JPH0325849B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔a〕 産業上の利用分野： 本発明は磁気記録媒体の改良に関するものであ
り、特にオーバコート層の走行性、耐摩耗性およ
び耐食性を向上した薄膜型磁気記録媒体およびそ
の製造方法に関する。 〔b〕 従来技術： 磁気記録媒体を磁性層形成方法の面で分類する
と、(1)薄膜型のものと、(2)塗布型のものとに分け
られる。 薄膜型磁気記録媒体は、支持体上に磁性材料を
真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイン
グ、メツキ等の方法により磁性相を形成したもの
である。 塗布型磁気記録媒体は、支持体上に磁性粉をバ
インダーで粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を
形成したものである。この塗布型磁気記録媒体
は、バインダー含有分だけ磁性層における単位容
積当りの実質充填率が低い。また、磁気ヘツドと
の間のスペーシングロスが大きくなるため再生出
力が小さくなる。 これに反し、薄膜型磁気記録媒体は、磁性層内
での磁性粉の実質的充填率は高いけれども、磁性
層の耐食性が低く、走行時に磁気ヘツド、ガイド
ローラ等と接触し、スリ傷が付きやすく、ノイズ
発生の原因となる。また摩擦係数が大きく、走行
性が悪く、機械的強度も弱い欠点がある。 薄膜型磁気記録媒体における上述の欠点を改善
するため、従来から磁性層上面に、真空蒸着、ス
パツタリング、イオンブレーテイング等の方法に
よつて、オーバコートする方法が行われている。
すなわち、 ロジウム、クロムなどの金属や、WC、
TiO₂、CaF₂、MgF₂などの高硬度無機物：金
属セツケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法
でオーバコートする方法： 塗布法により、潤滑性有機含有層をオーバコ
ートする方法： プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外
線や電子線を照射して重合反応させ、オーバコ
ート層を形成する方法： 特開昭57−167132号、同57−167133号、同57
−167134号公報明細書に示されているように、
磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイオン
又はこれらのガスをプラズマ処理することによ
り窒化膜、酸化膜をオーバコートする方法： 昭和56年度電子通信学界半導体・材料部門全
国大会において発表され、同大会予稿集No.175
（1981）に示されているように、コバルト膜
（磁性層）上に、オルガノシリコン系モノマに
よるプラズマ重合膜をオーバコートさせること
等が知られている。 しかし、前記およびの方法で形成された蒸
着膜および塗布膜は膜強度が弱い。特に、にお
いて高分子塗布膜の場合は薄膜にするのが難し
く、磁気ヘツドとの間にスペーシングロスを生
じ、再生出力が低下する欠点がある。 また、の方法で形成される塗布硬化層は、長
期にわたり潤滑性を保持しつづけるのが困難であ
る。の方法で形成された窒化膜、酸化膜は走行
安定性の点で満足し難い。 さらに、の方法で得られたオーバコート膜
は、耐食性は良好であるが、耐摩耗性を向上させ
るためにオーバコート層を厚くしなければならな
い難点がある。この結果、磁気ヘツドと磁性層間
のスペーシングロスが増大し、再生出力が小さく
なる欠点がある。この点に関しては、従来から知
られている、たとえば1977年米国光学会
（Optical Society of America）発行の学術雑誌
「アプライドオプテツクス誌」（Applied Optics）
第16巻第３号、第717頁から第721頁にわたる論文
「プラズマ ポリマライズド コーテイング フ
オポリカーボネート：シングル レイヤー、アブ
レーシヨン レジスタント、アンド アンチレフ
レクシヨン」（Plasma polymerized coating for
porycarbonate：single layer、abrasion
resistant、and antireflecticn）中に、ビニルト
リメチルオキシシランフイルムの表面を酸素グロ
ー放電によりSi−Ｏ結合（架橋度）を増し、表面
硬度、摩耗性を高めることができると報告されて
いるように重合の架橋度が変化すれば、当該重合
膜の諸物性が変化するであろうことを予想するこ
とができる。しかし、物性値の変化から、重合膜
の架橋度を確実に把握する方法は未だ知られてい
ない。 本発明者等は、重合の架橋度が増せば、屈折率
も必然的に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバ
コートに使用することにより耐摩耗性の高い磁気
記録媒体を作製しうるとの推測の下に種々研究を
重ねたところ、プラズマ重合膜の屈折率が1.45以
上のオーバコート層を有する磁気記録媒体は、屈
折率1.45以下のオーバコート層を有する磁気記録
媒体に比べて、後述する動摩擦係数、スチル寿命
が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に到
達した。 〔c〕 発明の目的： 本発明は走行性、耐摩耗性および耐食性に優れ
たオーバコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を
提供することを目的とする。 また、本発明はこのような薄膜型磁気記録媒体
の製造方法を提供することをも目的とする。 〔d〕 発明の構成： 前記本発明の第１の目的は、支持体上に、磁性
層と磁性層上に形成したオーバーコート層が屈折
率1.45以上であり、含けい素有機プラズマ重合層
で構成されたものであることによつて達成され
る。 本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層上に形成
するオーバコート層を構成する、屈折率が1.45以
上の含けい素有機プラズマ重合層の組成は、 ○イ プラズマ重合層が主に、けい素（Si）の他
に、炭素(C)、酸素（Ｏ）および水素(H)によつて
構成されたものであれば、けい素に対する炭素
の組成比（Ｃ／Si）が0.1〜2.0、酸素の組成比
（Ｏ／Si）が1.0〜3.0であることが好ましい。 ○ロ また、プラズマ重合層が主に、けい素、炭
素、酸素、窒素、水素で構成されたものであれ
ば、けい素に対する炭素、酸素、窒素の組成比
は、それぞれ0.1〜2.0：0.1〜2.0：0.1〜2.0であ
ることが好ましい。 含けい素プラズマ重合層の組成の好ましいもの
として、たとえば、C_0.38H_0.11Si_0.51：C_0.44H_0.31
O_0.32Si_0.21：C_0.20H_0.08O_0.05Si_0.67：C_0.37H_0.02O_0.1
5
Si_0.46：C_0.13H_0.08O_0.46Si_0.33：C_0.08H_0.02O_0.52
Si_0.38：C_0.11H_0.03O_0.41N_0.11Si_0.34：C_0.05O_0.40N_0.3
0
Si_0.25：C_0.07O_0.32N_0.28Si_0.33：C_0.32H_0.10O_0.15N_0.2
7
Si_0.16：C_0.21H_0.08O_0.18N_0.26Si_0.27：C_0.13H_0.08O_0.3
5
S_0.11Si_0.33等があげられる。 前記プラズマ重合層は、一部に全くけい素化合
物を含んでいなくてもよく、膜厚は20〜1000Åの
範囲のものが好ましく、特に望ましい膜厚は100
〜500Åの範囲である。20Å未満の膜厚のものは
薄すぎてオーバコート層としての効果がなく、
1000Åを越えると磁性層の磁気ヘツド間のスペー
シングロクが大きすぎ、再生出力が低下する。 前記含けい素有機プラズマ重合層は、磁性層の
上面だけでなく、磁性層形成面と反対側の支持体
裏面にも形成でき、この方法に依り、支持体の
「反り」を防ぐことができる。 また、必要に応じ、含けい素有機プラズマ重合
層上面に、潤滑層を形成してもよい。 本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、支
持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上におい
て、けい素含有化合物と非プラズマ重合性ガスと
を同時にプラズマ重合処理し、前記磁性層上に含
けい素有機プラスマ重合層で構成された屈折率
1.45以上のオーバーコート層を形成することによ
つて達成される。 本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におけ
るけい素化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズ
マ重合処理は、プラズマ重合法と称される重合方
法なら、どのような方法を行つてもよいが、けい
素を含有する化合物のガスと、必要に応じて他の
化合物あるいはアルゴン（Ar）、ネオン（Ne）
等の不活性ガスを重合して、反応空間に導入し、
この空間においてグロー放電させ、支持体上の磁
性層上に析出させる方法が好ましい。 プラズマ重合に使用するけい素含有化合物のガ
スとしては、モノシラン：ジシラン：テトラメチ
ルシラン：ビニルトリメチルシラン：アリルトリ
メチルシラン：フエニルシラン：ジフエニルシラ
ン：トリフエニルシラン：ジメチルシラン：トリ
ヘキシルシラン：テトラトキシシラン：テトラエ
トキシシラン：メチルトリメトキシシラン：ビニ
ルトリメトキシシラン：ビニルトリエトキシシラ
ン：ジメチルジメトキシシラン：ヘキサメチルジ
シロキサン：ヘキサルメチルジシラザン：ヘキサ
メチルシクロトリシロキサン：フキサメチルシク
ロトリシラザン：ヘキサメチルジシラン：ヘキサ
メチルジシルチアン：テトラフルオロシラン：テ
トラクロルシラン：メチルトリクロルシラン：ビ
ニトリクロルシラン：アリルトリクロルシラン：
フエニルトリクロルシラン：ジメチルジジクロル
シラン：ジメチルルジフルオロシラン：ブロモメ
チルトリメチルシラン等およそ揮発性を有するけ
い素含有化合物のガスであればなんでも良い。ま
た、他の化合物としては、エチレン、アセチレ
ン、ジボラン、ホスゲン等の常温で気体の化合物
であつても良いし、又はメチルメタクリレート：
スチレン：アクリロニトリル：塩化ビニル：四弗
化エチレン：等のいわゆるモノマーであつてもよ
いし、ベンゼン：トルエン：ヘキサン：アセトニ
トリル：パーフルオロベンゼン：ピリジン：フラ
ン：チオフエン：トリメチルフオスフアイト：ト
リメチルボレート等一般には非重合性の化合物で
あつてもよい。 プラズマ重合に用いる化合物として操作上の観
点から、常温で沸点が200℃以下の化合物が好ま
しく、150℃以下であるものがより好ましい。 また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法
に使用できる非プラズマ性重合ガスとして、酸
素、水素、窒素が好ましく、特に酸素・窒素は、
プラズマ重合性ガスと反応して架橋点を形成する
のみならず自身も重合層中にとり込まれ、強い結
合を生成し、耐摩耗性を向上する点で好ましい。 本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におい
ては、プラズマ重合条件を適宜調整することによ
り、プラズマ重合層内に内部応力を発生させ、磁
性層の反対側（すなわち、支持体の裏面側）に向
つて支持体に反りを与えることができる。したが
つて、支持体上に磁性層を形成する際、支持体が
磁性層形成面に反る現象（いわゆるカツピング）
を相殺することができる。このカツピングを相殺
するプラズマ重合膜を作製する際、アルゴン
（Ar）等の第２成分ガスの導入を少なくすること
が望ましい。 本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層に使用で
きる磁性材料は、従来から使用されている公知の
ものでもよく、かかる磁性材料としてγ−
Fe₂O₃、Co含有γ−Fe₂O₃、Co被着γ−Fe₂O₃、
Fe₃O₄、Co含有Fe₃O₄、CrO₂等のいわゆる酸化物
系磁性材料： Fe−Ni−Co合金、Fe−Mn−Zn合金、Fe−Ni
−Zn合金、Fe−Co−Ni−Cr合金、Fe−Co−Ni
−Ｐ合金、Co−Ni合金等Fe、Ni Coを主成分と
する合金系磁性材料等各種の磁性材料が挙げられ
る。 支持体上に磁性層を形成する方法として、公知
の真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイ
ング、メツキ法等が挙げられる。合金系の磁性材
料を使用する場合は、組成が変化しないように組
成を制御して蒸着又はメツキしなればならない。 支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等
のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオレ
フイン類、セルローストリアセテート、セルロー
スダイアセテート等のセルロース誘導体、ポリカ
ーボネートなどのプラスチツク、Cu、Al、Znな
どの金属、ガラス、いわゆるニユーセラミツク
（たとえば窒化ほう素、炭化けい素等）などが使
用される。 支持体の形態はテープ、シート、カード、デイ
スク、ドラム等いずれでもよく、形態に応じて
種々の材料が必要に応じて選択される。 これらの支持体の厚みは、フイルム、シート状
の場合は約３〜100μ程度、好ましくは５〜50μで
あり、デイスク、カード状の場合は30μ〜10mm程
度である。 〔e〕 実施例： 以下、本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 第１図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造
装置の要部断面図を示す。 製造装置は、全体符号１で示すケーシングから
成つており、ケーシング１はベルジヤ状の放電室
２、支持体送出室（以下、単に「送出室」とい
う。）３、支持体巻取り室（以下、単に「巻取り
室」という。）４から成り、放電室２および巻取
り室４：放電室２および送出室３間には筒管５が
連結され、支持体通路を形成している。 送出し室３、巻取り室４の側壁には導通管１４
が付設されており、筒管５には枝管１５が連結さ
れており、導通管１４の先端はキヤリヤガス源
（図示せず。）に接続しており、また枝管１５の先
端は排気系に（図示せず。）に接続する。 また、必要に応じて巻取り室４の底部に、排気
系に連続する他の枝管１５′を付設する。 さらに、放電管２には、上部電極６と下部電極
７が配設されており、上部電極６の内部は空洞に
形成され、一方の端部は細管を形成し、非プラズ
マ重合性ガスソース（図示せず。）に連なり、他
端は放電室空間と導通する多数の蜂巣状導通孔が
設けられており、前記細管を通して空洞内に導入
された非プラズマ重合性ガスを、放電室内へ供給
できる構造となつている。また、下部電極７は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に
構成されており、電力は、マツチングボツクス８
を介して電源９から高周波電力が供給される。 上記製造装置を使用し、磁気記録媒体を作製す
る場合は、先ず帯状のポリエチレンテレフタレー
トフイルム上に予め公知の方法に依り、Co−Ni
合金膜を蒸着した支持体１０を送出用リール１１
に巻き取り、送出室３にセツトする。リール１１
に巻き取られた支持体１０の先端部は、ガイドロ
ーラ１２を通り筒管５内をガイドされ、放電室２
から巻取り室４へ送り込まれる。 巻取り室４内には他の巻取りリール１３が取り
付けられており、前記送出室側のリール１１から
巻取り室４へ送入された支持体１０を巻き取るよ
うに機能する。 上述のようにして、ケーシング１内にセツトさ
れた支持体１０のCo−Ni合金膜上に、合けい素
有機プラズマ重合層をオーバコートするに当つて
は、先ず排気系を作動して、枝管１５からケーシ
ング１内を真空排気した後、導通管１４からケー
シング１内へArガスを供給する。 次に、上部電極６アースし、下部電極７に対し
てマツチングボツクス８を介して、高周波電源９
から13.56MHz×50Wの高周波電力を供給し、放
電室内にArをプラズマを発生させ、支持体上の
Co−Ni合金膜表面を清浄にした。 ついで、上部電極６の細管部を通し、空洞室内
へけい素含有化合物ガスＡとしてビニルトリメト
キシシラン、非プラズマ重合性ガスＢとして酸素
とをモル比（１：４）で混合したガスを導入し、
ケーシング１内の圧力を0.11Torrに維持し、再
び、下部電極７に300Wの高周波電力を供給し、
放電室内にArガスの放電を発生させ、放電室内
に供給された上記ビニルトリメトキシシランガス
および酸素ガスのプラズマが前記支持対１０上の
Co−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートさせた。 その後、巻取り室４側導通管１４から後処理ガ
スを導入し、筒管５の枝管１５を通じケーシング
内の残留ガスを排除した。 さらに、ケーシング１内を常圧にもどした後、
巻取り室４内のリール１３を取外し、リールに巻
かれた支持体１０上のオーバコート層をタリステ
ツプ、ESCA（Electron Spektroscopy for
Chemical Analysis）および元素分析法により分
析した結果、膜厚は280Åであり、膜組成はC_0.22
H_0.11O_0.49Si_0.18であることが確認された。 かくして得られた支持体を、12.65mm巾に裁断
してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ１とした。 また、第１図に示す製造装置は、支持体１０上
に予め装置外で磁性層を形成した後、当該支持体
を装置内にセツトし、オーバコートする装置の一
例を示したものであるが、第２図に示すように、
放電室２以外に後述する蒸着室１６を具備する製
造装置を使用することにより、支持体上への磁性
層の形成する工程と、磁性層上にオーバコート層
を形成する工程とを同一製造装置内で一貫して行
うことができる。 第２図に示す装置は、送出室３と巻取り室４の
両者を兼用する室１７を中央に配置し、室１７の
左右両側にそれぞれ隔壁１８を隔てて放電室２と
蒸着室１６を設けてある。 蒸着室１６には、ガイドローラ１２、冷却缶２
０、るつぼ２１、電子ビーム発生装置２２および
遮へい板２３が設けられている。 リール１１から送られる帯状支持体１０は隔壁
１８に設けられた細隙通路１９を通り、ガイドロ
ール１２を介して冷却缶２０の周側面に導かれ
る。冷却缶２０の終側面においては、冷却缶２０
の下方に設置された電子ビーム発生装置の操作に
よつて、るつぼ２１内のCo−Ni合金粉を加熱し、
支持体１０面にCo−Ni合金膜が蒸着される。 Co−Ni合金膜が形成された支持体１０は、他
のガイドローラ１２を介して、細隙通路２４を通
り、放電室２に送られ、第１図に示す製造装置と
同様の手順を経て、上部電極６内に導入されたビ
ニルトリメキシシランと酸素の混合ガス（１：
４）を、支持体１０のCo−Ni合金膜上でプラズ
マ重合せしめ、同一装置内で支持体の磁性層と、
オーバコート層の形成とを連続して行うことがで
きる。 実施例 ２ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にお
いて支持体１０上面に形成したCo−Ni合金膜上
でビニルトリメトキシシラン及び酸素とをモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、ガス圧
0.11Torr、高周波電力300Wの条件でグロー放電
させる代りに、下記の表−１、No.２に示すビニル
トリメトキシシランおよび酸素をモル比（１：
２）の割合で混合したガスを、 ガス圧：８mmTorr 供給高周波電力：10W の条件下でグロー放電させる以外は、実施例１と
同様の処理および手順にしたがつて、支持体１０
上のCo−Ni合金膜上に含けい素有機プラズマ重
合層を形成した。 上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、支持体１０を取外し、支持
体上のCo−Ni合金膜上に形成されたオーバコー
ト層を、タリステツプ、ESCA及び元素分析法に
より分析したところ、 膜厚：300Å 膜組成：C_0.15H_0.16O_0.48Si_0.21 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープとした。

【表】

【表】 実施例 ３ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.３
に示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比
で（１：３）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：12mmTorr 供給高周波電力：15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上に含けい素有機プラズマ重合
膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、支持体１０を取外し、支持
体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされ
た層を、タリステツプ、ESCA及び元素分析法に
より分析したところ、 膜厚：180Å 膜組成：C_0.19H_0.12O_0.18N_0.22Si_0.29 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ３とした。 実施例 ４ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.４
に示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比
で（１：１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：16mmTorr 供給高周波電力：10W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上に含けい素有機プラズマ重合
膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、支持体１０を取外し、支持
体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされ
た層を、タリステツプ、ESCA及び元素分析法に
より分析したところ、 膜厚：160Å 膜組成：C_0.21H_0.15O_0.16Si_0.29 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ４とした。 実施例 ５ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11mmTorr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.５
に示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比
で（２：１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：155mmTorr 供給高周波電力：150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコー
トされた層を、タリステツプ、ESCA及び元素分
析法により分析したところ、 膜厚：220Å 膜組成：C_0.23H_0.29O_0.25Si_0.23 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ５とした。 実施例 ６ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.６
に示すテトラメチルシランと酸素をモル比で
（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：15mmTorr 供給高周波電力：15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、支持体１０を取外し、支持
体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされ
た層を、タリステツプ、ESCA及び元素分析法に
より分析したところ、 膜厚：160Å 膜組成：C_0.18H_0.08O_0.52Si_0.22 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ６とした。 実施例 ７ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.７
に示すテトラメチルシランと酸素をモル比で
（１：５）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：140mmTorr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコー
トとされた層を、タリステツプ、ESCA及び元素
分析法により分析したところ、 膜厚：180Å 膜組成：C_0.21H_0.09O_0.44Si_0.36 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ７とした。 実施例 ８ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.８
に示すヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で
（１：５）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：125mmTorr 供給高周波電力：200W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置支持体１０を取外し、
支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコートと
された層を、タリステツプ、ESCA及び元素分析
法により分析したところ、 膜厚：240Å 膜組成：C_0.12H_0.14O_0.02Si_0.36 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ８とした。 実施例 ９ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.９
に示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で
（１：３）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：105mmTorr 供給高周波電力：150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコー
トとされた層を、タリステツプ、ESCA及び元素
分析法により分析したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.11H_0.14O_0.22Si_0.25 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ９とした。 実施例 10 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.10
に示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で
（１：１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：22mmTorr 供給高周波電力：120W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコー
トとされた層を、タリステツプ、ESCA及び元素
分析法により分析したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.09H_0.16O_0.24Si_0.25 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ10とした。 実施例 11 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素をモル比
で（１：４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.11
に示すヘキサメチルジシロキサンとチオフエン及
び酸素をモル比で（20／１／10）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧：５mmTorr 供給高周波電力：50W の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同
様の処理および手順にしたがつて、支持体１０上
のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜にオーバコー
トとされた層を、タリステツプ、ESCA及び元素
分析法により分析したところ、 膜厚：240Å 膜組成：C_0.19H_0.24O_0.21Si_0.19S_0.17 であることが確認できた。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実
施例テープ11とした。 実施例 12 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.12
に示すヘキサメチルジシロキサンとトリメチルホ
スフアイトおよび酸素をモル比で（20／１／10）
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：10mmTorr 供給高周波電力：80W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成
した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取外
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：280Å 膜組成：C_0.16H_0.19O_0.28Si_0.24P_0.13 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを実施例テープ12とした。 実施例 13 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.13
に示すフエニルシランとベンゼンおよび酸素をモ
ル比で（４／１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：205mmTorr 供給高周波電力：300W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成
した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：180Å 膜組成：C_0.28H_0.08O_0.21Si_0.43 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを実施例テープ13とした。 実施例 14 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.14
に示すフエニルシランとメチルメタクリレートお
よび窒素をモル比で（５／３／40）の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧：135mmTorr 供給高周波電力：180W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成
した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：160Å 膜組成：C_0.27H_0.28O_0.19N_0.10Si_0.16 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを実施例テープ14とした。 実施例 15 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.15
に示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリ
メチルボレートおよび酸素をモル比で（10／１／
20）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：135mmTorr 供給高周波電力：180W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成
した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.21H_0.14O_0.43Si_0.11B_0.11 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを実施例テープ15とした。 実施例 16 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上にお
いて、ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル
比で（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W でグロー放電させる代りに、下記の表−１、No.16
に示すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化
ビニルおよび水素をモル比で（５／５／２）の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧：11mmTorr 供給高周波電力：8W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成
した。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.33H_0.08O_0.18Si_0.38Cl_0.03 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを実施例テープ16とした。 比較例 １ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリ−メトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.１に示すビニルトリメトキシシランを、 封入ガス圧：18mmTorr 供給高周波電力：50W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.31H_0.13Si_0.33O_0.23 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ１とした。

【表】 比較例 ２ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.２に示すビニルトリメトキシシランおよびエチ
レンをモル比で（１／１）の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧：35mmTorr 供給高周波電力：100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分赤したところ、 膜厚：260Å 膜組成：C_0.44H_0.15Si_0.25O_0.16 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ２とした。 比較例 ３ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.３に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧：12mmTorr 供給高周波電力：100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：180Å 膜組成：C_0.51H_0.04Si_0.40O_0.05 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ３とした。 比較例 ４ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.４に示すテトラメチルシランおよびスチレンを
モル比で（１／１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：125mmTorr 供給高周波電力：300W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：300Å 膜組成：C_0.55H_0.21Si_0.41O_0.05 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ４とした。 比較例 ５ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.５に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、 封入ガス圧：140mmTorr 供給高周波電力：250W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：360Å 膜組成：C_0.31H_0.11Si_0.33O_0.08N_0.17 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ５とした。 比較例 ６ 第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガ
イドされた支持体１０上のCo−Ni合金膜上で、
ビニルトリメトキシシランと酸素とをモル比で
（１／４）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧：0.11Torr 供給高周波電力：300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、
No.６に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、 封入ガス圧：18mmTorr 供給高周波電力：30W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および手順にしたがつて、支持体１
０上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオー
バコートした。 上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残
留ガスを排除した後、装置から支持体１０を取出
し、支持体１０上のCo−Ni合金膜に形成された
オーバコート層を、タリステツプ、ESCAおよび
元素分析法により分析したところ、 膜厚：320Å 膜組成：C_0.28H_0.07Si_0.23O_0.10N_0.32 であることを確認した。 かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。 この試料テープを比較例テープ６とした。 次に、実施例１〜16および比較例１〜６におい
て得られた各実施例テープ１〜16および比較例テ
ープ１〜６のオーバコート層の屈折率、動摩擦係
数、σ_sの劣化およびテープのスチル寿命（分）に
ついて測定した結果を、表−３に示す。

【表】

【表】 表−３に示すオーバコート層の屈折率、動摩擦
係数、σ_s劣化率およびスチル寿命は次の方法にし
たがつて評価した。 (a) オーバコート層の屈折率： エリプソメータで測定した。 (b) オーバコート層の動摩擦係数： テープを温度25℃、相対湿度55％の雰囲気下
で24時間放置後、テープの一端をテンシヨン検
出部に取り付け、他方の端には30ｇ荷重をかけ
て静止しておき、さらに当該テープ下面に回転
ローラ（直径４mm）を接触させて、周速度14
mm／secで回転させたとき、上記テンシヨン検
出部に検出される値をもつて動摩擦係数とし
た。 (c) σ_s劣化率： テープを高温多湿の条件下（温度60℃、相対
湿度80％）において１週間放置した後の、当該
テープの飽和磁化σ_sと、放置前のテープの飽和
磁化σ_spとから、次式に従つて求めた、 σ_s劣化率＝（σ_sp−σ_s／σ_sp）×100 をもつて表示した。 (d) スチル寿命： TV画面上の再生静止画像が消失するまでの
時間を（分）単位で表示した。また、前記実施
例１〜16および比較例１〜６におけるテープの
オーバコート層の膜厚はRank talor Hobson
社製タリステツプを用い常法に従つて測定し
た。 表−３に表わされた測定結果から、オーバコー
ト層の屈折率が1.45以下の資料テープ（比較例テ
ープ１〜６）は、屈折率1.45以上の試料テープ
（実施例テープ１〜16）に比べて、動摩擦係数、
σ_s劣化率がいずれも大きく、テープ走行性が悪く
スリ傷を生じやすく、耐食性（保存安定性）も劣
ることが判る。 さらに、オーバコート層の屈折率1.45以上の試
料テープは、屈折率1.45以下のオーバコート層を
有する試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐
摩耗性が優れていることが判る。 表−３に示された測定値に基づいて、試料テー
プの屈折率とスチル寿命との関係をプロツトする
と、第３図に示すごとき結果となる。図中×印
は、屈折率1.45以下の試料テープの特性値であ
り、・印は、屈折率1.45以上の試料テープの特性
値を表わす。この結果に基づいて内挿線をプロツ
トしてみると、２種類の内挿線C₁とC₂が得られ
る。 内挿線C₁，C₂から、屈折率が1.45以上のオーバ
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率
1.45以下のオーバコート層を有するテープのスチ
ル寿命に比べて飛躍的に増加しており、テープの
耐摩耗性が向上したことが判る。 〔f〕 発明の効果： 以上のごとく、本発明によると、磁気記録媒体
は、 走行性が改善され、走行不良に基づく画面あ
るいは録音の乱れが少なくなる。 また、耐摩耗性が高いため、長時間使用して
も、再生出力信号の変動が少ない。 さらに、耐食性に優れているため、長時間高
温・高湿の条件の下に放置しても、再生出力の
劣化が少なく、高い保存安定性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体製造装置の要
部断面図、第２図は本発明の磁気記録媒体製造装
置の他の実施例の要部断面図、第３図は本発明に
かかる磁気記録媒体と比較例の磁気記録媒体のオ
ーバコート層の屈折率対スチル寿命の関係を示す
特性曲線図である。 ２……放電室、３……支持体送出室、４……支
持体巻取り室、６……上部電極、７……下部電
極、８……マツチングボツクス、９……高周波電
源、１０……支持体、１１……支持体送出リー
ル、１３……支持体巻取リール。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 支持体上に、磁性層と磁性層上に形成したオ
   ーバーコート層を有する磁気記録媒体において、
   オーバーコート層が屈折率1.45以上であり、含け
   い素有機プラズマ重合層で構成されたものである
   ことを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上
   で非プラズマ重合性ガスと含けい素化合物とを同
   時にプラズマ重合処理し、磁性層上に含けい素有
   機プラズマ重合層で構成された屈折率1.45以上の
   オーバーコート層を形成することを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。