JPH03266207A - Ｍｉｇ型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜
を有するＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎ　Ｇａｐ）型磁気ヘ
ッドの製造方法に係り、フェライトコア上に界面反応防
止膜を設け、さらにＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜を積層成膜
する際に、成膜速度を低速度から順次高速度へと変化さ
せながら成膜することにより、金属磁性膜の初期劣化層
をなくして疑似ギャップの発生を抑制し、電磁変換特性
の改善及び再生出力の向上を図ったＭＩＧ型磁気ヘッド
の製造方法に関する。

背景技術 近年、磁気記録における技術的発展は目覚ましく、特に
記録密度の向上は著しいものがある。

例えば、オーディオテープレコーダやＶＴＲ（ビデオテ
ープレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高
記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦ
ｅ、　Ｃｏ、Ｎｉ等の金属あるいは合金からなる粉末を
用いた、所謂メタルテープや、強磁性金属材料を真空薄
膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、所
謂蒸着テープや磁気ディスク等が開発され、各分野で実
用化されている。

ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発揮させるためには、磁気ヘッドのコア材料の特
性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一の
磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、高
透磁率を併せて有することが要求される。

例えば、従来、磁気ヘッドのコア材料として多用されて
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く、また、パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。

そこで上述の諸要求を満たすコア材料として、Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金からなる所謂センダスト合金が好適であ
ると考えられ、すでに実用に供されている。

しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λＳと結晶磁気異方性Ｋ
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。

一方、ＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、実際の磁性酸化物
コア上での金属磁性膜の特性はほとんど測定が困難であ
るため、金属磁性膜の特性は、非磁性基板上において評
価されていた。

しかし、本発明者の研究によれば、フェライト等磁性酸
化物基板上では、センダスト等金属磁性膜の特性は必ず
しも非磁性基板上での特性と一致するものではないこと
が判った。

特に、磁気異方性が著しく異なり、フェライト基板上に
おいては上述の膜は異方性の分散した膜となり、これを
磁気ヘッドに適応した場合、数〜数百ｐｍのトラック幅
状態では必ずしもマクロに測定された軟磁性状態は実現
され得ない。

すなわち、トラックを切り出す位置により、分散した単
磁区粒の困難軸方向が異なるため、ヘッドの電磁変換に
より磁化される方向の透磁率が異なり、磁気ヘッドの電
磁変換特性を劣化させる要因と見なすことができる。

また、ＭＩＧ型磁気ヘッドにおいては、上述したように
、金属膜、初期層軟磁性の劣化並び磁性酸化物との熱処
理に伴う拡散による非磁性反応層の生成等に起因する疑
似ギャップも同時に抑制しなくてはならない。

発明の目的 この発明は、金属磁性膜の初期劣化層をなくして疑似ギ
ャップの発生を抑制し、電磁変換特性の改善及び再生出
力の向上を達成できるＭＩＧ型磁気ヘッドの製造方法の
提供を目的としている。

発明の概要 この発明は、ＭＩＧ型磁気ヘッド用のすぐれた特性を有
する軟磁性膜の製造方法を目的に種々検討した結果、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜の成膜時に成膜速度を低速度から
順次高速度へと変化させながら成膜することにより、従
来の単一成膜速度で成膜した合金膜に比べて一段とすぐ
れた軟磁気特性が得られ、さらに、適切な熱処理を施す
ことにより、−軸異方性を有することを知見し、また、
フェライト等磁性酸化物と金属磁性膜との間にＡｌ２Ｏ
３などの熱的に安定な非磁性無機材料からなる界面反応
防止膜層を形成して、金属磁性膜と酸化物基板界面の反
応を抑制でき疑似ギャップを抑制できることを知見し、
この発明を完成したものである。

従来、ＭＩＧ型磁気ヘッド用のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜
は、スパッター装置等の気相成長装置を用いた工業的生
産の観点から、通常、２０ＯÅ／分以上の高い一定の成
膜速度で成膜するが、本発明者らの研究によれば、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金膜の成膜開始時に５０Ａ１分を越える
成膜速度で成膜すると、初期層の結晶性が悪く、軟磁気
特性が劣り、かかる初期層が疑似ギャップを形成する一
つの要因となることを確認し、少なくとも所定厚みの初
期層は結晶性よくするため低成膜速度で成膜する必要が
あることを知見した。

すなわち、この発明は、 少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトからなり、
磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドの製造方法において、フェライトコアの
磁気ギャップ突合わせ面に、非磁性無機材料からなる界
面反応防止膜を被着した後、 前記界面反応防止膜上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜を気相
成長方法で成膜する際に、成膜速度を低速度がら順次、
段階的にあるいは連続的に高速度へと変化させながら成
膜することを特徴とするＭＩＧ型磁気ヘッドの製造方法
である。

また、この発明は、前記方法において、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金膜の成膜開始時から少なくとも５０１みまでの成
膜速度を、５０Å／分以下の低速度としたことを特徴と
するＭＩＧ型磁気ヘッドの製造方法である。

発明の構成 詳述すれば、この発明は、公知の薄膜形成法を用いて、
各種フェライトコア上に、５ｉ０２、サイアロン、Ａｌ
２Ｏ３、ＣｒＮ、　Ｃｒなどの非磁性無機材料のいずれ
か少なくとも１種を以上成膜したのち、成膜速度を低速
度から順次高速度へと変化させながらＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
合金膜を成膜積層し、所要の厚みの金属磁性膜となした
後、ガラス溶着の工程での高温雰囲気、あるいは用途、
膜厚み、積層構造及び厚み比率等に応じて適宜選定した
４００℃〜８００℃、１分〜１００時間の熱処理を行な
うことを特徴とするＭＩＧ型磁気ヘッドの製造方法であ
る。

第１層の非磁性無機材料からなる界面反応防止膜により
、金属磁性膜と磁性酸化物との界面における原子の拡散
が防止され、成膜開始時に低成膜速度で成膜したことに
より、初期層の結晶性が著しく向上し、すぐれた−軸異
方性をもつ軟磁性膜が、酸化物基板上に形成可能となる
。

すなわち、第１層の界面反応防止膜により、金属磁性膜
とフェライトとの界面における原子の拡散が防止され、
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜を成膜時に成膜速度を低速度か
ら順次高速度へと変化させながら成膜することにより、
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜が下地となる低成膜速度で成膜
した前記初期層の結晶配向に沿って成膜され、結晶配向
の乱れが少なくなり、所要の熱処理によって容易に軟磁
気特性が向上すると考えられる。

Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜 ＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、疑似ギャップの発生を抑
制し、電磁変換特性の改善及び再住出カの向上を図るに
は、前述した如く、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜の成膜過程
をみれば、成膜初期層の結晶配向に沿って順次成膜され
ることがら、層全体の結晶配向の乱れを減少させるため
には、特に成膜開始時に結晶性を向上させた初期層を得
ることが重要である。

結晶性を向上させたＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜初期層を得
るためには、成膜速度を５ＯÅ／分以下の低速度とする
ことが不可欠であり、望ましくは２ＯÅ／分以下、さら
に望ましくはＩＯÅ／分以下である。また、当該初期層
厚みとしては、少なくともの５ＯＡ厚みが必要となり、
望ましくは１００Å以上、さらに望ましくは２００Ａ以
上である。

必要とあらば、上記低成膜速度で必要とするＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金膜全体を成膜するとことも可能であり、結晶
配向性のすぐれた膜が得られるが、大半の成膜は前記初
期層の結晶配向に沿って成膜されること、特に、工業的
生産を考慮すれば、所要の初期層が得られた後は順次、
高成膜速度で成膜することが望ましい。また、低成膜速
度で成膜した該合金膜層と高成膜速度で成膜した該合金
膜層とは、熱処理による拡散等で組成変動が生じること
はない。

しかしながら、成膜速度が著しく異なる場合は、成膜さ
れたＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜内部に応力が発生し易くな
り特性劣化などを招来するため、成膜開始時の低成膜速
度から段階的にあるいは連続的に高成膜速度へと変化さ
せながら成膜する必要があり、例えば、選定した初期層
の成膜速度に応じて、１〜数段階で所要の高成膜速度へ
と変化させたり、気相成長装置の能力に応じて連続的に
変化させるとよい、特に工業的生産では１００Å／分〜
１ｏｏｏｏ人／分の範囲から適宜選定するとよい。

Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜は、所謂センダスト合金で
あり、従来より複合型及び薄膜磁気ヘッドに多用されて
おり、磁気ヘッドの用途等に応じて、公知の組成が適宜
選定し得るが、３〜１０ｗｔ％Ａ１．６〜１５ｗｔ％Ｓ
ｉ、　８０〜９０ｗｔ％Ｆｅの範囲の合金を用いること
ができ、また、必要に応じて、Ｃｒ、　Ｔｉ、　Ｔａ、
Ｎｉ、　Ｃｏ、　Ｍｏ、　Ｚｒ、希土類元素や白金属元
素などを添加するのも良い。

また、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜の厚みは、高透磁率、
低保磁力を得るために適宜選定されるが、厚すぎる場合
には、磁気ヘッドの周波数特性が悪くなり、逆に薄い場
合には、オーバーライド特性が悪くなるなるので、通常
、１〜数戸である。

フェライトコア この発明において、フェライトコアには、用途に応じて
、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライトなどの
単結晶フェライト、ＨＩＰ処理された焼結フェライトの
他、公知のあらゆるソフトフェライトが利用できる。

界皿叉庭肱上医 この発明において、第１層の界面反応防止膜には、５ｉ
０２、サイアロン、Ａｌ２Ｏ３、ＣｒＮ、　Ｃｒなどの
非磁性無機材料の１種または２種以上を成膜するが、膜
厚みが５０Ａ未満では拡散防止効果がな（、また、３０
０Ａを越えると、拡散防止膜自体が疑似ギャップとして
作用し好ましくないため、５０〜３００ＡＩ厚みとする
。さらに、好ましくは１００〜２００に享みである。

製造条件 フェライトコアの磁気ギャップ突合わせ面に、界面反応
防止膜、Ｆｅ−Ａ１−Ｓｉ系合金薄膜を積層成膜するが
、その被着方法としては、各種スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、蒸着法、イオンブレーティング等の公知の気相成
膜方法が利用できる。

好ましい被着条件としては、いずれの方法においても、
到達真空度は高い程好ましく、少なくとも１Ｏ−８Ｔｏ
ｒｒ台以下の高真空にする必要があり、望ましくは２ｘ
ｌＯ−６Ｔｏｒｒ以下、さらに望ましくは１ｘｌＯ’Ｔ
ｏｒｒ以下が良い。

スパッタリング法を用いる場合には、アルゴンガス等の
不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるが、この
圧力はスパッタ装置の構造によって適宜選定すれば良い
。

さらに、被着形成するＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜は、基
板の表面状態、例えば、残留歪応力や粗度等に強く影響
され、磁気特性が悪化する可能性があるため、当該合金
薄膜の下地となる界面反応防止膜、ひいてはフェライト
コア表面粗度を４０Å以下にする必要があり、ＭＣＰ（
メカノケミカルポリッシング）加工が有効である。

熱処理は、成膜後所要の加工前に行なっても良く、例え
ば、磁気ヘッド等の部品の形状に加工してから行なって
も良い。さらにまた、磁気へラドコアの半体対のボンデ
ィング加工を行なう際にガラス溶着のための加熱を熱処
理と併用しても良い。

熱処理の温度と時間は、複合金属磁性膜の磁気特性を向
上させるのに十分な温度と時間を適宜選定すると同時に
、コアとの熱膨張係数差、基板耐熱性、８膜の厚さ、コ
ア、拡散防止膜、ＦｅまたはＦｅ系合金膜と、Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金膜との３者間の相互拡散を同時に考慮し
て組成等によって適宜選定する必要がある。

熱処理温度は、４００℃未満では、応力の緩和が不十分
で十分に高い透磁率が得られないため好ましくなく、ま
た８００℃を越えると、膜及び膜間の相互拡散等により
返って磁気特性が劣化したり、膜の剥離が生じ安いため
、４００℃〜８００℃が好ましく、さらに好ましくは５
００℃〜７００℃である。

処理時間は、１分未満では、十分に高い透磁率が得られ
ないため好ましくなく、また１００時間を越えると、返
って磁気特性が劣化するため、１分〜１００時間が好ま
しく、さらには５分以上、１０時間以下がより好ましい
。

冷却速度は、熱処理温度、時間と同様に使用した基板及
び複合金属磁性膜の組成や構成によって適宜選定する必
要があるが、通常、１°Ｃ／ｈｒ以上、１００００”Ｃ
／ｈｒ以下が好ましく、特に、５０”Ｃ／ｈｒ〜６００
°Ｃ／ｈｒの範囲が好ましい。

雰囲気は、金属磁性膜及び強磁性酸化物の磁気特性を著
しく劣化させるものでなければどのような雰囲気でも良
いが、真空または不活性ガスまたは窒素ガス中が好まし
く、特に１０’Ｔｏｒｒ以上の真空が好ましい。

発明の効果 この発明によるＭＩＧ型磁気ヘッドは、フェライトコア
の磁気ギャップ突合わせ面に界面反応防止膜を設けたの
ち、Ｆｅ−Ａｌ−８層合金膜を成膜時に成膜速度を低速
度から順次高速度へと変化させながら成膜することによ
り、従来の単一成膜速度で成膜したＦｅ−Ａｌ−８層合
金膜以上の軟磁気特性（透磁率、保磁力）を有する軟磁
性膜が得られることにより、高保磁力の媒体に適用でき
、高記録密度が得られる利点がある。

また、この発明によるＭＩＧ型磁気ヘッドは、Ｆｅ−Ａ
ｌ−８層合金膜が一軸異方性を有し、がっ−軸異方性を
Ｆｅ−Ａｌ−８層合金膜の成膜時に容易に制御でき、例
えば、第１図でコアブロック半体の垂直下向きに困難軸
が向くように誘導することができ、極めて好ましい特性
を得ることができる。

実施例 実施例ｌ Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトからなる第１図に示す如き
Ｃ型コアとなるべきＣ型ブロツク半体（１）とＩ型コア
となるべき■型ブロック半体（３）を製造し、ＣＩココ
ア磁気ギャップ突合わせ面（２）となるべきＣ型ブロツ
ク半体く１）の所要面を、ダイヤモンドパウダーを用い
て、鏡面化したのち、ＭＣＰ加工を施し、前記面を高精
度な無歪面に仕上げた。

この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度３０Å以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。

上記の無歪加工されたＣ型ブロツク半体（１）の主面上
に、ＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置によって
、Ａｌ２Ｏ３膜を１００１みて被着形成した後、さらに
、同様にＣｒ膜をを１００人厚みで被着形成した。

さらに、ＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置によ
って、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ−０，７Ｃｒ膜を１．５
５戸厚みに積層成膜した。

Ｆｅ−Ａｌ−８層合金膜の成膜条件は、第２図に示す如
く、成膜開始時は２０人１分の成膜速度で２５分間成膜
し、次いで１００人１分の成膜速度に上昇させて５０分
間成膜し、その後さらに２００人１分の成膜速度に上昇
させて５０分間成膜した。

なお、前記のスパッタリング条件は、ターゲットへの投
入電力を所要成膜速度となるように調整したもので、Ｍ
ガス圧力４ｘｌＯ’Ｔｏｒｒであった。

次に、前記基板上に磁気ギャップを形成するためのガラ
ス膜をＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置にて、
各コアにつき０．３−厚みに被着形成した。

さらに、Ｃ型ブロツク半体と巻線溝を有しないＩ型ブロ
ック半体を、Ｎ２ガス雰囲気中（６８０℃ｘｌＯ分）に
よってガラスボンディングし、同時に、金属磁性膜の磁
気特性を向上させた後、所定寸法、形状となるように外
形加工を施し、ＭＩＧ型モメモノリシックヘッド化。

比較のため、Ａｌ２Ｏ３膜及びＣｒ膜の成膜までは、前
述と同一の条件で製造した後、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ
−０，７Ｃｒ膜を成膜開始時から一定の２００Ａ　７分
の成膜速度で１２５分間成膜し１．５５ｐｍ厚みに積層
成膜し、さらに前記条件でガラス膜を成膜し、ガラスボ
ンディングしたのちＭＩＧ型モメモノリシックヘッド化
。

従って、上記２種のモノリシックヘッドは、第４図Ａに
示す如く、ヘッドコア（４）の磁気ギャップ突合わせ面
は、Ａｌ２Ｏ３膜及びＣｒ膜の２層からなる拡散防止膜
（５）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜（６）が積層成膜され、さ
らに磁気ギャップ用のガラス膜（７）が成膜されている
。

さらに、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜（６）について詳述すれば
、この発明のヘッドの場合は、第４図Ｂに示す如く、拡
散防止膜（５）の上に、成膜速度２０Ａ１分の層（６１
）、成膜速度１００Å／分の層（６２）、成膜速度２０
０八／分の層（６３）の３層からなると考えられる。ま
た、比較例のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜（６）は、第４図りに
示す如く、従来の製造方法と同様の成膜速度２００人！
分の層（６３）のみである。

次に、上記２種のモノリシックヘッドの電磁変換特性を
下記条件で、各２０個ずつ測定し、平均値、最大値、最
小値を第１表に示す。

なお、第１表の疑似ギャップは、再生出力波形観察によ
るメインピークａと疑似ギャップ出力すの出力比ｂ／ａ
の測定の結果の平均値、最大値、最小値である。

磁気ディスクの保磁力；　１２０００ｅ磁気デイスクの
回転数；　３６００ｒｐｍコイルの巻数；２４ 浮上高さ；０．１顔ｍ 第１表から明らかな如く、この発明によるヘッドの場合
の方は、疑似ギャップの効果は実質的に問題とならない
程度に著しく減少し、比較例に対して一段とすぐれた電
磁変換特性を有することが確認できた。

第１表 Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを用いて、実施例１と同様
条件でブロック半体を作製し、ＭＣＰ加工により高精度
な平坦無歪面に仕上げたコア面に、ＲＦ２Ｆ２ノマグネ
トロンスパッタリング装置って、Ａｌ２Ｏ３膜を１００
人厚みで被着形成した。

この際、タリステップ表面段差測定器による測定では、
粗度２０Å以下であった。また、表面歪層の除去状態は
、エリプソメトリ−によって確認した。

さらに、ＲＦ２Ｆ２ノマグネトロンスパッタリング装置
って、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ膜を、成膜開始時は２０
人ノ分の成膜速度で２５分間、５００ＡＪ厚み成膜し、
次いで２００人１分の成膜速度に上昇させて１００分間
、１．５μ厚み成膜して、１．５５ｐｍ厚みに積層成膜
した。

次に、前記基板上に磁気ギャップを形成するためのガラ
ス膜をＲＦ２Ｆ２ノマグネトロンスパッタリング装置、
各コアにつき０．３μ厚みに被着形成した。

さらに、Ｃ型半体と巻線溝を有しないＩ型半体を、Ｎ２
ガス雰囲気中（６８０℃×１０分）によってガラスボン
ディングし、同時に、金属磁性膜の磁気特性を向上させ
た後、さらに、トラックを形成するためのトラック溝巻
線溝を多数形成し、スライシングし、所定寸法、形状と
なるように外形加工を施し、ＭＩＧ型磁気ヘッドチップ
化した。

従って、Ｃ型コアの磁気ギャップ突合わせ面は、Ａｌ２
Ｏ３拡散防止膜、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜が積層成膜され、
さらに磁気ギャップ用のガラス膜が成膜されている。

比較のため、Ａｌ２Ｏ３膜の成膜までは、前述と同一の
条件で製造した後、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ膜を成膜開
始時から一定の２００人１分の成膜速度で１２５分間成
膜し１．５５−厚みに積層成膜し、さらに前記条件でガ
ラス膜を成膜し、ガラスボンディングしたのちＭＩＧ型
磁気へラドチップ化した。

次に、コンポジットヘッド化し、電磁変換特性を測定し
た。再生出力波形観察によるメインピークａと疑似ギャ
ップ出力すの出力比ｂ／ａの測定の結果、本発明のｂ／
ａは０．０２、従来法のｂ／ａは０．１であり、この発
明によるヘッドの場合の方は、疑似ギャップの効果は実
、質的に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記
録再生特性を有することが確認できた。

また、この発明によるコンポジットヘッドの再生周波数
特性のうねりは大幅に改善され、１ｄＢ以下であった。

実施例３ Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトからなる第１図に示すＣ型
ブロツク半体（１）の磁気ギャップ突合わせ面（２）に
、無歪み加工を施し、その上に拡散防止膜としてサイア
ロンを２００人成膜した。

さらに、ＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置によ
って、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ膜を、成膜開始時は４５
人１分の成膜速度で約１１分間、５００に享み成膜し、
次いで２０ＯÅ／分の成膜速度に上昇させて１００分間
、１．５μ厚み成膜して、１．５５−厚みに積層成膜し
た。

Ｃ型ブロツク半体（１）とＩ型ブロック半体（３）のギ
ャップ膜として、ガラス膜を各々０．；％ｍ厚みに被着
形成し、ギャップ形成面どうしを付き合わせ、Ｎ２ガス
雰囲気中（６８０℃×１０分）によってガラスボンディ
ングした。

二のボンディングしたブロックを加工してＭＩＧモノリ
シックスライダーを作製し、電磁変換特性を測定した。

その結果、実施例１と同様に、疑似ギャップの効果は実
質的に問題とならない程度に著しく減少し、良好な記録
再生特性を有することが確認できた。

実施例４ Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトからなる第１図に示すＣ型
ブロツク半体（１）の磁気ギャップ突合わせ面（２）に
、無歪み加工を施し、その上に拡散防止膜としてサイア
ロンを２００に成膜した。

さらに、ＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置によ
って、Ｆｅ−６ＡＩ−１０Ｓｉ膜を１．５ｐ厚みに積層
成膜した。

Ｆｅ−Ａｌ−８層合金膜の成膜条件は、第３図に示す如
く、成膜開始時はのＯから２００人／分の成膜速度まで
、１００分間、毎分１．７２Ｗ／ｍｍ２の傾斜でターゲ
ットへの投入電力を調整することにより連続的に増加さ
せて１．０μ厚み成膜し、その後さらに２００八１分の
成膜速度のまま２５分間、０．５戸厚み成膜した。

その後、Ｃ型ブロツク半体（１）とＩ型ブロック半体（
３）のギャップ膜として、ガラス膜を各々０．３ｐｍ厚
みに被着形成し、ギャップ形成面同志を付き合わせ、Ｎ
２ガス雰囲気中（７２０℃×１０分）によってガラスボ
ンディングした。

このボンディングしたブロックを加工してＭＩＧモノリ
シックスライダーを作製し、電磁変換特性を測定した。

従って、上記モノリシックヘッドは、第４図Ａに示す如
く、ヘッドコア（４）の磁気ギャップ突合わせ面は、サ
イアロンからなる拡散防止膜（５）、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
膜（６）が積層成膜され、さらに磁気ギャップ用のガラ
ス膜（７）が成膜されており１、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜（
６）について詳述すれば、同図Ｃに示す如く、拡散防止
膜（５）の上に、成膜速度Ｏ〜２００人／分の層（６４
）、成膜速度２０ＯÅ／分の層（６３）の２層からなる
と考えられる。

電磁変換特性の測定の結果、実施例１と同様に、疑似ギ
ャップの効果は実質的に問題とならない程度に著しく減
少し、良好な記録再生特性を有することが確認できた。

【図面の簡単な説明】

第１図はＭＩＧ型磁気ヘッドの製造を示すＣ型ブロツク
半体とＩ型ブロック半体の斜視説明図である。 第２図、第３図はこの発明によるＦｅ−Ａｌ−８層合金
膜の成膜速度を示すグラフである。 第４図Ａはへラドコアの磁気ギャップ突合わせ面上の成
膜を示す断面説明図であり、同図Ｂ−ＤはＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ膜の詳細を示す断面説明図である。 １・・・Ｃ型ブロツク半体、 ２・・・磁気ギャップ突合わせ面、 ３・・・Ｉ型ブロック半体、４・・・コア、５・・・拡
散防止膜、６・・・Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜、７・・・ガラ
ス膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一方の磁気コア半体がフェライトからなり、
   磁気ギャップ内に高飽和磁束密度の金属膜を有するＭＩ
   Ｇ型磁気ヘッドの製造方法において、フェライトコアの
   磁気ギャップ突合わせ面に、非磁性無機材料からなる界
   面反応防止膜を被着した後、 前記界面反応防止膜上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜を気相
   成長方法で成膜する際に、成膜速度を低速度から順次、
   段階的にあるいは連続的に高速度へと変化させながら成
   膜することを特徴とするＭＩＧ型磁気ヘッドの製造方法
   。 ２ Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜の成膜開始時から少なくとも５
   ０Å厚みまでの成膜速度を、５０Å／分以下の低速度と
   したことを特徴とする請求項１記載のＭＩＧ型磁気ヘッ
   ドの製造方法。