JPH03254132A - パワートランジスタ - Google Patents
パワートランジスタInfo
- Publication number
- JPH03254132A JPH03254132A JP2052067A JP5206790A JPH03254132A JP H03254132 A JPH03254132 A JP H03254132A JP 2052067 A JP2052067 A JP 2052067A JP 5206790 A JP5206790 A JP 5206790A JP H03254132 A JPH03254132 A JP H03254132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter electrode
- emitter
- electrode pad
- unit transistor
- electrode contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明ａ大電流用パワートランジスタの構造に関するも
のである。
のである。
（従来の技術）
大電流用のパワートランジスタのチップにおいては、エ
ミッタの有効面積を大きく取るために、第３図（ａ）（
ｂ）及び（ｃ）に示されるようなマルチエミッタ構造が
一般に採用されている。第８図ｔａ）はチップの略平面
図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’略断面図
、同図（Ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ’略略画面図ある。
ミッタの有効面積を大きく取るために、第３図（ａ）（
ｂ）及び（ｃ）に示されるようなマルチエミッタ構造が
一般に採用されている。第８図ｔａ）はチップの略平面
図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’略断面図
、同図（Ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ’略略画面図ある。
これらの図に示されるように、コレクタ層１４の下面に
はコレクタＮ極８が設けられており、コレクタ層１４の
上面にはベースＩＷＩｌＢが形成され、さらにその上面
にはエミツタ層１２が形成されている。エミツタ層１２
０表面には、複数のエピツク電極コンタクト部８，８．
８・・・が形成され、これらは表面に施された酸化膜１
１を貫通するエミッタ電極１に接続する。工ぐツタ電極
夏は例えば図のように櫛型にパターニングされたＡｔｔ
極であり、各エミッタ電極コンタクト部８．３，８・・
・を並列に接続し、一方の端は幅を広くしエミッタ電極
パッド部５となる。ベース層１３の表面には複数のベー
ス電極コンタクト部４，４．４・・・が形成され、これ
らは表面に施された酸化膜１１を貫通するベース電極２
に接続する。ベース電極２は、例えば第３図（ａ）のよ
うに櫛型のエミッタ電極ｌと交叉し、その一端は幅を広
くしベースを極バッド部６となる。このペース電極２も
工ぐツタ電極２と同様に、所望の形状にパターニングさ
れたＡｔ電揄である。
はコレクタＮ極８が設けられており、コレクタ層１４の
上面にはベースＩＷＩｌＢが形成され、さらにその上面
にはエミツタ層１２が形成されている。エミツタ層１２
０表面には、複数のエピツク電極コンタクト部８，８．
８・・・が形成され、これらは表面に施された酸化膜１
１を貫通するエミッタ電極１に接続する。工ぐツタ電極
夏は例えば図のように櫛型にパターニングされたＡｔｔ
極であり、各エミッタ電極コンタクト部８．３，８・・
・を並列に接続し、一方の端は幅を広くしエミッタ電極
パッド部５となる。ベース層１３の表面には複数のベー
ス電極コンタクト部４，４．４・・・が形成され、これ
らは表面に施された酸化膜１１を貫通するベース電極２
に接続する。ベース電極２は、例えば第３図（ａ）のよ
うに櫛型のエミッタ電極ｌと交叉し、その一端は幅を広
くしベースを極バッド部６となる。このペース電極２も
工ぐツタ電極２と同様に、所望の形状にパターニングさ
れたＡｔ電揄である。
このような配列は、第８図＜ａ）の中央部に破耐で包囲
された、エミッタ電極コンタクト部３とペース電極コン
タクト部４とこれらの下方のコレクタ層１４とからなる
、ユニットトランジスタ７を並列に接続した集合体と考
えることができる。
された、エミッタ電極コンタクト部３とペース電極コン
タクト部４とこれらの下方のコレクタ層１４とからなる
、ユニットトランジスタ７を並列に接続した集合体と考
えることができる。
（発明が解決しようとするａｍ）
第３図（ａ） 、 （ｂ）及び（ｃ）に示されるような
パワートランジスタの等価回路は第４図のようになる。
パワートランジスタの等価回路は第４図のようになる。
大電流用のパワートランジスタにおいては、エミッタ電
極夏の配線を流れる電流が大きいから、その配線抵抗を
無視することができない。すなわち、各ユニットトラン
ジスタ７．７．・・・の工ξツタ電流は、エピツク電極
パッド部５に集められ、所望の回路に接続されるが、第
４図に示されるように、エミッタ電極パッド部５と各ユ
ニットトランジスタ７．７・・・との間に、エミッタ電
極配線抵抗１０．１０・・・が存在する。また、各ユニ
ットトランジスタ７．７・・・のエミッタ電極コンタク
ト部４゜４・・・とエミッタを極夏との接続部には、エ
ミッタ電極コンタクト抵抗９が存在する。エミッタ電極
コンタクト抵抗９の大きさは、エビツタ電極コンタクト
部３の面積が関係するが、エミッタ電極配線抵抗１０の
大きさは、各ユニットトランジスタ７とエミッタ電極パ
ッド部５との間の距離に比例する。従って、これらの距
離に比例した電極配線抵抗１０による電圧降下のため、
エミッタ電極パッド部５から離れた所に位置するユニッ
トトランジスタ程、ペース・エミッタ間に加えられる電
圧が低くなり、ペースからエミッタに注入される電流は
少くなる。そのため、エミッタ電極パッド部５の付近の
ユニットトランジスタに、電流が集中する。このことは
、チップ面積を有効に使う面で不利であり、普た、特に
サージ耐量の面からも具合が悪い。
極夏の配線を流れる電流が大きいから、その配線抵抗を
無視することができない。すなわち、各ユニットトラン
ジスタ７．７．・・・の工ξツタ電流は、エピツク電極
パッド部５に集められ、所望の回路に接続されるが、第
４図に示されるように、エミッタ電極パッド部５と各ユ
ニットトランジスタ７．７・・・との間に、エミッタ電
極配線抵抗１０．１０・・・が存在する。また、各ユニ
ットトランジスタ７．７・・・のエミッタ電極コンタク
ト部４゜４・・・とエミッタを極夏との接続部には、エ
ミッタ電極コンタクト抵抗９が存在する。エミッタ電極
コンタクト抵抗９の大きさは、エビツタ電極コンタクト
部３の面積が関係するが、エミッタ電極配線抵抗１０の
大きさは、各ユニットトランジスタ７とエミッタ電極パ
ッド部５との間の距離に比例する。従って、これらの距
離に比例した電極配線抵抗１０による電圧降下のため、
エミッタ電極パッド部５から離れた所に位置するユニッ
トトランジスタ程、ペース・エミッタ間に加えられる電
圧が低くなり、ペースからエミッタに注入される電流は
少くなる。そのため、エミッタ電極パッド部５の付近の
ユニットトランジスタに、電流が集中する。このことは
、チップ面積を有効に使う面で不利であり、普た、特に
サージ耐量の面からも具合が悪い。
（課題を解決するための手段）
前述のエミッタ電極パッド部５の付近のユニットトラン
ジスタに電流が集中するのを防止するため、エミッタ電
極パッド部５からの距離に比例して、ユニットトランジ
スタのエミッタ１！［コンタクト部３の面積を大きくシ
、各ユニットトランジスタからエミッタ電極パッド部５
に至る、エミッタ電極コンタクト抵抗９と工）ツタ電極
配線抵抗１０の和を、はぼ等しくさせるようにした。
ジスタに電流が集中するのを防止するため、エミッタ電
極パッド部５からの距離に比例して、ユニットトランジ
スタのエミッタ１！［コンタクト部３の面積を大きくシ
、各ユニットトランジスタからエミッタ電極パッド部５
に至る、エミッタ電極コンタクト抵抗９と工）ツタ電極
配線抵抗１０の和を、はぼ等しくさせるようにした。
（作 用）
以上のように本発明によれば、各ユニットトランジスタ
からエミッタ電極パッド部に至る抵抗値は、はぼ等しく
なるから、エミッタ電極パラド部付近のユニットトラン
ジスタに電流が集中することを防止できる。
からエミッタ電極パッド部に至る抵抗値は、はぼ等しく
なるから、エミッタ電極パラド部付近のユニットトラン
ジスタに電流が集中することを防止できる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の平面図である。これは第８
図＜ａ＞＜ｂ＞及び（Ｃ）に示されるようなエミッタ電
極！とベース電極２とを交互に配置したメツシュエミッ
タ構造と呼ばれるマルチエミッタ構造の改良であって、
同図に示されるように、エビツタ電極コンタクト部３，
３．・・・は、エミッタ電極パッド部５から離れるに従
って、面積が大きくなっている。
図＜ａ＞＜ｂ＞及び（Ｃ）に示されるようなエミッタ電
極！とベース電極２とを交互に配置したメツシュエミッ
タ構造と呼ばれるマルチエミッタ構造の改良であって、
同図に示されるように、エビツタ電極コンタクト部３，
３．・・・は、エミッタ電極パッド部５から離れるに従
って、面積が大きくなっている。
第２図（ａ）は他の実施例であって、くし形エミッタ構
造といわれるものの平面図であり第２図（ｂ）はそのｃ
−ｃ’断面図である。このｌｌ造の場合は、エミツタ層
Ｉ２及びペース層１３が、それぞれ第２図（ａ）Ｖｃ示
されるように連続してｐす、互に交叉して櫛状に配置さ
れ、その上にエミッタ電極！及びベース電極２が、同様
に交叉して櫛状に配置されている。エミッタ電極コンタ
クト部３は工くワタ１！極バッド部５から遠くなるに従
って幅が広くなっている。なか、ペース電極コンタクト
部４の幅は、縦方向又は横方向において同一である。
造といわれるものの平面図であり第２図（ｂ）はそのｃ
−ｃ’断面図である。このｌｌ造の場合は、エミツタ層
Ｉ２及びペース層１３が、それぞれ第２図（ａ）Ｖｃ示
されるように連続してｐす、互に交叉して櫛状に配置さ
れ、その上にエミッタ電極！及びベース電極２が、同様
に交叉して櫛状に配置されている。エミッタ電極コンタ
クト部３は工くワタ１！極バッド部５から遠くなるに従
って幅が広くなっている。なか、ペース電極コンタクト
部４の幅は、縦方向又は横方向において同一である。
第１図及び第２図（ａ）（ｂ）Ｉｃおいて、第３図（ａ
）（ｂ）（ｃ）と同一の部分は同一の符号で表わされて
いる。
）（ｂ）（ｃ）と同一の部分は同一の符号で表わされて
いる。
なお、この製造工程は一般のトランジスタの製造工程と
同様であり、マスクのパターンを変更するだけである。
同様であり、マスクのパターンを変更するだけである。
（発明の効果）
本発明は以上のような構造であるから、工ぐツタ電極コ
ンタクト部からエミッタ電極パッド部に至る抵抗値を時
々同一にすることができる。従ってエミッタｉｉｉパッ
ド部に近いトランジスタに、電流が集中することを防止
し、パワートランジスタの信頼性が向上する。
ンタクト部からエミッタ電極パッド部に至る抵抗値を時
々同一にすることができる。従ってエミッタｉｉｉパッ
ド部に近いトランジスタに、電流が集中することを防止
し、パワートランジスタの信頼性が向上する。
集１図は本発明の一実施餉の平面図、第２図（ａ）は他
の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＣ−
ｃ’略瞬断面図第３図（ａ）は従来例の平面図、第３図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’略略画面図第３図（Ｃ）は同じく
Ｂ−Ｂ’略略画面図第４図は第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）
に示される従来例の等何回路である。
の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＣ−
ｃ’略瞬断面図第３図（ａ）は従来例の平面図、第３図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’略略画面図第３図（Ｃ）は同じく
Ｂ−Ｂ’略略画面図第４図は第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）
に示される従来例の等何回路である。
Claims (1)
- １、コレクタ層の上に形成された複数のエミッタ電極コ
ンタクト部とベース電極コンタクト部と、それらの表面
に設けられたパッド部を有するエミッタ電極及びベース
電極とよりなり、エミッタ電極コンタクト部とエミッタ
電極との接続面はエミッタ電極パッド部よりの距離に比
例して大きくされたことを特徴とするパワートランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052067A JPH03254132A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | パワートランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052067A JPH03254132A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | パワートランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254132A true JPH03254132A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12904469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052067A Pending JPH03254132A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | パワートランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254132A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236470A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-19 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor unit |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052067A patent/JPH03254132A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236470A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-19 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor unit |
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