JPH03241701A - 抵抗体組成物 - Google Patents
抵抗体組成物Info
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- JPH03241701A JPH03241701A JP9039190A JP3919090A JPH03241701A JP H03241701 A JPH03241701 A JP H03241701A JP 9039190 A JP9039190 A JP 9039190A JP 3919090 A JP3919090 A JP 3919090A JP H03241701 A JPH03241701 A JP H03241701A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は抵抗体組成物に関し、特にたとえば非酸化雰
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
(従来技術)
従来の抵抗体組成物としては、たとえばNiOと、L
it O,B20x 、S ioz 、RO(RはMg
、Ca、Sr、Baの中から選ばれる1種類)などで構
成されるガラスとを含むものがあった。
it O,B20x 、S ioz 、RO(RはMg
、Ca、Sr、Baの中から選ばれる1種類)などで構
成されるガラスとを含むものがあった。
このような抵抗体組成物を用いたセラミクスグリーンシ
ートに卑金属である銅の導体ペーストを塗布し、NiO
とガラスを含む抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化
雰囲気中で焼成する方法がある。このようにすることに
よって、厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層
セラミクス回路基板を得ることができる。
ートに卑金属である銅の導体ペーストを塗布し、NiO
とガラスを含む抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化
雰囲気中で焼成する方法がある。このようにすることに
よって、厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層
セラミクス回路基板を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような抵抗体組成物を用いた厚膜抵
抗体では、抵抗温度係数が数千ppm/’Cと大きい。
抗体では、抵抗温度係数が数千ppm/’Cと大きい。
それゆえに、この発明の主たる目的は、非酸化雰囲気中
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ抵抗温度
係数が±300 ppm/ ”C以内の抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ抵抗温度
係数が±300 ppm/ ”C以内の抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、NiOが40〜70重量部と、CUが5〜
40重量部と、一般式がaLi20+bRO+CB20
s + (100−a−b−c)Si20 (ただし、
RはMg、Ca、Sr、Baの中から選ばれる少なくと
も1種類、a、bおよびCはモル%)で表され、a、b
およびCが、それぞれ、0≦aく20.10≦bく55
.0≦C<40の範囲にあるガラスを5〜50重量部と
を含む、抵抗体組成物である。
40重量部と、一般式がaLi20+bRO+CB20
s + (100−a−b−c)Si20 (ただし、
RはMg、Ca、Sr、Baの中から選ばれる少なくと
も1種類、a、bおよびCはモル%)で表され、a、b
およびCが、それぞれ、0≦aく20.10≦bく55
.0≦C<40の範囲にあるガラスを5〜50重量部と
を含む、抵抗体組成物である。
(発明の効果)
この発明の抵抗体組成物をペースト状にした抵抗体材料
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、抵抗温度係数が±30
0 ppm/ ’c以内の厚膜抵抗体を得ることができ
る。したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる
厚膜導体の形成と同時に、抵抗変化率の小さい厚膜抵抗
体を形成することができる。
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、抵抗温度係数が±30
0 ppm/ ’c以内の厚膜抵抗体を得ることができ
る。したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる
厚膜導体の形成と同時に、抵抗変化率の小さい厚膜抵抗
体を形成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
まず、ガラスの原料として、二酸化珪素(SiO□)、
酸化ホウ素(B203 ) 、炭酸リチウム(L i
z C03)およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備し
た。これらの原料を表1に示す割合となるように秤量し
、ボールミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して
混合粉末を得た。得られた混合粉末をアルミナ製のるつ
ぼに入れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス
化した。そして、200メソシユの篩を通過するように
ボールミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
酸化ホウ素(B203 ) 、炭酸リチウム(L i
z C03)およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備し
た。これらの原料を表1に示す割合となるように秤量し
、ボールミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して
混合粉末を得た。得られた混合粉末をアルミナ製のるつ
ぼに入れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス
化した。そして、200メソシユの篩を通過するように
ボールミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
次に、200メソシユの篩を通過するように粉砕した銅
粉末と、同じく200メソシユの篩を通過するように粉
砕した酸化ニッケル粉末(NiO)を準備した。
粉末と、同じく200メソシユの篩を通過するように粉
砕した酸化ニッケル粉末(NiO)を準備した。
得られたガラス粉末、酸化ニッケル粉末および銅粉末を
表1に示す重量部となるように秤量し、ボールミルで4
時間湿式混合した後、蒸発乾燥してガラス粉末と酸化ニ
ッケル粉末と銅粉末との混合粉末を得た。また、有機結
合剤としてのエチルセルロース10重量部を溶剤として
のブチルカルピトール90重量部に溶かしたものからな
る有機バインダ溶液を準備した。そして、ガラス粉末と
酸化ニッケル粉末と銅粉末との混合粉末100重量部に
有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミル
で混練して抵抗体ペーストを得た。
表1に示す重量部となるように秤量し、ボールミルで4
時間湿式混合した後、蒸発乾燥してガラス粉末と酸化ニ
ッケル粉末と銅粉末との混合粉末を得た。また、有機結
合剤としてのエチルセルロース10重量部を溶剤として
のブチルカルピトール90重量部に溶かしたものからな
る有機バインダ溶液を準備した。そして、ガラス粉末と
酸化ニッケル粉末と銅粉末との混合粉末100重量部に
有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミル
で混練して抵抗体ペーストを得た。
一方、上述の抵抗体ペーストを印刷するためのグリーン
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部。
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部。
酸化カルシウム5重量部からなるセラミクス原料粉末、
アクリル系バインダおよび有機溶剤としてのトルエンを
準備した。これらの材料を秤量してボールミルで24時
間混合した後脱泡処理し、ドクターブレッド法によって
厚さ200μmのグリーンシートを作製した。そして、
このグリーンシートから20mmX20u+のグリーン
シート片を切り抜いた。
アクリル系バインダおよび有機溶剤としてのトルエンを
準備した。これらの材料を秤量してボールミルで24時
間混合した後脱泡処理し、ドクターブレッド法によって
厚さ200μmのグリーンシートを作製した。そして、
このグリーンシートから20mmX20u+のグリーン
シート片を切り抜いた。
また、次のような方法で銅の導体ペーストを作製した。
まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機バ
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ペーストを得た。
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ペーストを得た。
次に、第1図に示すように、グリーンシート片10の一
方主面上に、間隔を隔てて2つの導体ペースト12を印
刷した。この2つの導体ペースト12は、200メツシ
ユのスクリーンを用いて印刷し、120℃で5分間乾燥
した。その後、一部分が2つの導体ペースト12に重な
るように、グリーンシート片10上に抵抗体ペースト1
4を印刷した。抵抗体ペースト14は、200メツシユ
のスクリーンを用いて印刷し、120℃で5分間乾燥し
た。なお、抵抗体ペースト14の導体ペースト12に重
なっていない部分の大きさは411×6璽lであり、厚
さは20μmである。
方主面上に、間隔を隔てて2つの導体ペースト12を印
刷した。この2つの導体ペースト12は、200メツシ
ユのスクリーンを用いて印刷し、120℃で5分間乾燥
した。その後、一部分が2つの導体ペースト12に重な
るように、グリーンシート片10上に抵抗体ペースト1
4を印刷した。抵抗体ペースト14は、200メツシユ
のスクリーンを用いて印刷し、120℃で5分間乾燥し
た。なお、抵抗体ペースト14の導体ペースト12に重
なっていない部分の大きさは411×6璽lであり、厚
さは20μmである。
さらに、第2図に示すように、グリーンシート片10の
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、
400 kg/cn!で熱圧着して化ユニットを形成し
た。この化ユニットのグリーンシート片16の導体ペー
スト12に対応する部分に、スルーホール18を形成し
た。そして、スルーホール18の内壁とグリーンシート
片16のスルーホール18周辺部に導体ペーストを20
0メソシユのスクリーンで印刷し、電極パッド20を形
成した。
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、
400 kg/cn!で熱圧着して化ユニットを形成し
た。この化ユニットのグリーンシート片16の導体ペー
スト12に対応する部分に、スルーホール18を形成し
た。そして、スルーホール18の内壁とグリーンシート
片16のスルーホール18周辺部に導体ペーストを20
0メソシユのスクリーンで印刷し、電極パッド20を形
成した。
このようにして、得られた化ユニットをN2およびH,
Oの混合ガスを用いて電気炉中で940〜1020℃で
2時間焼成し、厚膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を
作製した。そして、25℃におけるセラミクス基板内の
抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメークで測定し、抵抗
体の焼成後の寸法からシート抵抗を算出して表2に示し
た。
Oの混合ガスを用いて電気炉中で940〜1020℃で
2時間焼成し、厚膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を
作製した。そして、25℃におけるセラミクス基板内の
抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメークで測定し、抵抗
体の焼成後の寸法からシート抵抗を算出して表2に示し
た。
また、−55℃〜+150℃におけるセラミクス基板内
の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメータで測定した。
の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメータで測定した。
そして、その抵抗値と25℃での抵抗値とから抵抗温度
係数を算出して表2に示した。
係数を算出して表2に示した。
次に、各成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
試料番号4に示すようにNiOが40重量部より少なく
なるか、あるいは試料番号1のようにNi0が70重量
部より多くなると、抵抗温度係数が+300 ppm/
’Cより大きくなる。
なるか、あるいは試料番号1のようにNi0が70重量
部より多くなると、抵抗温度係数が+300 ppm/
’Cより大きくなる。
また、試料番号8に示すようにCuが5重量部より少な
くなるか、あるいは試料番号5のようにCuが40重量
部より多くなっても、抵抗温度係数が+300 ppm
/ ’Cより大きくなる。
くなるか、あるいは試料番号5のようにCuが40重量
部より多くなっても、抵抗温度係数が+300 ppm
/ ’Cより大きくなる。
一方、試料番号12のように、ガラスの含有量が5重量
部より少ないと、抵抗体が緻密に焼結せず抵抗値が大き
くなりすぎる。他方、試料番号9のように、磁器半導体
に対するガラスの含有量が50重量部より多くなっても
、抵抗値が大きくなりすぎる。
部より少ないと、抵抗体が緻密に焼結せず抵抗値が大き
くなりすぎる。他方、試料番号9のように、磁器半導体
に対するガラスの含有量が50重量部より多くなっても
、抵抗値が大きくなりすぎる。
さらに、ガラスにおけるLizO成分、RO酸成分よび
B2O3成分の組成範囲a、bおよびCを限定した理由
について説明する。つまり、試料番号14のようにaが
20モル%以上になるか、試料番号28〜31のように
bが55モル%以上になるか、または試料番号34のよ
うにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくなり
すぎる。
B2O3成分の組成範囲a、bおよびCを限定した理由
について説明する。つまり、試料番号14のようにaが
20モル%以上になるか、試料番号28〜31のように
bが55モル%以上になるか、または試料番号34のよ
うにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくなり
すぎる。
また、試料番号20〜23のようにbが10モル%より
少ないと、抵抗体が緻密に焼結せず抵抗値が大きくなり
すぎる。
少ないと、抵抗体が緻密に焼結せず抵抗値が大きくなり
すぎる。
それに対して、この発明の抵抗体組成物を用いれば、非
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも、抵抗温度係数が±300ppIIl/℃以内の
抵抗体を得ることができる。
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも、抵抗温度係数が±300ppIIl/℃以内の
抵抗体を得ることができる。
第1図はグリーンシート片上に導体ペーストおよび抵抗
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された化ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極パッドを示す。
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された化ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極パッドを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 NiOが40〜70重量部、 Cuが5〜40重量部、および 一般式がaLi_2O+bRO+cB_2O_3+(1
00−a−b−c)SiO_2(ただし、RはMg,C
a,Sr,Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a
,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、
それぞれ 0≦a<20 10≦b<55 0≦c<40 の範囲にあるガラスを5〜50重量部含む、抵抗体組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039190A JPH03241701A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 抵抗体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039190A JPH03241701A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 抵抗体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241701A true JPH03241701A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12546197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9039190A Pending JPH03241701A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 抵抗体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066475A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗体形成用組成物、厚膜抵抗体の形成方法及び厚膜抵抗体 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP9039190A patent/JPH03241701A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066475A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗体形成用組成物、厚膜抵抗体の形成方法及び厚膜抵抗体 |
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