JPH0323211A - 大細孔径シリカゲルの製造法 - Google Patents
大細孔径シリカゲルの製造法Info
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- JPH0323211A JPH0323211A JP15486589A JP15486589A JPH0323211A JP H0323211 A JPH0323211 A JP H0323211A JP 15486589 A JP15486589 A JP 15486589A JP 15486589 A JP15486589 A JP 15486589A JP H0323211 A JPH0323211 A JP H0323211A
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は大細孔径のシリカゲルの製法に関するものであ
り、詳しくは強度の高い，細孔分布のシャープな大細孔
径シリカゲルを調製する方法に関するものである。
り、詳しくは強度の高い，細孔分布のシャープな大細孔
径シリカゲルを調製する方法に関するものである。
（従来の技術）
５０ｎｍ （ ５００Ａ ’）以上の大細孔径シリカゲ
ルの必要分野は近年著しく広がってきており、触媒担体
，液体クロマトグラフイー（特に生命化学の分野），そ
の他の用途に広範囲に使用ざれている。
ルの必要分野は近年著しく広がってきており、触媒担体
，液体クロマトグラフイー（特に生命化学の分野），そ
の他の用途に広範囲に使用ざれている。
その製法も、無機物質を添加して高温熱処理する方法（
西ドイツ特許２， ０４２， ９１０号，特開昭４７−
５８１１号），水熱処理による方法（１例として西ドイ
ツ特許２，２２５，４５２号，特公昭６１− ２０４８
７号），有機物添加シリカコアセルベート焼成法（米国
特許３，８５５，１７２号，特公昭５４−９５８８号，
特公昭６１７８５８号），極性有′／ａ溶媒中、コロイ
ド状シリカ（又はポリテトラエトキシシラン等〉を界面
活性剤と分敗しゲル化する方法（特開昭５８−１０４０
１７号，西ドイツ特許２，１５５，２８１号），又はオ
レフインの水添触媒の改良にリン酸を含浸させ、スチー
ムを通すことによって強度の改質改善を行っているもの
（米国特許２，９６０，４７７号，同３，９１７，７２
１号）等が従来知られている。
西ドイツ特許２， ０４２， ９１０号，特開昭４７−
５８１１号），水熱処理による方法（１例として西ドイ
ツ特許２，２２５，４５２号，特公昭６１− ２０４８
７号），有機物添加シリカコアセルベート焼成法（米国
特許３，８５５，１７２号，特公昭５４−９５８８号，
特公昭６１７８５８号），極性有′／ａ溶媒中、コロイ
ド状シリカ（又はポリテトラエトキシシラン等〉を界面
活性剤と分敗しゲル化する方法（特開昭５８−１０４０
１７号，西ドイツ特許２，１５５，２８１号），又はオ
レフインの水添触媒の改良にリン酸を含浸させ、スチー
ムを通すことによって強度の改質改善を行っているもの
（米国特許２，９６０，４７７号，同３，９１７，７２
１号）等が従来知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし上記何れの方法においても、良好な物性で強度の
あるものを調製することはかなり難しいのが現状である
。すなわち細孔分布が悪かったり、細孔径がｉｏｏｎｍ
程度かそれ以上で細孔構造が極端に変化したり強度が低
下してしまう。更に西ドイツ特許２， ０４２， ９１
０号の場合のように、高温処理のためや生或雰囲気のた
め、生成シリカゲルが結晶化したものを含んだり、強度
の弱いものになったり、更にまた高温酸化性雰囲気のた
め、使用装置の損傷が大きかったりするという問題点を
含むものである。
あるものを調製することはかなり難しいのが現状である
。すなわち細孔分布が悪かったり、細孔径がｉｏｏｎｍ
程度かそれ以上で細孔構造が極端に変化したり強度が低
下してしまう。更に西ドイツ特許２， ０４２， ９１
０号の場合のように、高温処理のためや生或雰囲気のた
め、生成シリカゲルが結晶化したものを含んだり、強度
の弱いものになったり、更にまた高温酸化性雰囲気のた
め、使用装置の損傷が大きかったりするという問題点を
含むものである。
細孔を有する固体シリカ（主に固体シリカはアモルファ
ス状態である）である多孔性シリカを原料として、高温
処理法では結晶性シリカに変化してしまうことがあり、
非品質（アモルファス）シリカのまま良好なクロマトグ
ラフィー用充填剤を調製するためには低温処理法による
ことが望ましい。
ス状態である）である多孔性シリカを原料として、高温
処理法では結晶性シリカに変化してしまうことがあり、
非品質（アモルファス）シリカのまま良好なクロマトグ
ラフィー用充填剤を調製するためには低温処理法による
ことが望ましい。
本発明の目的は簡単なプロセスで、出来上ったシリカゲ
ルの細孔分布が良好な大細孔径シリカゲルの調製法を提
供することにある。
ルの細孔分布が良好な大細孔径シリカゲルの調製法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明では上記の目的を達成するため最適の添加物を選
定し更に良好な表面及び細孔分布の製品とするための、
また強度向上のための仕上げ処理を施すものである。
定し更に良好な表面及び細孔分布の製品とするための、
また強度向上のための仕上げ処理を施すものである。
すなわち本発明は、多孔性シリカにリン酸を含浸し、加
熱５２１理後、アンモニア水，強有機塩基水溶液又は希
薄塩酸にて洗浄処理することを特徴とし、更に上記アン
モニア水又は強有機塩基水溶液で洗浄処理したシリカゲ
ルを、次いで希薄塩酸により洗浄処理することを特徴と
する大細孔径シリカゲルの製造法である。
熱５２１理後、アンモニア水，強有機塩基水溶液又は希
薄塩酸にて洗浄処理することを特徴とし、更に上記アン
モニア水又は強有機塩基水溶液で洗浄処理したシリカゲ
ルを、次いで希薄塩酸により洗浄処理することを特徴と
する大細孔径シリカゲルの製造法である。
本発明の原料となる多孔性シリカは、例えばアルカリ金
属けい酸塩水溶液と鉱酸の水溶液とを反応させて生或す
るシリカヒド口ゲルを洗浄し、さらに加熱乾燥して得ら
れる粒子径３μ〜数百μ．細孔容積０．３〜１．５ｄ／
ｇ，比表面積３００〜５００ｒｔｔ／Ｑ ，細孔径２０
〜５００Ａ程度の球状シリカゲルが挙げられる。
属けい酸塩水溶液と鉱酸の水溶液とを反応させて生或す
るシリカヒド口ゲルを洗浄し、さらに加熱乾燥して得ら
れる粒子径３μ〜数百μ．細孔容積０．３〜１．５ｄ／
ｇ，比表面積３００〜５００ｒｔｔ／Ｑ ，細孔径２０
〜５００Ａ程度の球状シリカゲルが挙げられる。
含浸するリン酸の１度はＰ２ ０５換算で２〜５０重量
％，好ましくは５〜２５重量％である。リン酸を含浸さ
せた多孔性シリカは、次いであまり反応しない程度の温
度（約９０℃）で予備乾燥しフルイで分散することによ
って、より良好な細孔分布品を得ることができる。その
後の加熱処理は１００〜７００℃，好ましくは１５０へ
６００℃で３〜５０時間行うことにより大細孔径のシリ
カゲルが得られる。
％，好ましくは５〜２５重量％である。リン酸を含浸さ
せた多孔性シリカは、次いであまり反応しない程度の温
度（約９０℃）で予備乾燥しフルイで分散することによ
って、より良好な細孔分布品を得ることができる。その
後の加熱処理は１００〜７００℃，好ましくは１５０へ
６００℃で３〜５０時間行うことにより大細孔径のシリ
カゲルが得られる。
また更に大きな細孔径のを得たいときには上記の含浸，
加熱処理を繰り返し行えばよく、このようにして本発明
の目的である平均細孔径が５０ｎｍ（ ５００Ａ ＞よ
り数μｍの大細孔径シリカゲルを得ることができる。
加熱処理を繰り返し行えばよく、このようにして本発明
の目的である平均細孔径が５０ｎｍ（ ５００Ａ ＞よ
り数μｍの大細孔径シリカゲルを得ることができる。
リン酸濃度が２重量％未満，又は加熱処理温度が１００
℃未満の場合は、加熱による蒸発乾燥程度が小さく、細
孔径の増大効果が小さい。またリン１ｍ濃度が５０重量
％を超える場合は過剰の溶解反応が起こり適当でない。
℃未満の場合は、加熱による蒸発乾燥程度が小さく、細
孔径の増大効果が小さい。またリン１ｍ濃度が５０重量
％を超える場合は過剰の溶解反応が起こり適当でない。
また加熱処理温度がγＯＯ℃を超える場合は結晶化が起
こり始める。ところでこの加熱処理反応によりシリカゲ
ルの細孔表面に、リン酸けい素及びピロリン酸けい素等
の付着物がつき、そのために褐色に着色する場合がある
。さらにクロマトグラフ的特性にも影響を及ぼす。この
リン酸けい素又は種々の組戒のピロリン酸けい素化合物
を洗い去り活性なシラノール表面とするために希薄塩酸
で洗浄してもよいが、２０〜７０℃で５〜３０重量％の
アンモニア水中、又は５〜２０重量％の水酸化フエニル
トリメチルアンモニウム，水酸化ペンジルトリメチルア
ンモニウム，水酸化テトラエチルアンモニウム，水酸化
テトラエタノニルアンモニウム，グアニジン等の強有機
塩基水溶液中で５〜１０時間程度撹拌洗浄することによ
り良好な細孔分布の大細孔径シリカゲルを得ることがで
きる。アンモニア水又は強有機塩基水溶液で洗浄処理し
たシリカゲルは、更に２〜５ＮｍＭ中約９０℃で加熱洗
浄することにより細孔分布はよりシャープなものとなり
、シリカゲル自体の強度も大幅に向上しまた不純物量も
大幅に減少する。その他水蒸気による洗浄等も効果があ
りこれらの洗浄法により更に良好物性のものを作ること
ができる。
こり始める。ところでこの加熱処理反応によりシリカゲ
ルの細孔表面に、リン酸けい素及びピロリン酸けい素等
の付着物がつき、そのために褐色に着色する場合がある
。さらにクロマトグラフ的特性にも影響を及ぼす。この
リン酸けい素又は種々の組戒のピロリン酸けい素化合物
を洗い去り活性なシラノール表面とするために希薄塩酸
で洗浄してもよいが、２０〜７０℃で５〜３０重量％の
アンモニア水中、又は５〜２０重量％の水酸化フエニル
トリメチルアンモニウム，水酸化ペンジルトリメチルア
ンモニウム，水酸化テトラエチルアンモニウム，水酸化
テトラエタノニルアンモニウム，グアニジン等の強有機
塩基水溶液中で５〜１０時間程度撹拌洗浄することによ
り良好な細孔分布の大細孔径シリカゲルを得ることがで
きる。アンモニア水又は強有機塩基水溶液で洗浄処理し
たシリカゲルは、更に２〜５ＮｍＭ中約９０℃で加熱洗
浄することにより細孔分布はよりシャープなものとなり
、シリカゲル自体の強度も大幅に向上しまた不純物量も
大幅に減少する。その他水蒸気による洗浄等も効果があ
りこれらの洗浄法により更に良好物性のものを作ること
ができる。
以下実施例，比較例により本発明を説明する。
例中組或％はいずれも重量基準である。
実施例１
シリカゲル１００（Ｉｔ （平均粒子径７μ（５〜１０
μ），細孔容積１．０２ｄ／Ｏ ，比表面積４２３Ｔｄ
／（Ｊ ．細孔径６９Ａ）を１５％リン酸溶液２００（
Ｊと混合する。その後残りの上澄は除去し約９０℃で１
０時間予備乾燥し、フルイで分散後、３００℃で１０時
間加熱処理した。
μ），細孔容積１．０２ｄ／Ｏ ，比表面積４２３Ｔｄ
／（Ｊ ．細孔径６９Ａ）を１５％リン酸溶液２００（
Ｊと混合する。その後残りの上澄は除去し約９０℃で１
０時間予備乾燥し、フルイで分散後、３００℃で１０時
間加熱処理した。
加熱処理後のシリカゲルを２８％Ｎ日４０口溶液４１中
に入れ、約５０℃に加温し５時間撹拌し、リン酸けい素
等の反応生成化合物がなくなるまで十分洗浄した。その
後水洗し、更に５Ｎ一目α溶液４１中で約９０℃に加温
し５時間撹拌洗浄した。水洗後１２０℃で２０時間乾燥
し、シリカゲル８５ｇが得られた。その物性は次のごと
くである。
に入れ、約５０℃に加温し５時間撹拌し、リン酸けい素
等の反応生成化合物がなくなるまで十分洗浄した。その
後水洗し、更に５Ｎ一目α溶液４１中で約９０℃に加温
し５時間撹拌洗浄した。水洗後１２０℃で２０時間乾燥
し、シリカゲル８５ｇが得られた。その物性は次のごと
くである。
〈物性〉
細孔容積 ０． ７２ｄ／（Ｉｔ比表面積
３７尻／ｇ 細孔径 ２２３９Ａ 細孔分布を第１図に示す。原料と比べ非常にシャープと
なる。
３７尻／ｇ 細孔径 ２２３９Ａ 細孔分布を第１図に示す。原料と比べ非常にシャープと
なる。
尚これらの測定は水銀ボロシメータにより行った。
〈圧縮破砕強度の測定，リン分の分析〉内径５４ｃｍ，
高ざ１０Ｃｍのステンレス容器に試験シリカゲルを入れ
、圧縮試験機で荷重をかけていき１０〜２０％破砕し始
める圧力を測定した。シリカゲル中のリン含量とともに
第１表に示す。
高ざ１０Ｃｍのステンレス容器に試験シリカゲルを入れ
、圧縮試験機で荷重をかけていき１０〜２０％破砕し始
める圧力を測定した。シリカゲル中のリン含量とともに
第１表に示す。
第１表
く圧縮破砕強度の測定，リン分の分析〉第２表
実施例２
実施例１と同じ原料を使用しアンモニア水の代りに１０
％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液４１を使用し
た以外は全く実施例１と同様にして下記の物性を有する
シリカゲル８５ｇが１ｑられた。
％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液４１を使用し
た以外は全く実施例１と同様にして下記の物性を有する
シリカゲル８５ｇが１ｑられた。
測定方法は前例と同様である。
く物性〉
細孔容積 ０． ７６ｄｌｇ
比表面積 ３９７Ｆｆ／ｇ
細孔径 ２４００ム
細孔分布は実施例ノと略同様である。
比較例１
シリカゲル１００ｇ（平均粒子径１５μ（１３〜１８μ
），細孔容積０．９６ｄ／ｇ，比表面積３７４Ｔｒｔ／
０ ，細孔径１０３Ａ ）を１５％リン酸溶液２００ｇ
と混合する。その後残りの上澄は除去し、約９０℃で１
０時間予備乾燥し、フルイで分故後、１５０℃で１０時
間加熱処理した。次に水４１中で約９０℃に加温し５時
間洗浄後１２０℃で２０時間乾燥した。得られたシリカ
ゲルは次の様な物性を有するものであった。測定方法は
前例と同様である。
），細孔容積０．９６ｄ／ｇ，比表面積３７４Ｔｒｔ／
０ ，細孔径１０３Ａ ）を１５％リン酸溶液２００ｇ
と混合する。その後残りの上澄は除去し、約９０℃で１
０時間予備乾燥し、フルイで分故後、１５０℃で１０時
間加熱処理した。次に水４１中で約９０℃に加温し５時
間洗浄後１２０℃で２０時間乾燥した。得られたシリカ
ゲルは次の様な物性を有するものであった。測定方法は
前例と同様である。
く物性〉
細孔容積
比表面積
細孔径
〈リン分の分析〉
加熱処理後未洗浄品 Ｐ；７．８％
同処理後水洗浄品 ｐ；０．３２８％水洗のみではリ
ン酸けい素等の洗浄除去できない部分がかなり多く残り
液体クロマトグラフイー用充填剤として使用し難い。
ン酸けい素等の洗浄除去できない部分がかなり多く残り
液体クロマトグラフイー用充填剤として使用し難い。
実施例３
シリカゲル１００ｇ（平均粒子径５μ（４〜１μ），細
孔容積０．９７ｒｆＪ１／Ｕ ，比表面積４２０Ｔｄ／
ｇ，細孔径６８Ａ）を５％リン酸溶液２００Ｑと混合す
る。その後残りの上澄は除去し、約９０℃で１０時間予
備乾燥し、フルイで分散後、１５０℃で１０時間加熱処
理した。水洗後１２０℃で２０時間乾燥し、得られたシ
リカゲル９０ｇを再度１０％リン酸溶液２００ｇと混合
する。
孔容積０．９７ｒｆＪ１／Ｕ ，比表面積４２０Ｔｄ／
ｇ，細孔径６８Ａ）を５％リン酸溶液２００Ｑと混合す
る。その後残りの上澄は除去し、約９０℃で１０時間予
備乾燥し、フルイで分散後、１５０℃で１０時間加熱処
理した。水洗後１２０℃で２０時間乾燥し、得られたシ
リカゲル９０ｇを再度１０％リン酸溶液２００ｇと混合
する。
その後残りの上澄は除去し、約９０℃で１０時間予備０
．８γｍｌ／Ｉｌｌ ２０９Ｔｄ／ｇ ４５６Ａ 乾燥し、フルイで分散後、１５０℃で１０時間加熱処理
した。加熱処理後のシリカゲルを約９０℃の５２の２Ｎ
一日α溶液中で５時間洗浄し、続いて水洗後、１２０℃
で２０時間乾燥し、シリカゲル８３ｇが得られた。その
物性は次の如くである。その測定方法は前例と同様であ
る。
．８γｍｌ／Ｉｌｌ ２０９Ｔｄ／ｇ ４５６Ａ 乾燥し、フルイで分散後、１５０℃で１０時間加熱処理
した。加熱処理後のシリカゲルを約９０℃の５２の２Ｎ
一日α溶液中で５時間洗浄し、続いて水洗後、１２０℃
で２０時間乾燥し、シリカゲル８３ｇが得られた。その
物性は次の如くである。その測定方法は前例と同様であ
る。
く物性〉
細孔容積 Ｏ、６３ｄ／ｇ
比表面積 ３２尻／ｇ
細孔径 １１１８Ａ
細孔分布を第２図に示す。原料と比べ非常にシャープと
なる。
なる。
くリン分の分析，圧縮破砕強度の測定〉加熱処理後未洗
浄品 ｐ：８．８％ 同 ２Ｎ−Ｈ（１’溶液で洗浄後 Ｐ ： ２５０ｐｐｍ 圧縮破砕強度の測定値は原料シリカゲルが約５００ｋＭ
ｃｄ，塩酸洗浄後で約８００ｋ！ＩＩ／ｃＩｉである。
浄品 ｐ：８．８％ 同 ２Ｎ−Ｈ（１’溶液で洗浄後 Ｐ ： ２５０ｐｐｍ 圧縮破砕強度の測定値は原料シリカゲルが約５００ｋＭ
ｃｄ，塩酸洗浄後で約８００ｋ！ＩＩ／ｃＩｉである。
（発明の作用，効果）
以上の説明から明らかなように、本発明法によれば、ご
く低温で且つ簡単なプロセスにより、大細孔径（約５０
０人より数μｍまでの細孔径）で細孔分布のシャープな
且つ強度の大きなシリカゲルを得ることができる。なお
本発明において使用されるリン酸の代りに他の酸、例え
ば塩ｍ，（ｉｉＷｌ等を使用しても大細孔径のシリカゲ
ルを得ることができない。また一般にシリカゲルの高温
処理において添加物により異なってくるが６００〜７０
０℃前後以上で結晶化シリカゲルを含むようになり強度
及びクロマトグラフ特性に影響がでてくるようになるた
め、カロ熱処理温度は低温においても十分効果のある本
発明法は極めて有用である。
く低温で且つ簡単なプロセスにより、大細孔径（約５０
０人より数μｍまでの細孔径）で細孔分布のシャープな
且つ強度の大きなシリカゲルを得ることができる。なお
本発明において使用されるリン酸の代りに他の酸、例え
ば塩ｍ，（ｉｉＷｌ等を使用しても大細孔径のシリカゲ
ルを得ることができない。また一般にシリカゲルの高温
処理において添加物により異なってくるが６００〜７０
０℃前後以上で結晶化シリカゲルを含むようになり強度
及びクロマトグラフ特性に影響がでてくるようになるた
め、カロ熱処理温度は低温においても十分効果のある本
発明法は極めて有用である。
図面はポロシメータで測定した実施例にあけるシリカゲ
ルの細孔分布曲線を示すグラフであり、第１図（Ａ）は
実施例１の原料シリカゲル，第１図（Ｂ）は実施例１の
本発明法によるシリカゲル，第２図（Ａ＞は実施例３の
原料シリカゲル，第２図（８）は実施例３の本発明によ
るシリカゲルのそれぞれ細孔分布曲線を示す。横軸は細
孔半径，縦軸は容積基準の細孔分布を表わす。
ルの細孔分布曲線を示すグラフであり、第１図（Ａ）は
実施例１の原料シリカゲル，第１図（Ｂ）は実施例１の
本発明法によるシリカゲル，第２図（Ａ＞は実施例３の
原料シリカゲル，第２図（８）は実施例３の本発明によ
るシリカゲルのそれぞれ細孔分布曲線を示す。横軸は細
孔半径，縦軸は容積基準の細孔分布を表わす。
Claims (5)
- （１）多孔性シリカにリン酸を含浸し、加熱処理後、ア
ンモニア水、強有機塩基水溶液又は希薄塩酸にて洗浄処
理することを特徴とする大細孔径シリカゲルの製造法。 - （２）多孔性シリカにリン酸を含浸し、加熱処理後、ア
ンモニア水又は強有機塩基水溶液にて洗浄処理し、次い
で希薄塩酸により洗浄処理することを特徴とする大細孔
径シリカゲルの製造法。 - （３）加熱処理温度が１００〜７００℃である請求項１
又は２に記載の製造法。 - （４）リン酸濃度（Ｐ＿２Ｏ＿５）が２〜５０重量％で
ある請求項１又は２に記載の製造法。 - （５）アンモニア水の濃度が５〜３０重量％である請求
項１又は２に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154865A JPH0699132B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 大細孔径シリカゲルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154865A JPH0699132B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 大細孔径シリカゲルの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323211A true JPH0323211A (ja) | 1991-01-31 |
| JPH0699132B2 JPH0699132B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=15593610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1154865A Expired - Fee Related JPH0699132B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 大細孔径シリカゲルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699132B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500402A (en) * | 1991-11-08 | 1996-03-19 | Ab Carl Munters | Method for the manufacture of a contact body for the exchange of moisture or heat |
| EP1048615A1 (en) * | 1996-12-30 | 2000-11-02 | Uop Llc | Unimodal, large pore silicas prepared by hydrothermal treatment of silica powders |
| JP2007238426A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Asahi Glass Si-Tech Co Ltd | 大細孔径多孔質シリカゲルの細孔物性の調整方法及び得られた大細孔径多孔質シリカゲル |
| WO2013062105A1 (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Ａｇｃエスアイテック株式会社 | シリカ球状体及びアフィニティ担体 |
| JPWO2020202950A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1154865A patent/JPH0699132B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500402A (en) * | 1991-11-08 | 1996-03-19 | Ab Carl Munters | Method for the manufacture of a contact body for the exchange of moisture or heat |
| EP1048615A1 (en) * | 1996-12-30 | 2000-11-02 | Uop Llc | Unimodal, large pore silicas prepared by hydrothermal treatment of silica powders |
| JP2007238426A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Asahi Glass Si-Tech Co Ltd | 大細孔径多孔質シリカゲルの細孔物性の調整方法及び得られた大細孔径多孔質シリカゲル |
| WO2013062105A1 (ja) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Ａｇｃエスアイテック株式会社 | シリカ球状体及びアフィニティ担体 |
| JPWO2020202950A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ||
| US12371451B2 (en) | 2019-03-29 | 2025-07-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Inorganic porous carrier and method for producing nucleic acids using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0699132B2 (ja) | 1994-12-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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