JPH0323259A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH0323259A JPH0323259A JP1156500A JP15650089A JPH0323259A JP H0323259 A JPH0323259 A JP H0323259A JP 1156500 A JP1156500 A JP 1156500A JP 15650089 A JP15650089 A JP 15650089A JP H0323259 A JPH0323259 A JP H0323259A
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- Japan
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- dielectric
- capacitance
- rare earth
- multilayer ceramic
- earth elements
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁気組成物に関するものである。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁気組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率，絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁気組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁気組成物として下記
のような系が知られている。
・ＢａＯ Ｔｉ０２−Ｎｄ２０ｚ系
・ＢａＯ−ＴｉＯ２ Ｓｍ２０３系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯＯ．５
６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯｓ／ｔの組威比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１ ．
２ ｗｉｎ Ｘ Ｏ ． ７ ｗａ、誘電体層数１９
の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサを作製する
と、静電容量の平均値：７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値
．８７００、静電容量温度係数の平均値：Ｎ３５ｐｐｍ
／℃、絶縁抵抗の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破
壊強度の平均値：１１７ｋｖ／Ｉｌｍｌであり、絶縁抵
抗において満足のできる値ではない。また、結晶粒径が
１〜５μｍと大きいため、素体中の気孔率が大きくなる
とともに結晶粒子１個当たりにかかる電界強度が大きく
なり、絶縁破壊強度も満足のできる値ではない。
６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯｓ／ｔの組威比からな
る誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４μ
ｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１ ．
２ ｗｉｎ Ｘ Ｏ ． ７ ｗａ、誘電体層数１９
の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサを作製する
と、静電容量の平均値：７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値
．８７００、静電容量温度係数の平均値：Ｎ３５ｐｐｍ
／℃、絶縁抵抗の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破
壊強度の平均値：１１７ｋｖ／Ｉｌｍｌであり、絶縁抵
抗において満足のできる値ではない。また、結晶粒径が
１〜５μｍと大きいため、素体中の気孔率が大きくなる
とともに結晶粒子１個当たりにかかる電界強度が大きく
なり、絶縁破壊強度も満足のできる値ではない。
さらに、積層セラミックコンデンサのコストダウンを行
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組戒比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なり寸法，
誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサ
の静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに
静電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと大きくなる
。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなるとと
もに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大きくな
るという課題があった。
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組戒比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なり寸法，
誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサ
の静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに
静電容量のバラツキが２５６〜７１３ｐＦと大きくなる
。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなるとと
もに良好度Ｑのバラツキが６００〜８８００と大きくな
るという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘ Ｂ
ａ Ｏ − ｙ［（Ｔ ｉ ０２）（＋−１１＞（Ｚ
ｒ ０２）ＩＩＩ − ｚ（ Ｒ ｅ ｒ＋−ｎ）Ｍ
ｅｎ） ０３／２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．ＯＯ，０．００１≦ｍ≦０．２００，０．０１≦ｎ
≦０．２０，ＲｅはＬ ａ ＋ Ｐ ｒ ，Ｎ ｄ ，
Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ．
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以
上の希土類元素。）、ｘ．ｙ，ｚが以下に表す各点ａ．
ｂ，ｃ．ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる生
成分１００重量部に対し、副成分としてタンタル酸化物
をＴａ２０５に換算して０．１〜ｉｏ．ｏ重量部含有し
たことを特徴とする誘電体磁器組底物を提案するもので
ある。
ａ Ｏ − ｙ［（Ｔ ｉ ０２）（＋−１１＞（Ｚ
ｒ ０２）ＩＩＩ − ｚ（ Ｒ ｅ ｒ＋−ｎ）Ｍ
ｅｎ） ０３／２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．ＯＯ，０．００１≦ｍ≦０．２００，０．０１≦ｎ
≦０．２０，ＲｅはＬ ａ ＋ Ｐ ｒ ，Ｎ ｄ ，
Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ．
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以
上の希土類元素。）、ｘ．ｙ，ｚが以下に表す各点ａ．
ｂ，ｃ．ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる生
成分１００重量部に対し、副成分としてタンタル酸化物
をＴａ２０５に換算して０．１〜ｉｏ．ｏ重量部含有し
たことを特徴とする誘電体磁器組底物を提案するもので
ある。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組戒範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量沼度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組戒範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量沼度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、ＲｅをＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍから選ぶことによ
り、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ．Ｓｍの１種ある
いは組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である
。さらに、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍから選ばれる一種以
上の希土類元素の一部を、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍを除
く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換
することにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し
、その置換量が０．０１未満では置換効果はな＜，０．
２０を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
り、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ．Ｓｍの１種ある
いは組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である
。さらに、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍから選ばれる一種以
上の希土類元素の一部を、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍを除
く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換
することにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し
、その置換量が０．０１未満では置換効果はな＜，０．
２０を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
また、Ｔｉ０２をＺｒ０２で置換することにより、誘電
率，良好度Ｑ，静電容量温度係数．絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく，結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍがｏ．ｏｏｉ未
満では置換効果はなく、一方０．２００を越えると誘電
率，良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下する。
率，良好度Ｑ，静電容量温度係数．絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく，結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍがｏ．ｏｏｉ未
満では置換効果はなく、一方０．２００を越えると誘電
率，良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にかかる組成物の主成分
に対し、副威分Ｔａ２０５の含有効果を積層セラミック
コンデンサの特性で示すグラフであり、Ｔａ２０ｓの含
有範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する
。第２図に示すようにＴａ２０５を含有することにより
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度が向上し、また静電容量と良
好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さく
する効果を有する。そして、Ｔａ２０５の含有により、
絶縁抵抗．絶縁破壊強度は向上するが、Ｔａ２０ｓの含
有量が主成分ｌ００重量部に対し、０．１重量部未満は
静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑの
バラッキが大きいため、この発明の範囲から除外した。
に対し、副威分Ｔａ２０５の含有効果を積層セラミック
コンデンサの特性で示すグラフであり、Ｔａ２０ｓの含
有範囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する
。第２図に示すようにＴａ２０５を含有することにより
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度が向上し、また静電容量と良
好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さく
する効果を有する。そして、Ｔａ２０５の含有により、
絶縁抵抗．絶縁破壊強度は向上するが、Ｔａ２０ｓの含
有量が主成分ｌ００重量部に対し、０．１重量部未満は
静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑの
バラッキが大きいため、この発明の範囲から除外した。
一方、Ｔａ２０５の含有量が主威分に対し、１ ０．０
重量部を越えると良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなくな
る。
重量部を越えると良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなくな
る。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３Ｔ ｉ ０２
．２ ｒ０２．Ｌａ２０３，Ｐ ｒｅｏ＋＋．Ｎｄ２０
３Ｓｍ２０３，Ｃｅ０２，Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０３およ
びＴａ２０５粉末を下記の第１表に示す組成比になるよ
うに秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのポール
ミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。
．２ ｒ０２．Ｌａ２０３，Ｐ ｒｅｏ＋＋．Ｎｄ２０
３Ｓｍ２０３，Ｃｅ０２，Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０３およ
びＴａ２０５粉末を下記の第１表に示す組成比になるよ
うに秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのポール
ミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。
この乾燥粉末を高アルミナ質のルツポに入れ、空気中で
１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めの
うボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水ととも
に入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、
有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシュの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形
圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５ｗａ，厚み０． ４＋ｎ
ｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷
いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第ｌ表
に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組威比の誘電
体磁器を得た。
１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めの
うボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水ととも
に入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、
有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシュの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形
圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５ｗａ，厚み０． ４＋ｎ
ｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷
いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第ｌ表
に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組威比の誘電
体磁器を得た。
（以下余白）
このようにして１４られた誘電体磁器円板は、厚みと直
径を測定し、誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数測定
用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付
け、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器
円板の外周より内側に１−の幅で銀電極のない部分を設
け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，
静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータ
のモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃，測定電
圧１．ＯＶｒｍｓ，＋１１定周波＃！ｉｌＭＨｚでの測
定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８
５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
径を測定し、誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数測定
用試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付
け、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器
円板の外周より内側に１−の幅で銀電極のない部分を設
け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，
静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータ
のモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃，測定電
圧１．ＯＶｒｍｓ，＋１１定周波＃！ｉｌＭＨｚでの測
定より求めた。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８
５℃の静電容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣ−（Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ１／６５Ｘ１０６ＴＣ：静
電容量塩度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での静
電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
電容量塩度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での静
電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏＸｔ／Ｄ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ）
Ｄ ＝誘電体磁器の直径（ＩｖＩ）
ｔ ：誘電体磁器の厚み（印〉
さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製Ｈ Ｒメータのモデル
４３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定
時間１分間による測定より求めた。
４３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定
時間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業＠製高電圧電源
ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１＋＋ｓ当たりの絶縁破壊
強度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学Ｒ
微鏡観察より求めた。
ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１＋＋ｓ当たりの絶縁破壊
強度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学Ｒ
微鏡観察より求めた。
試験結果を下記の第２表に示す。
（ 以 下 余 白 ）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３ＴｉＯｚ ．
ＺｒＯ２．Ｎｄ２０ｓ ．ＣｅＯ２およびＴａ２０ｓ粉
末を使用し、組成比０．０９ＢａＯ−０，５６丁ｉ ０
２−０．３５［ （ＮｄＯ３／２）ｏ．ｓｓ（ Ｃ ｅ
０２）Ｏ．０５１の主威分１００重量部に対し、Ｔａ
２０ｓを０．０．０５．０．１．０．５０，１．００，
５．００，１０．００，１２。ＯＯ重量部含有した仮焼
粉砕粉を実施例ｌと同様の方法で作製する。
ＺｒＯ２．Ｎｄ２０ｓ ．ＣｅＯ２およびＴａ２０ｓ粉
末を使用し、組成比０．０９ＢａＯ−０，５６丁ｉ ０
２−０．３５［ （ＮｄＯ３／２）ｏ．ｓｓ（ Ｃ ｅ
０２）Ｏ．０５１の主威分１００重量部に対し、Ｔａ
２０ｓを０．０．０５．０．１．０．５０，１．００，
５．００，１０．００，１２。ＯＯ重量部含有した仮焼
粉砕粉を実施例ｌと同様の方法で作製する。
ただし、Ｔａ２０５含有量が０．０．０５．１ ２．０
０重量部は、この発明の範囲外であり、０．１００，０
．５００，１．００，５．００．１０．００重量部は、
この発明の範囲内である。
０重量部は、この発明の範囲外であり、０．１００，０
．５００，１．００，５．００．１０．００重量部は、
この発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー，可塑剤，分散剤
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みがｌ２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学Ｃ株製内部電極パラジ
ウムベ一ストＭＬ − ３ ７ ２ ４を焼結後の内部
電極厚みが２ ｕ ｍとなるようにスクリーン印刷し，
乾燥した。この上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結
後の内部電極瓜なり寸法が１ ． ２ ｗ Ｘ ０ ．
７ ｍとなるように印刷位置をずらして内部電極パラ
ジウムペーストを印刷し、乾燥後、グリーンシ一ト１枚
を積廣した。これらの操作を、誘電体層数が１９となる
まで繰り返した。このＬに、グリーンシ一ト１０枚を積
層した。この積層体を焼結後、内部電極重なり寸法が１
．２１ＩＩｌｌ×０．７ｍｌ、誘電体層数が１９の積層
構造をもつ積層セラミックコンデンサ，となるように切
断した。この切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いた
アルミナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から３５０℃
までを５℃７ ｈ ｒで痒γ品し、３５０℃より１００
℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼戒後、１
００℃／ｈｒで室温まで降温した。次いで、焼成後の試
料は、試料面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部
分を充分露出させ、内部電極露出部分に銀の外部電極を
焼き付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコンデ
ンサを作製した。
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みがｌ２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学Ｃ株製内部電極パラジ
ウムベ一ストＭＬ − ３ ７ ２ ４を焼結後の内部
電極厚みが２ ｕ ｍとなるようにスクリーン印刷し，
乾燥した。この上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結
後の内部電極瓜なり寸法が１ ． ２ ｗ Ｘ ０ ．
７ ｍとなるように印刷位置をずらして内部電極パラ
ジウムペーストを印刷し、乾燥後、グリーンシ一ト１枚
を積廣した。これらの操作を、誘電体層数が１９となる
まで繰り返した。このＬに、グリーンシ一ト１０枚を積
層した。この積層体を焼結後、内部電極重なり寸法が１
．２１ＩＩｌｌ×０．７ｍｌ、誘電体層数が１９の積層
構造をもつ積層セラミックコンデンサ，となるように切
断した。この切断した試料は、ジルコニア粉末を敷いた
アルミナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から３５０℃
までを５℃７ ｈ ｒで痒γ品し、３５０℃より１００
℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼戒後、１
００℃／ｈｒで室温まで降温した。次いで、焼成後の試
料は、試料面を研磨し、外部電極と接合する内部電極部
分を充分露出させ、内部電極露出部分に銀の外部電極を
焼き付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコンデ
ンサを作製した。
これらの試料の静電容量，良好度Ｑ，静電容吸１＝度係
数，絶縁抵抗．絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件
での測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層
セラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１７
７２の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、
誘電体厚みど内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡
観察，より求めた。
数，絶縁抵抗．絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件
での測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層
セラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１７
７２の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００、
誘電体厚みど内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡
観察，より求めた。
この測定結果を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂ
ａ ＣＯ３， Ｔ ｉ ０２， Ｚ ｒ ０２， Ｌ
ａ２０１Ｐｒ６０１１．Ｎｄ２０３，Ｓｍ２０３ ．Ｃ
ｅ０２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２ｏ３およびＴａ２０５を使用
したが、この方法に限定されるしのではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるい
は炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により 、 Ｂ
ａｄ， ＴｉＯ２ ， Ｚｒ０２ ， Ｌａ２
０３ＰｒｓＯ＋＋，ＮｄｚＯ：＋ ．ＳＩＴ１２０３
．Ｃｅｎ２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０：＋およびＴ ａ ２
０ ５となる化合１カを使用しても実施例と同程度の
特性を得ることができる。
ａ ＣＯ３， Ｔ ｉ ０２， Ｚ ｒ ０２， Ｌ
ａ２０１Ｐｒ６０１１．Ｎｄ２０３，Ｓｍ２０３ ．Ｃ
ｅ０２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２ｏ３およびＴａ２０５を使用
したが、この方法に限定されるしのではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるい
は炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により 、 Ｂ
ａｄ， ＴｉＯ２ ， Ｚｒ０２ ， Ｌａ２
０３ＰｒｓＯ＋＋，ＮｄｚＯ：＋ ．ＳＩＴ１２０３
．Ｃｅｎ２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０：＋およびＴ ａ ２
０ ５となる化合１カを使用しても実施例と同程度の
特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添和しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、実施例ではＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類
元素Ｍ ｅとしてＣｅ，Ｄｙ．Ｇｄについて説明したが
、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
元素Ｍ ｅとしてＣｅ，Ｄｙ．Ｇｄについて説明したが
、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特
性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、ＳｉＯ２Ｍｎ０２，Ｆ
ｅ２０３ ．ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
ｅ２０３ ．ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
発明の効果
以Ｅのように本発明によれば、桔晶粒径が小さく、誘電
率．絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのベラツキを小さくできるため、内部ｔ
４４ｉの７９みを薄くしで、積層セラミックコンデンサ
のコス１・ダウンが行えるとともに内部構造欠陥である
デラミネーションの発生を防ぐことができる。また、絶
縁破壊電圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし７、素体
の小型化．大容量化が可能である。
率．絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのベラツキを小さくできるため、内部ｔ
４４ｉの７９みを薄くしで、積層セラミックコンデンサ
のコス１・ダウンが行えるとともに内部構造欠陥である
デラミネーションの発生を防ぐことができる。また、絶
縁破壊電圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし７、素体
の小型化．大容量化が可能である。
第ｌ図は本発明にかかる組成物の主成分のｉｌｌ成範囲
を説明する三元図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にか
かる組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉ Ｏ２０．
３ ５ ［ （Ｎ ｄ ０３／２） ０．９５ （Ｃ
ｅ ０２） ０．０５１の主威分１００重量部に対する
副成分Ｔａ２０５の含有効果を、誘電体厚み・１２μｍ
、内部電極改なり寸法＋１．２ｌｌｗＩＸ０．７ｍ、誘
電体層数＝１！１の積層構造をもつ積層セラミックコン
デンサの電気特性で示すグラフである。
を説明する三元図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にか
かる組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉ Ｏ２０．
３ ５ ［ （Ｎ ｄ ０３／２） ０．９５ （Ｃ
ｅ ０２） ０．０５１の主威分１００重量部に対する
副成分Ｔａ２０５の含有効果を、誘電体厚み・１２μｍ
、内部電極改なり寸法＋１．２ｌｌｗＩＸ０．７ｍ、誘
電体層数＝１！１の積層構造をもつ積層セラミックコン
デンサの電気特性で示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＺｒＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ＿）Ｍ
ｅ＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００，０．００１≦ｍ≦０．２００，０．０１
≦ｎ≦０．２０、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選
ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ
，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類
元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ
，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００
重量部に対し、副成分としてタンタル酸化物をＴａ＿２
Ｏ＿５に換算して０．１〜１０．０重量部含有したこと
を特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156500A JP2847765B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156500A JP2847765B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323259A true JPH0323259A (ja) | 1991-01-31 |
| JP2847765B2 JP2847765B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=15629121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156500A Expired - Fee Related JP2847765B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847765B2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156500A patent/JP2847765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2847765B2 (ja) | 1999-01-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |