JPH0443324B2 - - Google Patents
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- JPH0443324B2 JPH0443324B2 JP23811883A JP23811883A JPH0443324B2 JP H0443324 B2 JPH0443324 B2 JP H0443324B2 JP 23811883 A JP23811883 A JP 23811883A JP 23811883 A JP23811883 A JP 23811883A JP H0443324 B2 JPH0443324 B2 JP H0443324B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年高密度記録への要求が高まると共に、磁気
記録層を強磁性金属薄膜で構成した磁気記録媒体
の実用化が各方面で活発に検討されはじめてい
る。 かかる媒体は、高密度記録を目指すのであるか
ら、短波長ではスペース損失が再生出力の低下に
支配的に作用するので、おのずと磁気記録層表面
は平滑になつていく。従つて磁気ヘツドとの高速
摺動はもとより、走行機構部材との摩擦が大きく
なり、対策が必要になる。従つて第１図に示した
ように、高分子等の基板の上に、真空蒸着法、ス
パツタリング法、湿式めつき法等の方法で形成し
た、Co−Ni−Ｏ、Co−Ni−Ｐ、Co−Cr、等の
強磁性金属薄膜から成る磁気記録層２を配した上
に、保護層３を配した構成の磁気記録媒体４が一
般的な構造となる。 ここで保護層は、前述したようにスペース損失
の制約から1000〓以下好ましくは100Å〜200Å程
度でその目的を果すことが必要な条件となり、湿
式塗布法により、脂肪酸、脂肪酸アミド、金属石
けん、脂肪酸エステル、シリコンオイル、フツ素
オイル等を薄く塗布形成することや、テフロンを
ターゲツトにしてスパツタリング法で薄膜化する
こと等が検討されているが、温度湿度を変えたい
ろいろな環境で充分な走行性能を確保するものは
ない。 特にシリコーン系のプラズマ重合膜等は性能は
満足できるが、厚み1000Å程度と厚く、改良が望
まれていた。 発明の目的 本発明はプラズマ重合膜の利点を薄膜領域でも
発揮できる製造方法を提供し、実用的な強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造を
可能にすることを目的とする。 発明の構成 本発明は、移動する強磁性金属薄膜上にプラズ
マ重合膜を形成する際、前記薄膜の移動方向と、
プラズマ吹き付け方向が相対することを特徴とす
るもので、200Å以下のスペース損失の無視でき
る厚み領域で保護膜としての効果の充分なものを
得ることのできるものである。 実施例の説明 以下本発明の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。 第２図は本発明の方法を実施するのに用いた、
保護層形成装置の要部構成図である。 強磁性金属薄膜５（勿論、これは基板上に形成
されたものであるが説明の便宜上図のごとくにす
る。）は、送り出し軸６から巻取り軸７へ矢印８
の方向に移動するよう構成される。巻取り系は真
空槽内部９に配置され、真空槽の構成壁１０の一
部より、プラズマ噴射ノズル１１が大気より、真
空内へ貫通配置される。前記ノズル１１は、励起
コイル１２が大気中に巻回配置され、モノマーガ
ス１３を単独又はキヤリアガスと同時に導入し、
プラズマ重合されて、重合状態のガス１４で噴射
を行うものである。１５は押さえフランジで１６
はオーリングシールである。 励起コイル１２は整合回路を介して高周波電源
に接続されている。尚プラズマ重合膜を作るため
のプラズマ発生方法はこの例だけに限定されるも
のではないのは勿論である。 尚、磁気記録層の形成と前記保護層の形成を連
続的に行うよう構成しても良いのは勿論である。 本発明で用いられる強磁性金属薄膜としては、
Co、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ti、Co−Ｗ、Co−
Mo、Co−Ni−Ｏ等いずれでも良く、いわゆる長
手記録用、垂直記録用のいずれでも良いし、製法
に依存しない。 高周波は1MHzから30MHzまでがよく用いられ、
キヤリアガスとしてはアルゴン等が必要に応じて
用いられ、モノマーガスとしては、CF4、C3F8、
CF3Clパーフロロシクロブタン、ビニルトリメチ
ルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメ
チルシクロテトラシロキサン等が適宜用いられ
る。 以下に更に具体的な実施例で本発明を詳しく説
明するが、これらに本発明が限定されるものでな
いことは勿論である。 実施例 １ 厚み10μｍ、表面粗さ200Åのポリエチレンテ
レフタレート上にCo−Ni（Ni20wt％）を入射角
40゜以上で斜め蒸着した。真空度は１×10-6Torr
まで排気してから酸素を導入して２×10-5Torr
にした。Co−Niは電子ビーム加熱で蒸発させ、
およそ3000Å／secで蒸着し、膜厚は0.1μｍに制
御した。 この蒸着膜の移動方向と一致する方向と（比較
例１）、蒸着膜にほぼ直角にプラズマを吹きつけ
るよう（比較例２）にした場合と本発明の場合を
比較した。 プラズマは、CF4ガスを４c.c.／min導入し、高
周波は13.56MHzを用い、入射後1200W、反射波
90Wであつた。 蒸着膜の移動速度は６ｍ／minである。 保護膜は120Åに統一した。 得られた磁気テープを３つのテストで比較し
た。テスト１は、市販のビデオテープレコーダ
（例えば松下電器製NV−3000）と同等の走行系
でテープ幅８mmのビデオテープが評価できるデツ
キを準備して、各種の環境でくり返し走行を行
い、テープ鳴きの有無を調べた。判定はＡ（全く
問題ないもの）、Ｂ（画面に影響が少し現れるが実
用になるレベル）、Ｃ（実用不可レベル）の３段階
表示で行つた。 テスト２は耐しよく性に対する保護効果で、60
℃80％RHの環境に１週間保存した後、テスト１
のデツキにかけて、ドロツプアウトを環境に入れ
る前と後で、前の値を１として比較した。 光顕で表面状態も併せて観察した。 テスト３はテスト１のデツキを用いスチル状態
で画面を観察し、Ｓ／Ｎが3dB劣化するまでの時
間を比較した。（使用した磁気ヘツドはフエライ
トヘツドでギヤツプ0.3μｍのリング型ヘツドであ
る。）
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年高密度記録への要求が高まると共に、磁気
記録層を強磁性金属薄膜で構成した磁気記録媒体
の実用化が各方面で活発に検討されはじめてい
る。 かかる媒体は、高密度記録を目指すのであるか
ら、短波長ではスペース損失が再生出力の低下に
支配的に作用するので、おのずと磁気記録層表面
は平滑になつていく。従つて磁気ヘツドとの高速
摺動はもとより、走行機構部材との摩擦が大きく
なり、対策が必要になる。従つて第１図に示した
ように、高分子等の基板の上に、真空蒸着法、ス
パツタリング法、湿式めつき法等の方法で形成し
た、Co−Ni−Ｏ、Co−Ni−Ｐ、Co−Cr、等の
強磁性金属薄膜から成る磁気記録層２を配した上
に、保護層３を配した構成の磁気記録媒体４が一
般的な構造となる。 ここで保護層は、前述したようにスペース損失
の制約から1000〓以下好ましくは100Å〜200Å程
度でその目的を果すことが必要な条件となり、湿
式塗布法により、脂肪酸、脂肪酸アミド、金属石
けん、脂肪酸エステル、シリコンオイル、フツ素
オイル等を薄く塗布形成することや、テフロンを
ターゲツトにしてスパツタリング法で薄膜化する
こと等が検討されているが、温度湿度を変えたい
ろいろな環境で充分な走行性能を確保するものは
ない。 特にシリコーン系のプラズマ重合膜等は性能は
満足できるが、厚み1000Å程度と厚く、改良が望
まれていた。 発明の目的 本発明はプラズマ重合膜の利点を薄膜領域でも
発揮できる製造方法を提供し、実用的な強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造を
可能にすることを目的とする。 発明の構成 本発明は、移動する強磁性金属薄膜上にプラズ
マ重合膜を形成する際、前記薄膜の移動方向と、
プラズマ吹き付け方向が相対することを特徴とす
るもので、200Å以下のスペース損失の無視でき
る厚み領域で保護膜としての効果の充分なものを
得ることのできるものである。 実施例の説明 以下本発明の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。 第２図は本発明の方法を実施するのに用いた、
保護層形成装置の要部構成図である。 強磁性金属薄膜５（勿論、これは基板上に形成
されたものであるが説明の便宜上図のごとくにす
る。）は、送り出し軸６から巻取り軸７へ矢印８
の方向に移動するよう構成される。巻取り系は真
空槽内部９に配置され、真空槽の構成壁１０の一
部より、プラズマ噴射ノズル１１が大気より、真
空内へ貫通配置される。前記ノズル１１は、励起
コイル１２が大気中に巻回配置され、モノマーガ
ス１３を単独又はキヤリアガスと同時に導入し、
プラズマ重合されて、重合状態のガス１４で噴射
を行うものである。１５は押さえフランジで１６
はオーリングシールである。 励起コイル１２は整合回路を介して高周波電源
に接続されている。尚プラズマ重合膜を作るため
のプラズマ発生方法はこの例だけに限定されるも
のではないのは勿論である。 尚、磁気記録層の形成と前記保護層の形成を連
続的に行うよう構成しても良いのは勿論である。 本発明で用いられる強磁性金属薄膜としては、
Co、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ti、Co−Ｗ、Co−
Mo、Co−Ni−Ｏ等いずれでも良く、いわゆる長
手記録用、垂直記録用のいずれでも良いし、製法
に依存しない。 高周波は1MHzから30MHzまでがよく用いられ、
キヤリアガスとしてはアルゴン等が必要に応じて
用いられ、モノマーガスとしては、CF4、C3F8、
CF3Clパーフロロシクロブタン、ビニルトリメチ
ルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメ
チルシクロテトラシロキサン等が適宜用いられ
る。 以下に更に具体的な実施例で本発明を詳しく説
明するが、これらに本発明が限定されるものでな
いことは勿論である。 実施例 １ 厚み10μｍ、表面粗さ200Åのポリエチレンテ
レフタレート上にCo−Ni（Ni20wt％）を入射角
40゜以上で斜め蒸着した。真空度は１×10-6Torr
まで排気してから酸素を導入して２×10-5Torr
にした。Co−Niは電子ビーム加熱で蒸発させ、
およそ3000Å／secで蒸着し、膜厚は0.1μｍに制
御した。 この蒸着膜の移動方向と一致する方向と（比較
例１）、蒸着膜にほぼ直角にプラズマを吹きつけ
るよう（比較例２）にした場合と本発明の場合を
比較した。 プラズマは、CF4ガスを４c.c.／min導入し、高
周波は13.56MHzを用い、入射後1200W、反射波
90Wであつた。 蒸着膜の移動速度は６ｍ／minである。 保護膜は120Åに統一した。 得られた磁気テープを３つのテストで比較し
た。テスト１は、市販のビデオテープレコーダ
（例えば松下電器製NV−3000）と同等の走行系
でテープ幅８mmのビデオテープが評価できるデツ
キを準備して、各種の環境でくり返し走行を行
い、テープ鳴きの有無を調べた。判定はＡ（全く
問題ないもの）、Ｂ（画面に影響が少し現れるが実
用になるレベル）、Ｃ（実用不可レベル）の３段階
表示で行つた。 テスト２は耐しよく性に対する保護効果で、60
℃80％RHの環境に１週間保存した後、テスト１
のデツキにかけて、ドロツプアウトを環境に入れ
る前と後で、前の値を１として比較した。 光顕で表面状態も併せて観察した。 テスト３はテスト１のデツキを用いスチル状態
で画面を観察し、Ｓ／Ｎが3dB劣化するまでの時
間を比較した。（使用した磁気ヘツドはフエライ
トヘツドでギヤツプ0.3μｍのリング型ヘツドであ
る。）
【表】
【表】
【表】
以上のテストの結果からも、本発明の保護膜の
形成方法で得られたプラズマ重合膜を有する磁気
記録媒体は、走行性能が安定しており、且つ、保
護膜として他の役割である強磁性金属薄膜を腐食
から守ること、ビデオテープとして用いた時のス
チル寿命も良好であることが理解される。 この理由は必ずしも明確ではないが、プラズマ
重合膜が強磁性金属薄膜に付着する時、運動方向
が反対であることから、いわゆる配向作用が有効
に作用していることに主として起因しているもの
と考えられる。 このことは他の材料でも同様にいえるからであ
つてフツ素系のプラズマ重合膜に固有の効果では
ないことからも推定されると考えられる。 実施例 ２ ポリアミドイミド10.5μｍ（平均粗さ150Å）上
にCo−Cr（Cr20wt％）膜を高周波スパツタリン
グ法により、0.2μｍ形成し、その上にヘキサメチ
ルジシロキサンの重合膜をガス導入をヘキサメチ
ルジシクロサン５c.c.／min、アルゴン２c.c.／min
の混合導入とし、高周波は13.56MHz、入射波
1350W、反射波を105Wの条件で140Å形成した。 このテープをアモルフアスヘツド（ギヤツプ
0.26μｍ）に交換した実施例１で用いたデツキに
より評価した。 本発明品は、プラズマガス導入方向と強磁性膜
の移動方向が逆で（移動速度7.5ｍ／min）、比較
例１は強磁性膜の移動方向とプラズマガス導入方
向が一致した場合で、プラズマガス導入を直角に
した場合が比較例２である。 実施例１と同様のテストを行つた。
形成方法で得られたプラズマ重合膜を有する磁気
記録媒体は、走行性能が安定しており、且つ、保
護膜として他の役割である強磁性金属薄膜を腐食
から守ること、ビデオテープとして用いた時のス
チル寿命も良好であることが理解される。 この理由は必ずしも明確ではないが、プラズマ
重合膜が強磁性金属薄膜に付着する時、運動方向
が反対であることから、いわゆる配向作用が有効
に作用していることに主として起因しているもの
と考えられる。 このことは他の材料でも同様にいえるからであ
つてフツ素系のプラズマ重合膜に固有の効果では
ないことからも推定されると考えられる。 実施例 ２ ポリアミドイミド10.5μｍ（平均粗さ150Å）上
にCo−Cr（Cr20wt％）膜を高周波スパツタリン
グ法により、0.2μｍ形成し、その上にヘキサメチ
ルジシロキサンの重合膜をガス導入をヘキサメチ
ルジシクロサン５c.c.／min、アルゴン２c.c.／min
の混合導入とし、高周波は13.56MHz、入射波
1350W、反射波を105Wの条件で140Å形成した。 このテープをアモルフアスヘツド（ギヤツプ
0.26μｍ）に交換した実施例１で用いたデツキに
より評価した。 本発明品は、プラズマガス導入方向と強磁性膜
の移動方向が逆で（移動速度7.5ｍ／min）、比較
例１は強磁性膜の移動方向とプラズマガス導入方
向が一致した場合で、プラズマガス導入を直角に
した場合が比較例２である。 実施例１と同様のテストを行つた。
【表】
【表】
【表】
発明の効果
本発明は、プラズマ重合膜を保護膜として強磁
性金属薄膜上に形成する際、プラズマ吹き付け方
向を、強磁性金属薄膜の移動方向と逆にすること
で、くり返し使用での走行系での鳴き発生のな
い、スチル寿命も長い、かつ腐食によるドロツプ
アウト増加もみられない、実用的な高密度記録用
の磁気記録媒体の製造が可能となる。
性金属薄膜上に形成する際、プラズマ吹き付け方
向を、強磁性金属薄膜の移動方向と逆にすること
で、くり返し使用での走行系での鳴き発生のな
い、スチル寿命も長い、かつ腐食によるドロツプ
アウト増加もみられない、実用的な高密度記録用
の磁気記録媒体の製造が可能となる。
第１図は磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明を実施するための保護膜形成装置の要部構
成図である。 １……基板、２……磁気記録層（強磁性金属薄
膜）、３……保護膜、１１……プラズマ噴射ノズ
ル、１２……励起コイル。
本発明を実施するための保護膜形成装置の要部構
成図である。 １……基板、２……磁気記録層（強磁性金属薄
膜）、３……保護膜、１１……プラズマ噴射ノズ
ル、１２……励起コイル。
Claims (1)
- １ 移動する強磁性金属薄膜上にプラズマ重合膜
を形成する際、前記薄膜の移動方向とプラズマ吹
き付け方向が相対することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238118A JPS60129932A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238118A JPS60129932A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60129932A JPS60129932A (ja) | 1985-07-11 |
| JPH0443324B2 true JPH0443324B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=17025444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58238118A Granted JPS60129932A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60129932A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0207350D0 (en) * | 2002-03-28 | 2002-05-08 | Univ Sheffield | Surface |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58238118A patent/JPS60129932A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60129932A (ja) | 1985-07-11 |
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