JPH03250425A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03250425A JPH03250425A JP2047606A JP4760690A JPH03250425A JP H03250425 A JPH03250425 A JP H03250425A JP 2047606 A JP2047606 A JP 2047606A JP 4760690 A JP4760690 A JP 4760690A JP H03250425 A JPH03250425 A JP H03250425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electron beam
- perpendicular magnetization
- polymer film
- deposition
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁気
記録媒体の製造方法に関する。
記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
基板面に垂直方向の反平行残留磁化を利用する垂直記録
は、高密度記録に於て高出力が期待されている。この方
式には、Ｃｏ−Ｃｒ膜に代表される垂直磁化可能な膿を
磁気記録層とした磁気記録媒体と、垂直磁界の強い垂直
ヘッドや、従来より広く用いられているリングタイプの
磁気ヘッドとが組み合わせられ、最近では、初期に必要
とされていたμｍオーダーのパーマロイ薄膜の代りに、
１ｏｏ入程度のパーマロイ膜によってもリングタイプの
磁気ヘッドで高密度記録が達成されることが示され〔例
えばジャーナル オブ ザ マグネティクス ソサエテ
ィ オプ ジャパン（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ ｔｈｓ Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃｓ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ
） Ｖｏ１１３、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ ＡＳｌ、２１
〜２８（１９８９）参照〕、実用化に近すいてきている
。媒体を製造する立場でみると、高分子フィルムに直接
Ｃ。
は、高密度記録に於て高出力が期待されている。この方
式には、Ｃｏ−Ｃｒ膜に代表される垂直磁化可能な膿を
磁気記録層とした磁気記録媒体と、垂直磁界の強い垂直
ヘッドや、従来より広く用いられているリングタイプの
磁気ヘッドとが組み合わせられ、最近では、初期に必要
とされていたμｍオーダーのパーマロイ薄膜の代りに、
１ｏｏ入程度のパーマロイ膜によってもリングタイプの
磁気ヘッドで高密度記録が達成されることが示され〔例
えばジャーナル オブ ザ マグネティクス ソサエテ
ィ オプ ジャパン（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ ｔｈｓ Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃｓ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ
） Ｖｏ１１３、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ ＡＳｌ、２１
〜２８（１９８９）参照〕、実用化に近すいてきている
。媒体を製造する立場でみると、高分子フィルムに直接
Ｃ。
Ｃｒ薄膜等の垂直磁化膜を形成したもので実用化できる
のが最も望ましい。又製膜速度も電子ビーム蒸着法かそ
れに近い高速製膜法が最も好ましい。
のが最も望ましい。又製膜速度も電子ビーム蒸着法かそ
れに近い高速製膜法が最も好ましい。
電子ビーム蒸着法でＣｏ−Ｃｒ膜を垂直磁化膜として性
能を高めるには、基板温度を２０Ｑ℃以上にすることに
加えて、イオンガンで照射すること等が工夫され〔アイ
イーイーイー トランザクションズ オンマグネティク
７、 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃｓ）Ｖｏｌ 、ＭＡＧ−２５、Ａ５．４
１８３〜４１８５ （１９８９） ） ヌパソタリン
グ法で知られる特性に近いものが得られるようになって
きている。
能を高めるには、基板温度を２０Ｑ℃以上にすることに
加えて、イオンガンで照射すること等が工夫され〔アイ
イーイーイー トランザクションズ オンマグネティク
７、 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃｓ）Ｖｏｌ 、ＭＡＧ−２５、Ａ５．４
１８３〜４１８５ （１９８９） ） ヌパソタリン
グ法で知られる特性に近いものが得られるようになって
きている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、電子ビーム蒸着法によシ垂直磁化膜を形
成する方法で良好な特性を得るには、高温に基板をさら
す必要があシ、ポリイミドのような耐熱性の高い高分子
フィルムを使用しなければならない。最近Ｃｏ−０系垂
直磁化膜による低温化が報告され注目されているが、Ｃ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜の高密度記録特性には及ばないこと
から、ｃ。
成する方法で良好な特性を得るには、高温に基板をさら
す必要があシ、ポリイミドのような耐熱性の高い高分子
フィルムを使用しなければならない。最近Ｃｏ−０系垂
直磁化膜による低温化が報告され注目されているが、Ｃ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜の高密度記録特性には及ばないこと
から、ｃ。
−Ｃｒ垂直磁化膜の低温化が要望されている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、Ｃｏ−Ｃ
ｒ系垂直磁化膜を１００℃以下のフィルム加熱で得られ
るようにした製造方法を提供するものである。
ｒ系垂直磁化膜を１００℃以下のフィルム加熱で得られ
るようにした製造方法を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するための手段は、移動する高分子
フィルム上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜を電子ビーム蒸着
法で形成する際、高分子フィルムよりのガス放出量を３
ｘ １ｏ −４〔Ｔｏｒｒ−ｅ滲〕 としたことで
ある。
フィルム上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜を電子ビーム蒸着
法で形成する際、高分子フィルムよりのガス放出量を３
ｘ １ｏ −４〔Ｔｏｒｒ−ｅ滲〕 としたことで
ある。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、Ｃｏ−Ｃｒ系の結晶成長の初期層が面内磁化となり、
リングヘッドでの記録性能を低下させることを防ぐこと
ができる。即ち、初期に於ても結晶成長に於て重要なＣ
軸の基板面に対しての垂直配向を乱すガス分子の介在が
無視できるようになるからである。
、Ｃｏ−Ｃｒ系の結晶成長の初期層が面内磁化となり、
リングヘッドでの記録性能を低下させることを防ぐこと
ができる。即ち、初期に於ても結晶成長に於て重要なＣ
軸の基板面に対しての垂直配向を乱すガス分子の介在が
無視できるようになるからである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について詳し
く説明する。第１図は本発明の製造方法により製造され
る磁気記録媒体の拡大断面図である。第１図で、１はポ
リエチレンテレフタレート。
く説明する。第１図は本発明の製造方法により製造され
る磁気記録媒体の拡大断面図である。第１図で、１はポ
リエチレンテレフタレート。
ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムで、耐熱
性ではなくて、機械強度の要請からアラミドフィルムや
ポリイミドフィルムを用いても良い。
性ではなくて、機械強度の要請からアラミドフィルムや
ポリイミドフィルムを用いても良い。
２は耐久性を改善する目的で配される微粒子塗布層で、
クレームの高分子フィルムはこの層が配されている時は
、勿論この層を含めてのガス放出量を対象としている。
クレームの高分子フィルムはこの層が配されている時は
、勿論この層を含めてのガス放出量を対象としている。
３はＣｏ−Ｃｒ 、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ 。
Ｃｏ−Ｃｒ −Ｎｂ 、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ 、 Ｃｏ
−Ｐ ｔ−Ｃｒ 、 Ｃ。
−Ｐ ｔ−Ｃｒ 、 Ｃ。
Ｃｒ−Ｒｈ等のＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜で、４は保護潤
滑層で、６はバックコート層である。
滑層で、６はバックコート層である。
第２図は、本発明の製造方法を実施するのに用いた蒸着
装置の要部構成図である。第２図で、高分子フィルム６
は巻取軸６（加熱機構をもっている）から送り出され加
熱ローラ了を経由して、蒸着キャン８へと導かれ、加速
電子ビーム９により加熱された蒸発源１ｏより放射され
る蒸気流の一部の入射角範囲を限定するマスク１１を通
過した蒸気流でＣｏ −Ｃｒ糸の垂直磁化膜が形成され
その後巻取軸１２にて巻き上げられるよう構成される。
装置の要部構成図である。第２図で、高分子フィルム６
は巻取軸６（加熱機構をもっている）から送り出され加
熱ローラ了を経由して、蒸着キャン８へと導かれ、加速
電子ビーム９により加熱された蒸発源１ｏより放射され
る蒸気流の一部の入射角範囲を限定するマスク１１を通
過した蒸気流でＣｏ −Ｃｒ糸の垂直磁化膜が形成され
その後巻取軸１２にて巻き上げられるよう構成される。
第２図で１３は真空容器、１４は上室で脱ガスと巻取り
を包含し、１５の下室は蒸着を行う空間を占めるもので
、１６．１７は夫々真空排完系、１８は電子ビーム発生
器、１９はフリーローラーである。
を包含し、１５の下室は蒸着を行う空間を占めるもので
、１６．１７は夫々真空排完系、１８は電子ビーム発生
器、１９はフリーローラーである。
第２図で那熱ローラの直径を３００とし、抱き角ｉ ３
０００ とし蒸着キャンは直径５０αとし、直下２６
１に蒸発面を配し、以下にのべる実施例と比較例の比較
評価を行った。脱ガスのために加熱ローラに沿ってくり
返し移動できるように巻取り制御は双方向可能とした。
０００ とし蒸着キャンは直径５０αとし、直下２６
１に蒸発面を配し、以下にのべる実施例と比較例の比較
評価を行った。脱ガスのために加熱ローラに沿ってくり
返し移動できるように巻取り制御は双方向可能とした。
蒸着キャン温度は３０℃一定とし、加勢ローラを７０℃
〜２９０ ’Ｃの範囲でコントロールできるようにし、
くり返し走行でガス放出量を可変し、異なるガス放出条
件で、実際にＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．５ ｗｔ％）を入
射角１０度以内の成分で０．２μｍ電子ビーム蒸着しく
３８００人／５ｅｃ）、その上にパーフロロポリエテル
として市販のフオンブリンＺ−２５Ｃモンテジソン■製
〕を約６０人塗布し、リングヘッド（キャップ長０．１
５μｍ、ｉ層アモルファヌ型）でビット長０．２μｍを
記録し、再生感度を比較した。
〜２９０ ’Ｃの範囲でコントロールできるようにし、
くり返し走行でガス放出量を可変し、異なるガス放出条
件で、実際にＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．５ ｗｔ％）を入
射角１０度以内の成分で０．２μｍ電子ビーム蒸着しく
３８００人／５ｅｃ）、その上にパーフロロポリエテル
として市販のフオンブリンＺ−２５Ｃモンテジソン■製
〕を約６０人塗布し、リングヘッド（キャップ長０．１
５μｍ、ｉ層アモルファヌ型）でビット長０．２μｍを
記録し、再生感度を比較した。
高分子フィルムはポリエチレンテレフタレート。
ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリイミ
ドのフィルムを厚み１１μｍ、平均表面粗さ４０人〜４
６人とした。０（ｄＢ）は、ポリイミドフィルム上に、
高周波スパッタリング法で１００人バーマロン膜薄を配
した後に、同じく高周波スパッタリング法で０．２μｍ
Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．４ｗｔ％）垂直磁化膜を配し、
フオンブリンＺ−２５を６ｏ入配したテープの再生出力
の値である。第３図に、ガス放出量をパラメータにして
再生出力分布をプロットした結果を示した。
ト、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリイミ
ドのフィルムを厚み１１μｍ、平均表面粗さ４０人〜４
６人とした。０（ｄＢ）は、ポリイミドフィルム上に、
高周波スパッタリング法で１００人バーマロン膜薄を配
した後に、同じく高周波スパッタリング法で０．２μｍ
Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．４ｗｔ％）垂直磁化膜を配し、
フオンブリンＺ−２５を６ｏ入配したテープの再生出力
の値である。第３図に、ガス放出量をパラメータにして
再生出力分布をプロットした結果を示した。
第３図より３ Ｘ １０−’−４〔Ｔｏｒｒ−１／５ｅ
ｃ）以下ニオさえれば、１（ｄＢ）以内に制御できるこ
とがわかる。尚蒸着速度がこの例では３８００（八／５
ｅｃ）であるが、当然予想されるように１ｏｏ入／東〜
５００人／要と低速度に移行するに従って、ガス放出の
影響が厳しくなっていき、３Ｘ１０’−４〔Ｔｏｒｒ−
ｌ ／ｓｅｃ ）でも再生出力にバラツキがでてくる。
ｃ）以下ニオさえれば、１（ｄＢ）以内に制御できるこ
とがわかる。尚蒸着速度がこの例では３８００（八／５
ｅｃ）であるが、当然予想されるように１ｏｏ入／東〜
５００人／要と低速度に移行するに従って、ガス放出の
影響が厳しくなっていき、３Ｘ１０’−４〔Ｔｏｒｒ−
ｌ ／ｓｅｃ ）でも再生出力にバラツキがでてくる。
本発明は量産規模を前提としていることから３０００（
人／５ｅｃ）は下限とみている。その範囲であれば、３
×１０ −４〔Ｔｏｒｒ−ｌ ／５ｅｃ）に磁界をオイ
ていいといえる。第３図には微粒子塗布層を配したもの
を含んでいないが、それらについても同じ扱いでよい。
人／５ｅｃ）は下限とみている。その範囲であれば、３
×１０ −４〔Ｔｏｒｒ−ｌ ／５ｅｃ）に磁界をオイ
ていいといえる。第３図には微粒子塗布層を配したもの
を含んでいないが、それらについても同じ扱いでよい。
課題を解決するための別の手段は、電子ビーム蒸着を開
始する側の蒸着速度が３００（入／５ｅｃ）以下である
ようにしたものである。本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、上記した構成によシ初期の結晶性が改良され、ト
ータルで電子ビーム蒸着の高速性を維持しながら垂直磁
化膜の高性能化を図ることができる。第４図は本発明を
実施するのに用いた蒸着開始側の第１次マスクで、入射
角規制の為のキャンに近い位置に設けるマスクとは別に
蒸発源に近い側に設けて、実効的な蒸着速度を図中のＰ
とｄを調整することで可変し、トータルとしてみての平
均蒸着速度が１３０００ （Ａ／５ｅｃ）〜３０００
（人／ｓｅｃ ）の範囲で実施し、臨界の３００（入／
５ｅｃ） 以下になるようにするものである。蒸着開
始側としては、全膜厚の１／１ｏ〜１／３０でよい。キ
ャン温度は０℃〜４５℃の範囲で、ガヌ放呂量は５ｘ１
ｏ −４〔Ｔｏｒｒ−ｄ／５ｅｃ） 〜７Ｘ１０
’−４〔ＴｏｒｒＪ ／５ｅｃ）の範囲で実施した。Ｃ
ｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．７ ｗｔ％）を入射角６度以内で
電子ビーム蒸着し、初期成長層の形成速度をパラメータ
にしてテープの再生出力を第３図と同じ基準で比較した
結果を第５図に示した。Ｃｏ−、−Ｃｒ以外でも同様の
結果であったのと、入射角についても４０度以内であれ
ば、本発明の作用効果は維持できることを別に確認した
。
始する側の蒸着速度が３００（入／５ｅｃ）以下である
ようにしたものである。本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、上記した構成によシ初期の結晶性が改良され、ト
ータルで電子ビーム蒸着の高速性を維持しながら垂直磁
化膜の高性能化を図ることができる。第４図は本発明を
実施するのに用いた蒸着開始側の第１次マスクで、入射
角規制の為のキャンに近い位置に設けるマスクとは別に
蒸発源に近い側に設けて、実効的な蒸着速度を図中のＰ
とｄを調整することで可変し、トータルとしてみての平
均蒸着速度が１３０００ （Ａ／５ｅｃ）〜３０００
（人／ｓｅｃ ）の範囲で実施し、臨界の３００（入／
５ｅｃ） 以下になるようにするものである。蒸着開
始側としては、全膜厚の１／１ｏ〜１／３０でよい。キ
ャン温度は０℃〜４５℃の範囲で、ガヌ放呂量は５ｘ１
ｏ −４〔Ｔｏｒｒ−ｄ／５ｅｃ） 〜７Ｘ１０
’−４〔ＴｏｒｒＪ ／５ｅｃ）の範囲で実施した。Ｃ
ｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．７ ｗｔ％）を入射角６度以内で
電子ビーム蒸着し、初期成長層の形成速度をパラメータ
にしてテープの再生出力を第３図と同じ基準で比較した
結果を第５図に示した。Ｃｏ−、−Ｃｒ以外でも同様の
結果であったのと、入射角についても４０度以内であれ
ば、本発明の作用効果は維持できることを別に確認した
。
発明の効果
以上のように本発明によれば、低温であっても電子ビー
ム蒸着法にて高性能な垂直磁化膜を得ることができると
いったすぐれた効果がある。
ム蒸着法にて高性能な垂直磁化膜を得ることができると
いったすぐれた効果がある。
第１図は本発明の実施例により得られる磁気記録媒体の
拡大断面図、第２図は本発明の製造方法を実施するのに
用いた蒸着装置の要部構成図、第３図はガス放出量と相
対出力の相関図、第４図は本発明の別の実施例を実施す
るのに用いた装置の要部説明図、第５図は初期形成速度
と相対出力の相関図である。 １．６・・・・・・高分子フィルム、２・・目・・微粒
子塗布層、３・・・・・・Ｃｏ−０ｒ垂直磁化膜、４・
旧・・保護潤滑層、７・・・・・・加熱ローラ、８・・
口・・蒸着キャン、１゜・・・・・・蒸発源、２１・・
山第１次マスク。
拡大断面図、第２図は本発明の製造方法を実施するのに
用いた蒸着装置の要部構成図、第３図はガス放出量と相
対出力の相関図、第４図は本発明の別の実施例を実施す
るのに用いた装置の要部説明図、第５図は初期形成速度
と相対出力の相関図である。 １．６・・・・・・高分子フィルム、２・・目・・微粒
子塗布層、３・・・・・・Ｃｏ−０ｒ垂直磁化膜、４・
旧・・保護潤滑層、７・・・・・・加熱ローラ、８・・
口・・蒸着キャン、１゜・・・・・・蒸発源、２１・・
山第１次マスク。
Claims (2)
- （１）移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁
化膜を電子ビーム蒸着法で形成する際、高分子フィルム
によりのガス放出量を３×１０＾−＾４〔Ｔｏｒｒ・ｌ
／ｓｅｃ〕とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - （２）移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁
化膜を形成する際、電子ビーム蒸着を開始する側の蒸着
速度が３００（Å／ｓｅｃ）以下であることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047606A JPH03250425A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047606A JPH03250425A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250425A true JPH03250425A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12779897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2047606A Pending JPH03250425A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250425A (ja) |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2047606A patent/JPH03250425A/ja active Pending
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