、結果としてシヤープな方形断
面を有する導体部43が形成されるものと考え
られる(第1表参照)。 またこのめつき制御相44は、ハンダコーテ
イングのために溶融ハンダ槽に浸漬したとき
に、非めつき領域46にハンダが全く付着させ
ない性質を併せ持つていることが判明した。こ
れは、非めつき領域46が、シランカツプリン
グ剤の誘導体、又はこれが溶融ハンダ(260℃)
により加熱されて変性した酸化けい素で、被覆
されていることによると考えられる。 一方めつき領域47に陽画印刷された触媒性
インクは、銀塩(シランカツプリング剤、アミ
ロースと錯体を形成している)が、シランカツ
プリング剤の官能基の働きによりめつき領域4
7の界面に効率よく移行して結合するため、非
めつき領域へにじみ出すことなく安定して固定
される。次に、基板部45を現像液へ浸漬した
ときに、触媒性インクは膨潤とゲル化する性質
をもつている。これは、触媒性インクのアミロ
ペクチン骨格中に包蔵されて溶液化している銀
塩が、塩酸と反応して塩化銀に変化して膨潤
し、これにより、インク皮膜の構造がゲル化
(脆化)する原因になつていると推定される。
かかるゲル化した触媒性インクの構造体は崩壊
又は崩壊し易い状態となつており、水洗によつ
て完全に基板部45上から除去することができ
る。このときの粗化面をもつめつき領域47に
安定して吸着固定されている触媒基質(銀塩)
は、現像液中の還元剤によつて、触媒核に変化
するものと推定される。 (エ) 無電解めつきにより、基板部45のめつき領
域47へ導体部43を形成する工程 この工程は、基板部45を無電解めつき液へ
浸漬して行なう。 基板部45をめつき液へ浸漬すると、触媒が
付与されているめつき領域から水素或いは水素
ガスが発生してめつきが開始されるが、このと
き、非めつき領域46には、既述のめつき制御
相44が形成されている。従つて、該非めつき
領域46にはめつきが析出することを防止する
とともに、めつき領域47との境界線におい
て、そのめつき制御機能が3次元にわたつて影
響を及ぼすため、めつきが非めつき領域46へ
はみ出して成長することが制御される。よつ
て、めつき(導体部43)を所定の方形断面に
形成することができる。またこのとき、めつき
制御相44が水素ガス反発機能を有するので、
めつき領域47から発生する過剰の水素ガスの
放散を促進する。このため、微細間隔で密接し
ているめつき領域47へのめつきを効率よく施
すことができる。 尚、めつき金属はCuに限定される。このこ
とは、触媒性インクの触媒が銀塩であることに
起因している。尚、Niめつき等を行なうとき
には、予め、Cuめつき層をプライマー層とし
て形成し、その上へNiめつき層等を析出させ
ることとなる。 <発明の効果> 以上説明したように、所定の配合の銀塩、澱粉
系粘結剤、シランカツプリング剤、必要に応じて
添加される硫黄化合物及び水を有効成分とするこ
の発明の触媒性インクにより、基板部と無電解め
つきにより形成された導体部とを備えて成るプリ
ント基板を製造するに際し、基板部のめつき領域
へ最も効率良く銀触媒を付与することができる。 一方、一般的に用いられるデツピング等の方法
で銀触媒を付与しようとすると、デツピング槽中
へ大量の触媒液を溜めておかなければならず、銀
の使用量が、本発明の触媒性インクを用いる場合
よりも多くなることは明らかである。更には、歩
溜りや保存性の点においても、本発明の触媒性イ
ンクは優れている。 つまり、本発明の触媒性インクによれば、導体
部が無電解めつきにより製造されたプリント基板
を、低コストで製造できることとなる。 <実施例> 以下、この発明の実施例について説明をする。 (ア) 基板部45の表面を全体的に粗化する工程
(第1図参照) 基板部45として、厚さ3mmのABS板(有
機質)と、厚さ0.8mmのアルミナセラミツクス
(アルミナ純度;96%)板(無機質)を準備す
る。尚、板の縦横の長さは特に限定されない。 下記配合の粗化液1を調製し、45〜60℃に保
つた状態で、これへ有機質の基板部45を10〜
20分浸漬する。 粗化液1 三酸化クロム酸 30g 硫酸(比重;1.84) 500ml りん酸(比重;1.7) 100ml 全量を1とする水 〜 合計 1 一方、基板部45が無機質の場合には、46%
ふつ化水素酸溶液を室温状態に保つて、これへ
10〜20分間浸漬した。 尚、本発明者の検討によれば、下記配合の粗
化液2,3も、有機質基板部用として用いるこ
とができた。 粗化液2 三酸化クロム酸 100g 硫酸(比重;1.84) 452ml りん酸(比重;1.7) 200ml 全量を1とする水 〜 合計 1 粗化液3 三酸化クロム酸 500g 硫酸(比重;1.84) 250ml 全量を1とする水 〜 合計 1 (イ) 特定の触媒性インク53で、基板部45のめ
つき領域47へ陽画印刷をする工程(第2図参
照) 以下のようにして、触媒性インクを調製す
る。 脱イオン水の500mlへ、澱粉を500g及び、メ
チルブルー(硫黄化合物成分)2.5gを溶解させ
る。そして、50℃から80℃まで略2時間かけて
順次昇温し、全体の量が750mlとなるまで濃縮
する。すると、濃紺透明な粘性溶液が得られ
る。これを30〜40℃にまで冷却した後、これ
へ、N−(β−アミノエチル)−α−アミノプロ
ピルトリメトキシシランの7.5g、硝酸銀5.0g及
びエチレングリコール40〜65gを加える。この
ようにして得られたものを、触媒性インクIと
する。 上記において、澱粉500gの代りに、澱粉
250gとデキストリン250gを用いたものを、触
媒性インクとする。 かかる触媒性インクにより、既に粗化されて
いる基板部45へパターンを陽画状にスクリー
ン印刷する(第2図参照)。基板部45におい
て、この触媒性インク53をのせた部分がめつ
き領域47となる。そして、室温〜50℃の雰囲
気へ放置して、触媒性インク53を乾燥させ
る。 (ウ) 触媒性インク53を現像して、剥離するとと
もに、非めつき領域46をシランカツプリング
剤の誘導体で被覆する工程(第3図参照) 下記配合の現像液を調製し、その現像液へ有
機質製の基板部45(触媒性インク53も含め
て)を5〜15秒間浸漬する。 現像液1 HCl(35%溶液) 100ml 触媒性インクに配合されているシランカツプリ
ング剤 25g HCHO(37%溶液) 50ml 亜硫酸ナトリウム 20g 全量を1にする脱イオン水 〜 合計 1 基板部が無機質製の場合は、上記配合におい
て、シランカツプリング剤の量を32gとする
(これを現像液2とする)。 かかる現像液へ浸漬することにより、触媒性
インク53中の硝酸銀が塩酸と反応して塩化銀
(水不溶性)に変り、他のインク成分とともに
ゲル化する。また、非めつき領域47へシラン
カツプリング剤の誘導体が吸着し、該領域へめ
つき制御相44を形成することとなる。その
後、水洗すると、ゲル化した触媒性インク53
のみが剥離される。そして、剥離後の基板部3
5の導体部形成面におけるめつき領域には、触
媒基質(銀塩)が、現像液中の亜硫酸ナトリウ
ムにより還元されて触媒核(銀)として、付着
しているものと推定される。尚、本発明者の検
討によれば、当該現像液に配合するシランカツ
プリング剤を、触媒性インクに配合したものと
別種とすることができた。 (エ) 無電解めつきにより、基板部45のめつき領
域47へ導体部43を形成する工程(第4図参
照) 下記配合のめつき液1,2,3を用いて、下
記条件で無電解めつきを行なつた。 めつき液1(Cuめつき) CuSO4・5H2O 10g EDTA−4Na 35g HCHO(37%水溶液) 10ml 2,2′−Bipy 10ml K4Fe(CN)6・3H2O 50ml 界面活性剤 小量 NaOH PH12.4に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 70℃×50時間 めつき液2(アルカリ性Niめつき) NiCl2・6H2O 30g NaH2PO2・H2O 10g Na3C6H5O7・2H2O 75g NH4Cl 50g NH4OH PH8.5〜9.5に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 90℃×10時間 めつき液3(酸性Niめつき) NiCl2・6H2O 30g NaH2PO2・H2O 10g Na3C6H5O7・2H2O 25g NH4Cl PH5.0〜6.0に調整する量 全量を1とする水 〜 合計 1 めつき条件 90℃×10時間 これにより、第4図の如く、めつき領域47
へ導体部43が形成される。そして、非めつき
領域46には、めつきが析出しなかつた。 本発明者の検討によれば、導体部43形成後
の基板部45を溶融ハンダ槽に10秒浸漬したと
き、非めつき領域46にはハンダが全く付着し
なかつた。 このようにして形成された実施例のプリント基
板41の導体部43の断面形状は、めつき領域4
7から真直に立ち上つた。一定幅の帯状めつき領
域へめつき液2を用いて形成された導体部の横断
面の寸法を、第1表に示した。導体部の各寸法
は、導体部の横断面の顕微鏡写真を撮り、これを
ノギスで測定して得られたものである。 このように、導体部の断面形状がめつき領域か
ら真直に立ち上つたものとなるのは、めつき制御
相44の作用によると考えられる。
【表】
第1図はこの発明の実施例の基板部45を示す
断面図、第2図は第1図のものへ触媒性インク5
3を陽画印刷する工程、第3図は第2図のものを
現像した状態を示す断面図、第4図はこの発明の
実施例のプリント基板41を示す断面図であり、
第5,6図は従来例のプリント基板1,11の断
面図である。 1,11,41……プリント基板、3,13,
45……基板部、5,17,43……導体部。
断面図、第2図は第1図のものへ触媒性インク5
3を陽画印刷する工程、第3図は第2図のものを
現像した状態を示す断面図、第4図はこの発明の
実施例のプリント基板41を示す断面図であり、
第5,6図は従来例のプリント基板1,11の断
面図である。 1,11,41……プリント基板、3,13,
45……基板部、5,17,43……導体部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記組成を有効成分とすることを特徴とする
無電解メツキ用の触媒性インク; 銀 塩: 0.2〜0.8重量%、 澱粉系粘結剤: 40〜60重量%、 シランカツプリング剤: 0.2〜1.3重量%、 水: 残部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312933A JPS63270474A (ja) | 1986-12-10 | 1987-12-09 | 触媒性インク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29437386 | 1986-12-10 | ||
| JP61-294373 | 1986-12-10 | ||
| JP62312933A JPS63270474A (ja) | 1986-12-10 | 1987-12-09 | 触媒性インク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270474A JPS63270474A (ja) | 1988-11-08 |
| JPH0322467B2 true JPH0322467B2 (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=26559799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62312933A Granted JPS63270474A (ja) | 1986-12-10 | 1987-12-09 | 触媒性インク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63270474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999059386A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Seiko Epson Corporation | Substrate for formation of special pattern, and method of manufacture of substrate |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227223A (en) * | 1989-12-21 | 1993-07-13 | Monsanto Company | Fabricating metal articles from printed images |
| JP3598317B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2004-12-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 無電解めっきの前処理方法 |
| JP3670238B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2005-07-13 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 金属めっき方法、前処理剤、それを用いた半導体ウェハー及び半導体装置 |
| US7045461B2 (en) | 2000-01-07 | 2006-05-16 | Nikkon Materials Co., Ltd. | Metal plating method, pretreatment agent, and semiconductor wafer and semiconductor device obtained using these |
| JP4775664B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-09-21 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル膜形成用塗布液、及びニッケル膜とその製造方法 |
| CN103163737B (zh) * | 2011-12-09 | 2015-06-17 | 北大方正集团有限公司 | 一种pcb阻焊层显影效果的监测方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62312933A patent/JPS63270474A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999059386A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Seiko Epson Corporation | Substrate for formation of special pattern, and method of manufacture of substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63270474A (ja) | 1988-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4632857A (en) | Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer | |
| US4232060A (en) | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby | |
| JPH05263258A (ja) | 置換すずめっき用錯化剤 | |
| JPH0575246A (ja) | プリント回路の作成法 | |
| EP0216531A1 (en) | Use of immersion tin and tin alloys as a bonding medium for multilayer circuits | |
| JPH01501402A (ja) | 選択的金属化法及びプリント回路基板の加層的製造方法 | |
| KR900001089B1 (ko) | 동스로우호올프린트 배선판의 제조방법 | |
| US4816070A (en) | Use of immersion tin and alloys as a bonding medium for multilayer circuits | |
| US3799816A (en) | Metallizing insulating bases | |
| US4847114A (en) | Preparation of printed circuit boards by selective metallization | |
| EP0707093B1 (en) | Method for selective plating | |
| US4322457A (en) | Method of selectively depositing a metal on a surface | |
| JPH0322467B2 (ja) | ||
| EP0926266B1 (en) | Method and composition for etching of Al-Cu layers to form electronic circuits | |
| CN109195341A (zh) | 一种提高线路铜层厚度和宽度的精密印制电路板的制备方法 | |
| US5358602A (en) | Method for manufacture of printed circuit boards | |
| US5328561A (en) | Microetchant for copper surfaces and processes for using same | |
| US4537799A (en) | Selective metallization process | |
| JP4646376B2 (ja) | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 | |
| EP0163089B1 (en) | Process for activating a substrate for electroless deposition of a conductive metal | |
| JPH0413876B2 (ja) | ||
| JPS638638B2 (ja) | ||
| US4968398A (en) | Process for the electrolytic removal of polyimide resins | |
| KR20090009734A (ko) | 표면처리제 | |
| JPH0413877B2 (ja) |