JPH0322975B2 - - Google Patents
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- JPH0322975B2 JPH0322975B2 JP59024093A JP2409384A JPH0322975B2 JP H0322975 B2 JPH0322975 B2 JP H0322975B2 JP 59024093 A JP59024093 A JP 59024093A JP 2409384 A JP2409384 A JP 2409384A JP H0322975 B2 JPH0322975 B2 JP H0322975B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fly
- eye lens
- mirror
- exposure
- shutter
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフオトレジストを塗布したワークに
マスクのパターンを焼付ける露光装置に関するも
のである。一般にこのような露光装置には密着型
露光装置、近接型露光装置及び投影型露光装置等
がある。この発明は近接型露光装置に関し大面積
の露光面を要求され、プロキシミテイギヤツプを
設けて５〜10μm前後のパターン精度が要求され
るワークの製造に適した近接型露光装置を提供す
るものである。
マスクのパターンを焼付ける露光装置に関するも
のである。一般にこのような露光装置には密着型
露光装置、近接型露光装置及び投影型露光装置等
がある。この発明は近接型露光装置に関し大面積
の露光面を要求され、プロキシミテイギヤツプを
設けて５〜10μm前後のパターン精度が要求され
るワークの製造に適した近接型露光装置を提供す
るものである。
第１図は従来の近接型露光装置を示す概略構成
図である。フオトレジストが塗布されたワーク１
の表面上方には所定距離Ｄ離隔してマスク２が配
置されており、マスク２のパターンは露光光束３
をワーク１上に投影し焼付けられるようになつて
いる。４は水銀灯の光源であり、そこから出た放
射光線は一対の楕円凹面鏡５により反射集光され
る。集光された露光光束３は最初のコールドミラ
ー６により露光に要求される紫外線のみが反射さ
れ、フライアイレンズ７を通り、更に次のコール
ドミラー６を通りコリメーターレンズ８により平
行光線となる。このような平行光線の露光光束３
はマスク２上に照射される。ワーク１とマスク２
との間にはプロキシミテイギヤツプＤが設けられ
マスク２がワーク１のレジスト面に接触しないよ
うに装着される。なおフライアイレンズ７は露光
光束３を露光面全域に渡つて一様な明るさにする
ための機能を持つている。ここで光源４は一般に
クセノン−水銀ランプが使用されており、その放
射光は365nm、400nmおよび435nmの輝線スペク
トルを含むものである。これらの輝線は部分的に
位相が揃つており、干渉性即ちコヒーレントな光
線となつて各輝線とも全放射線中に１〜５％のコ
ヒーレント光の存在が認められる。第２図はワー
ク１とマスク２との位置関係を拡大して示してお
り、マスク２にはパターンを構成するスリツト、
即ち切抜部９が形成されている。この切抜部９の
幅をｌとすると露光光束３はマスク２の端面（エ
ツジ）において回折しレジスト面上にフレンネル
回折模様を生じる。したがつて、例えば365nmの
輝線はエツジ直下からの幾何学的距離Ｘが変ると
そのＸに対して明暗の“しま”（コントラスト）
を生じる。“しま”を生ずる条件式は露光光束３
の波長をλ、プロキシミテイギヤツプをＤ、前記
エツジ直下からの距離をＸとすると、 √2＋2−Ｄ＝mλのとき明Ｘ≒√2、 √2＋2−Ｄ＝λ／２（2m＋１）のとき暗Ｘ≒ √２（ｍ＋１／２）Dλ， となる。このときｍは自然数１，２，３……であ
り、Ｄ≫λ（即ちキヤツプＤは400μm程度のとき
λは0.4μm程度である）として近似を採用してい
る。
図である。フオトレジストが塗布されたワーク１
の表面上方には所定距離Ｄ離隔してマスク２が配
置されており、マスク２のパターンは露光光束３
をワーク１上に投影し焼付けられるようになつて
いる。４は水銀灯の光源であり、そこから出た放
射光線は一対の楕円凹面鏡５により反射集光され
る。集光された露光光束３は最初のコールドミラ
ー６により露光に要求される紫外線のみが反射さ
れ、フライアイレンズ７を通り、更に次のコール
ドミラー６を通りコリメーターレンズ８により平
行光線となる。このような平行光線の露光光束３
はマスク２上に照射される。ワーク１とマスク２
との間にはプロキシミテイギヤツプＤが設けられ
マスク２がワーク１のレジスト面に接触しないよ
うに装着される。なおフライアイレンズ７は露光
光束３を露光面全域に渡つて一様な明るさにする
ための機能を持つている。ここで光源４は一般に
クセノン−水銀ランプが使用されており、その放
射光は365nm、400nmおよび435nmの輝線スペク
トルを含むものである。これらの輝線は部分的に
位相が揃つており、干渉性即ちコヒーレントな光
線となつて各輝線とも全放射線中に１〜５％のコ
ヒーレント光の存在が認められる。第２図はワー
ク１とマスク２との位置関係を拡大して示してお
り、マスク２にはパターンを構成するスリツト、
即ち切抜部９が形成されている。この切抜部９の
幅をｌとすると露光光束３はマスク２の端面（エ
ツジ）において回折しレジスト面上にフレンネル
回折模様を生じる。したがつて、例えば365nmの
輝線はエツジ直下からの幾何学的距離Ｘが変ると
そのＸに対して明暗の“しま”（コントラスト）
を生じる。“しま”を生ずる条件式は露光光束３
の波長をλ、プロキシミテイギヤツプをＤ、前記
エツジ直下からの距離をＸとすると、 √2＋2−Ｄ＝mλのとき明Ｘ≒√2、 √2＋2−Ｄ＝λ／２（2m＋１）のとき暗Ｘ≒ √２（ｍ＋１／２）Dλ， となる。このときｍは自然数１，２，３……であ
り、Ｄ≫λ（即ちキヤツプＤは400μm程度のとき
λは0.4μm程度である）として近似を採用してい
る。
上記両式に現わされる位置に明暗の対照模様を
生じる。２次元の例えば第３図イに示されるマス
ク２のパターンは、ワーク１の上では同図ロに示
すように周縁部、特にコーナー部に凸凹の歪みを
生じる。露光光束３は完全なコヒーレントな光線
ではないとはいえ１〜５％程度輝線でコヒーレン
ト性を有するため、パターン製造上マスク２のワ
ーク１への再現性、解像性に悪影響を及ぼしてい
る。このようにしてマスク２の焼付け工程におい
て大きな問題点となつていた。
生じる。２次元の例えば第３図イに示されるマス
ク２のパターンは、ワーク１の上では同図ロに示
すように周縁部、特にコーナー部に凸凹の歪みを
生じる。露光光束３は完全なコヒーレントな光線
ではないとはいえ１〜５％程度輝線でコヒーレン
ト性を有するため、パターン製造上マスク２のワ
ーク１への再現性、解像性に悪影響を及ぼしてい
る。このようにしてマスク２の焼付け工程におい
て大きな問題点となつていた。
一方露光光線の干渉性を排し、電子線やＸ線を
光源としたり、無収差投影光学系を採用したりし
た露光装置も既に開発されている。しかしながら
このような露光装置は複雑なレンズ系や、装置を
制御するため高度な電子回路が必要となり結果的
に高価な露光装置となつてしまうという問題点が
あつた。
光源としたり、無収差投影光学系を採用したりし
た露光装置も既に開発されている。しかしながら
このような露光装置は複雑なレンズ系や、装置を
制御するため高度な電子回路が必要となり結果的
に高価な露光装置となつてしまうという問題点が
あつた。
この発明は従来の問題点に着目してなされたも
ので電動機を利用してフライアイレンズを回転駆
動可能に構成すると共に、フライアイレンズに入
射する光路の途中に前記光路を開放及び遮断する
シヤツターを設け、前記シヤツターの開放中、前
記フライアイレンズを回転させることによつてレ
ジスト面における回折模様を消失させ、鮮明な画
像を得ることを目的としている。以下この発明を
図面及び原理図に基づいて説明する。第４図乃至
第８図において、箱体１１には光源としての水銀
灯１２が所定の電気配線を施されて設けられてお
り、この水銀灯１２はシヨートアークタイプ、例
えば電極間の距離が１mmほどのもので出力は略
1KWである。強力な紫外線光源としては希薄水
銀気体中の放電により生ずる光が最も簡便なもの
である。水銀灯１２を囲むように楕円凹面鏡１３
が箱体１１に固設されており、楕円凹面鏡１３は
第４図中上方に向けて開口部１４を有している。
ので電動機を利用してフライアイレンズを回転駆
動可能に構成すると共に、フライアイレンズに入
射する光路の途中に前記光路を開放及び遮断する
シヤツターを設け、前記シヤツターの開放中、前
記フライアイレンズを回転させることによつてレ
ジスト面における回折模様を消失させ、鮮明な画
像を得ることを目的としている。以下この発明を
図面及び原理図に基づいて説明する。第４図乃至
第８図において、箱体１１には光源としての水銀
灯１２が所定の電気配線を施されて設けられてお
り、この水銀灯１２はシヨートアークタイプ、例
えば電極間の距離が１mmほどのもので出力は略
1KWである。強力な紫外線光源としては希薄水
銀気体中の放電により生ずる光が最も簡便なもの
である。水銀灯１２を囲むように楕円凹面鏡１３
が箱体１１に固設されており、楕円凹面鏡１３は
第４図中上方に向けて開口部１４を有している。
開口部１４に対面する位置で箱体１１の上方に
は第１ミラー１５が設けられており、この第１ミ
ラー１５の中心点と開口部１４の中心点とは略同
一線上に位置するとともに、第１ミラー１５の反
射面は、これら中心点を結ぶ線即ち入射光線と所
定角度傾斜している。楕円凹面鏡１３と第１ミラ
ー１５とは第１の光学系を構成している。第１ミ
ラー１５からの反射光線に対面する位置で箱体１
１の側壁１６にはフライアイレンズ１７が後述す
るように回転自在に設けられており、フライアイ
レンズ１７の中心点と第１ミラー１５の中心点と
は略同一直線上に位置している。
は第１ミラー１５が設けられており、この第１ミ
ラー１５の中心点と開口部１４の中心点とは略同
一線上に位置するとともに、第１ミラー１５の反
射面は、これら中心点を結ぶ線即ち入射光線と所
定角度傾斜している。楕円凹面鏡１３と第１ミラ
ー１５とは第１の光学系を構成している。第１ミ
ラー１５からの反射光線に対面する位置で箱体１
１の側壁１６にはフライアイレンズ１７が後述す
るように回転自在に設けられており、フライアイ
レンズ１７の中心点と第１ミラー１５の中心点と
は略同一直線上に位置している。
フライアイレンズ１７と第１ミラー１５との間
には円板の外縁部に載頭円錐状の部材が取り付け
られており且つ前記部材の円周方向の或る部分に
扇形の切欠き（図示せず）を設けたシヤツター１
８が介在し、箱体１１に取付けられており、この
シヤツター１８は減速機付のヒステリシスモータ
１９により駆動されるようになつている。従つて
前記部材の角度位置によつてシヤツター１８は光
路を開放、又は遮断するようになつている。
には円板の外縁部に載頭円錐状の部材が取り付け
られており且つ前記部材の円周方向の或る部分に
扇形の切欠き（図示せず）を設けたシヤツター１
８が介在し、箱体１１に取付けられており、この
シヤツター１８は減速機付のヒステリシスモータ
１９により駆動されるようになつている。従つて
前記部材の角度位置によつてシヤツター１８は光
路を開放、又は遮断するようになつている。
フライアイレンズ１７の後面に対面する位置で
箱体１１には第２ミラー２０が設けられており、
この第２ミラー２０の中心点とフライアイレンズ
１７の中心点とは略同一線上に位置するととも
に、第２ミラー２０の反射面は、これら中心点を
結ぶ線、即ち入射光線と所定角度傾斜している。
したがつて、シヤツター１８とフライアイレンズ
１７とは第１ミラー１５と第２ミラー２０との間
に介装されている。第２ミラー２０からの反射光
線に対面する位置で箱体１１の上方には大型のコ
リメーターミラー２１が設られており、第２ミラ
ー２０の中心点とコリメーターミラー２１の中心
点とは略同一直線上に位置するとともに、コリメ
ーターミラー２１からの反射光は箱体１１の下面
に略垂直に向うように取付けられている。第２ミ
ラー２０とコリメーターミラー２１とは第２の光
学系を構成している。このコリメーターミラー２
１は第２ミラー２０からの入射光を平行光線にし
て反射するもので400mm以上の径のものが実用化
されており、透過型のコンデンサレンズに較べて
製作が容易であるとともにより安価に入手でき
る。
箱体１１には第２ミラー２０が設けられており、
この第２ミラー２０の中心点とフライアイレンズ
１７の中心点とは略同一線上に位置するととも
に、第２ミラー２０の反射面は、これら中心点を
結ぶ線、即ち入射光線と所定角度傾斜している。
したがつて、シヤツター１８とフライアイレンズ
１７とは第１ミラー１５と第２ミラー２０との間
に介装されている。第２ミラー２０からの反射光
線に対面する位置で箱体１１の上方には大型のコ
リメーターミラー２１が設られており、第２ミラ
ー２０の中心点とコリメーターミラー２１の中心
点とは略同一直線上に位置するとともに、コリメ
ーターミラー２１からの反射光は箱体１１の下面
に略垂直に向うように取付けられている。第２ミ
ラー２０とコリメーターミラー２１とは第２の光
学系を構成している。このコリメーターミラー２
１は第２ミラー２０からの入射光を平行光線にし
て反射するもので400mm以上の径のものが実用化
されており、透過型のコンデンサレンズに較べて
製作が容易であるとともにより安価に入手でき
る。
２２は表面にフオトレジストが塗布されたワー
クであり、このワーク２２の上面には所定のパタ
ーンが描かれたマスク２３が所定のプロキシミテ
イギヤツプＥをもつて平行に配設されている。こ
れらワーク２２とマスク２３とは公知のチヤツク
（図示せず）により保持されており、これらの表
面はコリメーターミラー２１から入射される光線
に対して垂直となつている。
クであり、このワーク２２の上面には所定のパタ
ーンが描かれたマスク２３が所定のプロキシミテ
イギヤツプＥをもつて平行に配設されている。こ
れらワーク２２とマスク２３とは公知のチヤツク
（図示せず）により保持されており、これらの表
面はコリメーターミラー２１から入射される光線
に対して垂直となつている。
次に第５図はフライアイレンズ１７およびその
周辺部を拡大して示す図であり、２５は側壁１６
に固設された基板である。この基板２５の一端部
には真円の貫通孔２６が形成されており、この貫
通孔２６には環状のスリーブ２７が回転自在に挿
入されている。
周辺部を拡大して示す図であり、２５は側壁１６
に固設された基板である。この基板２５の一端部
には真円の貫通孔２６が形成されており、この貫
通孔２６には環状のスリーブ２７が回転自在に挿
入されている。
このスリーブ２７の内周にはホルダ２８の一端
部が同軸に回転自在に挿入されており、このホル
ダ２８は内周部にフライアイレンズ１７を保持し
ている。このフライアイレンズ１７は葉巻状の多
数のレンズ２９を束ねたものであり、例えば25本
〜50本のレンズ群により構成されている。
部が同軸に回転自在に挿入されており、このホル
ダ２８は内周部にフライアイレンズ１７を保持し
ている。このフライアイレンズ１７は葉巻状の多
数のレンズ２９を束ねたものであり、例えば25本
〜50本のレンズ群により構成されている。
３０はホルダ２８の他端部が回転自在に挿入さ
れた押え用の上方スリーブであり、この上方スリ
ーブ３０は押え板３１等により基板２５に固定さ
れている。
れた押え用の上方スリーブであり、この上方スリ
ーブ３０は押え板３１等により基板２５に固定さ
れている。
これらスリーブ２７と上方スリーブ３０との間
でホルダ２８の外周面３２には後述するベルトが
係合するための規則的な凸条部等が形成されてお
り、ホルダ２８の上端面には凸レンズ３３を内装
した中空の円筒部３４が同軸方向に固着されてい
る。
でホルダ２８の外周面３２には後述するベルトが
係合するための規則的な凸条部等が形成されてお
り、ホルダ２８の上端面には凸レンズ３３を内装
した中空の円筒部３４が同軸方向に固着されてい
る。
したがつてフライアイレンズ１７は、これらス
リーブ２７と、上方スリーブ３０を介して側壁１
６に回転自在に支持されている。
リーブ２７と、上方スリーブ３０を介して側壁１
６に回転自在に支持されている。
基板２５の他端部には支持板３５がボルト等に
より取付けられており、この支持板３５にはシヤ
ツター１８が開放位置に到達する直前に起動し、
遮断位置に到達した直後に停止するように発停制
御されたインダクシヨンモータ３６が装着されて
いる。このインダクシヨンモータ３６は減速機３
７に連結されており、減速機３７の出力軸３８は
基板２５と支持板３５の間に突出している。
より取付けられており、この支持板３５にはシヤ
ツター１８が開放位置に到達する直前に起動し、
遮断位置に到達した直後に停止するように発停制
御されたインダクシヨンモータ３６が装着されて
いる。このインダクシヨンモータ３６は減速機３
７に連結されており、減速機３７の出力軸３８は
基板２５と支持板３５の間に突出している。
この出力軸３８には外周面に凸条部が形成され
たプーリー３９が同軸に固定されており、このプ
ーリー３９とホルダ２８の外周面３２との間には
内方に凹条部を有する駆動ベルト４０が巻回され
ている。
たプーリー３９が同軸に固定されており、このプ
ーリー３９とホルダ２８の外周面３２との間には
内方に凹条部を有する駆動ベルト４０が巻回され
ている。
したがつてインダクシヨンモータ３６の回転に
より、フライアイレンズ１７及び凸レンズ３３は
基板２５に対してスリーブ２７、上方スリーブ３
０を介して回転するようになつている。また、シ
ヤツター１８を駆動するヒステリシスモータ１９
はワークの種類に対応して露光時間、すなわちシ
ヤツター１８の開放時間を増減するため回転速度
を調節できるものであり、またフライアイレンズ
を駆動するインダクシヨンモータ３６は公知の発
停制御回路、例えばシヤツター１８の開放及び遮
断位置を検出する一組のリミツトスイツチ（図示
せず）からの電気信号によつて発停制御されるよ
うになつている。
より、フライアイレンズ１７及び凸レンズ３３は
基板２５に対してスリーブ２７、上方スリーブ３
０を介して回転するようになつている。また、シ
ヤツター１８を駆動するヒステリシスモータ１９
はワークの種類に対応して露光時間、すなわちシ
ヤツター１８の開放時間を増減するため回転速度
を調節できるものであり、またフライアイレンズ
を駆動するインダクシヨンモータ３６は公知の発
停制御回路、例えばシヤツター１８の開放及び遮
断位置を検出する一組のリミツトスイツチ（図示
せず）からの電気信号によつて発停制御されるよ
うになつている。
次にこの発明の作用について説明する。
水銀灯１２を出た露光光線は楕円凹面鏡１３に
より反射集光されて第１ミラー１５に光束が絞ら
れて入射される。第１ミラー１５により反射され
た露光光束Ｌは開放位置にあるシヤツター１８を
通り凸レンズ３３に入る。露光光束Ｌは凸レンズ
３３によりフライアイレンズ１７の各レンズ２９
の一端面にのみこまれるようにやや収束される フライアイレンズ１７を出た露光光束Ｌは第２
ミラー２０に入射し、所定の反射角をもつてコリ
メーターミラー２１に向つて反射される。
より反射集光されて第１ミラー１５に光束が絞ら
れて入射される。第１ミラー１５により反射され
た露光光束Ｌは開放位置にあるシヤツター１８を
通り凸レンズ３３に入る。露光光束Ｌは凸レンズ
３３によりフライアイレンズ１７の各レンズ２９
の一端面にのみこまれるようにやや収束される フライアイレンズ１７を出た露光光束Ｌは第２
ミラー２０に入射し、所定の反射角をもつてコリ
メーターミラー２１に向つて反射される。
第６図、第７図に示すように、フライアイレン
ズ１７の直前の仮想平面γ上の照度分布は第６図
の同心円状になつている。これはアーク像が楕円
凹鏡１３により拡大されて、その像が投影される
からである。点０を中心にしてＰ円内の照度を
100とすると、Ｑ円内は80、Ｒ円内は60およびＳ
円内は50等のようになつている。次に露光光束Ｌ
がフライアイレンズ１７の個々のレンズ２９に入
射すると次のように作用を受ける。今レンズ２９
（aa）について考察すると、レンズ２９（aa）後
面の仮想平面β上には同心円Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４
分の１の部分、即ちａ領域がβ平面全域に渡つて
投影される（第６図）。同様にして第７図に示す
ようにレンズ２９（bb）はｂ領域、レンズ２９
（cc）はｃ領域、レンズ２９（dd）はｄ領域を平
面β上に投影する。このようにして照度分布の偏
よりが全域に拡大され重ねられるため、レンズ２
９の数を増やすことにより平面β上の照度が全体
的に均一となる。
ズ１７の直前の仮想平面γ上の照度分布は第６図
の同心円状になつている。これはアーク像が楕円
凹鏡１３により拡大されて、その像が投影される
からである。点０を中心にしてＰ円内の照度を
100とすると、Ｑ円内は80、Ｒ円内は60およびＳ
円内は50等のようになつている。次に露光光束Ｌ
がフライアイレンズ１７の個々のレンズ２９に入
射すると次のように作用を受ける。今レンズ２９
（aa）について考察すると、レンズ２９（aa）後
面の仮想平面β上には同心円Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの４
分の１の部分、即ちａ領域がβ平面全域に渡つて
投影される（第６図）。同様にして第７図に示す
ようにレンズ２９（bb）はｂ領域、レンズ２９
（cc）はｃ領域、レンズ２９（dd）はｄ領域を平
面β上に投影する。このようにして照度分布の偏
よりが全域に拡大され重ねられるため、レンズ２
９の数を増やすことにより平面β上の照度が全体
的に均一となる。
したがつて、第２ミラー２０に入射する露光光
束３は均一な照度分布となつており、この露光光
束３はコリメーターミラー２１に向つて反射され
る。コリメーターミラー２１ではこの露光光束３
を平行光線（コリメート）としてマスク２３上に
照射する。このとき、前述したような公知の発停
制御回路によつてインダクシヨンモータ３６が起
動し、減速された出力軸３８はプーリー３９、駆
動ベルト４０を介してフライアイレンズ１７を回
転させる。
束３は均一な照度分布となつており、この露光光
束３はコリメーターミラー２１に向つて反射され
る。コリメーターミラー２１ではこの露光光束３
を平行光線（コリメート）としてマスク２３上に
照射する。このとき、前述したような公知の発停
制御回路によつてインダクシヨンモータ３６が起
動し、減速された出力軸３８はプーリー３９、駆
動ベルト４０を介してフライアイレンズ１７を回
転させる。
尚、ワークの種類に応じて露光時間、すなわち
シヤツター１８の開放時間を増減する場合はヒス
テリシスモータ３６の回転速度を調節する。一
方、フライアイレンズ１７を駆動するインダクシ
ヨンモータ３６ではシヤツター１８の開放中、一
定速度で回転するが、減速機３７等の製造時、減
速比を適宜設定することによつてフライアイレン
ズ１７を最適な回転速度、例えば露光時間１秒当
り４回転するように設定することができる。
シヤツター１８の開放時間を増減する場合はヒス
テリシスモータ３６の回転速度を調節する。一
方、フライアイレンズ１７を駆動するインダクシ
ヨンモータ３６ではシヤツター１８の開放中、一
定速度で回転するが、減速機３７等の製造時、減
速比を適宜設定することによつてフライアイレン
ズ１７を最適な回転速度、例えば露光時間１秒当
り４回転するように設定することができる。
すでに述べたように水銀灯１２から照射された
紫外線は、コヒーレントな３種類の波長成分の光
を数％づつ含んでいるが、これ等コヒーレントの
光が、回転するフライアイレンズ１７を通過する
と、後述するように回析模様（干渉縞）が消失す
ることが実験的に確認された。
紫外線は、コヒーレントな３種類の波長成分の光
を数％づつ含んでいるが、これ等コヒーレントの
光が、回転するフライアイレンズ１７を通過する
と、後述するように回析模様（干渉縞）が消失す
ることが実験的に確認された。
これは干渉を生じているコヒーレントの光が、
フライアイレンズ１７を構成する各レンズ２９を
通過する際の「位相ずれ」及びフライアイレンズ
１７の回転がもたらす「位相ずれ」によつて、そ
の位相配置に変化を生じ、非コヒーレントな光に
転換されたものと推定される。
フライアイレンズ１７を構成する各レンズ２９を
通過する際の「位相ずれ」及びフライアイレンズ
１７の回転がもたらす「位相ずれ」によつて、そ
の位相配置に変化を生じ、非コヒーレントな光に
転換されたものと推定される。
発明者の実験によれば、第８図に示すように、
マスク２３上のパターン幅が５〜30μmで、プロ
キシミテイギヤツプ10〜400μmに設定し、矩形パ
ターンイをワーク２２上に焼付けたとき、フライ
アイレンズ１７を回転させない場合は、同図ロの
ような焼付パターンが得られ、一方、フライアイ
レンズ１７を所定スピードで回転させると、同照
ハに示すような周辺部の境界が明確な焼付けパタ
ーンが得られた。
マスク２３上のパターン幅が５〜30μmで、プロ
キシミテイギヤツプ10〜400μmに設定し、矩形パ
ターンイをワーク２２上に焼付けたとき、フライ
アイレンズ１７を回転させない場合は、同図ロの
ような焼付パターンが得られ、一方、フライアイ
レンズ１７を所定スピードで回転させると、同照
ハに示すような周辺部の境界が明確な焼付けパタ
ーンが得られた。
この発明の露光装置により製造されるパターン
は大きなワークサイズでかつプロキシミテイギヤ
ツプを設定して焼付けなければならない格子
10μm前後のパターン精度の要求されるワーク、
特に液晶用、サーマルプリンター用、又はハイブ
リツドIC用パターンの製造に適している。
は大きなワークサイズでかつプロキシミテイギヤ
ツプを設定して焼付けなければならない格子
10μm前後のパターン精度の要求されるワーク、
特に液晶用、サーマルプリンター用、又はハイブ
リツドIC用パターンの製造に適している。
以上説明してきたように、この発明によれば、
フライアイレンズを回転させることにより、非干
渉性の且つ均一照度の紫外線をマスクに照射する
ことが可能になり、その結果、高解像力をもちか
つ大面積の露光が可能な安価で取扱の簡単な露光
装置を提供できるという効果が得られる。
フライアイレンズを回転させることにより、非干
渉性の且つ均一照度の紫外線をマスクに照射する
ことが可能になり、その結果、高解像力をもちか
つ大面積の露光が可能な安価で取扱の簡単な露光
装置を提供できるという効果が得られる。
第１図は従来の近接型露光装置を示す概略構成
図、第２図は干渉の原理を説明する図、第３図は
従来の露光装置で得られたマスクの焼付図であ
り、第４図はこの発明の露光装置を示す部分断面
正面図、第５図はこの発明の要部拡大断面図、第
６図は照度分布を示す図、第７図は照度分布の一
様化を説明する図、第８図はこの発明の露光装置
で得られたマスクの焼付図である。 １２……水銀灯（光源）、１５……第１ミラー、
１７……フライアイレンズ、１８……シヤツタ
ー、２０……第２ミラー、２１……コリメーター
ミラー、２２……ワーク、２３……マスク、Ｌ…
…露光光束。
図、第２図は干渉の原理を説明する図、第３図は
従来の露光装置で得られたマスクの焼付図であ
り、第４図はこの発明の露光装置を示す部分断面
正面図、第５図はこの発明の要部拡大断面図、第
６図は照度分布を示す図、第７図は照度分布の一
様化を説明する図、第８図はこの発明の露光装置
で得られたマスクの焼付図である。 １２……水銀灯（光源）、１５……第１ミラー、
１７……フライアイレンズ、１８……シヤツタ
ー、２０……第２ミラー、２１……コリメーター
ミラー、２２……ワーク、２３……マスク、Ｌ…
…露光光束。
Claims (1)
- １ 紫外線を発生するシヨートアーク式の水銀灯
と、前記水銀灯から照射された光を集光する第１
の光学系と、前記第１の光学系から入射した光を
発散させてほぼ均一照度の光にするフライアイレ
ンズと、前記フライアイレンズから入射した光を
平行な光にしてワークに照射する第２の光学系と
を有する近接型の露光装置において、電動機を利
用してフライアイレンズを回転駆動可能に構成す
ると共に、第１の光学系と前記フライアイレンズ
を結ぶ光路の途中に前記光路を開放及び遮断する
シヤツターを設け、前記シヤツターの開放中、前
記電動機を駆動してフライアイレンズを回転させ
ることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024093A JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
| US06/615,032 US4577959A (en) | 1984-02-10 | 1984-05-29 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024093A JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60168147A JPS60168147A (ja) | 1985-08-31 |
| JPH0322975B2 true JPH0322975B2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=12128761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024093A Granted JPS60168147A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4577959A (ja) |
| JP (1) | JPS60168147A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805002A (en) * | 1986-06-13 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Exposure apparatus |
| JPS62293248A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-19 | Mamiya Koki Kk | フレキシブル基板の両面露光方法 |
| JPS6325640A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Oak Seisakusho:Kk | 平行光投射光学系 |
| JPS63167367A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Somar Corp | 写真製版用露光装置 |
| US5255029A (en) * | 1987-04-30 | 1993-10-19 | Nview Corporation | Liquid crystal display for projection systems |
| US5227821A (en) * | 1987-04-30 | 1993-07-13 | Nview Corporation | Liquid crystal display for projection systems |
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| US5150151A (en) * | 1989-03-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
| DE69025807T2 (de) * | 1989-06-29 | 1996-10-24 | Dainippon Screen Mfg | Beleuchtungssystem |
| US5206515A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-27 | Elliott David J | Deep ultraviolet photolithography and microfabrication |
| JP2817615B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光装置 |
| JP2002131923A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Ushio Inc | 基板用逐次露光装置 |
| CN105259739B (zh) * | 2015-11-12 | 2017-06-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及装置 |
| US11360400B2 (en) | 2017-05-19 | 2022-06-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Transport system having a magnetically levitated transportation stage |
| US11393706B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Magnetically-levitated transporter |
| CN115469515B (zh) * | 2022-10-27 | 2025-06-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 紫外发光二极管曝光装置及系统 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3217594A (en) * | 1963-02-27 | 1965-11-16 | Simmon Brothers Inc | Photographic printer and enlarger and light mixing device therefor |
| JPS58147708A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明用光学装置 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59024093A patent/JPS60168147A/ja active Granted
- 1984-05-29 US US06/615,032 patent/US4577959A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60168147A (ja) | 1985-08-31 |
| US4577959A (en) | 1986-03-25 |
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