JPS60783B2 - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS60783B2 JPS60783B2 JP52136377A JP13637777A JPS60783B2 JP S60783 B2 JPS60783 B2 JP S60783B2 JP 52136377 A JP52136377 A JP 52136377A JP 13637777 A JP13637777 A JP 13637777A JP S60783 B2 JPS60783 B2 JP S60783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- finger
- pellet
- center
- metal layer
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/133—Emitter regions of BJTs
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、破壊耐量の改善されたトランジスタに係わる
。
。
パワートランジスタ等に於ては、そのベース布の厚さ又
はパターン形状が高電圧の破壊耐量に大きな影響を与え
、ベース布が狭いほど、またパターンが微細な程破壊耐
量が低下する。
はパターン形状が高電圧の破壊耐量に大きな影響を与え
、ベース布が狭いほど、またパターンが微細な程破壊耐
量が低下する。
トランジスタの破壊の過程は、ベレット中心部の温度上
昇によって電流がべレット中心部に集中し、さらにべレ
ット中心部の温度上昇を促し、之の繰り返し‘こよって
最終的に破壊される。本発明は、上述の点に鑑み、トラ
ンジスタに於てそのべレツト中心部の電流を制限し、温
度上昇を押えてトランジスタの破壊耐量を改善せんとす
るものである。
昇によって電流がべレット中心部に集中し、さらにべレ
ット中心部の温度上昇を促し、之の繰り返し‘こよって
最終的に破壊される。本発明は、上述の点に鑑み、トラ
ンジスタに於てそのべレツト中心部の電流を制限し、温
度上昇を押えてトランジスタの破壊耐量を改善せんとす
るものである。
以下、図面を用いて本発明によるトランジスタの一例を
説明しよう。
説明しよう。
第１図はェミッタ領域の全体のパターンを示す平面図、
第２図はその一部の拡大平面図、第３図は第２図のＡ−
Ａ線上の断面図である。
第２図はその一部の拡大平面図、第３図は第２図のＡ−
Ａ線上の断面図である。
各図中、１はトランジスタのべレツトを全体として示し
、２はその第１導電形のコレクタ領域、３は第２導電形
のベース領域「 ４は第１導電形のェミッタ領域である
。この錫′台のヱミッタ領域４は平面的にみて４分割さ
れて設けられている。５はベース領域３におけるボンデ
ィングパッド部分であり、６はェミッタ領域４における
ボンディングバット部分である。
、２はその第１導電形のコレクタ領域、３は第２導電形
のベース領域「 ４は第１導電形のェミッタ領域である
。この錫′台のヱミッタ領域４は平面的にみて４分割さ
れて設けられている。５はベース領域３におけるボンデ
ィングパッド部分であり、６はェミッタ領域４における
ボンディングバット部分である。
１２はＳｊ０２膜等の表面保護絶縁層である。
本発明においては、ェミツタ領域４をべレットの一側辺
に沿うウェブ部分７と之よりべレツト中央部に向って延
長する複数の指状部分８からなる所調くし歯状に構成し
、之をべレット上面よりみて左右対称となるように配置
する。
に沿うウェブ部分７と之よりべレツト中央部に向って延
長する複数の指状部分８からなる所調くし歯状に構成し
、之をべレット上面よりみて左右対称となるように配置
する。
この〈し歯形状のェミッタ領域４上にはェミッタ電極と
なる金属層９を図示の如く形成する。即ち、ボンディン
グパッド部分６を含むゥェブ部分７上に電極窓孔を通し
て部分的に金属層９Ａを彼着形成すると共に、各指状部
分８上に同様に電極窓孔を通して部分的に金属層９Ｂを
彼着形成する。この場合各指状部分の金属層９Ｂは夫々
ウェブ部分７の金属層９Ａから所定の距離を隔てて形成
する。そして、指状部分８の金属層９Ｂにおいては、ボ
ンディングパッド部分６から離れて電流集中の生じ易し
、べレット中心部に近い指状部分の金属層９Ｂ程複数に
分割形成する。すなわち、この金属層９Ｂの分割はべレ
ット中心部に近づく指状部分に従って漸次その分割数を
増すようにしてもよく、或は電流集中の著しいべレット
中心部分に対応する指状部分８の金属層９８のみを複数
に分割してもよく、要はべレット中心部に近づく程分割
数を多くする。そして各指状部分８の金属増９Ｂの形成
されない領域部１０〔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ〕を夫々
抵抗Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃをもった抵抗領域として構成する
。この抵抗領域の作り方はェミッタ拡散領域を用いェミ
ッタ電極窓あげを部分的に行い窓あげしない残部を抵抗
領域とする。また特に抵抗形成用に別拡散を行ってもよ
い。なお、１１はベース電極１１で、これはべレット中
央部より各指状部８間に延長するように放射状に形成す
る。１３はコレクタ電極である。
なる金属層９を図示の如く形成する。即ち、ボンディン
グパッド部分６を含むゥェブ部分７上に電極窓孔を通し
て部分的に金属層９Ａを彼着形成すると共に、各指状部
分８上に同様に電極窓孔を通して部分的に金属層９Ｂを
彼着形成する。この場合各指状部分の金属層９Ｂは夫々
ウェブ部分７の金属層９Ａから所定の距離を隔てて形成
する。そして、指状部分８の金属層９Ｂにおいては、ボ
ンディングパッド部分６から離れて電流集中の生じ易し
、べレット中心部に近い指状部分の金属層９Ｂ程複数に
分割形成する。すなわち、この金属層９Ｂの分割はべレ
ット中心部に近づく指状部分に従って漸次その分割数を
増すようにしてもよく、或は電流集中の著しいべレット
中心部分に対応する指状部分８の金属層９８のみを複数
に分割してもよく、要はべレット中心部に近づく程分割
数を多くする。そして各指状部分８の金属増９Ｂの形成
されない領域部１０〔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ〕を夫々
抵抗Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃをもった抵抗領域として構成する
。この抵抗領域の作り方はェミッタ拡散領域を用いェミ
ッタ電極窓あげを部分的に行い窓あげしない残部を抵抗
領域とする。また特に抵抗形成用に別拡散を行ってもよ
い。なお、１１はベース電極１１で、これはべレット中
央部より各指状部８間に延長するように放射状に形成す
る。１３はコレクタ電極である。
上述せる構成によれば、ェミッタ領域４においてそのウ
ェブ部分７と各指状部分８間のェミッタ電極の形成され
ない領域部１０ａが、各指状部分８に均一に電流を流す
ための所謂バラスト抵抗として作用する。
ェブ部分７と各指状部分８間のェミッタ電極の形成され
ない領域部１０ａが、各指状部分８に均一に電流を流す
ための所謂バラスト抵抗として作用する。
そして、ベレツト中心付近にある指状部分８においては
、抵抗として作用する領域部１０ｂ、域は領域部１０ｂ
と１０ｃがさらに増加され、その指状部分８に直列に接
続される抵抗Ｒ（：Ｒａ＋Ｒｂ、或は＝Ｒａ十Ｒｂ十Ｒ
Ｃ）が増大する。このため、ベレット中心付近に流れる
電流が制限され、ベレット中心付近の温度上昇が抑えら
れてトランジスタの破壊耐量が改善される。特に、本発
明ではェミッタ領域４をべレットの一側に沿うウェブ部
分７と之より中央に向って延長する複数の指状部分８よ
り構成し、そのべレット中心部に近い指状部分８上のェ
ミッタ電極、すなわち金属層９Ｂを分割形成するだけで
、容易にべレツト中心付近に流れる電流を制御すること
が出来るので、ェミッタバターンが微細化されても容易
にそのトランジスタの破壊耐量を向上することが出来る
。尚、上例では各指状部分８の金属層９Ｂをゥェブ部分
７の金属層９Ａから所定距離だけ離して形成するように
したが、必要に応じて接続してもよく、その領域部１０
ａの抵抗を指状部分８の金属層９Ｂの分割数で制御する
ことも可能である。
、抵抗として作用する領域部１０ｂ、域は領域部１０ｂ
と１０ｃがさらに増加され、その指状部分８に直列に接
続される抵抗Ｒ（：Ｒａ＋Ｒｂ、或は＝Ｒａ十Ｒｂ十Ｒ
Ｃ）が増大する。このため、ベレット中心付近に流れる
電流が制限され、ベレット中心付近の温度上昇が抑えら
れてトランジスタの破壊耐量が改善される。特に、本発
明ではェミッタ領域４をべレットの一側に沿うウェブ部
分７と之より中央に向って延長する複数の指状部分８よ
り構成し、そのべレット中心部に近い指状部分８上のェ
ミッタ電極、すなわち金属層９Ｂを分割形成するだけで
、容易にべレツト中心付近に流れる電流を制御すること
が出来るので、ェミッタバターンが微細化されても容易
にそのトランジスタの破壊耐量を向上することが出来る
。尚、上例では各指状部分８の金属層９Ｂをゥェブ部分
７の金属層９Ａから所定距離だけ離して形成するように
したが、必要に応じて接続してもよく、その領域部１０
ａの抵抗を指状部分８の金属層９Ｂの分割数で制御する
ことも可能である。
第１図は本発明のトランジスタにおけるェミッタ領域の
パターンの一例を示す平面図、第２図はその一部分を示
す拡大平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線上の断面図で
ある。 １はべレット、２はコレクタ領域、３はベース領域、４
はェミッタ領域、５，６はボンディングパッド部分、７
はウェブ部分、８は指状部分、９Ａ，９Ｂはェミッタ電
極となる金属層、１０ａ，１０ｂ，１０ｃは抵抗領域で
ある。 第１図 第２図 第３図
パターンの一例を示す平面図、第２図はその一部分を示
す拡大平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線上の断面図で
ある。 １はべレット、２はコレクタ領域、３はベース領域、４
はェミッタ領域、５，６はボンディングパッド部分、７
はウェブ部分、８は指状部分、９Ａ，９Ｂはェミッタ電
極となる金属層、１０ａ，１０ｂ，１０ｃは抵抗領域で
ある。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 交互に導電形を異にするエミツタ、ベース及びコレ
クタの各領域がペレツト内に形成されたトランジスタに
おいて、上記エミツタ領域はウエブ部分と該ウエブ部分
から延長している複数の指状部分とからなり、上記ウエ
ブ部分及び上記指状部分は金属層により部分的に覆われ
、且つ上記指状部分の金属層は上記ペレツトの中心部に
近い程分割形成されて成ることを特徴とするトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52136377A JPS60783B2 (ja) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52136377A JPS60783B2 (ja) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5469082A JPS5469082A (en) | 1979-06-02 |
| JPS60783B2 true JPS60783B2 (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=15173728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52136377A Expired JPS60783B2 (ja) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60783B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144751B2 (en) | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
| US7335555B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5887867A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタ |
-
1977
- 1977-11-14 JP JP52136377A patent/JPS60783B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144751B2 (en) | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
| US7335555B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5469082A (en) | 1979-06-02 |
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