JPH03257607A - 定電圧電流回路 - Google Patents

定電圧電流回路

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JPH03257607A
JPH03257607A JP2058404A JP5840490A JPH03257607A JP H03257607 A JPH03257607 A JP H03257607A JP 2058404 A JP2058404 A JP 2058404A JP 5840490 A JP5840490 A JP 5840490A JP H03257607 A JPH03257607 A JP H03257607A
Authority
JP
Japan
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transistor
base
emitter
current
constant
Prior art date
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Pending
Application number
JP2058404A
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English (en)
Inventor
Seiichiro Kikuyama
菊山 誠一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、定電圧定電流回路に関し、特にその定電流部
分の温度特性を補償するものである。
〔従来の技術〕
従来、上記の定電圧電流回路には、第2図に示すような
ものかある。これは、例えば半導体集積回路中に設けら
れるものてあって、電源端子(100)と出力端端(3
00)との間に、バンドギャップ型定電圧回路(30)
か設けられている。なお、(200)は2接地端子であ
る。この、バンドギャップ型定電圧回路(30)は、N
PNトランジスタ(1)、(2)、(3)とPNPトラ
ンジスタ(10)、(11)、(12)と、抵抗器(2
0)、(21)、(22)、(23)とから構成されて
いる。ここて、NPN)ランシスタ(1)、(2)のエ
ミツタ面積比をN、、抵抗器(20)、(21)の抵抗
比をR+、抵抗器(21)、(22)の抵抗比を82、
NPN)−ランジスタ(3)のベース・エミッタ間電圧
をVBEffとすると、電源端子(100)と出力端子
(300)との間には、(1)式で示すような定電圧V
IIEFか発生する。
VRcr= VaE:+”R2”V7”In(N+”R
+)””(1)但し、vTは熱電圧kT/Qて、Kはボ
ルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷である。
また、この定電圧電流回路では、電源端子(100)か
ら流れ込む電流値を一定値にするために、(1)式で示
した定電圧VPIEFを利用して、抵抗値R24の抵抗
器(24)と、PNP )−ランジスタ(13)のベー
ス・エミッタ間電圧VIIE r 3とによって、PN
P )−ランシスタ(13)のコレクタ電流IC+3を
Ic+3=(VRl:r−Ve!++)/R2< ・”
(2)に定めている。このコレクタ電流1el 3か、
カレントミラー接続されているNPNI−ランジスタ(
4)、(5)のトランジスタ(4)に流れるのて、トラ
ンジスタ(4)、(5)のエミツタ面積比をN2とする
と、電源端子(100)から流れ込む電m s、、、は
、出力端子(30(1)のインピーダンスか高い場合に
は、1*tr= (N2+1)”(V*Er−VB2+
:+)/R2<”(3)となる。
この定電圧電流回路における定電圧特性’VREFを考
えると、(1)式の右辺第1項は、トランジスタ(3)
のベース・エミッタ間電圧VllF:3の温度特性によ
って決まり、〜般に負の温度特性を持つ。同右辺第2項
は、抵抗比R1,R2とエミツタ面積比N、て温度係数
か定められるか、その温度係数は必ず正の値になる。従
って、抵抗比R1、R2とエミツタ面積比N、の値を可
変することによって、右辺第1項の負の温度特性を打ち
消すことかできる。
定電流IREFの温度特性は、上記のようにして定電圧
VFIEFの温度特性をOにすると、PNP )−ラン
ジスタ(13)のベース・エミッタ間電圧vEll13
と抵抗R24の温度特性とて決る。
(発明か解決しようとする課題) 従来の定電圧電流回路は、上記のように構成されている
のて、定電圧VREFの温度特性は、抵抗比RI、R2
を変えることによって小さくすることかできるか、定電
流IR□の温度特性は、集積回路の製造プロセスで決る
PNP)ランシスタ(13)のベース・エミッタ間電圧
VIIE I :Iと抵抗R24の温度特性に依存して
いるので、設計段階において定電流IREFの温度特性
を制御することかできないという問題点かあった。
本発明は、上記の問題点を解決した定電圧電流回路を提
供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するために、本発明は、第1及び第2
の電位間に設けられたバンドギャップ定電圧回路と、第
1の電位に第1の抵抗器を介してエミッタか接続され、
ベースが第2の電位に接続されたPNPの第1トランジ
スタと、第3の電位にエミッタか、第1トランジスタの
コレクタにコレクタが、接続されたNPNの第2トラン
ジスタと、第3の電位にエミッタか、第2の電位にコレ
クタが接続され、ベースが第2トランジスタのベースに
接続されたNPNの第3トランジスタと、第2トランジ
スのベースとエミッタとの間に接続された第2の抵抗器
と、第2電位にコレクタか、第1トランジスタのベース
にエミッタか接続され、ベースか第1のトランジスタの
コレクタに接続されたNPNの第4トランジスタとを、
具備するものである。
(作用) 本発明によれば、上述した従来のものと同様に、バンド
ギャップ型定電圧回路による定電圧から第1のトランジ
スタのベース・エミッタ間電圧を減算した値を第1の抵
抗器の抵抗値て除算した値の電流か、第2のトランジス
タに流れる。これによって、上記電流に第2のトランジ
スタと第3のトランジスタのエミツタ面積比に1を加算
した値を乗算した値の電流か、第1の電位から流れ込む
。一方、第2トランジスタのベース・エミッタ間電圧を
第2の抵抗器の値で除算した値の電流も第1の電位から
流れ込む。
〔実施例〕
この実施例は、第2図に示す従来の定電圧電流回路にお
いて、第1図に点線て囲んで示すように新たに抵抗器(
25)と、NPN )−ランジスタ(6)を追加したも
のである。
即ち、第2図の回路ては、NPNトランジスタ(4)の
コレクタと工よツタとを直結していたのに対し、この実
施例ては、上記の接続を解き、NPNトランジスタ(4
)のコレクタにNPN)ランシスタ(6)のベースを接
続し、このNPN l−ランシスタ(6)のコレクタを
出力端子(300)に接続し、同トランジスタ(6)の
エミッタをNPN)−ランシスタ(4)のベースに接続
しである。さらに、抵抗器(25)を、トランジスタ(
4)のベース・エミッタ間に接続しである。
この定電圧電流回路では、第2図に示した従来のものと
同様に、電源端子(100)と出力端子(300)との
間の定電圧V□、は(1)式て示した値となる。
また、出力端子(100)から流れ込む電流I。Fは、
出力端子(300)のインピーダンスか高い場合、新た
にトランジスタ(6)と抵抗器(25)とを追加したこ
とにより、(3)式に示した値にVBE4/R2Sか追
加され、 IFIEF= (N2”l)”(VREF−VBEI3
)/R24”VBE4/R25・・・・・・・(4) となる。但し、VBE4はNPN)−ランシスタ(4)
のベース・エミッタ間電圧、R2Sは抵抗器(25)の
抵抗値である。トランジスタ(4)、 (5)かカレン
トミラー回路として機能するのは、トランジスタ(6)
のベース・エミッタ間のタイオートを介してトランジス
タ(4)のベース・エミッタ間を接続しているからであ
る。
この定電圧電流回路における定電圧VREFの温度特性
は、第2図に示した従来のものと同様にOとすることが
できる。定電流IREFの温度特性は、定電圧の温度特
性か0であるとすると、(4)式の右辺第1項の温度特
性と同第2項の温度特性で決まり、第1項の温度特性は
、PNPトランジスタ(13)のベース・エミッタ間電
圧VBE I 3と抵抗器(24)との温度特性て決ま
る。一般にこれはPNPトランジスタ(13)のベース
・エミッタ間電圧VBE I 3と抵抗器(24)の抵
抗値R24か正の温度特性を有しているのて、正の温度
特性を持つ。一方、第2項の温度特性は、この第2項か
負の温度特性を持つNPN)−ランシスタ(4)のベー
ス・エミッタ間電圧VBE4と正の温度特性を持つ抵抗
器(24)の抵抗値R21の商であるので、負の温度特
性を有する。従って、抵抗器(25)の抵抗値R25を
可変することによって、第2項の温度特性を制御し、第
1項の温度特性を打ち消すことかてきる。
〔発明の効果) 以上のように、本発明によれば、従来の定電圧電流回路
では第1のトランジスタ(実施例でいえばPNPトラン
ジスタ(13))のベース・エミッタ電圧の温度特性に
左右されていた定電流温度特性を、第1のトランジスタ
(13)とは逆方向の温度特性を有する第4のトランジ
スタ(実施例ていえばPNPトランジスタ(6))のベ
ース・エミッタ電圧を利用して、打ち消すように構成し
ている。しかも、従来のものと同様に定電圧温度特性は
0とできる。従って、安価に定電圧と定電流双方の温度
特性を制御することかてきる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による定電圧電流回路の1実施例の回路
図、第2図は従来の定電圧電流回路の回路図である。 (4)・・・・第2のトランジスタ、(5)・・・・第
3のトランジスタ、(6)・・・・・第4のトランジス
タ、(24)・・・・第1の抵抗器、(25)・・・・
第2の抵抗器、(30)・・・・バンドギャップ型定電
圧回路、(100)・・・・・電源端子(第1の電位)
 、 (200)・・・・・出力端子(第2の電位) 
、 (:1OO)・・・・・接地端子(第3の電位)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1及び第2の電位間に設けられたバンドギャッ
    プ定電圧回路と、第1の電位に第1の抵抗器を介してエ
    ミッタが接続されベースが第2の電位に接続されたPN
    Pの第1トランジスタと、第3の電位にエミッタが第1
    トランジスタのコレクタにコレクタが接続されたNPN
    の第2トランジスタと、第3の電位にエミッタが第2の
    電位にコレクタが接続されベースが第2トランジスタの
    ベースに接続されたNPNの第3トランジスタと、第2
    トランジスのベースと第3電位との間に接続された第2
    の抵抗器と、第2電位にコレクタが第2トランジスタの
    ベースにエミッタが接続されベースが第1のトランジス
    タのコレクタに接続されたNPNの第4トランジスタと
    を、具備する定電圧電流回路。
JP2058404A 1990-03-08 1990-03-08 定電圧電流回路 Pending JPH03257607A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383522B (zh) 2007-09-03 2010-12-15 晶豪科技股份有限公司 电池充电器的恒电流恒电压及恒温的电流供应器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383522B (zh) 2007-09-03 2010-12-15 晶豪科技股份有限公司 电池充电器的恒电流恒电压及恒温的电流供应器

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