JPH03266239A - 光磁気ディスクのスパッタリング方法 - Google Patents
光磁気ディスクのスパッタリング方法Info
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- JPH03266239A JPH03266239A JP6314790A JP6314790A JPH03266239A JP H03266239 A JPH03266239 A JP H03266239A JP 6314790 A JP6314790 A JP 6314790A JP 6314790 A JP6314790 A JP 6314790A JP H03266239 A JPH03266239 A JP H03266239A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要〕
この発明は、記録層として希土類金属多量の磁性膜と遷
移金属多量の磁性膜とを光磁気ディスク基板へスパッタ
リング成膜により交互に積層された、周期多層膜を有す
る光磁気ディスクのスパッタリング方法に関し、 周期多層膜の光磁気ディスクを簡便に、かつ大量に製造
できる光磁気ディスクのスパッタリング方法を従供する
ことを目的とし、 前記記録層をスパッタリングにより成膜する希土類金属
多量の磁性膜の第１の成膜源と、遷移金属多量の磁性膜
の第２の成膜源とを用意し、回転自在な第１の基体と、
この第１の基体上にあって、かつ回転自在な第２の基体
と、この第２の基体の日周部に保持され、かつ前記成膜
源に対向する位置にある光磁気ディスク基板とを有し、
前記第１の基体の回転を公転として基準とする時、前記
第２の基体の自転との自公転、比率を１±０．２．３±
０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の範囲に
設定して第１、第２の基体を自公転しながら、光磁気デ
ィスク基板上にスパッタリングし、周期多層膜を成膜す
ることを特徴とする光磁気ディスクのスパッタリング方
法。
移金属多量の磁性膜とを光磁気ディスク基板へスパッタ
リング成膜により交互に積層された、周期多層膜を有す
る光磁気ディスクのスパッタリング方法に関し、 周期多層膜の光磁気ディスクを簡便に、かつ大量に製造
できる光磁気ディスクのスパッタリング方法を従供する
ことを目的とし、 前記記録層をスパッタリングにより成膜する希土類金属
多量の磁性膜の第１の成膜源と、遷移金属多量の磁性膜
の第２の成膜源とを用意し、回転自在な第１の基体と、
この第１の基体上にあって、かつ回転自在な第２の基体
と、この第２の基体の日周部に保持され、かつ前記成膜
源に対向する位置にある光磁気ディスク基板とを有し、
前記第１の基体の回転を公転として基準とする時、前記
第２の基体の自転との自公転、比率を１±０．２．３±
０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の範囲に
設定して第１、第２の基体を自公転しながら、光磁気デ
ィスク基板上にスパッタリングし、周期多層膜を成膜す
ることを特徴とする光磁気ディスクのスパッタリング方
法。
この発明は、希土類金属多量の磁性膜と遷移金属多量の
磁性膜とを光磁気ディスク基板へスパッタリング成膜に
より交互に積層された、周期多層膜を記録層として有す
る光磁気ディスクのスパッタリング方法に関する。
磁性膜とを光磁気ディスク基板へスパッタリング成膜に
より交互に積層された、周期多層膜を記録層として有す
る光磁気ディスクのスパッタリング方法に関する。
書き替え可能な光磁気ディスク等の光磁気記録媒体を構
成する希土類−遷移金属系磁性膜は、這常単一組成の磁
性膜（すなわち、単層膜）によって構成されている。こ
の希土類−遷移金属系磁性膜では、非晶質希土類−遷移
金属材料の組成により光磁気特性（記録・消去特性、Ｃ
／Ｎ比、周波数特性等の再生特性）が変わってくる。
成する希土類−遷移金属系磁性膜は、這常単一組成の磁
性膜（すなわち、単層膜）によって構成されている。こ
の希土類−遷移金属系磁性膜では、非晶質希土類−遷移
金属材料の組成により光磁気特性（記録・消去特性、Ｃ
／Ｎ比、周波数特性等の再生特性）が変わってくる。
例えば、補償組成に対して遷移金属組成の多い希土類−
遷移金属系磁性膜（以下、遷移金属多量膜という）の単
層膜の場合には、カー回転角が大きく得られるのでＣ／
Ｎ比が高い。また、磁化の反転がし易くなるので、記録
感度も高い。しかし、消去特性についてみると、周囲の
磁化が大きいために記録ビットが静磁気的に安定になり
消去が困難となる。また、磁化Ｍ、が大きいので垂直異
方性磁界が大きくなければ垂直異方性が悪く、安定な記
録ビットが得られない。そのため、周波数特性が悪くな
る。
遷移金属系磁性膜（以下、遷移金属多量膜という）の単
層膜の場合には、カー回転角が大きく得られるのでＣ／
Ｎ比が高い。また、磁化の反転がし易くなるので、記録
感度も高い。しかし、消去特性についてみると、周囲の
磁化が大きいために記録ビットが静磁気的に安定になり
消去が困難となる。また、磁化Ｍ、が大きいので垂直異
方性磁界が大きくなければ垂直異方性が悪く、安定な記
録ビットが得られない。そのため、周波数特性が悪くな
る。
次に、補償組成に対して希土類金属組成の多い、希土類
−遷移金属系磁性膜（以下、希土類金属多量膜という）
の単層膜の場合には、１移金属多量膜に比してカー回転
角が小さいのでＣ／Ｎ比か悪い。また、記録感度も低く
、高いレーザーパワーが必要となる。反面、磁化Ｍ、が
小さいので消去は容易であり、また、周波数特性もよい
。
−遷移金属系磁性膜（以下、希土類金属多量膜という）
の単層膜の場合には、１移金属多量膜に比してカー回転
角が小さいのでＣ／Ｎ比か悪い。また、記録感度も低く
、高いレーザーパワーが必要となる。反面、磁化Ｍ、が
小さいので消去は容易であり、また、周波数特性もよい
。
そこで、遷移金属多量膜と希土類金属多量膜との長所を
生かして短所を補うために、この２層膜を互いに交換結
合するように積層してなる希土類−遷移金属系磁性膜が
提案され、実施されている。
生かして短所を補うために、この２層膜を互いに交換結
合するように積層してなる希土類−遷移金属系磁性膜が
提案され、実施されている。
たとえば、遷移金属多量膜と希土類金属多量膜の２つを
交互に積層させた膜構造（周期多層膜）の公知の技術と
して、特開昭６３−３１１６４１号広報の「光磁気記録
媒体」、特開昭６３−２８２９４４号広報の「光熱磁気
記録媒体」が開示されている。
交互に積層させた膜構造（周期多層膜）の公知の技術と
して、特開昭６３−３１１６４１号広報の「光磁気記録
媒体」、特開昭６３−２８２９４４号広報の「光熱磁気
記録媒体」が開示されている。
ところで、従来の周期多層膜を成膜する方法は、２つの
成膜源から交互にスパッタリングして厚さが数１０人（
オングストローム）程度の薄膜を積層させて成膜するか
、あるいは、複数個の成膜源を用いてパワー調整により
スパッタリングするものである（例えば、特開昭６３−
３１１６４１号広報の「光磁気記録媒体」参照）。
成膜源から交互にスパッタリングして厚さが数１０人（
オングストローム）程度の薄膜を積層させて成膜するか
、あるいは、複数個の成膜源を用いてパワー調整により
スパッタリングするものである（例えば、特開昭６３−
３１１６４１号広報の「光磁気記録媒体」参照）。
しかし、従来実施されているスパッタリング方法は数１
０人程度の薄膜を交互にスパッタリングしたり、あるい
はパワー調整によりスパッタリングするものであり、い
ずれもスパッタリング装置や製造方法が煩雑になるとと
もに、スパッタリング後の周期多Ｎ膜の安定性（品質）
に問題があった。
０人程度の薄膜を交互にスパッタリングしたり、あるい
はパワー調整によりスパッタリングするものであり、い
ずれもスパッタリング装置や製造方法が煩雑になるとと
もに、スパッタリング後の周期多Ｎ膜の安定性（品質）
に問題があった。
この発明は、このような課題に鑑みて創案したものであ
り、周期多層膜の光磁気ディスクを簡便に、かつ大量に
製造できる光磁気ディスクのスパッタリング方法を捉供
することを目的とする。
り、周期多層膜の光磁気ディスクを簡便に、かつ大量に
製造できる光磁気ディスクのスパッタリング方法を捉供
することを目的とする。
光磁気ディスクの記録層として希土類金属多量の磁性膜
と遷移金属多量の磁性膜とを交互に積層された、周期多
層膜を有する光磁気ディスクのスパッタリング方法にお
いて、 第１図を参照すると、前記記録−層をスパッタリングに
より成膜する希土類金属多量の磁性膜の第１の成膜源１
と、遷移金属多量の磁性膜の第２の成膜源２とを用意し
、 回転自在な第１の基体３と、この第１の基体３上にあっ
て、かつ回転自在な第２の基体４と、この第２の基体４
の円周部に保持され、かつ成膜源１２に対向する位置に
ある光磁気ディスク基板（以下、ディスク基板とする）
５とを有し、第１の基体３の回転を公転として基準とす
る時、第２の基体４の自転との自公転比率を１±０．２
．３±０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の
範囲に設定して第１、第２の基体３．４を自公転しなが
ら、ディスク基板５上にスパッタリングし、周期多層膜
を成膜することを特徴とする。
と遷移金属多量の磁性膜とを交互に積層された、周期多
層膜を有する光磁気ディスクのスパッタリング方法にお
いて、 第１図を参照すると、前記記録−層をスパッタリングに
より成膜する希土類金属多量の磁性膜の第１の成膜源１
と、遷移金属多量の磁性膜の第２の成膜源２とを用意し
、 回転自在な第１の基体３と、この第１の基体３上にあっ
て、かつ回転自在な第２の基体４と、この第２の基体４
の円周部に保持され、かつ成膜源１２に対向する位置に
ある光磁気ディスク基板（以下、ディスク基板とする）
５とを有し、第１の基体３の回転を公転として基準とす
る時、第２の基体４の自転との自公転比率を１±０．２
．３±０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の
範囲に設定して第１、第２の基体３．４を自公転しなが
ら、ディスク基板５上にスパッタリングし、周期多層膜
を成膜することを特徴とする。
［作用］
この発明のように、ディスク基板５を保持する第１、第
２の基体３．４との自公転比を用いると、ディスク基板
５の軌道上に、第３図のＸ部のように、第１の成膜′ａ
ｌ上の滞在時間の長い部分と、Ｙ部のように短い部分が
出現し、第２の基体４の自転が、第１の基体３の１公転
毎に少しずつずれていくように動く。
２の基体３．４との自公転比を用いると、ディスク基板
５の軌道上に、第３図のＸ部のように、第１の成膜′ａ
ｌ上の滞在時間の長い部分と、Ｙ部のように短い部分が
出現し、第２の基体４の自転が、第１の基体３の１公転
毎に少しずつずれていくように動く。
その結果、第１の基体３の１回の回転（公転）で、成膜
源１のスパッタリングにより成膜された膜（塗り潰し部
分）と成膜源２のスパッタリングにより成膜された膜（
白色部分）が１層ずつ成膜されるが、第３図に示す軌道
の特性により、比率（厚さ）が少しずつ変化して、第４
図に示すように、比較的に成膜源１の影響が大きい層（
第１層Ａ１、第３層Ａ２・・・）と、成膜源２の影響が
大きい層（第２層Ｂ５、第゛４層Ｂ２・・・）とが交互
に積層された形の周期多量膜になる。
源１のスパッタリングにより成膜された膜（塗り潰し部
分）と成膜源２のスパッタリングにより成膜された膜（
白色部分）が１層ずつ成膜されるが、第３図に示す軌道
の特性により、比率（厚さ）が少しずつ変化して、第４
図に示すように、比較的に成膜源１の影響が大きい層（
第１層Ａ１、第３層Ａ２・・・）と、成膜源２の影響が
大きい層（第２層Ｂ５、第゛４層Ｂ２・・・）とが交互
に積層された形の周期多量膜になる。
ここで、成膜源１に希土類金属多量の磁性体を、成膜源
２に遷移金属多量の磁性体を用いることにより、ディス
ク基板５に前記周期多層膜が成膜されて光磁気ディスク
が簡便に、かつ大量に生成される。
２に遷移金属多量の磁性体を用いることにより、ディス
ク基板５に前記周期多層膜が成膜されて光磁気ディスク
が簡便に、かつ大量に生成される。
以下、この発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例であるスパッタリング装置
の構成図、第２図はディスク基板を保持する基体とディ
スク基板との配置説明図、第３図はこの基体とディスク
基板の自公転の動きの説明図、第４図はこの発明による
成膜部分の説明図、第５図はこの成膜部分のＴｂ組成の
変化を示す表、第６図はこの成膜部分のＣ／Ｎ比・周波
数特性図である。
の構成図、第２図はディスク基板を保持する基体とディ
スク基板との配置説明図、第３図はこの基体とディスク
基板の自公転の動きの説明図、第４図はこの発明による
成膜部分の説明図、第５図はこの成膜部分のＴｂ組成の
変化を示す表、第６図はこの成膜部分のＣ／Ｎ比・周波
数特性図である。
第１図において、１は記録層をスパッタリングにより成
膜する希土類多量の磁性膜の第１の成膜源、１ａは希土
類多量を有するターゲット、１ｂはこのターゲラｔ−１
ａを保持するバッキングプレート、１ｃは高周波電源で
ある。
膜する希土類多量の磁性膜の第１の成膜源、１ａは希土
類多量を有するターゲット、１ｂはこのターゲラｔ−１
ａを保持するバッキングプレート、１ｃは高周波電源で
ある。
２は遷移金属多量の磁性膜をスパッタリングする第２の
成膜源、２ａは遷移金属多量を有するターゲット、２ｂ
はこのターゲット２ａを保持するバッキングプレート、
２Ｃは高周波電源である。
成膜源、２ａは遷移金属多量を有するターゲット、２ｂ
はこのターゲット２ａを保持するバッキングプレート、
２Ｃは高周波電源である。
３は回転自在な第１の基体、４はこの第１の基体３上に
あって、かつ回転自在な第２の基体、５はこの第２の基
体４の円周部に固定され、かつ前記成膜源１．２に対向
する位置にあるディスク基板である。
あって、かつ回転自在な第２の基体、５はこの第２の基
体４の円周部に固定され、かつ前記成膜源１．２に対向
する位置にあるディスク基板である。
ディスク基板を保持する第１の基体３と第２の基体４に
おいて、第１の基体３の回転を公転として基準とする時
、第２の基体４の自転との自公転比率を１±０．２．３
±０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の範囲
に設定する。すなわち、第２の基体４の自転が、１公転
毎に少しずつずれていくように設定する。
おいて、第１の基体３の回転を公転として基準とする時
、第２の基体４の自転との自公転比率を１±０．２．３
±０．２．５±０．２．７±０．２．９±０．２の範囲
に設定する。すなわち、第２の基体４の自転が、１公転
毎に少しずつずれていくように設定する。
６は真空の部屋であり、部屋６を数ミリＴｏｒｒのアル
ゴン（Ａｒ）雰囲気７にしである。また、この部屋６の
中にバッキングプレートｌｂ、２ｂに保持された、ター
ゲラ）ｌａ、２ａに対向させて被膜付着部材であるディ
スク基板５が配置されている。
ゴン（Ａｒ）雰囲気７にしである。また、この部屋６の
中にバッキングプレートｌｂ、２ｂに保持された、ター
ゲラ）ｌａ、２ａに対向させて被膜付着部材であるディ
スク基板５が配置されている。
更に、成膜源１．２およびディスク基板５（あるいは、
第１、第２の基体３．４）との間は壁で仕切られており
、この壁には成膜源１，２よりそれぞれスパッターされ
るターゲットｌａ、２ａのスパッター位置に対応した第
１、第２の開口部１ｄ。
第１、第２の基体３．４）との間は壁で仕切られており
、この壁には成膜源１，２よりそれぞれスパッターされ
るターゲットｌａ、２ａのスパッター位置に対応した第
１、第２の開口部１ｄ。
２ｄが穿設されている。
そして、このディスク基板５をアース已に接続し、バッ
キングプレートｌｂ、２ｂを１０〜１３詠の高周波電源
１ｃ、２ｃに接続する。
キングプレートｌｂ、２ｂを１０〜１３詠の高周波電源
１ｃ、２ｃに接続する。
このようなスタッパリング装置によって、第１、第２の
基体３．４を自公転させ、その自公転の比率をたとえば
、３．２程度に設定し、Ａｒイオンをターゲットｌａ、
２ａに衝突させてターゲットｌａ。
基体３．４を自公転させ、その自公転の比率をたとえば
、３．２程度に設定し、Ａｒイオンをターゲットｌａ、
２ａに衝突させてターゲットｌａ。
２ａの分子を弾き飛ばし、その弾き飛ばされたターゲラ
）Ｉａ、２ａの分子をそれぞれの第１、第２の開口部１
ｄ、２ｄを介してディスク基板５に付着させる。
）Ｉａ、２ａの分子をそれぞれの第１、第２の開口部１
ｄ、２ｄを介してディスク基板５に付着させる。
この発明のように、ディスク基板５を保持する第１、第
２の基体３．４との自公転比を用いると、ディスク基板
５の軌道において、第１の基体３の進行方向と第２の基
体４の進行方向が逆になる場合は、第１の成膜源１ある
いは第２の成膜源２の上の滞在時間が長くなり（第３図
のＸ部、参照）、第１の基体３と第２の基体４の進行方
向が同じ場合は、滞在時間が短くなり（第３図のＹ部、
参照）、第２の基体４の自転が、１公転毎に少しずつず
れていくように動く。
２の基体３．４との自公転比を用いると、ディスク基板
５の軌道において、第１の基体３の進行方向と第２の基
体４の進行方向が逆になる場合は、第１の成膜源１ある
いは第２の成膜源２の上の滞在時間が長くなり（第３図
のＸ部、参照）、第１の基体３と第２の基体４の進行方
向が同じ場合は、滞在時間が短くなり（第３図のＹ部、
参照）、第２の基体４の自転が、１公転毎に少しずつず
れていくように動く。
その結果、第４図に示す周期多層膜がディスク基板５に
成膜される。なお、図においては、成膜源１の膜と成膜
源２の膜との識別を容易にするために、成膜源ｌよりで
きた膜を塗り潰し部分にて表示し、成膜源２よりできた
膜を白色部分で表示する。
成膜される。なお、図においては、成膜源１の膜と成膜
源２の膜との識別を容易にするために、成膜源ｌよりで
きた膜を塗り潰し部分にて表示し、成膜源２よりできた
膜を白色部分で表示する。
すなわち、第１の基体３の１公転毎に成膜源１と成膜源
２による膜が交互に１層ずつできるが、第３図に示すデ
ィスク基板５の軌道の特性により比率（厚さ）が少しず
つ変化する。そして、第４図に示すように、比較的に成
膜源１の影響が大きい層（第１層ＡＨ１第３層Ａ２・・
・）と、成膜源２の影響が大きい層（第２層Ｂ１、第４
層Ｂ２・・・）とが積層された形の周期多量膜がディス
ク基板５に成膜されて光磁気ディスクが生成される。
２による膜が交互に１層ずつできるが、第３図に示すデ
ィスク基板５の軌道の特性により比率（厚さ）が少しず
つ変化する。そして、第４図に示すように、比較的に成
膜源１の影響が大きい層（第１層ＡＨ１第３層Ａ２・・
・）と、成膜源２の影響が大きい層（第２層Ｂ１、第４
層Ｂ２・・・）とが積層された形の周期多量膜がディス
ク基板５に成膜されて光磁気ディスクが生成される。
なお、第１層Ａ１のａ、 ｂ、 ｃや第２層Ｂ２の１
、ｍ、ｎで示される微細な層構造は、それぞれの層の厚
さを１人（オングストローム）程度以下にすることで、
無くすことができる。
、ｍ、ｎで示される微細な層構造は、それぞれの層の厚
さを１人（オングストローム）程度以下にすることで、
無くすことができる。
第５図は成膜源１のターゲット１ａに２６．５％のＴｂ
を含む希土類金属多量材料（ＴｂＦｅＣｏ）を使用し、
成膜源２のターゲラ）２ａに２１．５％のＴｂを含む遷
移金属多量材料（ＴｂＦｅＣｏ）を使用して第１、第２
の基体３．４の自公転比を３．２程度にてスパッタリン
グした場合の組成の変化を示すものである。この図によ
れば、横軸の膜断面方向に沿って、遷移金属多量の磁性
膜（Ｔｂ２２．５％）と希土類金属多量の磁性膜（Ｔｂ
２５．８％）が交互に積層しているようすを示している
。
を含む希土類金属多量材料（ＴｂＦｅＣｏ）を使用し、
成膜源２のターゲラ）２ａに２１．５％のＴｂを含む遷
移金属多量材料（ＴｂＦｅＣｏ）を使用して第１、第２
の基体３．４の自公転比を３．２程度にてスパッタリン
グした場合の組成の変化を示すものである。この図によ
れば、横軸の膜断面方向に沿って、遷移金属多量の磁性
膜（Ｔｂ２２．５％）と希土類金属多量の磁性膜（Ｔｂ
２５．８％）が交互に積層しているようすを示している
。
第６図に示す成膜部分のＣ／Ｎ比・周波数特性図から明
らかなように、従来の希土類−遷移金属が均一な磁性膜
（第６図の■参照）に比べて、この発明による磁性膜（
第６図の■参照）は、カー回転角の大きな遷移金属多量
膜をカー効果で読み出す層に用いるために高いＣ／Ｎ比
が得られる。
らかなように、従来の希土類−遷移金属が均一な磁性膜
（第６図の■参照）に比べて、この発明による磁性膜（
第６図の■参照）は、カー回転角の大きな遷移金属多量
膜をカー効果で読み出す層に用いるために高いＣ／Ｎ比
が得られる。
また、記録感度の良い遷移金属多量膜を加熱するために
、低いレーザパワーで書き込みができ、記録感度が高い
。さらに、遷移金属多量膜と希土類金属多量膜が交換結
合しているため、全体の磁化Ｍｓは小さ（なっており、
このため消去パワーは小さくて済み、消去感度が高い。
、低いレーザパワーで書き込みができ、記録感度が高い
。さらに、遷移金属多量膜と希土類金属多量膜が交換結
合しているため、全体の磁化Ｍｓは小さ（なっており、
このため消去パワーは小さくて済み、消去感度が高い。
さらにまた、交換結合により遷移金属多量膜の垂直異方
性が確保されるため、周波数特性は良い。
性が確保されるため、周波数特性は良い。
この発明は、以上説明したように、記録層をスパッタリ
ングにより成膜する希土類多量の磁性膜の第１の成膜源
と、遷移金属多量の磁性膜の第２の成膜源とを用意し、
回転自在な第１の基体と、この第１の基体上にあって、
かつ回転自在な第２の基体と、この第２の基体の円周部
に保持され、かつ前記成膜源に対向する位置にあるディ
スク基板とを有し、前記第１の基体の回転を公転として
基準とする時、前記第２の基体の自転との自公転比率を
１±０．２．３六〇、２．５±０．２．７土０．２．９
±０．２の範囲に設定して第１、第２の基体を自公転し
ながら、光磁気ディスク基板上にスパッタリングし、周
期多層膜を成膜することにより、周期多層膜の光磁気デ
ィスクを簡便に、かつ大量に製造することができる。
ングにより成膜する希土類多量の磁性膜の第１の成膜源
と、遷移金属多量の磁性膜の第２の成膜源とを用意し、
回転自在な第１の基体と、この第１の基体上にあって、
かつ回転自在な第２の基体と、この第２の基体の円周部
に保持され、かつ前記成膜源に対向する位置にあるディ
スク基板とを有し、前記第１の基体の回転を公転として
基準とする時、前記第２の基体の自転との自公転比率を
１±０．２．３六〇、２．５±０．２．７土０．２．９
±０．２の範囲に設定して第１、第２の基体を自公転し
ながら、光磁気ディスク基板上にスパッタリングし、周
期多層膜を成膜することにより、周期多層膜の光磁気デ
ィスクを簡便に、かつ大量に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例であるスパッタリング装置
の構成図、第２図はディスク基板を保持する基体とディ
スク基板との配置説明図、第３図はこの基体とディスク
基板の自公転の動きの説明図、第４図はこの発明による
成膜部分の説明図、第５図はこの成膜部分のＴｂ組成の
変化を示す表、第６図はこの成膜部分のＣ／Ｎ比・周波
数特性図である。 １・・・第１の成膜源、 １ａ・・・ターゲ・ノド、 １ｂ・・・バッキングプレート、 １ｃ・・・高周波電源、 １ｄ・・・第１開口部、 ２・・・第２の成膜源、 ２ａ・・・ターゲット、 ２ｂ・・・バッキングプレート、 ２ｃ・・・高周波電源、 ２ｄ・・・第２開口部、 ３・・・第１の基体、 ４・・・第２の基体、 ５・・・ディスク基板。
の構成図、第２図はディスク基板を保持する基体とディ
スク基板との配置説明図、第３図はこの基体とディスク
基板の自公転の動きの説明図、第４図はこの発明による
成膜部分の説明図、第５図はこの成膜部分のＴｂ組成の
変化を示す表、第６図はこの成膜部分のＣ／Ｎ比・周波
数特性図である。 １・・・第１の成膜源、 １ａ・・・ターゲ・ノド、 １ｂ・・・バッキングプレート、 １ｃ・・・高周波電源、 １ｄ・・・第１開口部、 ２・・・第２の成膜源、 ２ａ・・・ターゲット、 ２ｂ・・・バッキングプレート、 ２ｃ・・・高周波電源、 ２ｄ・・・第２開口部、 ３・・・第１の基体、 ４・・・第２の基体、 ５・・・ディスク基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光磁気ディスクの記録層として希土類金属多量の磁性
膜と遷移金属多量の磁性膜とを交互に積層された、周期
多層膜を有する光磁気ディスクのスパッタリング方法に
おいて、 前記記録層をスパッタリングにより成膜する希土類金属
多量の磁性膜の第１の成膜源（１）と、遷移金属多量の
磁性膜の第２の成膜源（２）とを用意し、回転自在な第
１の基体（３）と、この第１の基体（３）上にあって、
かつ回転自在な第２の基体（４）と、この第２の基体（
４）の円周部に保持され、かつ前記成膜源（１），（２
）に対向する位置にある光磁気ディスク基板（５）とを
有し、 前記第１の基体（３）の回転を公転として基準とする時
、前記第２の基体（４）の自転との自公転比率を１±０
．２，３±０．２，５±０．２，７±０．２，９±０．
２の範囲に設定して第１、第２の基体（３）、（４）を
自公転しながら、光磁気ディスク基板（５）上にスパッ
タリングし、周期多層膜を成膜することを特徴とする光
磁気ディスクのスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314790A JPH03266239A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光磁気ディスクのスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314790A JPH03266239A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光磁気ディスクのスパッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266239A true JPH03266239A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13220845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6314790A Pending JPH03266239A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 光磁気ディスクのスパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765425A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2009081953A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP6314790A patent/JPH03266239A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765425A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2009081953A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置 |
| JP5259626B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-08-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置、スパッタ成膜方法 |
| JP2013174020A (ja) * | 2007-12-26 | 2013-09-05 | Canon Anelva Corp | スパッタ装置 |
| US8877019B2 (en) | 2007-12-26 | 2014-11-04 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, sputter deposition method, and analysis apparatus |
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