JPH03261795A - ２―デオキシアルドース誘導体とその製造方法 - Google Patents
２―デオキシアルドース誘導体とその製造方法Info
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- JPH03261795A JPH03261795A JP6229990A JP6229990A JPH03261795A JP H03261795 A JPH03261795 A JP H03261795A JP 6229990 A JP6229990 A JP 6229990A JP 6229990 A JP6229990 A JP 6229990A JP H03261795 A JPH03261795 A JP H03261795A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物２−デオキシアルドース誘導体とそ
の製造方法に間するものである。
の製造方法に間するものである。
２−デオキシアルドース誘導体は、抗生物質の配糖体の
構成成分として、また、抗ウィルス活性、抗腫瘍活性な
どを持つヌクレオシド類の糖部分として知られており、
医薬品の合成開発を行う上で重要な化合物である。
構成成分として、また、抗ウィルス活性、抗腫瘍活性な
どを持つヌクレオシド類の糖部分として知られており、
医薬品の合成開発を行う上で重要な化合物である。
２−デオキシアルドース誘導体を得る従来の方法として
は天然より得られる糖類を修飾して行うか、炭素数の少
ない光学活性物質を増炭する方法がある。しかしながら
、前者の方法では合成できる２−デオキシアルドースの
置換基の種類やその立体配座に限界がある。後者の方法
では、増炭後２−デオキシアルドースへ変換するまでに
様々な官能基変換を行わなければならず、長く複雑な反
応工程を必要とする。
は天然より得られる糖類を修飾して行うか、炭素数の少
ない光学活性物質を増炭する方法がある。しかしながら
、前者の方法では合成できる２−デオキシアルドースの
置換基の種類やその立体配座に限界がある。後者の方法
では、増炭後２−デオキシアルドースへ変換するまでに
様々な官能基変換を行わなければならず、長く複雑な反
応工程を必要とする。
本発明は工業的に重要な２−デオキシアルドースへ簡便
な方法で晒導できる新規な化合物を提供することを主た
る目的とするものである。
な方法で晒導できる新規な化合物を提供することを主た
る目的とするものである。
本発明者らは、２−デオキシアルドースを簡便に得る有
用な方法を６１発すべく研究を重ねた結果、−紋穴［１
１で表される化合物がその誘導体として優れていること
を見いだした０本発明は、誼知見に基づいて完成された
ものである。
用な方法を６１発すべく研究を重ねた結果、−紋穴［１
１で表される化合物がその誘導体として優れていること
を見いだした０本発明は、誼知見に基づいて完成された
ものである。
すなわち、本発明は、−紋穴［１１
メチル基、Ｘは、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基であることをそれぞれ示
す、）で表される２−デオキシアルドース誘導体に間す
るものである。 また、本発明は、下記の工程よりな
る上記−紋穴［１］で表される２−デオキシアルドース
誘導体の製造法に間するものである。
ルキルチオ基、アリールチオ基であることをそれぞれ示
す、）で表される２−デオキシアルドース誘導体に間す
るものである。 また、本発明は、下記の工程よりな
る上記−紋穴［１］で表される２−デオキシアルドース
誘導体の製造法に間するものである。
１
１
［ｉｌ
［Ｉｒ］
［Ｗ］
（式中、Ｒ１は、水素原子まｋはアルキル基、アリール
基、およびエーテル、エステル等任意の官能基を含む置
換基、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子またはアルキル基、アリ
ール基、 Ｒ４、Ｒｓは、水１１Ｍ子またはハロゲン、
アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、適
当に保護されたアルコキシ１ ８ 〔１］ （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ’およびＸＬｔ前
記と同意義、） 以下、本発明について詳述する。
基、およびエーテル、エステル等任意の官能基を含む置
換基、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子またはアルキル基、アリ
ール基、 Ｒ４、Ｒｓは、水１１Ｍ子またはハロゲン、
アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、適
当に保護されたアルコキシ１ ８ 〔１］ （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ’およびＸＬｔ前
記と同意義、） 以下、本発明について詳述する。
本発明化合物である２−デオキシアルドース誘導体は、
前記一般式［１］で表されるものである。
前記一般式［１］で表されるものである。
該一般式におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および
Ｘは、前記定義のとおりである。
Ｘは、前記定義のとおりである。
このような本発明化合物の代表例としては、たとえば、
エチル ３． ５； ６． ７−ジー０−イソプロピ
リデン−２−デオキシ−β−Ｄ−グルコ−へブトフラノ
シド、メチル ３． ５； ６． ７−ジーＯ−イソ
プロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ−フェニルーβ−
Ｄ−イドーＤ−グリセロ−へブトフラノシド、メチル
３．５−０−イソプロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ
−フェニル−α−Ｄ−キシロ−ベントフラノシド、二チ
ル ６−０−ベンジル−３，５−０−イソプロピリデン
−２−デオキシ−α−Ｄ−アラビノ−へキソフラノシド
、二チル ６−０− （ｔ−ブチルジメチルシリル）−
３，５−０−イソプロピリデン−２，２−Ｃ−ジメチル
−２−デオキシ−α−Ｄ−アラビノ−へキソフラノシド
、エテル ６−０− （ｔ−ブチルジメチルシリル）−
３，５−０−イソプロピリデン−２−ブロモ−２−デオ
キシ−α−Ｄ−グルコ−へキソフラノシド、フェニル
３． ５； ６゜７−ジーＯ−イソプロピリデン−２
−デオキシ−１−チオーβ−Ｄ−グルコ−へブトフラノ
シド、メチル ３． ５； ６． ７−ジー０−イソ
プロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ−フェニルー−１
−チオβ−Ｌ−イドーＬ−グリセロ−へブトフラノシド
、フェニル ３．５−０−ベンジリデン−６゜７−０−
イソプロピリデン−２−Ｃ−アセトキシメチル−２−デ
オキシ−１−チオーβ−Ｄ−イドーＤ−グリセロ−へブ
トフラノシドなとの２−デオキシアルドース誘導体が挙
げられる。
エチル ３． ５； ６． ７−ジー０−イソプロピ
リデン−２−デオキシ−β−Ｄ−グルコ−へブトフラノ
シド、メチル ３． ５； ６． ７−ジーＯ−イソ
プロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ−フェニルーβ−
Ｄ−イドーＤ−グリセロ−へブトフラノシド、メチル
３．５−０−イソプロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ
−フェニル−α−Ｄ−キシロ−ベントフラノシド、二チ
ル ６−０−ベンジル−３，５−０−イソプロピリデン
−２−デオキシ−α−Ｄ−アラビノ−へキソフラノシド
、二チル ６−０− （ｔ−ブチルジメチルシリル）−
３，５−０−イソプロピリデン−２，２−Ｃ−ジメチル
−２−デオキシ−α−Ｄ−アラビノ−へキソフラノシド
、エテル ６−０− （ｔ−ブチルジメチルシリル）−
３，５−０−イソプロピリデン−２−ブロモ−２−デオ
キシ−α−Ｄ−グルコ−へキソフラノシド、フェニル
３． ５； ６゜７−ジーＯ−イソプロピリデン−２
−デオキシ−１−チオーβ−Ｄ−グルコ−へブトフラノ
シド、メチル ３． ５； ６． ７−ジー０−イソ
プロピリデン−２−デオキシ−２−Ｃ−フェニルー−１
−チオβ−Ｌ−イドーＬ−グリセロ−へブトフラノシド
、フェニル ３．５−０−ベンジリデン−６゜７−０−
イソプロピリデン−２−Ｃ−アセトキシメチル−２−デ
オキシ−１−チオーβ−Ｄ−イドーＤ−グリセロ−へブ
トフラノシドなとの２−デオキシアルドース誘導体が挙
げられる。
本発明化合物は、新規化合物であり、上記に述べた反応
工程により製造することができる。その反応について以
下拝趨に説明する。
工程により製造することができる。その反応について以
下拝趨に説明する。
本発明方法における原料化合物の一つであるアルデヒド
−アルドース誘導体は一般式［１１］で表されるもので
ある。該式中のＲ１、Ｒ２およびＲ３は前記定義のとお
りであり、Ｒ１、Ｒ２の具体例としては、両方が共にア
ルキル基である場合、一方がアルキル基またはアリール
基で他方が水素原子の場合などがあり、さらに具体的に
は、Ｒ１、Ｒ２が共にメチル、エチルあるいは環状のエ
チレン、 トリメチレンなとか、Ｒ’がメチル、エチル
、フェニル、４−メトキシフェニルで、Ｒ２が水素原子
のものなどが挙げられる。
−アルドース誘導体は一般式［１１］で表されるもので
ある。該式中のＲ１、Ｒ２およびＲ３は前記定義のとお
りであり、Ｒ１、Ｒ２の具体例としては、両方が共にア
ルキル基である場合、一方がアルキル基またはアリール
基で他方が水素原子の場合などがあり、さらに具体的に
は、Ｒ１、Ｒ２が共にメチル、エチルあるいは環状のエ
チレン、 トリメチレンなとか、Ｒ’がメチル、エチル
、フェニル、４−メトキシフェニルで、Ｒ２が水素原子
のものなどが挙げられる。
本原料化合物は公知の方法を応用して合成することがで
きる０例えば、アルデヒド−アルドース誘導体の２．３
位の水酸基をアルデヒドまたはケトンで保護し環状アセ
タールまたはケタールを形成させ調製することが可能で
ある。使用されるアルドースとしては一般に容易に入手
できる三〜六炭糖で、例えば、グリセルアルデヒド、エ
リトロース、 トレオース、アラビノース、 リボース
、グルコース、マンノース、ガラクトース、ラムノース
などが挙げられる。
きる０例えば、アルデヒド−アルドース誘導体の２．３
位の水酸基をアルデヒドまたはケトンで保護し環状アセ
タールまたはケタールを形成させ調製することが可能で
ある。使用されるアルドースとしては一般に容易に入手
できる三〜六炭糖で、例えば、グリセルアルデヒド、エ
リトロース、 トレオース、アラビノース、 リボース
、グルコース、マンノース、ガラクトース、ラムノース
などが挙げられる。
もう一つの原料であるオレフィン化合物は一般式［１［
［］で表されるものである。該式中のＲ４、Ｒ５および
Ｘは、前に定義のとおりであり、Ｒ４、Ｒ５の具体例と
しては、Ｒ−１Ｒ６の両方が共に水素原子、アルキル基
であるか、Ｒ′、Ｒ５のどちらか一方が水素原子で他方
がアルキル基、アリール基、ハロゲン、アルコキシカル
ボニル基、保護されたヒドロキシメチル基、さらに具体
的にはメチル、エチル、フェニル、クロル、ブロム、エ
トキシカルボニル、アセトキシメチル、ベンゾイルオキ
シメチル、ベンジルオキシメチルなどが挙げられる。ま
た、Ｘの具体例としてはメトキシ、エトキシ、ベンジル
オキシ、フェノキシ、メチルチオ、フェニルチオなどが
ある。
［］で表されるものである。該式中のＲ４、Ｒ５および
Ｘは、前に定義のとおりであり、Ｒ４、Ｒ５の具体例と
しては、Ｒ−１Ｒ６の両方が共に水素原子、アルキル基
であるか、Ｒ′、Ｒ５のどちらか一方が水素原子で他方
がアルキル基、アリール基、ハロゲン、アルコキシカル
ボニル基、保護されたヒドロキシメチル基、さらに具体
的にはメチル、エチル、フェニル、クロル、ブロム、エ
トキシカルボニル、アセトキシメチル、ベンゾイルオキ
シメチル、ベンジルオキシメチルなどが挙げられる。ま
た、Ｘの具体例としてはメトキシ、エトキシ、ベンジル
オキシ、フェノキシ、メチルチオ、フェニルチオなどが
ある。
本発明方法における環化縮合の触媒となるルイス酸の具
体例としては、チタン塩（ＥＶ）、スズ塩（ｆＶ）、ア
ルミニウム塩（ＩＩＩ）、マグネシウム塩（ＩＩ）、亜
鉛塩（１１）、ボロン塩（ｍ）等周知のものが挙げられ
るが、塩化スズ、塩化アルミニウム、フッ化ホウ素等が
良く、三フフ化ホウ素・エーテラートが特に有用である
。
体例としては、チタン塩（ＥＶ）、スズ塩（ｆＶ）、ア
ルミニウム塩（ＩＩＩ）、マグネシウム塩（ＩＩ）、亜
鉛塩（１１）、ボロン塩（ｍ）等周知のものが挙げられ
るが、塩化スズ、塩化アルミニウム、フッ化ホウ素等が
良く、三フフ化ホウ素・エーテラートが特に有用である
。
反応に用いる溶媒はエーテル、ベンゼン、 トルエン、
ジクロロメタン、クロロホルム等周知の非掻性溶媒がよ
く、特に制限はない。
ジクロロメタン、クロロホルム等周知の非掻性溶媒がよ
く、特に制限はない。
反応温度、反応時間は用いる触媒、溶媒等により異なり
、特に限定されないが、それぞれ１０分〜ｌＯ時間、−
１００〜３０℃、好ましくは一７８〜０℃が適当である
。
、特に限定されないが、それぞれ１０分〜ｌＯ時間、−
１００〜３０℃、好ましくは一７８〜０℃が適当である
。
触媒の使用量に特に制限はないが、通常はアルデヒドに
対して０．２〜１．０当量の範囲で添加する。
対して０．２〜１．０当量の範囲で添加する。
アルデヒドに対して置換オレフィンを過剰に用いること
も可能であるが、通常は１．０〜１．２当量である。ま
た、逆にアルデヒドを過剰に用いることができることは
言うまでもない。
も可能であるが、通常は１．０〜１．２当量である。ま
た、逆にアルデヒドを過剰に用いることができることは
言うまでもない。
本発明方法は、有用な新規物質である２−デオキシアル
ドース誘導体を簡便に製造できるという利点を有する。
ドース誘導体を簡便に製造できるという利点を有する。
また、特殊な装置を必要としないので大量合成も可能で
あり、その工業的価罐は大である。
あり、その工業的価罐は大である。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に
より何等の制限も受けるものではない。
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に
より何等の制限も受けるものではない。
逍
２．３ ：４．５−ジーＯ−イソブロビリデンーアルテ
ヒドーＤ−アラビノース ３８９ｍｇ（１，６７ｍｍｏ
ｌ）とエチルビニルエーテル ０．１４ｍ１（２，０３
ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下ジクロロメタン１７−１
に溶解し、ドライアイス−ヘキサン浴で一７８℃に冷却
する。これに三フッ化ホウ素・エーテラート２４ｍｇ（
０，１７ｍｍｏ １ ）のジクロロメタン溶液１ｍｌを
ゆっくり滴下する。 １０分後トリエチルアミンを０．
１ｍｌ加え室温に戻し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
を加えたのちジクロロメタンにより抽出する。硫酸マグ
ネシウムで乾燥後Ｓａｔ、、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより単離精製して目的物４８０ｍｇ（９４
モル％）を得た。
ヒドーＤ−アラビノース ３８９ｍｇ（１，６７ｍｍｏ
ｌ）とエチルビニルエーテル ０．１４ｍ１（２，０３
ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下ジクロロメタン１７−１
に溶解し、ドライアイス−ヘキサン浴で一７８℃に冷却
する。これに三フッ化ホウ素・エーテラート２４ｍｇ（
０，１７ｍｍｏ １ ）のジクロロメタン溶液１ｍｌを
ゆっくり滴下する。 １０分後トリエチルアミンを０．
１ｍｌ加え室温に戻し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
を加えたのちジクロロメタンにより抽出する。硫酸マグ
ネシウムで乾燥後Ｓａｔ、、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより単離精製して目的物４８０ｍｇ（９４
モル％）を得た。
融点：３９．５〜４１’Ｃ
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）： δ １．２１（ｔ、Ｊ
＝７．０８Ｈｚ、３Ｎ＞、 １．３６（Ｓ、６Ｈ）、１
．４２（８，３１１）、 １．４３ＣＢ、３Ｎ＞、 ２
．０１（ｔｄ、Ｊ＝４．６４，１４．１６Ｈｚ、ＩＨ）
、 ２．２６（ｄｄ、Ｊ＝５．７４゜目、１６Ｈｚ、Ｉ
Ｈ）、 ３．５１（ｄｄ、Ｊ＝７．０８，１０．０ＩＨ
ｚ、１Ｍ）、 ３．８１（ｄｄ、Ｊ＝７．０８，１０．
０ＩＨｚ、ＩＮ）、 ３．８９（ｔ、Ｊ＝２．２０Ｈｚ
、１Ｎ）、 ３．９２（ｄｄ、Ｊ＝２．２０，７．３３
，１ｌｌ）、 ３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．３７，８．５
４Ｈｚ、ＩＮ）、 ４．０７（ｄｄ、Ｊ＝８ｉ０，８．
５４．ＩＮ）、 ４．３３（ｄｄｄ、Ｊ＝５．３７，６
．１０，７．３３Ｈｚ、ＩＨ）、 ４．４１（ｄｄ、Ｊ
＝２．２０，４．６４Ｈ２，ＩＨ）、５．３６（ｄｄ、
Ｊ＝４．６４．５．７４Ｈ２，ＩＮ）。
＝７．０８Ｈｚ、３Ｎ＞、 １．３６（Ｓ、６Ｈ）、１
．４２（８，３１１）、 １．４３ＣＢ、３Ｎ＞、 ２
．０１（ｔｄ、Ｊ＝４．６４，１４．１６Ｈｚ、ＩＨ）
、 ２．２６（ｄｄ、Ｊ＝５．７４゜目、１６Ｈｚ、Ｉ
Ｈ）、 ３．５１（ｄｄ、Ｊ＝７．０８，１０．０ＩＨ
ｚ、１Ｍ）、 ３．８１（ｄｄ、Ｊ＝７．０８，１０．
０ＩＨｚ、ＩＮ）、 ３．８９（ｔ、Ｊ＝２．２０Ｈｚ
、１Ｎ）、 ３．９２（ｄｄ、Ｊ＝２．２０，７．３３
，１ｌｌ）、 ３．９６（ｄｄ、Ｊ＝５．３７，８．５
４Ｈｚ、ＩＮ）、 ４．０７（ｄｄ、Ｊ＝８ｉ０，８．
５４．ＩＮ）、 ４．３３（ｄｄｄ、Ｊ＝５．３７，６
．１０，７．３３Ｈｚ、ＩＨ）、 ４．４１（ｄｄ、Ｊ
＝２．２０，４．６４Ｈ２，ＩＨ）、５．３６（ｄｄ、
Ｊ＝４．６４．５．７４Ｈ２，ＩＮ）。
元素分析ＩＩ： Ｃ＋ａＨａｓＯｓとして計算１１
Ｃ： ５９． ５Ｂ、 Ｈ： ８． ６７％実
＃［Ｃ： ５Ｂ、 ４２． Ｈ： ８． ４０
％実施例 ２ エニル ° −８−口
ｌ １ ゝ −１−−−Ｄ−ルコーヘブ 上記実施例１のエチルビニルエーテルの代わりにフェニ
ルビニルスルフィドを使用し、次いで同じ試薬で反応を
行わせ同様に処理することにより目的物を６９モル％の
収率で得ることができた。
Ｃ： ５９． ５Ｂ、 Ｈ： ８． ６７％実
＃［Ｃ： ５Ｂ、 ４２． Ｈ： ８． ４０
％実施例 ２ エニル ° −８−口
ｌ １ ゝ −１−−−Ｄ−ルコーヘブ 上記実施例１のエチルビニルエーテルの代わりにフェニ
ルビニルスルフィドを使用し、次いで同じ試薬で反応を
行わせ同様に処理することにより目的物を６９モル％の
収率で得ることができた。
融点： ６９〜７０℃
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ ３）： δ １．３６．
１．３９，１．４３゜１．４４（ｓ、１２８）、 ２
．０７（ｄｄｄ、Ｊ＝５．７．５．１４Ｈｚ、ＩＨ）、
２゜４７（ｄｄ、Ｊ＝７．５．１４Ｈｚ、ＩＨ）、
３．９４（ｄｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、ＩＩＩ）。
１．３９，１．４３゜１．４４（ｓ、１２８）、 ２
．０７（ｄｄｄ、Ｊ＝５．７．５．１４Ｈｚ、ＩＨ）、
２゜４７（ｄｄ、Ｊ＝７．５．１４Ｈｚ、ＩＨ）、
３．９４（ｄｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、ＩＩＩ）。
３．９７（ｄｄ、、ｌ”２．５Ｈｚ、１Ｍ）、 ３．
９９（ｔ、Ｊ＝２Ｈｚ、ｌｌ＋）、４．０６（ｄｄ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ、ＩＨ）、 ４．３３（ｄｄ、Ｊ＝６．
７Ｈｚ、ＩＨ）、４．４１（ｄｄ、Ｊ＝２．５Ｈｚ、Ｉ
Ｎ）、 ５．７０（ｔ、Ｊニア、５Ｈｚ、ＩＩＩ）、
７．２４−７．３０（雪、３Ｈ）、７．５６−７．
５８（ｍ、２Ｈ）。
９９（ｔ、Ｊ＝２Ｈｚ、ｌｌ＋）、４．０６（ｄｄ、Ｊ
＝６．９Ｈｚ、ＩＨ）、 ４．３３（ｄｄ、Ｊ＝６．
７Ｈｚ、ＩＨ）、４．４１（ｄｄ、Ｊ＝２．５Ｈｚ、Ｉ
Ｎ）、 ５．７０（ｔ、Ｊニア、５Ｈｚ、ＩＩＩ）、
７．２４−７．３０（雪、３Ｈ）、７．５６−７．
５８（ｍ、２Ｈ）。
元素分析１［： Ｃ＋ｓｌ（２１１０ｓＳとして計算
値 Ｃ： ６２． ２８． Ｈ： ７． １５．
Ｓ：８．７３ ％ 実測値 Ｃ： ６２゜ ５１゜ Ｈニ ア。
値 Ｃ： ６２． ２８． Ｈ： ７． １５．
Ｓ：８．７３ ％ 実測値 Ｃ： ６２゜ ５１゜ Ｈニ ア。
１８゜
実測値
Ｃ：
６７゜
６９゜
Ｈニ
ア。
６１ ％
： ９゜
０５ ％
２．３−０−イソプロピリデン−〇−グリセルアルデヒ
ドと（Ｚ）−メチルスチリルエーテルとの反応を実施例
１と同じ試薬を用いて行い同様に処理することにより目
的物を２１モル％で得ることができた。
ドと（Ｚ）−メチルスチリルエーテルとの反応を実施例
１と同じ試薬を用いて行い同様に処理することにより目
的物を２１モル％で得ることができた。
融点： ９７〜９７．５℃
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩａ）： δ １．３４．１．３
７（ｓ、６Ｈ）、 ３．２８（ｓ、３Ｈ）、 ３．４８
（ｔ、Ｃ４，７Ｈｚ、ＩＮ）、 ３．７６−４．１０（
雪、２Ｈ）、 ４．１５−４．３７（■、ＩＮ）、
４．５１（ｔ、Ｊ＝４．７Ｈｚ、ＩＨ）、 ５．１５
（ｄ、Ｊ＝５．０６．ＩＨ）、７．２６（ｓ、５Ｈ）。
７（ｓ、６Ｈ）、 ３．２８（ｓ、３Ｈ）、 ３．４８
（ｔ、Ｃ４，７Ｈｚ、ＩＮ）、 ３．７６−４．１０（
雪、２Ｈ）、 ４．１５−４．３７（■、ＩＮ）、
４．５１（ｔ、Ｊ＝４．７Ｈｚ、ＩＨ）、 ５．１５
（ｄ、Ｊ＝５．０６．ＩＨ）、７．２６（ｓ、５Ｈ）。
元素分析値： Ｃ＋ｓＨ２＠０４として計算値 Ｃ：
６８． １６． Ｈ： ７． ６３％４−Ｏ−
（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２゜３−０−イソプロ
ピリデン−アルデヒド−Ｄ−エリトロースとｌ−エトキ
シ−２−メチル−１−プロペンとの反応を等モルの三フ
ッ化ホウ素・エーテラートを用いて行わせ実施例１と同
様に処理することにより目的物を８７モル％で得ること
かでき た。
６８． １６． Ｈ： ７． ６３％４−Ｏ−
（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２゜３−０−イソプロ
ピリデン−アルデヒド−Ｄ−エリトロースとｌ−エトキ
シ−２−メチル−１−プロペンとの反応を等モルの三フ
ッ化ホウ素・エーテラートを用いて行わせ実施例１と同
様に処理することにより目的物を８７モル％で得ること
かでき た。
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ）： δ ０．０８（８
，６１１）、 ０゜９１（ｓ、９Ｍ）、 ０．９９
（ｓ、３Ｈ）、 １．０３（ｓ、３Ｈ）、 １．１
９（ｔ、Ｊ＝７Ｎ２．３Ｈ）、 １．３１（８，３Ｈ
）、 １．３３（ｓ、３Ｈ）、 ３．４０−４．０
９（−，７Ｈ）、 ４．７６（ｓ、ＩＮ）。
，６１１）、 ０゜９１（ｓ、９Ｍ）、 ０．９９
（ｓ、３Ｈ）、 １．０３（ｓ、３Ｈ）、 １．１
９（ｔ、Ｊ＝７Ｎ２．３Ｈ）、 １．３１（８，３Ｈ
）、 １．３３（ｓ、３Ｈ）、 ３．４０−４．０
９（−，７Ｈ）、 ４．７６（ｓ、ＩＮ）。
実施例
５ エ ル ６−０− ｔ −ルＳ
ルー −一 ’−１− 上記実施例４の１−エトキシ−２−メチル−１−プロペ
ンの代わりにβ−ブロモビニルエチルエーテルを使用し
、次いて同じ試薬で反応を行わせ同様に処理することに
より目的物を８２モル％の収率で得ることができた。
ルー −一 ’−１− 上記実施例４の１−エトキシ−２−メチル−１−プロペ
ンの代わりにβ−ブロモビニルエチルエーテルを使用し
、次いて同じ試薬で反応を行わせ同様に処理することに
より目的物を８２モル％の収率で得ることができた。
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣ１ｘ＞： δ ０．０７（Ｓ、
６Ｈ）、 ０．９０（ｓ、９Ｈ）、 １．２５（ｔ、Ｊ
＝７Ｈｚ、３Ｈ）、 １．３５（ｓ、６Ｈ）、 ３．３
８−３．９０（■、５Ｈ）、 ４．００！、２２（ｍ、
２Ｈ）、 ４．４４（ｄｄ、Ｊ＝４．５．２Ｈｚ）、
５．０４（ｄ、Ｊ＝４Ｈｚ、ＩＨ）。
６Ｈ）、 ０．９０（ｓ、９Ｈ）、 １．２５（ｔ、Ｊ
＝７Ｈｚ、３Ｈ）、 １．３５（ｓ、６Ｈ）、 ３．３
８−３．９０（■、５Ｈ）、 ４．００！、２２（ｍ、
２Ｈ）、 ４．４４（ｄｄ、Ｊ＝４．５．２Ｈｚ）、
５．０４（ｄ、Ｊ＝４Ｈｚ、ＩＨ）。
２．３−Ｏ−（４−メトキシベンジリデン）−４，５−
０−イソプロピリデン−アルデヒド−Ｄ−アラビノース
と２倍モルの３−アセトキシ−１−フェニルチオ−１−
プロペンの反応を１．２倍モルの三フッ化ホウ素・エー
テラートを用いて行わせ実施例１と同様に処理すること
により目的物を７６モル％で得ることができた。
０−イソプロピリデン−アルデヒド−Ｄ−アラビノース
と２倍モルの３−アセトキシ−１−フェニルチオ−１−
プロペンの反応を１．２倍モルの三フッ化ホウ素・エー
テラートを用いて行わせ実施例１と同様に処理すること
により目的物を７６モル％で得ることができた。
’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ３）： ６１．３９（ｓ、３Ｈ
）、 １゜４５（ｓ、３Ｈ）、 ２．０６（ｓ、３Ｈ）
、 ２．８５（ｔｄ、Ｊ＝３．８，７．６Ｈｚ。
）、 １゜４５（ｓ、３Ｈ）、 ２．０６（ｓ、３Ｈ）
、 ２．８５（ｔｄ、Ｊ＝３．８，７．６Ｈｚ。
ｌ１１）、 ３．８０（ｓ、３Ｈ）＋ ３．８４−４．
６０．（＠、８Ｎ）、 ５．３３（ｄ、Ｊ＝３．８Ｈｚ
、ＩＨ）、 ５．４６（ｓ、１Ｎ）、 ６．９０（ｄ、
Ｊ＝９．５Ｈｚ、２Ｈｚ）、 ７．１７−８．１６（
園、７Ｎ）。
６０．（＠、８Ｎ）、 ５．３３（ｄ、Ｊ＝３．８Ｈｚ
、ＩＨ）、 ５．４６（ｓ、１Ｎ）、 ６．９０（ｄ、
Ｊ＝９．５Ｈｚ、２Ｈｚ）、 ７．１７−８．１６（
園、７Ｎ）。
ロ −−ゝ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ I ］ （式中、Ｒ＾１は、水素原子またはアルキル基、アリー
ル基、およびエーテル、エステル等の官能基を含む置換
基、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、水素原子またはアルキル基、ア
リール基、Ｒ＾４、Ｒ＾５は、水素原子またはハロゲン
、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、
適当に保護されたヒドロキシメチル基、Ｘは、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基であることをそれぞれ示す。）で表される２−デオ
キシアルドース誘導体。 ２、一般式［II］、［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼＋▲数式、化学式、
表等があります▼ ［II］［III］ →▲数式、化学式、表等があります▼ ［ I ］ （式中、Ｒ＾１は、水素原子またはアルキル基、アリー
ル基、およびエーテル、エステル等の官能基を含む置換
基、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、水素原子またはアルキル基、ア
リール基、Ｒ＾４、Ｒ＾５は、水素原子またはハロゲン
、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、
適当に保護されたヒドロキシメチル甚、Ｘは、アルコキ
シ墓、アリールオキシ墓、アルキルチオ基、アリールチ
オ基であることをそれぞれ示す。）で表される化合物を
適当なルイス酸を触媒として環化縮合させ、一般式［
I ］で表される２−デオキシアルドース誘導体を製造す
る方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229990A JPH03261795A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ２―デオキシアルドース誘導体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229990A JPH03261795A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ２―デオキシアルドース誘導体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261795A true JPH03261795A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13196104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6229990A Pending JPH03261795A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ２―デオキシアルドース誘導体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261795A (ja) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6229990A patent/JPH03261795A/ja active Pending
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