JPH03212902A - 抵抗体組成物 - Google Patents

抵抗体組成物

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JPH03212902A
JPH03212902A JP2009449A JP944990A JPH03212902A JP H03212902 A JPH03212902 A JP H03212902A JP 2009449 A JP2009449 A JP 2009449A JP 944990 A JP944990 A JP 944990A JP H03212902 A JPH03212902 A JP H03212902A
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JP
Japan
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resistor
paste
composition
weight
glass
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Pending
Application number
JP2009449A
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English (en)
Inventor
Wakichi Tsukamoto
塚本 和吉
Hiroshi Takagi
洋 鷹木
Yukio Sakabe
行雄 坂部
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は抵抗体組成物に関し、特にたとえば非酸化雰
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
(従来技術) 従来の抵抗体組成物としては、たとえばNiOと、Li
t o、B203 、S io□、RO(RはM g 
+  Ca +  S r 、B aの中から選ばれる
1種類)などで構成されるガラスとを含むものがあった
このような抵抗体組成物を用いたセラミクスグリーンシ
ートに卑金属である銅の導体ペーストを塗布し、NiO
とガラスを含む抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化
雰囲気中で焼成する方法がある。このようにすることに
よって、厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層
セラミクス回路基板を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような抵抗体組成物を用いた厚膜抵
抗体では、十分な耐湿特性を得ることができない。たと
えば、温度60℃、相対湿度95%の環境下に1000
時間放置した場合の抵抗変化率は+5%〜+10%程度
になる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、非酸化雰囲気中
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ耐湿試験
における抵抗変化率が±2%以内の抵抗体を得ることが
できる、抵抗体組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段) この発明は、一般式がNi、、。□LixOで表され、
Xが、0.001<x<0.15の範囲にある磁器半導
体を50〜95重量部と、一般式がaLi20+bRO
+cBz Owl + (100−ab  c)Sin
2 (ただし、RはMg、CaSr、Baの中から選ば
れる少なくとも1種類、a、bおよびCはモル%)で表
され、a、bおよびCが、それぞれ、0≦a〈20.1
0≦b<55.0≦Cく40の範囲にあるガラスを5〜
50重量部とを含む、抵抗体組成物である。
(発明の効果) この発明の抵抗体組成物をペースト状にした抵抗体材料
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、耐湿試験における抵抗
変化率が±2%以内の厚膜抵抗体を得ることができる。
したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる厚膜
導体の形成と同時に、抵抗変化率の小さい厚膜抵抗体を
形成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) まず、ガラスの原料として、二酸化珪素(SiOt)、
酸化ホウ素(Bto、)、炭酸リチウム(L i t 
COx )およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備した
。これらの原料を表1に示す割合となるように秤量し、
ボールミルで16時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混
合粉末を得た。得られた混合粉末をアルミナ性のるつぼ
に入れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス化
した。そして、200メツシユの篩を通過するようにボ
ールミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
次に、磁器半導体の原料として、酸化ニッケル(N i
 O)および炭酸リチウム(L i z Coa+ )
を準備した。これらの原料を表1に示す組成となるよう
に秤量し、ボールミルで16時間湿式混合した後、蒸発
乾燥して混合粉末を得た。得られた混合粉末をジルコニ
ア質の匣に入れて1400℃で2時間焼成した後、20
0メツシユの篩を通過するようにボールミルを用いて粉
砕し、磁器半導体粉末を得た。
得られたガラス粉末と磁器半導体粉末とを表1に示す重
量部となるように秤量し、ボールミルで4時間湿式混合
した後、蒸発乾燥してガラス粉末と磁器半導体粉末との
混合粉末を得た。また、有機結合剤としてのエチルセル
ロース10重tSを溶剤としてのブチルカルピトール9
0重量部に溶かしたものからなる有機バインダ溶液を準
備した。
そして、ガラス粉末と磁器半導体粉末との混合粉末10
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本
ロールミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
一方、上述の抵抗体ペーストを印刷するためのグリーン
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部。
酸化カルシウム5重量部からなるセラミクス原料粉末、
アクリル系バインダおよび有機溶剤としてのトルエンを
準備した。これらの材料を秤量してボールミルで24時
間混合した後脱泡処理し、ドクターブレード法によって
厚さ200μmのグリーンシートを作製した。そして、
このグリーンシートから20mmX20mのグリーンシ
ート片を切り抜いた。
また、次のような方法で銅の導体ペーストを作製した。
まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機バ
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ぺ一ストを得た。
次に、第1図に示すように、グリーンシート片10の一
方主面上に、間隔を隔てて導体ペースト12を印刷した
。導体ペースト12は、200メツシユのスクリーンを
用いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。その後、一
部分が2つの導体ペースト12に重なるように、グリー
ンシート片10上に抵抗体ペースト14を印刷した。抵
抗体ペースト14は、200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。なお、抵抗体
ペースト14の導体ペースト12に重なっていない部分
の大きさは4 was X 6 inであり、厚さは2
0μmである。
さらに、第2図に示すように、グリーンシート片10の
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、  
400 kg/ciで熱圧着して生ユニットを形成した
。この生ユニットのグリーンシート片16の導体ペース
ト12に対応する部分に、スルーホール18を形成した
。そして、スルーホール18の内壁とグリーンシート片
16のスルーホール18周辺部に導体ペーストを200
メツシユのスクリーンで印刷し、電極パッド20を形成
した。
得られた生ユニットをN2およびH,Oの混合ガスを用
いて電気炉中で940〜1020℃で2時間焼成し、厚
膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そして
、25℃におけるセラミクス基板内の抵抗体の抵抗値R
1をデジタルマルチメータで測定し、抵抗体の焼成後の
寸法からシート抵抗を算出して表2に示した。
次に、これらの試料を温度60℃、相対湿度90%の環
境下に1000時間放置したのち、デジタルマルチメー
タで抵抗体の抵抗値を測定し、R2とした。そして、耐
湿試験による抵抗体の抵抗変化率ΔRを次式で求めた。
ΔR= 100 (Rz −R+ ) /R+そして、
これらの結果を表2に示した。
次に、各成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
磁器半導体において、試料番号1に示すようにLiの比
率Xが0.001以下になるか、試料番号6のようにX
が0.15以上になると、抵抗変化率ΔRが±2%より
大きくなる。
また、試料番号12のように、ガラスに対する磁器半導
体の含有量が50重量部より少ないと、抵抗値が大きく
なりすぎる。また、試料番号7のように、ガラスに対す
る磁器半導体の含有量が95重量部より多くなると、緻
密に焼結することができなくなる。
さらに、ガラスにおけるLizO成分、RO酸成分よび
B、03成分の組成範囲a、bおよびCを限定した理由
について説明する。つまり、試料番号14のようにaが
20モル%以上になるか、試料番号28〜31のように
bが55モル%以上になるか、または試料番号34のよ
うにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくなり
すぎる。
また、試料番号20〜23のようにbが10モル%より
少ないと、抵抗体が緻密に焼結しない。
それに対して、この発明の抵抗体組成物を用いれば、非
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも抵抗変化率が±2%以下の抵抗体を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はグリーンシート片上に導体ペーストおよび抵抗
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、I8はスルー
ホール、20は電極パッドを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式がNi_1_._0_−_xLi_xOで表され
    、xが0.001<x<0.15 の範囲にある磁器半導体を50〜95重量部、および 一般式がaLi_2O+bRO+cB_2O_3+(1
    00−a−b−c)SiO_2(ただし、RはMg、C
    a、Sr、Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a
    、bおよびcはモル%)で表され、a、bおよびcが、
    それぞれ 0≦a<20 10≦b<55 0≦c<40 の範囲にあるガラスを5〜50重量部含む、抵抗体組成
    物。
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