JPS5837960A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5837960A JPS5837960A JP57090431A JP9043182A JPS5837960A JP S5837960 A JPS5837960 A JP S5837960A JP 57090431 A JP57090431 A JP 57090431A JP 9043182 A JP9043182 A JP 9043182A JP S5837960 A JPS5837960 A JP S5837960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- region
- ohmic contact
- balast
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- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置、特にエミッタバラスト抵抗を有
するトランジスタに関するものである。
するトランジスタに関するものである。
特に電力用トランジスタでは、電流容量の増大にともな
い、エイツタの面積を大きくする必要があるが、エミッ
タの形状が大きくなるに従い、一部に電流が集中し、エ
ミッタ全体を有効に働かせることが離かしくなる。
い、エイツタの面積を大きくする必要があるが、エミッ
タの形状が大きくなるに従い、一部に電流が集中し、エ
ミッタ全体を有効に働かせることが離かしくなる。
そこで、電力用トランジスタでは、多数のエミッタをバ
ラスト抵抗を介して電気的に並列に接続することで、す
べてのエミッタを有効に働かせる構造が良い。
ラスト抵抗を介して電気的に並列に接続することで、す
べてのエミッタを有効に働かせる構造が良い。
従来、バラスト抵抗にエミッタと同−導ｉｉｍの領域の
半導体抵抗を用いる方法として、フィッシュボーン瓜エ
ミッタのトランジスタ、リング誠工ｉツタトランジスタ
等のものが知られている。しかし、工にツタの形状及び
バラスト抵抗の接続の方法の制約から、十分な抵抗値會
祷ることが難しいことと、工きツタとして有効に動作し
ないオーミックコンタクト部のしめる面積が大きくなり
、チップ面積の利用率が悪化する勢の問題点があった０ 本発明は上記の問題点を解決した半導体装置を提供する
ものである。
半導体抵抗を用いる方法として、フィッシュボーン瓜エ
ミッタのトランジスタ、リング誠工ｉツタトランジスタ
等のものが知られている。しかし、工にツタの形状及び
バラスト抵抗の接続の方法の制約から、十分な抵抗値會
祷ることが難しいことと、工きツタとして有効に動作し
ないオーミックコンタクト部のしめる面積が大きくなり
、チップ面積の利用率が悪化する勢の問題点があった０ 本発明は上記の問題点を解決した半導体装置を提供する
ものである。
本発明では、ベース領域内に形成したー導電証の複数単
位のエイツタから、これと接続する同一導電製のバラス
ト抵抗を介して単一のオーミックコンタクト部よシエき
ツタ金属電極に接続した構造を単位（エミッタブロック
）とし、これを多数並列に配置しており、さらに、工ｔ
ツタオーミックコンタクト部はニオツタ領域と同じ導電
＠０領域で各エミッタ領域を利用してＩＩまれている０
これによれば、工はツタブロックあｉｎオーミックコン
タクト部が１ケ所になる九め工ＺツタＯオーミックコン
タクト部面積が減少する。また各エミッタとオーミック
コンタクト部の距離を大きくとることがで龜る九め、こ
れを接続するバラスト抵抗の値上十分大きくとることが
可能となる。
位のエイツタから、これと接続する同一導電製のバラス
ト抵抗を介して単一のオーミックコンタクト部よシエき
ツタ金属電極に接続した構造を単位（エミッタブロック
）とし、これを多数並列に配置しており、さらに、工ｔ
ツタオーミックコンタクト部はニオツタ領域と同じ導電
＠０領域で各エミッタ領域を利用してＩＩまれている０
これによれば、工はツタブロックあｉｎオーミックコン
タクト部が１ケ所になる九め工ＺツタＯオーミックコン
タクト部面積が減少する。また各エミッタとオーミック
コンタクト部の距離を大きくとることがで龜る九め、こ
れを接続するバラスト抵抗の値上十分大きくとることが
可能となる。
さらに、エミッタコンタクト部への電流集中も防止され
る。
る。
次に、この発明について図面を参照して説明する０
第１図は本発明の基本的概念を示す図であり、第１図の
Ａ−ムに沿った断面を第２図に示すＯＮオンＮ＋ｌｌシ
リコン基板１に不純物の拡散により形成された２厘ベー
ス領域２の内に、２４ケのＭ＋型領領域りなるニオツタ
３を不純物の拡散によシ形成する。各エミッタＳは、Ｍ
＋臘領領域りなるバラスト抵抗４を介して４１１ずつ並
列に１ｉｋ続嘔れ、馬３図のように、エミッタブロック
ｌＯを形成する０さらに６組のエミッタブロック１０は
それぞれのオーミックコンタクト領域５によって、エミ
ッタ電極６に接続される。ｊｌＩｓ図のエミッタブロッ
クｌＯの拡大図からトランジスタ全体としてのバラスト
抵抗値Ｒｅ社、 但し、ＪｓはｌＪ＋ｍ領域番の層抵抗、ｎはエミッタ３
の数でｎ＝２４であシ、Ｌ１＝Ｌ、２２Ｗ。
Ａ−ムに沿った断面を第２図に示すＯＮオンＮ＋ｌｌシ
リコン基板１に不純物の拡散により形成された２厘ベー
ス領域２の内に、２４ケのＭ＋型領領域りなるニオツタ
３を不純物の拡散によシ形成する。各エミッタＳは、Ｍ
＋臘領領域りなるバラスト抵抗４を介して４１１ずつ並
列に１ｉｋ続嘔れ、馬３図のように、エミッタブロック
ｌＯを形成する０さらに６組のエミッタブロック１０は
それぞれのオーミックコンタクト領域５によって、エミ
ッタ電極６に接続される。ｊｌＩｓ図のエミッタブロッ
クｌＯの拡大図からトランジスタ全体としてのバラスト
抵抗値Ｒｅ社、 但し、ＪｓはｌＪ＋ｍ領域番の層抵抗、ｎはエミッタ３
の数でｎ＝２４であシ、Ｌ１＝Ｌ、２２Ｗ。
Ｊ、＝５Ω／白 とし次場合、Ｒａｗ上２５Ωとなる０
このように、各エミッタは分離しており、パラスト抵抗
全弁してのみエミッタコンタクト部に接続壜れている。
このように、各エミッタは分離しており、パラスト抵抗
全弁してのみエミッタコンタクト部に接続壜れている。
バラスト抵抗はエミッタと同じ導型領域で形成されてい
るため、この領域もエンツタとして働＜ｏＬかし、実質
的な工ばツタでもあるエミッタコンタクト部にはバラス
ト抵抗は挿入されていない０このため、トランジスタの
大電流動作においてエミッタコンタクト部に電流が集中
する可能性がある０ 第４図は本発明の一実施例を示すものである。
るため、この領域もエンツタとして働＜ｏＬかし、実質
的な工ばツタでもあるエミッタコンタクト部にはバラス
ト抵抗は挿入されていない０このため、トランジスタの
大電流動作においてエミッタコンタクト部に電流が集中
する可能性がある０ 第４図は本発明の一実施例を示すものである。
すなわち、バラスト抵抗番及び工＜ｙタコンタクト部５
をＮＩＬ領域の抵抗９でエミッタ領域３１に利用してと
シ囲んだものである。この構造によってエミッタコンタ
クト５５０Ｍｇ領域に対するペース拡がり抵抗を大きく
シ、この電圧降下によって電流の集中を防ぐことができ
る。すなわち５本発明はＮ４図で示されたものを単位エ
イツタブロックとし、これを第１図のように配置するも
のである。以上の実施例は、［’Ｍ）ランジスタについ
て説明したものであるが、ＮＰＮ）ランジスタについて
も同様に適用可能である。さらに、エンツタ領域３は、
第３図のように方形でも、また円形でもよい。
をＮＩＬ領域の抵抗９でエミッタ領域３１に利用してと
シ囲んだものである。この構造によってエミッタコンタ
クト５５０Ｍｇ領域に対するペース拡がり抵抗を大きく
シ、この電圧降下によって電流の集中を防ぐことができ
る。すなわち５本発明はＮ４図で示されたものを単位エ
イツタブロックとし、これを第１図のように配置するも
のである。以上の実施例は、［’Ｍ）ランジスタについ
て説明したものであるが、ＮＰＮ）ランジスタについて
も同様に適用可能である。さらに、エンツタ領域３は、
第３図のように方形でも、また円形でもよい。
第１図は本発明の基本概念図を示す平面図、第２図はム
ーム切断線における断ＷＪ図、第３図は第１図で示した
４つのエミッタを組として単一のフジ・−＾クト部を有
するエミッタブロックを示す平面図、第４図本発明の一
実施例を示す一つのエミッタブロックの平面図である０ １・・・・・・ＮオンＮ＋エピタキシャルシリコン基板
２・・・・・・Ｐ諷ベース ３・・・・・・ｒエミッタ（２４ケ） 番・・・・・・バフスト抵抗及びエミッタコンタクト部
（６組） ５・・・・・・エミッタコンタクト部 ６・・・・・・エミッタアルミ電極 フ・・・・・・ベースアルミ電極 Ｂ・・・・・・ベースコンｐｐ トｓ ９・・・・・・Ｎ１抗 １０・・・・・・エミッタブロック（エミッタ及び）く
ラスト抵抗、エミッタコンタク１部を組にしたもの）０ 第 ｊ 図 ４ ２７９− Ｊπ
ーム切断線における断ＷＪ図、第３図は第１図で示した
４つのエミッタを組として単一のフジ・−＾クト部を有
するエミッタブロックを示す平面図、第４図本発明の一
実施例を示す一つのエミッタブロックの平面図である０ １・・・・・・ＮオンＮ＋エピタキシャルシリコン基板
２・・・・・・Ｐ諷ベース ３・・・・・・ｒエミッタ（２４ケ） 番・・・・・・バフスト抵抗及びエミッタコンタクト部
（６組） ５・・・・・・エミッタコンタクト部 ６・・・・・・エミッタアルミ電極 フ・・・・・・ベースアルミ電極 Ｂ・・・・・・ベースコンｐｐ トｓ ９・・・・・・Ｎ１抗 １０・・・・・・エミッタブロック（エミッタ及び）く
ラスト抵抗、エミッタコンタク１部を組にしたもの）０ 第 ｊ 図 ４ ２７９− Ｊπ
Claims (1)
- 複数のエミッタ領域がエミッタコンタクト部から嬌びる
抵抗領域で並列接続されると共に、咳エミッタコンタク
ト部がエミッタ領域と同じ導電量Ｏ領域で各エミッタ領
域を利用して囲まれていることを％黴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090431A JPS5837960A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090431A JPS5837960A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837960A true JPS5837960A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=13998415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57090431A Pending JPS5837960A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209760A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57090431A patent/JPS5837960A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209760A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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